一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括透明導(dǎo)電陽(yáng)極基板和依次層疊設(shè)置在透明導(dǎo)電陽(yáng)極基板上的發(fā)光功能層和陰極，陰極包括依次層疊設(shè)置的第一陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括依次層疊的金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；金屬氧化物層的材料為Nb2O5、V2O5和Ta2O5中的至少兩種，合金層的材料為鎂-銀合金或鋰-鋁合金；第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的氧化物/金屬/氧化物復(fù)合層。該有機(jī)電致發(fā)光器件在未點(diǎn)亮?xí)r能作為透明產(chǎn)品，而在正常工作時(shí)陽(yáng)極和陰極出光對(duì)比度為20～25:1。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光（Organic Light Emission Diode)，以下簡(jiǎn)稱0LED，具有亮度高、材 料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速 度快等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā) 展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國(guó)內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003] 透明有機(jī)電致發(fā)光器件（T0LED)是0LED的一種，它在加電時(shí)陽(yáng)極和陰極兩面都可 發(fā)射光，而不加電時(shí)成透明狀的特性，開(kāi)辟了顯示領(lǐng)域的一個(gè)特殊應(yīng)用方向。但在有些實(shí)際 應(yīng)用中，需要有機(jī)電致發(fā)光器件在不加電時(shí)成透明狀的特性，而在加電時(shí)不需要兩面都高 效出光，陽(yáng)極和陰極出光保持合適的對(duì)比度即可，這樣的情況下，現(xiàn)有兩面高效出光的透明 有機(jī)電致發(fā)光器件將導(dǎo)致較大的光損失。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。通過(guò)制備復(fù)合結(jié) 構(gòu)的陰極，且將第二陰極層設(shè)置成條狀間隔分布，最終獲得到了在未點(diǎn)亮?xí)r可作為透明產(chǎn) 品，而在正常工作時(shí)陽(yáng)極和陰極出光對(duì)比度為20?25:1的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0005] -方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括透明導(dǎo)電陽(yáng)極基板和依次層 疊設(shè)置在所述透明導(dǎo)電陽(yáng)極基板上的發(fā)光功能層和陰極，所述陰極包括依次層疊設(shè)置在所 述發(fā)光功能層上的第一陰極層和第二陰極層；
[0006] 所述第一陰極層包括依次層疊設(shè)置在所述發(fā)光功能層上的金屬氧化物層、合金層 和導(dǎo)電氧化物薄膜層；所述金屬氧化物層的材料為Nb205、V20 5和Ta205中的至少兩種，所述 合金層的材料為鎂-銀合金或鋰-鋁合金，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的材料為銦錫氧化物、鋁 鋅氧化物或銦鋅氧化物；
[0007] 所述第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬化 合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層，所述金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層為三層結(jié)構(gòu)， 所述三層結(jié)構(gòu)的材料組成為 M〇03/A1/M〇03、ZnS/Ag/ZnS、IT0/Pt/IT0、IT0/Au/IT0、ITO/Ag/ IT0 或 Zn0/Cu/Zn0。
[0008] 本發(fā)明將陰極設(shè)置成上述的復(fù)合結(jié)構(gòu)，可以使得器件在未點(diǎn)亮?xí)r呈透明狀，將金 屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上，當(dāng)器件點(diǎn)亮 時(shí)，能夠使陰極面的部分光出射，而另一部分光被反射回器件內(nèi)部，得到所需的陽(yáng)極和陰極 出光對(duì)比度。金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層是一種半透明陰極的制作方法，兼顧 透光性和導(dǎo)電性，中間金屬起主要的導(dǎo)電作用，兩邊的金屬化合物對(duì)注入有一定的幫助。金 屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層的設(shè)置可以增加電子注入，其中，金屬氧化物層的 Nb205、V205和Ta20 5具有散射作用，因此金屬氧化物層可作為內(nèi)散射層增強(qiáng)出光效率，合金層 的鎂-銀合金和鋰-鋁合金功函分別為3. 2eV左右和3. 7eV左右，比單質(zhì)鋁和銀等常用的 金屬要低，導(dǎo)電氧化物薄膜層提供導(dǎo)電薄膜，透光率較高，同時(shí)化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。本發(fā)明有機(jī) 電致發(fā)光器件陽(yáng)極面采用高出光材質(zhì)，陰極面出光率相對(duì)較差、陰極面透明第一陰極層對(duì) 光的透射和半透明第二陰極層對(duì)光的反射和相應(yīng)參數(shù)的設(shè)置共同決定了出光對(duì)比度。本發(fā) 明有機(jī)電致發(fā)光器件在正常工作時(shí)陽(yáng)極和陰極出光對(duì)比度為20?25:1。
[0009] 本發(fā)明金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層中的"/"表示層與層之間的界面。
[0010] 優(yōu)選地，所述金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層的寬度為100 y m?150 li m。
[0011] 優(yōu)選地，相鄰兩個(gè)所述金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層之間的距離為 100 U m ?150 u m。
[0012] 優(yōu)選地，所述金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層的三層結(jié)構(gòu)中，金屬化合物層 的厚度為30nm?50nm，金屬層的厚度為10nm?30nm。
[0013] 優(yōu)選地，所述金屬氧化物層的厚度為30nm?50nm。
[0014] 優(yōu)選地，所述他205、^05和Ta 205在金屬氧化物層中的摩爾用量相等。
[0015] 優(yōu)選地，所述合金層的厚度為10nm?20nm。
[0016] 優(yōu)選地，所述鎂-銀合金的鎂、銀質(zhì)量比為8?13:1，所述鋰-鋁合金中鋰的質(zhì)量 分?jǐn)?shù)為0.5%?1%。更優(yōu)選地，所述鎂-銀合金的鎂、銀質(zhì)量比為10:1，所述鋰-鋁合金中 鋰的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為〇. 6%。
[0017] 優(yōu)選地，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的厚度為20nm?40nm。
[0018] 優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電陽(yáng)極基板為ITO玻璃基板、AZO玻璃基板或IZO玻璃基板。
[0019] 優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊設(shè)置在所述透明導(dǎo)電陽(yáng)極基板上的空穴注 入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0020] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料及摻雜在所述空穴傳輸材料中 的空穴注入材料，所述空穴注入材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%?35% ;所述空穴注入材料為 M〇03、W03、V205和Re03中的至少一種，所述空穴傳輸材料為N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘 基）_1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4, 4' -二 (9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、N, N' -二（3-甲基苯基）-N, N' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（TPD)和1， 1-二[4-[N，N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)中的一種，空穴注入層的厚 度為10nm?15nm。
[0021] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材料為N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，1'-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯 (〇8?)、1^-二（3-甲基苯基）州州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺（丁卩0)和1，1-二[4-[1 N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己燒（TAPC)中的一種，厚度為30?50nm。
[0022] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材料包括綠光主體材料和綠光客體材料，所述綠光客體材 料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%?10%，發(fā)光層的厚度為10nm?30nm。
[0023] 優(yōu)選地，所述綠光主體材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、 9, 9' -(1，3-苯基）二-9H-咔唑（mCP)、4, 4' -二（9-咔唑)聯(lián)苯（CBP)、N, N' -二（3-甲基苯 基），州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺（1?0)、1，1-二[4-[1以-二（?-甲苯基）氨基]苯 基]環(huán)己烷（TAPC)或9, 10-雙（1-萘基）蒽（ADN);所述綠光客體材料為三（2-苯基吡啶） 合銥（Ir (ppy)3)、乙酰丙酮酸二（2-苯基批陡）銥（Ir (ppy)2(acac))或三[2_(對(duì)甲苯基） 批陡]合銥（Ir(mppy)3)。
[0024] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、4, 7 -二 苯基一 1，10 -鄰菲羅啉（BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)、8_羥 基喹啉鋁（Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)和 1，3,5-三（1-苯基-111-苯并咪唑-2-基）苯（了?81)中的一種，厚度為1〇11111?6〇11111。
[0025] 優(yōu)選地，所述電子注入層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中 的堿金屬硫酸鹽，以及鋰鹽或銫鹽，所述堿金屬硫酸鹽的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%?25%，所述鋰 鹽或銫鹽的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%?35% ;所述堿金屬硫酸鹽為1^23044&2304、1( 2304、他2304和 Cs2S04中的任一種，所述鋰鹽為L(zhǎng)iF、LiN3和Li3N中的任一種，所述銫鹽為CsF、CsN 3和Cs3N 中的任一種，所述電子傳輸材料為4,7-二苯基-1，10-菲羅啉（8?1^11)、4,7-二苯基一1， 10-鄰菲羅啉（BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)、8_羥基喹啉鋁 (Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)和 1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)中的一種；所述電子注入層的厚度為15nm? 45nm〇
[0026] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟： [0027] 采用真空蒸發(fā)的方式在透明導(dǎo)電陽(yáng)極基板上制備發(fā)光功能層，真空度為 1 X 1(T5 ?1 X l(T3Pa ;
[0028] 再在所述發(fā)光功能層表面制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；所述陰極包括第一 陰極層和第二陰極層；所述第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層； 所述第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬化合物/金 屬/金屬化合物復(fù)合層；具體地：
[0029] 先采用磁控濺射的方式在所述發(fā)光功能層上制備金屬氧化物層；然后采用真空蒸 發(fā)的方式在所述金屬氧化物層上制備合金層，真空度為lXl(T5Pa?lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度 0.5A ~ 3A/S;再采用磁控濺射的方式在所述合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層；上述磁控濺 射過(guò)程中的本底真空度為1 X 10_5?1 X 10_3Pa，加速電壓為300?800V，磁場(chǎng)為50?200G， 功率密度為10?40W/cm2 ;所述金屬氧化物層的材料為Nb205、V205和Ta 205中的至少兩種， 所述合金層的材料為鎂-銀合金或鋰-鋁合金，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的材料為銦錫氧化 物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；
[0030] 最后提供一掩膜板，將所述掩膜板覆蓋在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，然后采用 真空蒸發(fā)的方式在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬化合物/ 金屬/金屬化合物復(fù)合層，真空度為1 x l(T5Pa?1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度1A ~ 5A/S;所述金屬 化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層為三層結(jié)構(gòu)，所述三層結(jié)構(gòu)的材料組成為M〇03/A1/M〇03、 ZnS/Ag/ZnS、IT0/Pt/IT0、IT0/Au/IT0、IT0/Ag/IT0 或 Zn0/Cu/Zn0。
[0031] 優(yōu)選地，所述金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層的寬度為100 y m?150 li m。
[0032] 優(yōu)選地，相鄰兩個(gè)所述金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層之間的距離為 100 u m ?150 u m〇
[0033] 優(yōu)選地，所述金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層的三層結(jié)構(gòu)中，所述金屬化合 物層的厚度為30nm?50nm，所述金屬層的厚度為10nm?30nm。
[0034] 優(yōu)選地，所述金屬氧化物層的厚度為30nm?50nm。
[0035] 優(yōu)選地，所述Nb205、V20jP Ta205在金屬氧化物層中的摩爾用量相等。
[0036] 優(yōu)選地，所述合金層的厚度為10nm?20nm。
[0037] 優(yōu)選地，所述鎂-銀合金的鎂、銀質(zhì)量比為8?13:1，所述鋰-鋁合金中鋰的質(zhì)量 分?jǐn)?shù)為0. 5?1%。更優(yōu)選地，所述鎂-銀合金的鎂、銀質(zhì)量比為10:1，所述鋰-鋁合金中鋰 的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為〇. 6%。
[0038] 優(yōu)選地，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的厚度為20nm?40nm。
[0039] 優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電陽(yáng)極基板為ITO玻璃基板、AZO玻璃基板或IZO玻璃基板。
[0040] 優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊設(shè)置在所述透明導(dǎo)電陽(yáng)極基板上的空穴注 入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0041] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料及摻雜在所述空穴傳輸材料中 的空穴注入材料，所述空穴注入材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%?35% ;所述空穴注入材料為 M〇03、W03、V205和Re03中的至少一種，所述空穴傳輸材料為N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘 基）_1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4, 4' -二 (9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、N, N' -二（3-甲基苯基）-N, N' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（TPD)和1， 1-二[4-[N，N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)中的一種，空穴注入層的厚 度為10nm?15nm。制備過(guò)程中真空度為lX10_5Pa?lX10_3Pa，蒸發(fā)速度〇.lA~ 1A/S。
[0042] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材料為N，N'_二苯基_N，N'_二（1-萘基）_1，1'-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯 (〇8?)、1^-二（3-甲基苯基）州州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺（丁卩0)和1，1-二[4-[1 N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己燒（TAPC)中的一種，厚度為30?50nm。制備過(guò)程 中真空度為1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度〇. 1A ~ 2A/S。
[0043] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材料包括綠光主體材料和綠光客體材料，所述綠光客體 材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%?10%，發(fā)光層的厚度為10nm?30nm ;制備過(guò)程中真空度為 1 X 10_5Pa ?1 X 10_3Pa，蒸發(fā)速度〇. 1A ~ 1A/S。
[0044] 優(yōu)選地，所述綠光主體材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、 9, 9' -(1，3-苯基）二-9H-咔唑（mCP)、4, 4' -二（9-咔唑)聯(lián)苯（CBP)、N, N' -二（3-甲基苯 基），州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺（1?0)、1，1-二[4-[1以-二（?-甲苯基）氨基]苯 基]環(huán)己烷（TAPC)或9, 10-雙（1-萘基）蒽（ADN);所述綠光客體材料為三（2-苯基吡啶） 合銥（Ir (ppy)3)、乙酰丙酮酸二（2-苯基批陡）銥（Ir (ppy)2(acac))或三[2_(對(duì)甲苯基） 批陡]合銥（Ir(mppy)3)。
[0045] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、4, 7 -二 苯基一 1，10 -鄰菲羅啉（BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)、8_羥 基喹啉鋁（Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)和 1，3,5-三（1-苯基-111-苯并咪唑-2-基）苯（了?81)中的一種，厚度為1〇11111?6〇11111;制備 過(guò)程中真空度為lXl(T5Pa?lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度〇.lA~2A/s。
[0046] 優(yōu)選地，所述電子注入層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中 的堿金屬硫酸鹽，以及鋰鹽或銫鹽，所述堿金屬硫酸鹽的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%?25%，所述鋰 鹽或銫鹽的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%?35% ;所述堿金屬硫酸鹽為1^23044&2304、1( 2304、他2304和 Cs2S04中的任一種，所述鋰鹽為L(zhǎng)iF、LiN3和Li3N中的任一種，所述銫鹽為CsF、CsN 3和Cs3N 中的任一種，所述電子傳輸材料為4,7-二苯基-1，10-菲羅啉（8?1^11)、4,7-二苯基一1， 10-鄰菲羅啉（BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)、8_羥基喹啉鋁 (Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)和 1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)中的一種；所述電子注入層的厚度為15nm? 45nm;制備過(guò)程中真空度為lXl(T5Pa?lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度〇.lA~2A/s。
[0047] 本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果：
[0048] (1)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，陰極為復(fù)合結(jié)構(gòu)，包括第一陰極層和第二陰 極層，第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二陰極層包括多個(gè)呈 條狀間隔設(shè)置的金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層；該器件在未點(diǎn)亮?xí)r能作為透明產(chǎn) 品，而在正常工作時(shí)陽(yáng)極和陰極出光對(duì)比度為20?25:1 ;
[0049] (2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝簡(jiǎn)單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模 使用。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0050] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1有機(jī)電致發(fā)光器件的金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合 層的設(shè)置示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0052] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0053] 實(shí)施例1
[0054] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0055] (1)將透明IT0玻璃基板依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗、乙醇清 洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干；并對(duì) 洗凈后的IT0玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加IT0表面的含氧量，提高IT0表面的功函數(shù)； IT0 厚度 150nm ;
[0056] (2)采用真空熱阻蒸發(fā)的方式在IT0玻璃基板表面制備發(fā)光功能層，依次包括空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；具體地：
[0057] 空穴注入層的制備：將M〇03摻雜入N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）_1，1' -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)中作為空穴注入層材料，M〇03的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，空穴注入層的 厚度為12. 5nm，真空度1 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S;
[0058] 空穴傳輸層的制備：采用乂^-二苯基4州'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二 胺（NPB)，厚度為40nm，真空度為1 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s，；
[0059] 發(fā)光層的制備：采用4, 4'，4'' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)為主體材料；采 用三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy)3)為綠光客體材料，Ir(ppy)j#雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%，厚度 20nm ;真空度為1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;
[0060] 電子傳輸層的制備：采用電子傳輸材料4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)，真空 度1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度1A/S，蒸發(fā)厚度35nm ;
[0061] 電子注入層的制備：采用LiF和Li2S04摻雜到電子傳輸材料4, 7-二苯基-1，10-菲 羅啉（Bphen)中形成的混合材料，Li2S〇d#雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%，LiF摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，蒸 發(fā)厚度為35nm，真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度為1A/S;
[0062] (3)在電子注入層上制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；陰極包括依次層疊的第一 陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二 陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬化合物/金屬/金屬化合物 復(fù)合層；
[0063] 具體地：
[0064] 先采用磁控濺射的方式在電子注入層上制備金屬氧化物層，材料為Nb205和V 205以 摩爾比1:1形成的混合材料，厚度為40nm，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為1 X 10-4Pa，加 速電壓為300V，磁場(chǎng)為50G，功率密度為lOW/cm2 ;
[0065] 然后采用真空蒸發(fā)的方式在金屬氧化物層上制備合金層，材料為Mg:Ag (質(zhì)量比 10:1)合金，厚度為15nm，真空度為lX10-4Pa，蒸發(fā)速度2A/S;
[0066] 再采用磁控濺射的方式在合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層，材料為IZ0,厚度 30nm，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為lX10-4Pa，加速電壓為300V，磁場(chǎng)為50G，功率密度 為 10W/cm2 ;
[0067] 最后提供一掩膜板，將掩膜板覆蓋在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，采用真空蒸發(fā)的方 式在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù) 合層，具體為M〇03/A1/M〇03，即先制備一層厚度為50nm的M〇03層，再在M〇0 3層上制備一層 厚度為30nm的A1層，然后在A1層上制備一層厚度為50nm的M〇03層，金屬化合物/金屬/ 金屬化合物復(fù)合層的寬度為100 U m，相鄰兩金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層的間距 為lOOum，真空蒸發(fā)過(guò)程的真空度為lX10-5Pa，蒸發(fā)速度5A/S。
[0068] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí) 施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括透明導(dǎo)電陽(yáng)極基板10、發(fā)光功能層20和陰極30。所述陰 極30包括第一陰極層31和第二陰極層32,第一陰極層31包括一層厚度為40nm的金屬氧 化物層311、一層厚度為15nm的合金層312和一層厚度為30nm的導(dǎo)電氧化物薄膜層313， 第二陰極層32厚度為200nm。
[0069] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1有機(jī)電致發(fā)光器件的第一陰極層的設(shè)置示意圖。第二陰極 層32包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在第一陰極層31上的金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合 層321，金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層321的寬度為100 ym，相鄰兩金屬化合物/ 金屬/金屬化合物復(fù)合層321的間距為100 y m。
[0070] 實(shí)施例2
[0071] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0072] (1)將透明IT0玻璃基板依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗、乙醇清 洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干；并對(duì) 洗凈后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)； ITO 厚度 120nm ;
[0073] (2)采用真空熱阻蒸發(fā)的方式在ITO玻璃基板表面制備發(fā)光功能層，依次包括空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；具體地：
[0074] 空穴注入層的制備：將W03摻雜入4, 4'，4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)中作為 空穴注入層材料，W03的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%，空穴注入層的厚度為10nm，真空度5X 10-5Pa， 蒸發(fā)速度0.1 A/s;
[0075] 空穴傳輸層的制備：采用4, 4'，4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)，厚度為30nm， 真空度為5 X 10-5Pa，蒸發(fā)速度為〇. 1人/s,;
[0076] 發(fā)光層的制備：采用9, 9' _(1，3-苯基）二-9H-咔唑（mCP)為主體材料；采用乙 酰丙酮酸二（2-苯基批陡）銥（Ir(ppy)2(acac))為綠光客體材料，Ir(ppy)2(acac)摻雜質(zhì) 量分?jǐn)?shù)為2%，厚度10nm ;真空度為5 X 10-5Pa，蒸發(fā)速度為〇. 1A/S;
[0077] 電子傳輸層的制備：采用電子傳輸材料4, 7 -二苯基一 1，10 -鄰菲羅啉（BCP)， 真空度5 X 10-5Pa，蒸發(fā)速度〇. 1A/S,蒸發(fā)厚度l〇nm ;
[0078] 電子注入層的制備：采用1^3和似2504摻雜到電子傳輸材料4,7-二苯基一1， 10 -鄰菲羅啉（BCP)中形成的混合材料，Na2S〇j#雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%，1^隊(duì)摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 25%，蒸發(fā)厚度為45nm，真空度為5 X 10-5Pa，蒸發(fā)速度為〇. 1A/S;
[0079] (3)在電子注入層上制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；陰極包括依次層疊的第一 陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二 陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬化合物/金屬/金屬化合物 復(fù)合層；
[0080] 具體地：先采用磁控濺射的方式在電子注入層上制備金屬氧化物層，材料為T(mén)a20 5和V205以摩爾比1:1形成的混合材料，厚度為30nm，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為 lX10-5Pa，加速電壓為800V，磁場(chǎng)為200G，功率密度為40W/cm2 ;
[0081] 然后采用真空蒸發(fā)的方式在金屬氧化物層上制備合金層，材料為Mg:Ag (質(zhì)量比 10:1)合金，厚度為20nm，真空度為1 X 10-5PaPa，蒸發(fā)速度3A/S;
[0082] 再采用磁控濺射的方式在合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層，材料為IT0,厚度 20nm，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為1 X 10-5Pa，加速電壓為800V，磁場(chǎng)為200G，功率密度 為 40W/cm2 ;
[0083] 最后提供一掩膜板，將掩膜板覆蓋在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，采用真空蒸發(fā)的方 式在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù) 合層，具體為ZnS/Ag/ZnS，即先制備一層厚度為40nm的ZnS層，再在ZnS層上制備一層厚 度為20nm的Ag層，然后在A1層上制備一層厚度為40nm的ZnS層，金屬化合物/金屬/金 屬化合物復(fù)合層的寬度為120li m，相鄰兩金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層的間距為 120 y m，真空蒸發(fā)過(guò)程的真空度為1 X 10-5Pa，蒸發(fā)速度2A/S
[0084] 實(shí)施例3
[0085] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0086] (1)將透明IT0玻璃基板依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗、乙醇清 洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干；并對(duì) 洗凈后的IT0玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加IT0表面的含氧量，提高IT0表面的功函數(shù)； IT0 厚度 100nm ;
[0087] (2)采用真空熱阻蒸發(fā)的方式在IT0玻璃基板表面制備發(fā)光功能層，依次包括空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；具體地：
[0088] 空穴注入層的制備：將V205摻雜入4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)中作為空穴注 入層材料，V205的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為35%，空穴注入層的厚度為15nm，真空度5X10- 5Pa，蒸發(fā) 速度1A/S;
[0089] 空穴傳輸層的制備：采用4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)，厚度為50nm，真空度為 5父10-%1，蒸發(fā)速度為21/8，；
[0090] 發(fā)光層的制備：采用4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)為主體材料；采用三[2-(對(duì) 甲苯基）批陡]合銥（Ir(mppy)3)為綠光客體材料，Ir(mppy)d#雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，厚度 30nm ;真空度為5 X 10-5Pa，蒸發(fā)速度為lA/S;
[0091] 電子傳輸層的制備：采用電子傳輸材料4-聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉） 合鋁（Balq)，真空度5X 10-5Pa，蒸發(fā)速度2A/S,蒸發(fā)厚度60nm ;
[0092] 電子注入層的制備：采用1^#和1(2504摻雜到電子傳輸材料4-聯(lián)苯酚基一二 (2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（Balq)中形成的混合材料，K2S04摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%，Li 3N摻 雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為35%，蒸發(fā)厚度為15nm，真空度為5X10-5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S;
[0093] (3)在電子注入層上制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；陰極包括依次層疊的第一 陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二 陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬化合物/金屬/金屬化合物 復(fù)合層；
[0094] 具體地：先采用磁控濺射的方式在電子注入層上制備金屬氧化物層，材料為 Nb205、Ta205以摩爾比1:1形成的混合材料，厚度為50nm，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為 lX10-3Pa，加速電壓為600V，磁場(chǎng)為100G，功率密度為20W/cm2 ;
[0095] 然后采用真空蒸發(fā)的方式在金屬氧化物層上制備合金層，材料為L(zhǎng)i-Al (Li的質(zhì) 量分?jǐn)?shù)0. 6%)合金，厚度為10nm，真空度為1 X 10-3Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S;
[0096] 再采用磁控濺射的方式在合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層，材料為AZ0,厚度 40nm，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為1 X 10-3Pa，加速電壓為600V，磁場(chǎng)為100G，功率密度 為 20W/cm2 ;
[0097] 最后提供一掩膜板，將掩膜板覆蓋在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，采用真空蒸發(fā)的方 式在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù) 合層，具體為IT0/Pt/IT0,即先制備一層厚度為35nm的IT0層，再在IT0層上制備一層厚 度為15nm的Pt層，然后在Pt層上制備一層厚度為35nm的IT0層，金屬化合物/金屬/金 屬化合物復(fù)合層的寬度為110 U m，相鄰兩金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層的間距為 110 y m，真空蒸發(fā)過(guò)程的真空度為1 X 10-5Pa，蒸發(fā)速度3A/S。
[0098] 實(shí)施例4
[0099] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0100] (1)將透明IT0玻璃基板依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗、乙醇清 洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干；并對(duì) 洗凈后的IT0玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加IT0表面的含氧量，提高IT0表面的功函數(shù)； IT0 厚度 100nm ;
[0101] (2)采用真空熱阻蒸發(fā)的方式在IT0玻璃基板表面制備發(fā)光功能層，依次包括空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；具體地：
[0102] 空穴注入層的制備：將Re03摻雜入N，N' -二（3-甲基苯基）-N，N' -二苯 基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（TTO)中作為空穴注入層材料，Re03的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，空穴注入 層的厚度為13nm，真空度5X10-5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/SJ
[0103] 空穴傳輸層的制備：采用N，N' -二（3-甲基苯基）_N，N' -二苯基_4,4' -聯(lián)苯二 胺（TH))，厚度為40nm，真空度為5X 10-5Pa，蒸發(fā)速度為1A/S,;
[0104] 發(fā)光層的制備：采用N，N' -二（3-甲基苯基）-N，N' -二苯基_4,4' -聯(lián)苯二胺 (TPD)為主體材料；采用三（2-苯基吡啶）合銥（Ir (ppy) 3)為綠光客體材料，Ir (mppy) 3摻雜 質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%，厚度20nm ;真空度為5 X 10-5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;
[0105] 電子傳輸層的制備：米用電子傳輸材料8-輕基喹啉錯(cuò)（Alq3)，真空度5X 10-5Pa， 蒸發(fā)速度lA/s，蒸發(fā)厚度30nm ;
[0106] 電子注入層的制備：采用CsF和Rb2S04摻雜到電子傳輸材料8-羥基喹啉鋁（Alq 3) 中形成的混合材料，他2304摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，CsF摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，蒸發(fā)厚度為30nm， 真空度為5 X 10-5Pa，蒸發(fā)速度為1A/S;
[0107] (3)在電子注入層上制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；陰極包括依次層疊的第一 陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二 陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬化合物/金屬/金屬化合物 復(fù)合層；
[0108] 具體地：先采用磁控濺射的方式在電子注入層上制備金屬氧化物層，材料為 Nb205、V205、Ta20 5以摩爾比1:1:1形成的混合材料，厚度為40nm，磁控濺射過(guò)程中的本底真 空度為lX10-5Pa，加速電壓為400V，磁場(chǎng)為100G，功率密度為30W/cm2 ;
[0109] 然后采用真空蒸發(fā)的方式在金屬氧化物層上制備合金層，材料為Mg:Ag (質(zhì)量比 10:1)合金，厚度為l〇nm，真空度為1 X 10-5Pa，蒸發(fā)速度2A/S;
[0110] 再采用磁控濺射的方式在合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層，材料為IZ0,厚度 20nm，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為1 X 10-5Pa，加速電壓為400V，磁場(chǎng)為100G，功率密度 為 30W/cm2 ;
[0111] 最后提供一掩膜板，將掩膜板覆蓋在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，采用真空蒸發(fā)的方 式在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù) 合層，具體為ITO/Au/ITO,即先制備一層厚度為30nm的IT0層，再在IT0層上制備一層厚 度為10nm的Au層，然后在Au層上制備一層厚度為30nm的IT0層，金屬化合物/金屬/金 屬化合物復(fù)合層的寬度為150li m，相鄰兩金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層的間距為 150 m，真空蒸發(fā)過(guò)程的真空度為1 X 10-4Pa，蒸發(fā)速度lA/S。
[0112] 實(shí)施例5
[0113] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0114] (1)將透明IT0玻璃基板依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗、乙醇清 洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干；并對(duì) 洗凈后的IT0玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加IT0表面的含氧量，提高IT0表面的功函數(shù)； IT0 厚度 100nm ;
[0115] (2)采用真空熱阻蒸發(fā)的方式在IT0玻璃基板表面制備發(fā)光功能層，依次包括空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；具體地：
[0116] 空穴注入層的制備：將M〇03摻雜入1，1_二[4_[N，N'-二（p-甲苯基）氨基]苯 基]環(huán)己烷（TAPC)中作為空穴注入層材料，M〇03的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%，空穴注入層的厚 度為10nm，真空度5X10-5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S;
[0117] 空穴傳輸層的制備：采用1，1-二[4-[N，N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己 烷（TAPC)，厚度為40nm，真空度為5X10-5Pa，蒸發(fā)速度為1A/S，；
[0118] 發(fā)光層的制備：采用1，1-二[4_[N，N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己燒 (TAPC)為主體材料；采用乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥（Ir(ppy)2(acaC))為綠光客體 材料，Ir(ppy)2(acaC)摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7%，厚度20nm;真空度為5X10- 5Pa，蒸發(fā)速度為 0.5A/s;
[0119] 電子傳輸層的制備：采用電子傳輸材料3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯 基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)，真空度5 X 10-5Pa，蒸發(fā)速度1A/S，蒸發(fā)厚度50nm ;
[0120] 電子注入層的制備：米用CsN3和Cs2S04摻雜到電子傳輸材料3-(聯(lián) 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)中形成的混合材料，Cs2S04摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，&隊(duì)摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，蒸發(fā)厚度為30nm，真空度為5X10-5Pa，蒸 發(fā)速度為lA/s;
[0121] (3)在電子注入層上制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；陰極包括依次層疊的第一 陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二 陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬化合物/金屬/金屬化合物 復(fù)合層；
[0122] 具體地：先采用磁控濺射的方式在電子注入層上制備金屬氧化物層，材料為 Nb205、V205以摩爾比1:1形成的混合材料，厚度為35nm，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為 lX10-5Pa，加速電壓為400V，磁場(chǎng)為100G，功率密度為30W/cm2 ;
[0123] 然后采用真空蒸發(fā)的方式在金屬氧化物層上制備合金層，材料為Mg:Ag (質(zhì)量比 10:1)合金，厚度為16nm，真空度為lX10-5Pa，蒸發(fā)速度2A/S;
[0124] 再采用磁控濺射的方式在合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層，材料為IT0,厚度 30nm，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為1 X 10-5Pa，加速電壓為400V，磁場(chǎng)為100G，功率密度 為 30W/cm2 ;
[0125] 最后提供一掩膜板，將掩膜板覆蓋在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，采用真空蒸發(fā)的方 式在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù) 合層，具體為ITO/Ag/ITO,即先制備一層厚度為35nm的IT0層，再在IT0層上制備一層厚 度為20nm的Ag層，然后在Ag層上制備一層厚度為35nm的ITO層，金屬化合物/金屬/金 屬化合物復(fù)合層的寬度為120li m，相鄰兩金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層的間距為 120 y m，真空蒸發(fā)過(guò)程的真空度為1 X 10-4Pa，蒸發(fā)速度2A/S。
[0126] 實(shí)施例6
[0127] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0128] (1)將透明IT0玻璃基板依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗、乙醇清 洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干；并對(duì) 洗凈后的IT0玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加IT0表面的含氧量，提高IT0表面的功函數(shù)； IT0 厚度 100nm ;
[0129] (2)采用真空熱阻蒸發(fā)的方式在IT0玻璃基板表面制備發(fā)光功能層，依次包括空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；具體地：
[0130] 空穴注入層的制備：將W03摻雜入N，N' -二苯基_N，N' -二（1-萘基）_1，1' -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)中作為空穴注入層材料，V205的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，空穴注入層的 厚度為12nm，真空度lX10-3Pa，蒸發(fā)速度0.3A/S;
[0131] 空穴傳輸層的制備：采用乂^-二苯基4州'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二 胺（NPB)，厚度為50nm，真空度為lX10-3Pa，蒸發(fā)速度為2A/S,;
[0132] 發(fā)光層的制備：采用9，10_雙（1-萘基）蒽（AND)為主體材料；采用三[2-(對(duì)甲 苯基）批陡]合銥（Ir (mppy) 3)為綠光客體材料，Ir (mppy) 3摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%，厚度20nm ; 真空度為lX10-3Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;
[0133] 電子傳輸層的制備：采用電子傳輸材料1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯（TPBI)，真空度lX10-3Pa a，蒸發(fā)速度2A/S，蒸發(fā)厚度60nm;
[0134] 電子注入層的制備：采用&#和&2504摻雜到電子傳輸材料1，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)中形成的混合材料，&4〇4摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，Cs3N 摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，蒸發(fā)厚度為30nm，真空度為lX10-3Pa，蒸發(fā)速度為1人/s;
[0135] (3)在電子注入層上制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；陰極包括依次層疊的第一 陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二 陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬化合物/金屬/金屬化合物 復(fù)合層；
[0136] 具體地：先采用磁控濺射的方式在電子注入層上制備金屬氧化物層，材料為 V205、Ta205以摩爾比1:1形成的混合材料，厚度為40nm，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為 lX10-5Pa，加速電壓為600V，磁場(chǎng)為100G，功率密度為20W/cm2 ;
[0137] 然后采用真空蒸發(fā)的方式在金屬氧化物層上制備合金層，材料為L(zhǎng)i-Al (Li的質(zhì) 量分?jǐn)?shù)0. 6%)合金，厚度為15nm，真空度為1 X 10-5Pa，蒸發(fā)速度2A/S;
[0138] 再采用磁控濺射的方式在合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層，材料為AZ0,厚度 30nm，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為1 X 10-5Pa，加速電壓為600V，磁場(chǎng)為100G，功率密度 為 20W/cm2。
[0139] 最后提供一掩膜板，將掩膜板覆蓋在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，采用真空蒸發(fā)的方 式在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù) 合層，具體為ZnO/Cu/ZnO,即先制備一層厚度為35nm的ZnO層，再在ZnO層上制備一層厚 度為20nm的Cu層，然后在Cu層上制備一層厚度為35nm的ZnO層，金屬化合物/金屬/金 屬化合物復(fù)合層的寬度為130li m，相鄰兩金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層的間距為 130 y m，真空蒸發(fā)過(guò)程的真空度為1 X 10-3Pa，蒸發(fā)速度1A/S。
[0140] 效果實(shí)施例
[0141] 本發(fā)明測(cè)試與制備設(shè)備為高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司），美 國(guó)海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國(guó)吉時(shí)利公司的 Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試亮度和色度。
[0142] 將本發(fā)明實(shí)施例1?6所制得的有機(jī)電致發(fā)光器件在lOOOcd/m2亮度下進(jìn)行流明 效率測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如表1所示：
[0143] 表 1
[0144]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括透明導(dǎo)電陽(yáng)極基板和依次層疊設(shè)置在所述透明導(dǎo)電陽(yáng) 極基板上的發(fā)光功能層和陰極，其特征在于，所述陰極包括依次層疊設(shè)置在所述發(fā)光功能 層上的第一陰極層和第二陰極層； 所述第一陰極層包括依次層疊設(shè)置在所述發(fā)光功能層上的金屬氧化物層、合金層和導(dǎo) 電氧化物薄膜層；所述金屬氧化物層的材料為Nb205、％05和Ta 2O5中的至少兩種，所述合金 層的材料為鎂-銀合金或鋰-鋁合金，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧 化物或銦鋅氧化物； 所述第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬化合物/ 金屬/金屬化合物復(fù)合層，所述金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù)合層為三層結(jié)構(gòu)，所述三 層結(jié)構(gòu)的材料組成為 M〇03/A1/M〇03、ZnS/Ag/ZnS、IT0/Pt/IT0、ITO/Au/ITO、IT0/Ag/IT0 或 Zn0/Cu/Zn0。
2. 如權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬化合物/金屬/金屬 化合物復(fù)合層的寬度為100 μ m?150 μ m,相鄰兩個(gè)所述金屬化合物/金屬/金屬化合物復(fù) 合層之間的距離為IOOym?150ym。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬化合物/金屬/金屬 化合物復(fù)合層的三層結(jié)構(gòu)中，金屬化合物層的厚度為30nm?50nm，金屬層的厚度為IOnm? 30nm〇
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬氧化物層的厚度為 30nm?50nm，所述合金層的厚度為IOnm?20nm，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的厚度為20nm? 40nm。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層 疊設(shè)置在所述透明導(dǎo)電陽(yáng)極基板上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子 注入層。
6. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料包括 空穴傳輸材料及摻雜在所述空穴傳輸材料中的空穴注入材料，所述空穴注入材料的摻雜質(zhì) 量分?jǐn)?shù)為25%?35% ;所述空穴注入材料為M〇03、W03、V2O5和ReO 3中的至少一種，所述空穴 傳輸材料為Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（咔 唑-9-基)三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑)聯(lián)苯、Ν, Ν' -二（3-甲基苯基)-Ν, Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián) 苯二胺和1，卜二[4-[Pif -二（ρ-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己燒中的一種，所述空穴注 入層的厚度為IOnm?15nm。
7. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為 N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三 苯胺、4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯、Ν，Ν' -二（3-甲基苯基）-Ν，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺和 1，1_二[4-[N，N'-二（Ρ-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷中的一種，所述空穴傳輸層的厚 度為30?50nm ; 所述電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、4, 7 -二苯基一 1，10 - 鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián) 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑和1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并 咪唑-2-基）苯中的一種，所述電子傳輸層的厚度為IOnm?60nm。
8. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料包括綠光 主體材料和綠光客體材料，所述綠光客體材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%?10%，所述綠光主體 材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺、9, 9' - (1，3-苯基）二-9H-咔唑、4, 4' -二（9-咔 唑）聯(lián)苯4州'-二（3-甲基苯基），州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺、1，1-二[4-[1以-二 (p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己燒或9, 10-雙（1-萘基）蒽；所述綠光客體材料為三（2-苯 基吡啶）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥或三[2-(對(duì)甲苯基）吡啶]合銥；所述發(fā)光 層的厚度為IOnm?30nm。
9. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料包括 電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬硫酸鹽，以及鋰鹽或銫鹽，所述堿金 屬硫酸鹽的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%?25%，所述鋰鹽或銫鹽的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%?35% ;所述 堿金屬硫酸鹽為L(zhǎng)i2S04、Na2S04、K 2S04、Rb2S04和Cs2SO 4中的任一種，所述鋰鹽為L(zhǎng)iF、LiN3和 Li3N中的任一種，所述銫鹽為CsFXsN3和Cs3N中的任一種，所述電子傳輸材料為4, 7-二苯 基-1，10-菲羅啉、4, 7 -二苯基一 1，10 -鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹 啉）合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑和 1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯中的一種；所述電子注入層的厚度為15nm? 45nm〇
10. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 采用真空蒸發(fā)的方式在透明導(dǎo)電陽(yáng)極基板上制備發(fā)光功能層，真空度為IXKT5? I X KT3Pa ; 再在所述發(fā)光功能層表面制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；所述陰極包括第一陰極 層和第二陰極層；所述第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；所述 第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬化合物/金屬/金 屬化合物復(fù)合層；具體地： 先采用磁控濺射的方式在所述發(fā)光功能層上制備金屬氧化物層；然后采用真空蒸發(fā) 的方式在所述金屬氧化物層上制備合金層，真空度為IX KT5Pa?IX KT3Pa,蒸發(fā)速度 0.5人~ 3A/S;再采用磁控濺射的方式在所述合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層；上述磁控濺 射過(guò)程中的本底真空度為I X KT5?I X KT3Pa,加速電壓為300?800V，磁場(chǎng)為50?200G， 功率密度為10?40W/cm2 ;所述金屬氧化物層的材料為Nb205、V2O5和Ta 2O5中的至少兩種， 所述合金層的材料為鎂-銀合金或鋰-鋁合金，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的材料為銦錫氧化 物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物； 最后提供一掩膜板，將所述掩膜板覆蓋在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，然后采用真空 蒸發(fā)的方式在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬化合物/金屬/ 金屬化合物復(fù)合層，真空度為I X KT5Pa?I X KT3Pa,蒸發(fā)速度IA ~ 5A/S;所述金屬化合物 /金屬/金屬化合物復(fù)合層為三層結(jié)構(gòu)，所述三層結(jié)構(gòu)的材料組成為Mo03/Al/Mo0 3、ZnS/Ag/ ZnS、IT0/Pt/IT0、IT0/Au/IT0、IT0/Ag/IT0 或 Zn0/Cu/Zn0。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104518112SQ201310454852
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2013年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司