多孔性鋁體、鋁電解電容器和多孔性鋁體的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種形成有具有充分的抗彎強(qiáng)度、且表現(xiàn)出較低的漏電流值的質(zhì)量良好的陽(yáng)極氧化膜的多孔性鋁體、使用該多孔性鋁體的鋁電解電容器、和該多孔性鋁體的制造方法。本發(fā)明的多孔性鋁體（10）具有：鋁箔（20）；和疊層在鋁箔（20）的至少一個(gè)面上的鋁多孔質(zhì)層（30）。鋁箔（20）的厚度為10～50μm，鐵含量不足1000重量ppm，硅含量為500～5000重量ppm。鋁多孔質(zhì)層（30）是將鐵含量不足1000重量ppm且硅含量為50～3000重量ppm的鋁粉體燒結(jié)而形成的層。
【專利說(shuō)明】多孔性鋁體、紹電解電容器和多孔性鋁體的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及在鋁箔的至少一個(gè)面上具備鋁多孔質(zhì)層的多孔性鋁體、使用該多孔性鋁體的鋁電解電容 器和該多孔性鋁體的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為鋁箔的用途，提出了鋁電解電容器的電極、將被污染的大氣凈化的催化劑的載體等。鋁箔通過(guò)在鹽酸等蝕刻液中的蝕刻使表面積擴(kuò)大后，由于陽(yáng)極氧化在表面形成有
氧化膜。
[0003]在專利文獻(xiàn)I中，提出了在鋁箔上燒結(jié)鋁粉體而疊層有鋁多孔質(zhì)層的結(jié)構(gòu)的多孔性鋁體。該多孔性鋁體具有不需要進(jìn)行使用鹽酸等的蝕刻處理的優(yōu)點(diǎn)。
[0004]在專利文獻(xiàn)2中，提出了通過(guò)使用硅含量為100~3000重量ppm的鋁粉體形成多孔性鋁體，提高多孔性鋁體的抗彎強(qiáng)度的技術(shù)。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開平2-267916號(hào)公報(bào)
[0006]專利文獻(xiàn)2:日本特開2011-52291號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]當(dāng)制造具備多孔性鋁體的鋁電解電容器時(shí)，具有卷繞多孔性鋁等工序。所以，需要使多孔性鋁體為規(guī)定以上的抗彎強(qiáng)度。然而，僅用專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)，有時(shí)不能獲得具備需要的抗彎強(qiáng)度的多孔質(zhì)鋁體。此外，專利文獻(xiàn)1、2所記載的多孔性鋁體，存在其漏電流值較大的情況。
[0008]本發(fā)明的課題在于提供一種能夠形成具有充分的抗彎強(qiáng)度、且表現(xiàn)出較低的漏電流值的質(zhì)量良好的陽(yáng)極氧化膜的多孔性鋁體、使用該多孔性鋁體的鋁電解電容器和該多孔性鋁體的制造方法。
[0009]為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種多孔性鋁體，其具有鋁箔和疊層在該鋁箔的至少一個(gè)面上的鋁多孔質(zhì)層，上述多孔性鋁體的特征在于:上述鋁箔的厚度為10~50i!m、鐵含量不足1000重量ppm且娃含量為500~5000重量ppm,上述招多孔質(zhì)層是將招粉體燒結(jié)而形成的層，上述招粉體的鐵含量不足1000重量ppm且娃含量為50~3000重量ppm。
[0010]此外，本發(fā)明的多孔性鋁體的制造方法，其特征在于，包括:第一工序，在厚度為10~50 i! m、鐵含量不足1000重量ppm且硅含量為500~5000重量ppm的鋁箔的至少一面上形成由包含鋁粉體的組成物構(gòu)成的膜，其中，上述鋁粉體的鐵含量不足1000重量ppm且硅含量為50~3000重量ppm ;第二工序，將上述膜在560°C以上660°C以下的溫度下燒結(jié)，形成鋁多孔質(zhì)層。
[0011]本發(fā)明的多孔性鋁體使用特定的組成的鋁箔和鋁粉體，所以漏電流值較低，鋁箔和鋁粉體之間的燒結(jié)性提高，抗彎強(qiáng)度較高。
[0012]即，鋁箔的鐵含量和鋁多孔質(zhì)層使用的鋁粉體的鐵含量不足1000重量ppm。對(duì)鋁多孔質(zhì)層進(jìn)行陽(yáng)極氧化時(shí)，能夠形成表現(xiàn)出較低的漏電流值的質(zhì)量良好的陽(yáng)極氧化膜。[0013]此外，鋁箔的硅含量為500~5000重量ppm，鋁多孔質(zhì)層使用的鋁粉體的硅含量為50~3000重量ppm。當(dāng)對(duì)硅含量在上述范圍的鋁箔和鋁粉體進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，能夠獲得鋁箔和鋁多孔質(zhì)層(鋁粉體)的較高的接合強(qiáng)度(燒結(jié)強(qiáng)度)。由此，多孔性鋁體具備較高的抗彎強(qiáng)度。
[0014]另一方面，鋁箔的厚度為10~50i!m，所以能夠獲得適當(dāng)?shù)膹?qiáng)度的多孔性鋁體。即使鋁箔的厚度超過(guò)50 u m,表面積和強(qiáng)度也不會(huì)提高，厚度多余地增大。當(dāng)鋁箔的厚度不足10 y m時(shí)，多孔性鋁體的強(qiáng)度較低。
[0015]本發(fā)明中，優(yōu)選上述鋁粉體的平均粒徑為I~lOym。由此，能夠有效地?cái)U(kuò)大多孔性鋁體的表面積。當(dāng)鋁粉體的平均粒徑不足Ium時(shí)，鋁粉體之間的間隙過(guò)窄，作為電極等不發(fā)揮作用的無(wú)效部分增大。當(dāng)鋁粉體的平均粒徑超過(guò)10 y m時(shí)，鋁粉體之間的間隙過(guò)寬，表面積的擴(kuò)大不充分。
[0016]本發(fā)明中，也可以在上述鋁箔的兩個(gè)面形成上述鋁多孔質(zhì)層。
[0017]本發(fā)明中，也可以在上述鋁多孔質(zhì)層形成陽(yáng)極氧化膜。該多孔性鋁體用作鋁電解電容器的陽(yáng)極等。該情況下，在上述第二工序后包括對(duì)上述鋁多孔質(zhì)層進(jìn)行陽(yáng)極氧化的第 三工序。
[0018]本發(fā)明的多孔性鋁體具備:鐵含量不足1000重量ppm且硅含量為500~5000重量PPm的鋁箔；和鐵含量不足1000重量ppm且硅含量為50~3000重量ppm的鋁多孔質(zhì)層。因此，能夠形成可以獲得較高的抗彎強(qiáng)度并且表現(xiàn)出較低的漏電流值的質(zhì)量良好的陽(yáng)極氧化膜。此外，因?yàn)殇X箔的厚度為10~50i!m，所以能夠獲得適當(dāng)?shù)膹?qiáng)度。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是表示應(yīng)用了本發(fā)明的多孔性鋁體的截面結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。
[0020]圖2是表示應(yīng)用了本發(fā)明的多孔性鋁體的表面結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。
[0021]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0022]10......多孔性鋁體
[0023]20......鋁箔
[0024]30......鋁多孔質(zhì)層
【具體實(shí)施方式】
[0025](多孔性鋁體的結(jié)構(gòu))
[0026]圖1是表示應(yīng)用了本發(fā)明的多孔性鋁體的截面結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖，是利用電子顯微鏡將多孔性鋁體的截面放大至600倍拍攝的照片。圖2是表示應(yīng)用了本發(fā)明的多孔性鋁體的表面結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖，是利用電子顯微鏡對(duì)多孔性鋁體的表面拍攝的照片。其中，圖2中，表示了對(duì)多孔性鋁體的表面放大1000倍的照片、和放大3000倍的照片。
[0027]多孔性鋁體10具有鋁箔20、和疊層在鋁箔20的至少一個(gè)面上的鋁多孔質(zhì)層30。圖1、2所示的多孔性鋁體10具有疊層在鋁箔20的兩個(gè)面上的鋁多孔質(zhì)層30。
[0028]鋁箔20的厚度能夠?yàn)?0~50 ii m，圖1中，表示使用厚度為約30 y m的鋁箔20的多孔性鋁體10。此外，圖1中，表示形成有厚度為約50 的鋁多孔質(zhì)層30的多孔性鋁體10。[0029]此處，鋁箔20的鐵含量不足1000重量ppm且硅含量為500?5000重量ppm。這是因?yàn)殇X箔20的硅含量不足500重量ppm時(shí)，抗彎強(qiáng)度降低，超過(guò)5000重量ppm時(shí)，漏電流值升高。進(jìn)而，鋁箔20的硅含量為500?3000重量ppm時(shí)，能夠獲得較高的靜電電容，所以進(jìn)一步優(yōu)選。
[0030]此外，鋁多孔質(zhì)層30是將鐵含量不足1000重量ppm且硅含量為50?3000重量ppm的鋁粉體燒結(jié)而形成的層。鋁粉體在相互維持空隙的同時(shí)燒結(jié)。這是因?yàn)殇X多孔質(zhì)層30的硅含量不足50重量ppm時(shí)，抗彎強(qiáng)度降低，超過(guò)3000重量ppm時(shí)，漏電流值升高。進(jìn)而，招多孔質(zhì)層30的娃含量為50?1000重量ppm時(shí),能夠獲得較高的靜電電容,所以進(jìn)一步優(yōu)選。
[0031]鋁粉體的形狀不特別限定，大致球狀、不定形狀、鱗片狀、纖維狀等均能夠適當(dāng)使用。特別是為了維持鋁粉體之間的空隙，優(yōu)選由大致球狀顆粒構(gòu)成的粉體。優(yōu)選鋁粉體的平均粒徑為I?10 ii m。
[0032]該多孔性鋁體10，能夠獲得與現(xiàn)有的蝕刻箔同等或其以上的靜電電容。特別是，本實(shí)施方式的多孔性鋁體10，能夠代替中高壓用的電容器的具有較粗的蝕痕的蝕刻箔使用。
[0033]將多孔性鋁體10用作鋁電解電容器的陽(yáng)極的情況下，在鋁多孔質(zhì)層30上形成陽(yáng)極氧化膜。這時(shí)，在鋁箔20上，具有從鋁多孔質(zhì)層30露出的部分的情況下，在鋁箔20上也形成陽(yáng)極氧化膜。
[0034](制造方法)
[0035]應(yīng)用了本發(fā)明的多孔性鋁體10的制造方法是，首先，在第一工序中，在厚度為10?50 ii m、鐵含量不足1000重量ppm且硅含量為500?5000重量ppm的鋁箔20的至少一面上形成由包括的招粉體的組成物構(gòu)成的膜,其中上述招粉體的鐵含量不足1000重量ppm且硅含量為50?3000重量ppm。優(yōu)選鋁粉體的平均粒徑為I?10 ii m。鋁箔20和鋁粉體也可以含有銅(Cu)、錳(Mn)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鋅(Zn)、鈦(Ti)、釩(V)、鎵(Ga)、鎳(Ni)、硼(B)、鋯(Zr)等元素中的一種或兩種以上。該情況下，優(yōu)選這些元素的含有量分別為100重量ppm以下,特別是50重量ppm以下。
[0036]鋁粉體通過(guò)霧化法、熔體旋轉(zhuǎn)法、旋轉(zhuǎn)圓盤法、旋轉(zhuǎn)電極法、其它的急冷凝固法等制造。在這些方法中，工業(yè)生產(chǎn)優(yōu)選霧化法，特別是氣體霧化法。在霧化法中，通過(guò)使熔融金屬霧化而獲得粉體。
[0037]上述組成物也可以根據(jù)需要包含樹脂粘合劑、溶劑、燒結(jié)助劑、表面活性劑等。這些均能夠使用公知或者市售的。優(yōu)選含有樹脂粘合劑或溶劑中的至少一種并作為膏狀組成物使用。由此，能夠高效地形成皮膜。作為樹脂粘合劑，能夠適當(dāng)使用例如羧基改性聚烯烴樹脂、乙酸乙烯樹脂、氯乙烯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯共聚物樹脂、乙烯醇樹脂、縮丁醛樹月旨、氟乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂、尿素樹脂、酚醛樹脂、丙烯腈樹脂、硝化纖維樹脂、石蠟、聚乙烯蠟等合成樹脂或蠟、焦油、膠、漆、松脂、蜜蠟等天然樹月旨，或蠟。這些粘合劑具有各自因分子量、樹脂的種類等而在加熱時(shí)揮發(fā)的、和因熱解其殘?jiān)c鋁粉一同殘留的，能夠根據(jù)靜電特性等要求區(qū)分使用。
[0038]調(diào)制上述組成物時(shí)，也可以添加溶劑。作為溶劑能夠單獨(dú)或混合使用水、乙醇、甲
苯、酮類、酯類等。
[0039]此外，上述皮膜的形成，能夠根據(jù)組成物的性質(zhì)和狀態(tài)等適當(dāng)選擇公知的方法。例如，在組成物是粉末(固體)的情況下，在基材上形成(或熱壓接)其壓坯即可。該情況下，能夠使壓坯通過(guò)燒結(jié)固化，并且使鋁粉固定到鋁箔20上。此外，是液狀(膏狀)的情況下，能夠用輥涂、刷涂、噴涂、浸潰等涂敷方法形成皮膜，此外，也能夠用公知的印刷方法形成皮膜。此外，可以根據(jù)需要，使膜在20°C以上300°C以下的范圍內(nèi)的溫度下干燥。
[0040]膜的厚度不特別限定，一般是20 iim以上1000iim以下，特別優(yōu)選為20iim以上200iim以下。在厚度不足20 iim的情況下，有時(shí)不能獲得要求的靜電電容。此外，在厚度大于1000 的情況下，有時(shí)發(fā)生與箔的密合性不良或在后工序中發(fā)生龜裂。
[0041]此外，對(duì)于鋁箔20，也可以在形成皮膜之前，進(jìn)行使鋁箔20的表面粗糙化的工序。該粗糙化的方法能夠使用例如清洗、蝕刻、噴砂等公知的技術(shù)。
[0042]接著，在第二工序中，將膜在560°C以上660°C以下的溫度下燒結(jié)。燒結(jié)時(shí)間根據(jù)燒結(jié)溫度等不同，但通常能夠在5~24小時(shí)程度范圍內(nèi)適當(dāng)決定。燒結(jié)氣氛不特別限制，可以是例如真空氣氛、不活潑性氣體氣氛、氧化性氣體氣氛(大氣)、還原性氣氛等任一種。特別優(yōu)選為真空氣氛或還原性氣氛。此外，關(guān)于壓強(qiáng)條件，也可以是常壓、減壓或加壓中的任一種。其中，組成物中(皮膜中)含有樹脂粘合劑等有機(jī)成分的情況下，優(yōu)選在第一工序后、第二工序前，預(yù)先在100°C以上至600°C以下的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行保持時(shí)間為5小時(shí)以上的加熱處理(脫脂處理)。此時(shí)的加熱處理氣氛不特別限定，可以是例如真空氣氛、不活潑性氣體氣氛或氧化性氣體氣氛中的任一種。此外，壓強(qiáng)條件也可以是常壓、減壓或加壓中的任一種。
[0043]此外，將多孔性鋁體10用作鋁電解電容器的陽(yáng)極的情況下，在第一工序和第二工序后的第三工序中，在鋁多孔質(zhì)層30上形成陽(yáng)極氧化膜。此時(shí)，在鋁箔20上，在從鋁多孔質(zhì)層30露出的部分也形成陽(yáng)極氧化膜。
[0044]為了使用該已經(jīng)陽(yáng)極氧化的多孔性鋁體10制造鋁電解電容器，首先，使由已經(jīng)陽(yáng)極氧化的多孔性鋁體10構(gòu)成的陽(yáng)極箔與陰極箔隔著隔板卷繞形成電容器元件。接著，將電容器元件浸潰到電解液中。之后，將包含電解液的電容器元件收納在外殼中，利用封口體將外殼封口。`
[0045](本實(shí)施方式的主要效果)
[0046]如以上所說(shuō)明，在本實(shí)施方式中，鋁箔20的硅含量為500~5000重量ppm，鋁多孔質(zhì)層30所使用的鋁粉體的硅含量為50~3000重量ppm。因此，在燒結(jié)時(shí)，能夠獲得鋁箔20與鋁多孔質(zhì)層30 (鋁粉體)的較高的接合強(qiáng)度(燒結(jié)強(qiáng)度)，多孔性鋁體10具備較高的抗彎強(qiáng)度。因此，在制造多孔性鋁體10時(shí)、對(duì)多孔性鋁體10進(jìn)行陽(yáng)極氧化時(shí)、和使用已經(jīng)陽(yáng)極氧化的多孔性鋁體10制造鋁電解電容器時(shí)，能夠抑制多孔性鋁體10彎折等不良的發(fā)生。
[0047]此外，因?yàn)殇X箔20的鐵含量和鋁多孔質(zhì)層30所使用的鋁粉體的鐵含量不足1000重量ppm，所以在對(duì)鋁多孔質(zhì)層30進(jìn)行了陽(yáng)極氧化時(shí)，能夠形成質(zhì)量良好的陽(yáng)極氧化膜。即，鐵含量為1000重量ppm以上時(shí)，以殘留于陽(yáng)極氧化膜中的粗大的Al-Fe類金屬間化合物為起點(diǎn)，漏電流增大，但當(dāng)鐵含量不足1000重量ppm時(shí)，不發(fā)生該漏電流值的增大。
[0048]進(jìn)而，因?yàn)殇X箔20的厚度為10~50i!m，所以能夠獲得適當(dāng)?shù)膹?qiáng)度。即使鋁箔20的厚度超過(guò)50 iim，表面積和強(qiáng)度也不會(huì)提高，所以作為鋁箔20多余地變厚。此外，當(dāng)鋁箔20的厚度不足10 ii m時(shí)，多孔性鋁體10的強(qiáng)度較低。
[0049]此外，因?yàn)殇X粉體的平均粒徑為I~IOy m，所以能夠有效地?cái)U(kuò)大表面積。鋁粉體的平均粒徑不足I U m時(shí)，鋁粉體之間的間隙過(guò)窄，作為電極等不發(fā)揮作用的無(wú)效部分增大。鋁粉體的平均粒徑超過(guò)IOum時(shí)，鋁粉體之間的間隙過(guò)寬，表面積的擴(kuò)大不充分。SP，通過(guò)陽(yáng)極氧化，形成膜耐壓為200V以上的陽(yáng)極氧化膜時(shí)，空隙被掩埋，靜電電容降低。另一方面，當(dāng)平均粒徑超過(guò)10 y m時(shí)，空隙部變得過(guò)大，表面積降低，不能獲得要求的靜電電容。其中，鋁粉體的平均粒徑能夠用激光衍射式粒度分布儀測(cè)定。
[0050](實(shí)施例)
[0051]接著，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。首先，在厚度30 iim、寬度500mm的鋁箔的兩個(gè)面上形成平均粒徑等不同的鋁粉體，在保持空隙并以每份厚度40 燒結(jié)的鋁多孔質(zhì)層，制造多孔性鋁體。更具體而言，將鋁粉體60重量部與纖維素類粘合劑40重量部(溶劑:甲苯，7重量％是樹脂部分)混合，獲得固形成分60重量％的組成物后，使用缺角輪涂布機(jī)(CommaCoater)將該成分涂敷到鋁箔(JIS1N30-H18)的兩個(gè)面，形成膜(第一工序)。
[0052]接著，在使膜干燥后，通過(guò)將鋁箔在氬氣氣氛中在溫度635°C燒結(jié)7小時(shí)，制造多孔性鋁體(第二工序)。燒結(jié)后的多孔性鋁體的厚度為約130 (鋁箔:30i!m+鋁多孔質(zhì)層30:每個(gè)面50 u m)。
[0053]接著，在硼酸類化成液中對(duì)多孔性鋁體進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理(第三工序)。
[0054]此外，從陽(yáng)極氧化前的多孔性鋁體適量提取特性測(cè)定用的采樣，測(cè)定抗彎強(qiáng)度。抗彎強(qiáng)度按照日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的MIT型自動(dòng)抗彎試驗(yàn)法(EIAJ RC-2364A)進(jìn)行。
[0055]MIT型自動(dòng)抗彎試驗(yàn)裝置使用由JIS P8115規(guī)定的裝置，彎折次數(shù)是各電極材料斷裂的彎折次數(shù)，按彎曲90°為I次、恢復(fù)原狀為2次、向相反方向彎曲90°為3次、恢復(fù)原狀為4次地計(jì)數(shù)。而且，抗彎強(qiáng)度的測(cè)定結(jié)果不足規(guī)定次數(shù)的視為抗彎強(qiáng)度“不合格”，從陽(yáng)極氧化的對(duì)象中排除，對(duì)于抗彎強(qiáng)度的測(cè)定結(jié)果是規(guī)定次數(shù)以上的，視為抗彎強(qiáng)度“良”，作為陽(yáng)極氧化的對(duì)象。
[0056]此外，對(duì)于陽(yáng)極氧化后的多孔性鋁體，按照J(rèn)EITA規(guī)格，進(jìn)行了靜電電容和膜耐壓的測(cè)定。其中，采樣的膜耐壓均為410V前后。此外，在與化學(xué)合成液相同條件的硼酸類溶液中施加膜耐壓的0.9倍的電壓，測(cè)定10分鐘后的電流值作為漏電流值。表1中表示其結(jié)果。其中，在表1中，“Al粉體”表示鋁粉體，“粒徑”表示平均粒徑?！癋e量”表示鐵含量(重量ppm), “Si量”表示娃含量(重量ppm)。
[0057]【表1】
[0058]
【權(quán)利要求】
1.一種多孔性鋁體，其具有鋁箔和疊層在該鋁箔的至少一個(gè)面上的鋁多孔質(zhì)層，所述多孔性鋁體的特征在于: 所述鋁箔的厚度為10~50 i! m、鐵含量不足1000重量ppm且硅含量為500~5000重量 ppm, 所述鋁多孔質(zhì)層是將鋁粉體燒結(jié)而形成的層， 所述招粉體的鐵含量不足1000重量ppm且娃含量是50~3000重量ppm。
2.如權(quán)利要求1所述的多孔性鋁體，其特征在于: 所述鋁粉體的平均粒徑為I~IOii m。
3.如權(quán)利要求1所述的多孔性鋁體，其特征在于: 所述鋁多孔質(zhì)層疊層在所述鋁箔的兩個(gè)面上。
4.如權(quán)利要求1所述的多孔性鋁體，其特征在于: 所述鋁粉體的平均粒徑為I~IOii m， 所述鋁多孔質(zhì)層疊層在所述鋁箔的兩個(gè)面上。
5.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的多孔性鋁體，其特征在于: 在所述鋁多孔質(zhì)層上形成有陽(yáng)極氧化膜。
6.一種鋁電解電容器，其特征在于: 具有權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的多孔性鋁體作為陽(yáng)極。
7.—種多孔性鋁體的制造方法，其特征在于，包括: 第一工序，在厚度為10~50 ii m、鐵含量不足1000重量ppm且硅含量為500~5000重量ppm的鋁箔的至少一個(gè)面上形成由包含鋁粉體的組成物構(gòu)成的膜，其中，上述鋁粉體的鐵含量不足1000重量ppm且硅含量為50~3000重量ppm ;和 第二工序，將所述膜在560°C以上660°C以下的溫度下燒結(jié)，形成鋁多孔質(zhì)層。
8.如權(quán)利要求7所述的多孔性鋁體的制造方法，其特征在于: 所述鋁粉體的平均粒徑為I~IOii m。
9.如權(quán)利要求7或8所述的多孔性鋁體的制造方法，其特征在于: 包括在所述第二工序之后對(duì)所述鋁多孔質(zhì)層進(jìn)行陽(yáng)極氧化的第三工序。
【文檔編號(hào)】H01G9/045GK103658660SQ201310450303
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月25日
【發(fā)明者】片野雅彥, 吉田祐也, 田口喜弘, 平敏文, 目秦將志 申請(qǐng)人:日本輕金屬株式會(huì)社, 東洋鋁株式會(huì)社