一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極和封裝層，封裝層包括有機阻擋層和無機阻擋層，有機阻擋層的材料為酞菁銅、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4，7－二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種；無機阻擋層的材料包括金屬單質(zhì)和金屬氧化物，金屬單質(zhì)占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10～30%。該有機電致發(fā)光器件封裝層致密性高，可有效減少氧和水汽對器件的侵蝕，顯著提高器件壽命。本發(fā)明還提供了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光器件（0LED)是基于有機材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典 型結(jié)構(gòu)是在透明陽極和金屬陰極之間夾有多層有機材料薄膜(空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子輸送層和電子注入層)，當(dāng)電極間施加一定的電壓后，發(fā)光層就會發(fā)光。近年來， 有機電致發(fā)光器件由于本身制作成本低、響應(yīng)時間短、發(fā)光亮度高、寬視角、低驅(qū)動電壓以 及節(jié)能環(huán)保等特點已經(jīng)在全色顯示、背光源和照明等領(lǐng)域受到了廣泛關(guān)注，并被認(rèn)為是最 有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。
[0003] 目前，有機電致發(fā)光器件存在壽命較短的問題，這主要是因為有機材料薄膜很疏 松，易被空氣中的水汽和氧氣等成分滲入后迅速發(fā)生老化。因此，有機電致發(fā)光器件進入實 際使用之前必須進行封裝，封裝的好壞直接關(guān)系到有機電致發(fā)光器件的壽命。
[0004] 傳統(tǒng)技術(shù)中采用玻璃蓋或金屬蓋進行封裝，其邊沿用紫外聚合樹脂密封，但這種 方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大，增加了器件的重量，并且該方法不能應(yīng)用于 柔性有機電致放光器件的封裝。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方 法。該有機電致發(fā)光器件在陰極表面設(shè)置有封裝層，包括依次層疊設(shè)置的有機阻擋層和無 機阻擋層，可有效地減少水、氧等活性物質(zhì)對器件的侵蝕，從而顯著地提高有機電致發(fā)光器 件的壽命。其制備方法工藝簡單，材料廉價易得，適于工業(yè)化生產(chǎn)。
[0006] -方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極和封裝層，所述封裝層包 括依次層疊設(shè)置的有機阻擋層和無機阻擋層，所述有機阻擋層的材料包括酞菁銅（CuPc)、 N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)、8_ 羥基喹啉鋁（Alq3)、 4,4'，4' 三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)和4,7 -二苯基一 1，10 - 鄰菲羅啉（BCP)中的至少一種；
[0007] 所述無機阻擋層的材料包括金屬單質(zhì)和金屬氧化物，所述金屬單質(zhì)所占質(zhì)量分?jǐn)?shù) 為10?30%，所述金屬單質(zhì)為銅（Cu)、鋁（A1)、銦（In)、金（Au)、鎳（Ni)和銀（Ag)中的一種 或幾種；所述金屬氧化物為氧化鎢（W03)、氧化鉻（Cr03)、氧化鑰（M〇03)、二氧化錳（Mn0 2)、 二氧化錸（Re02)和三氧化錸（Re03)中的一種或幾種。
[0008] 優(yōu)選地，所述有機阻擋層的厚度為200nm?300nm。
[0009] 優(yōu)選地，所述無機阻擋層的厚度為100nm?150nm。
[0010] 優(yōu)選地，所述有機阻擋層和無機阻擋層依次交替設(shè)置4?6層。
[0011] 本發(fā)明封裝層包括有機阻擋層和無機阻擋層，其中，有機阻擋層的材料包括酞菁 銅（CuPc)、N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)、8-羥基喹啉鋁 (Alq3)、4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)或4, 7 -二苯基一 1，10 -鄰菲羅啉（BCP);無機阻擋層中的金屬單質(zhì)為銅（Cu)、鋁（A1)、銦（In)、金（Au)、鎳 (Ni)和銀(Ag)中的一種或幾種；金屬氧化物為氧化鎢（W03)、氧化鉻（Cr03)、氧化鑰（M〇0 3)、 二氧化錳（Mn02)、二氧化錸（Re02)和三氧化錸（Re03)中的一種或幾種。有機阻擋層與器件 制成一體，不需破壞真空，同時作為襯底和緩解應(yīng)力作用；單質(zhì)和氧化物制作同樣不需破壞 真空，均能采用蒸鍍方式制作，金屬本身阻擋性高，加入金屬氧化物的目的是緩解層內(nèi)的應(yīng) 力，防止龜裂現(xiàn)象出現(xiàn)。從而本發(fā)明有機阻擋層和無機阻擋層的結(jié)合使封裝層具有優(yōu)良的 封裝效果，延長了水氧滲透路徑，有效阻擋了外界水汽、氧對器件的侵蝕，提高了器件的使 用壽命。
[0012] 優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板包括陽極導(dǎo)電層和基板，其基板可以為玻璃基板或有機薄 膜基板，陽極導(dǎo)電層的材質(zhì)可以為導(dǎo)電氧化物，如，氧化銦錫（IT0)、摻鋁氧化鋅（AZ0)、摻 銦氧化鋅（IZ0)或摻氟氧化鋅（FT0)，這些導(dǎo)電氧化物被制備在玻璃基板上，簡稱IT0玻璃、 AZ0玻璃、IZ0玻璃、FT0玻璃。陽極導(dǎo)電基板可以自制，也可以市購獲得。
[0013] 本發(fā)明對所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的材質(zhì) 不作特殊限定，采用行業(yè)內(nèi)常用材料均可。
[0014] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的材料包括N，N'_二苯基-N，N'-二（1-萘基）-1，r-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)及摻雜在所述N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二 胺中的M〇03，所述M〇03的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30% ;所述空穴傳輸層的材料為4, 4'，4' ' -三(咔 唑-9-基)三苯胺（TCTA);所述發(fā)光層的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯（TPBI)和摻雜在所述1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯中的三（2-苯基吡啶） 合銥（Ir(ppy)3)，所述三（2-苯基吡啶)合銥的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5% ;所述電子傳輸層的材料 為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen);所述電子注入層的材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲 羅啉和摻雜在所述4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉中的CsN3，所述CsN3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%。
[0015] 陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極(介質(zhì)層夾雜金屬 層形成的介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。
[0016] 本發(fā)明對所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極 的厚度不作特殊限定。
[0017] 本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的封裝層采用有機阻擋層和無機阻擋層依次交替疊層 設(shè)置在陰極表面，整個封裝層能有效阻擋外界水汽和氧氣對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，從 而延長器件壽命。
[0018] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0019] (1)提供潔凈陽極導(dǎo)電基板，在陽極導(dǎo)電基板上依次真空蒸鍍制備空穴注入層、空 穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；
[0020] (2)在所述陰極上制備封裝層，得到有機電致發(fā)光器件；其中，所述封裝層包括有 機阻擋層和無機阻擋層，具體制備方法如下：采用真空蒸發(fā)的方式在所述陰極表面依次沉 積有機阻擋層和無機阻擋層，真空蒸發(fā)過程中的真空度為1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度 為0_5A ~ 5A/s;
[0021] 所述有機阻擋層的材料包括酞菁銅（CuPc)、N，N'_二苯基-N，N'-二（1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4,4'_ 二胺（NPB)、8-羥基喹啉鋁（Alq3)、4,4'，4''_三（N-3-甲基苯 基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)和4,7 -二苯基一 1，10 -鄰菲羅啉（BCP)中的至少 一種；
[0022] 所述無機阻擋層的材料包括金屬單質(zhì)和金屬氧化物，所述金屬單質(zhì)所占質(zhì)量分?jǐn)?shù) 為10?30%，所述金屬單質(zhì)為銅（Cu)、鋁（A1)、銦（In)、金（Au)、鎳（Ni)和銀（Ag)中的一種 或幾種；所述金屬氧化物為氧化鎢（W03)、氧化鉻（Cr03)、氧化鑰（M〇03)、二氧化錳（Mn0 2)、 二氧化錸（Re02)和三氧化錸（Re03)中的一種或幾種。
[0023] 優(yōu)選地，所述有機阻擋層的厚度為200nm?300nm。
[0024] 優(yōu)選地，所述無機阻擋層的厚度為100nm?150nm。
[0025] 優(yōu)選地，所述有機阻擋層和無機阻擋層依次交替設(shè)置4?6層。
[0026] 優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板包括陽極導(dǎo)電層和基板，其基板可以為玻璃基板或有機薄 膜基板，陽極導(dǎo)電層的材質(zhì)可以為導(dǎo)電氧化物，如，氧化銦錫（IT0)、摻鋁氧化鋅（AZ0)、摻 銦氧化鋅（IZ0)或摻氟氧化鋅（FT0)，這些導(dǎo)電氧化物被制備在玻璃基板上，簡稱IT0玻璃、 AZ0玻璃、IZ0玻璃、FT0玻璃。陽極導(dǎo)電基板可以自制，也可以市購獲得。
[0027] 所述陽極基板通常進行如下清潔操作：依次進行丙酮清洗、乙醇清洗、去離子水清 洗、乙醇清洗，均用超聲波清洗機進行清洗，單項洗滌清洗5分鐘，然后用氮氣吹干，烘箱烤 干待用；再對洗凈后的基板進行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表 面的功函數(shù)。
[0028] 本發(fā)明對所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的材質(zhì) 不作特殊限定，采用行業(yè)內(nèi)常用材料均可。
[0029] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的材料包括N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)及摻雜在所述N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二 胺中的M〇03，所述M〇03的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30% ;所述空穴傳輸層的材料為4, 4'，4' ' -三(咔 唑-9-基)三苯胺（TCTA);所述發(fā)光層的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯（TPBI)和摻雜在所述1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯中的三（2-苯基吡啶） 合銥（Ir(ppy)3)，所述三（2-苯基吡啶)合銥的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5% ;所述電子傳輸層的材料 為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen);所述電子注入層的材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲 羅啉和摻雜在所述4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉中的CsN3，所述CsN3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%。
[0030] 陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極(介質(zhì)層夾雜金屬 層形成的介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。
[0031] 所述空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極通過真空 蒸鍍制備，制備厚度不作特殊限定。優(yōu)選地，所述真空蒸鍍過程中的真空度為IX l(T5Pa? 1 X 10_3Pa，蒸發(fā)速度為 〇. 1A ~ 5 A/S。
[0032] 該制備方法制得了多層材料層交替設(shè)置的封裝結(jié)構(gòu)，制備方法簡便，采用的封裝 材料比較廉價，易于大面積制備，該方法尤其適用于封裝柔性有機電致發(fā)光器件。
[0033] 本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果：
[0034] (1)本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的封裝層包括交替疊層設(shè)置的有機阻擋層和無機阻 擋層，封裝層結(jié)構(gòu)致密，阻擋能力強，從而有效阻擋了外界水汽和氧氣對有機電致發(fā)光器件 的侵蝕，提高了有機電致發(fā)光器件的壽命；
[0035] (2)本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的防水性能（WVTR)達到10_4g/m 2 壽命達3500 小時以上（T70@1000cd/m2 :即起始亮度為1000cd/m2,亮度衰減到70%所用的時間）；
[0036] (3)本發(fā)明制備方法適用于制備以導(dǎo)電玻璃為陽極基板的有機電致發(fā)光器件，也 適用于制備以塑料或金屬為陽極基底的柔性有機電致發(fā)光器件；且制備方法工藝簡單，易 大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模使用。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0037] 圖1是本發(fā)明實施例1制得的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0038] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于 本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0039] 實施例1
[0040] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0041] (1)取IT0玻璃基板，依次進行丙酮清洗、乙醇清洗、去離子水清洗、乙醇清洗，均 用超聲波清洗機進行清洗，單項洗滌清洗5分鐘，然后用氮氣吹干，烘箱烤干待用，再對洗 凈后的IT0玻璃基板進行表面活化處理，以增加IT0玻璃基板表面層的含氧量，提高IT0玻 璃基板表面的功函數(shù)；IT0厚度100nm ;
[0042] (2)采用真空蒸鍍的方式在清潔干燥并經(jīng)過表面活化處理后的IT0玻璃基板上依 次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層與陰極，其中：
[0043] 空穴注入層的材料包括NPB以及摻雜在NPB中的M〇03, M〇03的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 30%，，蒸鍍時的真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為〇. 1A/S,蒸鍍厚度為l〇nm ;
[0044] 空穴傳輸層的材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，蒸鍍時的真空度 3Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/S，蒸鍍厚度為30nm;
[0045] 發(fā)光層的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)和摻雜 在TPBI中的三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy)3)，Ir(ppy)3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%;真空蒸鍍 時的真空度為3 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S,蒸鍍厚度為20nm ;
[0046] 電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)，真空蒸鍍時的真空度 3 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為〇. 1A/S，蒸鍍厚度為l〇nm ;
[0047] 電子注入層的材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)和摻雜在Bphen中的 CsN3, CsN3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，真空蒸鍍時的真空度為3Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S， 蒸鍍厚度為20nm ;
[0048] 金屬陰極的材質(zhì)為金屬鋁（A1)，蒸鍍厚度為lOOnm，真空蒸鍍時的真空度為 3父1〇-%，蒸發(fā)速度為5義8。
[0049] (3)在陰極上制備封裝層，得到有機電致發(fā)光器件，其中，封裝層包括有機阻擋層 和無機阻擋層，具體制備方法如下：
[0050] 通過真空蒸發(fā)的方式在陰極表面沉積厚度為250nm的有機阻擋層，材料為CuPc， 制備過程的真空度為1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度為2 A /S;
[0051] 再采用真空蒸發(fā)的方式在有機阻擋層表面制備厚度為120nm的無機阻擋層，無機 阻擋層的材質(zhì)為Ag和Re03形成的混合材料，A1所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15% ;真空蒸發(fā)過程中，真 空度為lXl(T3Pa，蒸發(fā)速率為2A/S。
[0052] 本實施例中，有機阻擋層和無機阻擋層交替制備4層。
[0053] 圖1是本發(fā)明實施例1制得的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本 實施例有機電致發(fā)光器件，依次包括IT0玻璃基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層 4、電子傳輸層5、電子注入層6、金屬陰極7和封裝層8。封裝層8依次包括四層單層厚度為 250nm的有機阻擋層81、83、85、87,四層單層厚度為120nm的無機阻擋層82、84、86、88。
[0054] 采用水蒸汽透過率測試儀測量該有機電致發(fā)光器件的水蒸汽透過率，測得該有機 電致發(fā)光器件的水蒸汽透過率（WVTR，g/m2 ? day)為8. 8X 10_4g/m2 ? day，在I70@1000cd/m2的發(fā)光條件下測試該有機電致發(fā)光器件的壽命為3500小時。
[0055] 實施例2
[0056] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0057] ( 1)在IT0玻璃基板上制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注 入層和陰極，制備方法同實施例一；
[0058] (3)在陰極上制備封裝層，得到有機電致發(fā)光器件，其中，封裝層包括有機阻擋層 和無機阻擋層，具體制備方法如下：
[0059] 通過真空蒸發(fā)的方式在陰極表面沉積厚度為250nm的有機阻擋層，材料為NPB，制 備過程的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為2 A /S;
[0060] 再采用真空蒸發(fā)的方式在有機阻擋層表面制備厚度為150nm的無機阻擋層， 無機阻擋層的材料包括A1和Cr03, A1所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30% ;真空蒸發(fā)過程中，真空度為 1父1〇-%，蒸發(fā)速率為1人/8。
[0061] 本實施例中，有機阻擋層和無機阻擋層交替制備6層。
[0062] 本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的水蒸汽透過率（WVTR，g/m2 ? day)為 6. 9X 10_4g/m2 ? day，在I70@1000cd/m2的發(fā)光條件下測試的壽命為3644小時。
[0063] 實施例3
[0064] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0065] ( 1)在IT0玻璃基板上制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注 入層和陰極，制備方法同實施例一；
[0066] (3)在陰極上制備封裝層，得到有機電致發(fā)光器件，其中，封裝層包括有機阻擋層 和無機阻擋層，具體制備方法如下：
[0067] 通過真空蒸發(fā)的方式在陰極表面沉積厚度為200nm的有機阻擋層，材料為Alq3， 制備過程的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為〇.5A /S;
[0068] 再采用真空蒸發(fā)的方式在有機阻擋層表面制備厚度為100nm的無機阻擋層， 無機阻擋層的材料包括In和M〇03, In所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10% ;真空蒸發(fā)過程中，真空度為 1 X 10_5Pa，蒸發(fā)速率為0.5A/S。
[0069] 本實施例中，有機阻擋層和無機阻擋層交替制備6層。
[0070] 本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的水蒸汽透過率（WVTR，g/m2 ? day)為 7. 3X l(T4g/m2 ? day，在I70@1000cd/m2的發(fā)光條件下測試的壽命為3612小時。
[0071] 實施例4
[0072] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0073] ( 1)在IT0玻璃基板上制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注 入層和陰極，制備方法同實施例一；
[0074] (3)在陰極上制備封裝層，得到有機電致發(fā)光器件，其中，封裝層包括有機阻擋層 和無機阻擋層，具體制備方法如下：
[0075] 通過真空蒸發(fā)的方式在陰極表面沉積厚度為250nm的有機阻擋層，材料為 m-MTDATA，制備過程的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為2A /S;
[0076] 再采用真空蒸發(fā)的方式在有機阻擋層表面制備厚度為120nm的無機阻擋層， 無機阻擋層的材料包括Au和Mn02, Au所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%;真空蒸發(fā)過程中，真空度為 lX10_4Pa，蒸發(fā)速率為2A/S。
[0077] 本實施例中，有機阻擋層和無機阻擋層交替制備5層。
[0078] 本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的水蒸汽透過率（WVTR，g/m2 ? day)為 7. 8X 10_4g/m2 ? day，在I70@1000cd/m2的發(fā)光條件下測試的壽命為3574小時。
[0079] 實施例5
[0080] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0081] (1)在IT0玻璃基板上制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注 入層和陰極，制備方法同實施例一；
[0082] (3)在陰極上制備封裝層，得到有機電致發(fā)光器件，其中，封裝層包括有機阻擋層 和無機阻擋層，具體制備方法如下：
[0083] 通過真空蒸發(fā)的方式在陰極表面沉積厚度為250nm的有機阻擋層，材料為BCP，制 備過程的真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為1A/S;
[0084] 再采用真空蒸發(fā)的方式在有機阻擋層表面制備厚度為130nm的無機阻擋層， 無機阻擋層的材料包括Ni和Re02, Ni所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15% ;真空蒸發(fā)過程中，真空度為 lXl(T4Pa，蒸發(fā)速度為3A/S。
[0085] 本實施例中，有機阻擋層和無機阻擋層交替制備5層。
[0086] 本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的水蒸汽透過率（WVTR，g/m2 ? day)為 8. 2X 10_4g/m2 ? day，在I70@1000cd/m2的發(fā)光條件下測試的壽命為3540小時。
[0087] 實施例6
[0088] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0089] ( 1)在IT0玻璃基板上制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注 入層和陰極，制備方法同實施例一；
[0090] (3)在陰極上制備封裝層，得到有機電致發(fā)光器件，其中，封裝層包括有機阻擋層 和無機阻擋層，具體制備方法如下：
[0091] 通過真空蒸發(fā)的方式在陰極表面沉積厚度為300nm的有機阻擋層，材料為CuPc， 制備過程的真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度為5A/S;
[0092] 再采用真空蒸發(fā)的方式在有機阻擋層表面制備厚度為150nm的無機阻擋層， 無機阻擋層的材料包括Cu和W03, Cu所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20% ;真空蒸發(fā)過程中，真空度為 lX10_5Pa，蒸發(fā)速度為5A/S。
[0093] 本實施例中，有機阻擋層和無機阻擋層交替制備6層。
[0094] 本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的水蒸汽透過率（WVTR，g/m2 ? day)為 6. 4X 10_4g/m2 ? day，在I70@1000cd/m2的發(fā)光條件下測試的壽命為3673小時。
[0095] 以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為 本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸 層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層包括依次 層疊設(shè)置的有機阻擋層和無機阻擋層，所述有機阻擋層的材料包括酞菁銅、Ν，Ν' -二苯 基4州'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4'，4''-三（^3-甲基 苯基-N-苯基氨基）三苯胺和4, 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種； 所述無機阻擋層的材料包括金屬單質(zhì)和金屬氧化物，所述金屬單質(zhì)所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 10?30%，所述金屬單質(zhì)為銅、鋁、銦、金、鎳和銀中的一種或幾種；所述金屬氧化物為氧化 鶴、氧化鉻、氧化鑰、二氧化猛、二氧化錸和三氧化錸中的一種或幾種。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機阻擋層的厚度為 200nm ?300nm。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無機阻擋層的厚度為 IOOnm ?150nm〇
4. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機阻擋層和無機阻擋 層依次交替設(shè)置4?6層。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料包 括Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺及摻雜在所述Ν，Ν' -二苯 基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺中的MoO3，所述MoO3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 30% ;所述空穴傳輸層的材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺；所述發(fā)光層的材料包 括1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯和摻雜在所述1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯 并咪唑-2-基）苯中的三（2-苯基吡陡）合銥，所述三（2-苯基吡陡）合銥的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù) 為5% ;所述電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉；所述電子注入層的材料包括 4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉和摻雜在所述4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉中的CsN3，所述CsN3 的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%。
6. -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： (1) 提供潔凈陽極導(dǎo)電基板，在陽極導(dǎo)電基板上依次真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳 輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極； (2) 在所述陰極上制備封裝層，得到有機電致發(fā)光器件；其中，所述封裝層包括有機阻 擋層和無機阻擋層，具體制備方法如下：采用真空蒸發(fā)的方式在所述陰極表面依次沉積有 機阻擋層和無機阻擋層，真空蒸發(fā)過程中的真空度為I X KT5Pa?I X KT3Pa,蒸發(fā)速度為 0.5Α- 5A/s; 所述有機阻擋層的材料包括酞菁銅、Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、4, 4'，4' ' -三（Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺和4， 7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種； 所述無機阻擋層的材料包括金屬單質(zhì)和金屬氧化物，所述金屬單質(zhì)所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 10?30%，所述金屬單質(zhì)為銅、鋁、銦、金、鎳和銀中的一種或幾種；所述金屬氧化物為氧化 鶴、氧化鉻、氧化鑰、二氧化猛、二氧化錸和三氧化錸中的一種或幾種。
7. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機阻擋層 的厚度為200nm?300nm。
8. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述無機阻擋層 的厚度為IOOnm?150nm。
9. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機阻擋層 和無機阻擋層依次交替設(shè)置4?6層。
10. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入 層的材料包括Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺及摻雜在所述 Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺中的MoO3，所述MoO3的摻雜質(zhì) 量分?jǐn)?shù)為30% ;所述空穴傳輸層的材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺；所述發(fā)光層 的材料包括1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯和摻雜在所述1，3, 5-三（1-苯 基-IH-苯并咪唑-2-基）苯中的三（2-苯基吡啶)合銥，所述三（2-苯基吡啶)合銥的摻雜 質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5% ;所述電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉；所述電子注入層的 材料包括4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉和摻雜在所述4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉中的CsN3, 所述CsN3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%。
【文檔編號】H01L51/54GK104518131SQ201310449355
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張振華 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司