一種以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池及其制備方法
【專利摘要】一種以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池，由透明導(dǎo)電玻璃襯底、硫氧化鋅電子傳輸層、無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦材料CH3NH3PbX3（式中X為Cl、Br或I）、2,2',7,7'-四[N,N-二（4-甲氧基苯基）氨基]-9,9'-螺二芴空穴傳輸層和Au金屬背電極層組成并依次構(gòu)成疊層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和積極效果：在雜化太陽(yáng)能電池中，采用硫氧化鋅作為電子傳輸層具有較大的比表面積和較好的電子傳輸能力，電子－空穴的復(fù)合得到了有效的抑制，光電轉(zhuǎn)換效率較高；其制備方法工藝簡(jiǎn)單、反應(yīng)溫度低、效率高、原材料豐富、成本低且綠色無(wú)污染，適于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。
【專利說(shuō)明】—種以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池及其制備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)光電-太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，特別是一種以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池及其制備。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著全球石油資源的日益耗盡，太陽(yáng)能電池作為解決世界能源危機(jī)的一個(gè)可行方法成為一個(gè)廣泛研究的前沿性課題。太陽(yáng)能電池的研究與開(kāi)發(fā)始終圍繞以下兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題而展開(kāi):I)提高光電轉(zhuǎn)換效率及壽命；2)采用新型材料以降低成本。到目前為止，無(wú)機(jī)光伏電池在制備過(guò)程中所需的高溫、高真空使得無(wú)機(jī)光伏電池的生產(chǎn)成本非常之高，這使得其應(yīng)用受到很大的限制。有機(jī)聚合物本體異質(zhì)結(jié)光伏電池其成本低、無(wú)毒、容易制備、易于實(shí)現(xiàn)柔性器件、可以方便有效地改變有機(jī)材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)以控制最佳的能帶、電荷遷移率、溶解度甚至取向程度來(lái)提高電池的效率等特點(diǎn)而成為近年來(lái)的研究熱點(diǎn)。但其光電轉(zhuǎn)換效率較低，壽命和穩(wěn)定性較差的缺點(diǎn)嚴(yán)重制約著其商業(yè)化進(jìn)程。
[0003]有機(jī)共軛聚合物一無(wú)機(jī)納米晶雜化太陽(yáng)能電池是一種新穎的電池體系。無(wú)機(jī)納米晶半導(dǎo)體材料具有載流子遷移率高、性質(zhì)穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)易控制等優(yōu)點(diǎn)，因此有望實(shí)現(xiàn)制備低成本太陽(yáng)能電池。目前常用的無(wú)機(jī)納米晶包括Zn0、Ti02、PbS、PbSe或者CdSe等。然而，由于無(wú)機(jī)納米晶本身極易團(tuán)聚，影響了有機(jī)一無(wú)機(jī)界面和電子的有效傳輸，因此，在器件中存在著嚴(yán)重的界面電荷復(fù)合。有機(jī)共軛聚合物一無(wú)機(jī)納米晶雜化太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率仍然較低。
[0004]層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化材料是由有機(jī)分子和無(wú)機(jī)分子有序自組裝形成的、具有量子肼結(jié)構(gòu)的晶體材料。此類(lèi)材料結(jié)合了有機(jī)組分功能性、易加工性和無(wú)機(jī)組分高載流子傳輸性能、機(jī)械穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性的優(yōu)點(diǎn)，在光、電、磁等方向表現(xiàn)出了優(yōu)異的性能，有很廣闊的應(yīng)用前景。由于IVA族金屬(Sn，Pb等)具有特殊的分子軌道特征，使該族金屬鹵化物的雜化鈣鈦礦材料具有很好的導(dǎo)電性。因此，這類(lèi)雜化鈣鈦礦作為半導(dǎo)體材料，其突出的光電性能一直以來(lái)都引起了極大關(guān)注并被廣泛研究。CH3NH3PbX3U= Br，I)作為一種新型的光敏材料在2009年被首先合成并應(yīng)用于液相染料敏化太陽(yáng)能電池(DSSC)中，分別獲得了
3.8% 和 3.1% 的光電轉(zhuǎn)換效率，參見(jiàn) J.Am.Chem.Soc.2009, 131，6050 6051。2011 年P(guān)ark等人進(jìn)一步將光電轉(zhuǎn)換效率提高到6.5%，參見(jiàn)Nano Lett.2012, 12，1863 1867，但是器件的穩(wěn)定性很差。2012年瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院的Michael Gratzel教授等人采用Spiro-MeOTAD作為空穴傳輸層，TiO2為電子傳輸層制備了全固態(tài)雜化電池，光電轉(zhuǎn)換效率達(dá) 9.7%，參見(jiàn) Sc1.Rep.2012，2，591-1-7。2013 年 6 月，Michael Gratzel 教授等進(jìn)一步將基于CH3NH3PbX3的有機(jī)/層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化電池的效率提升到15%，參見(jiàn)誦.nature.com/doifinder/10.1038 /naturel2340。這一成果被認(rèn)為是太陽(yáng)能領(lǐng)域的一項(xiàng)重大研究進(jìn)展。據(jù)理論預(yù)測(cè)，基于CH3NH3PbX3的有機(jī)/層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化電池的光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)20%。作為一種全固態(tài)的染料敏化太陽(yáng)能電池，其獨(dú)特的光電特性正引起學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注。[0005]染料敏化太陽(yáng)能電池陽(yáng)極的發(fā)展趨勢(shì)之一是要保持較好的電子傳輸通道同時(shí)盡可能的提高陽(yáng)極的比表面積。因此，開(kāi)發(fā)具有較好電子傳輸性能、高比表面積和高光散射效果的光陽(yáng)極對(duì)提高電池的光電效率具有重要的意義。目前基于CH3NH3PbX3的有機(jī)/層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化電池通常采用TiO2作為電子傳輸層。常規(guī)的TiO2材料存在著一些固有缺陷，例如納米晶粒間存在著大量的晶界，比表面積大，表面懸掛鍵起著俘獲光生電子的陷阱作用，他們會(huì)使電子的壽命和擴(kuò)散距離減小，復(fù)合幾率增加。電荷復(fù)合正是制約著DSSC效率提高的主要因素。一些研究人員嘗試著在TiO2納米晶表面包覆具有較高導(dǎo)帶位置的金屬氧化物(ZnO、Cs203、MgO)薄層形成核殼結(jié)構(gòu),通過(guò)能量勢(shì)魚(yú)抑制TiO2導(dǎo)帶電子與染料及電解質(zhì)的復(fù)合。
[0006]氧化鋅(ZnO)是一種典型的直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料，室溫下的帶隙寬度(Eg)為3.37eV，較大的激子束縛能(60 meV)。ZnO與TiO2的禁帶寬度(Eg)接近，而且ZnO的導(dǎo)帶底CB略高于TiO2，這樣的能帶結(jié)構(gòu)應(yīng)該有利于提高電荷的解離效率，從而使電子能夠更快的注入并傳輸?shù)诫姌O，從而提高電池效率。但由于其導(dǎo)電率不是很高，因而氧化鋅薄膜在太陽(yáng)能器件中的應(yīng)用不盡理想。科研人員發(fā)現(xiàn)將ZnO進(jìn)行修飾改性是提高器件性能的重要途徑，主要有以下幾種方式進(jìn)行修飾:1)元素?fù)诫s；2)表面修飾；3)使用添加劑。
[0007]例如Xu等人報(bào)道了 Ga摻雜ZnO時(shí)，電阻率降低了 100倍,參見(jiàn)Nanotechnology,2009，20:065503-065508。當(dāng)Ni摻雜到氧化鋅納米棒時(shí)電導(dǎo)率增加了 30倍，參見(jiàn)J ApplPhys, 2008, 103:083114_083117。但是這些摻雜方法都使得氧化鋅表面的界面能增加而不利于電池性能的提聞。
[0008]本發(fā)明提出了一種以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池及其制備方法。由于S和O之間的電負(fù)性的不同，在采用水熱法制備好的ZnO的表面利用S取代反應(yīng)可以在ZnO的界面處發(fā)生化學(xué)鍵的重排作用，這樣就會(huì)在ZnO的表面形成ZnS量子點(diǎn)。通過(guò)對(duì)其進(jìn)行電導(dǎo)率測(cè)試，發(fā)現(xiàn)與未硫化的ZnO相比，電導(dǎo)率增高了 2個(gè)數(shù)量級(jí)。通過(guò)控制反應(yīng)時(shí)間可以改變ZnO/ZnS的配比，可以方便的調(diào)控氧化鋅的帶隙及能級(jí)。S摻雜氧化鋅的薄膜的電導(dǎo)率提高的特點(diǎn)使得其作為雜化電池的電子傳輸層將具有更好的能級(jí)匹配和導(dǎo)電性，從而顯著地提高了雜化電池的光電轉(zhuǎn)化效率。
[0009]硫氧化鋅具有優(yōu)異的光學(xué)性能及電子傳輸能力，可以加快光生電子空穴對(duì)的分離，大大減少了復(fù)合，提高了光生載流子的利用率。而具有多孔結(jié)構(gòu)的硫氧化鋅納米顆粒具有大的比表面積，可以充當(dāng)光散射層，增加光的傳播路徑長(zhǎng)度，從而更有效的利用太陽(yáng)光。本發(fā)明在氧化鋅納米棒表面自組裝上一層硫化鋅的量子點(diǎn)，可將氧化鋅、硫化鋅兩種材料的優(yōu)點(diǎn)有機(jī)結(jié)合起來(lái)，從而進(jìn)一步提高有機(jī)無(wú)機(jī)雜化電池的光電轉(zhuǎn)換效率。目前還尚未在基于CH3NH3PbX3的有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦電池見(jiàn)到以ZnOS為電子傳輸層的報(bào)道。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的是針對(duì)上述存在問(wèn)題和技術(shù)分析，提供一種以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池及其制備方法。
[0011]本發(fā)明的技術(shù)方案:
一種以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池，由透明導(dǎo)電玻璃襯底、電子傳輸層、無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦材料、空穴傳輸層和Au金屬背電極層組成并依次構(gòu)成疊層結(jié)構(gòu)。[0012]所述透明導(dǎo)電玻璃襯底是以銦錫氧化物(ΙΤ0)、摻雜氟的SnO2 (FTO)或摻Al的氧化鋅(AZO)為導(dǎo)電層的導(dǎo)電玻璃。
[0013]所述電子傳輸層為硫氧化鋅，電子傳輸層厚度為50_200nm。
[0014]所述的層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化材料為CH3NH3PbX3,式中X為Cl、Br或I，層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化材料CH3NH3PbX3的厚度為100-1000nm。
[0015]所述空穴傳輸層為2，2’，7，7’ -四[N，N- 二(4_甲氧基苯基)氨基]-9，9’ -螺二芴(spiro-MeOTAD),空穴傳輸層的厚度為40_60nm。
[0016]所述Au金屬背電極層的厚度為70nm
一種所述以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下步驟:
1)將ITO玻璃襯底切割成3_X3mm，用洗潔精和去離子水反復(fù)清洗后，再分別經(jīng)異丙醇、丙酮和氯仿溶液浸泡并超聲清洗，最后在紅外烘箱中干燥待用；
2)將二水乙酸鋅和乙二醇甲醚混合，配制成濃度為0.1M的溶液，然后加入乙醇胺作為穩(wěn)定劑，攪拌30min后，60°C熟化2h，制得氧化鋅溶膠；在ITO玻璃襯底上旋涂制備好的氧化鋅溶膠，放入300°C的馬弗爐中退火lh，降至室溫后，用去離子水反復(fù)沖洗干凈后在真空烘箱中干燥；將上述襯底放入濃度為0.0lM的硫代乙酰胺(TAA)的水溶液中，反應(yīng)溫度為70°C，反應(yīng)時(shí)間為lh，然后取出基底，用去離子水沖洗雜質(zhì)，烘干后即可在襯底上涂敷氧化鋅溶膠；
3)將上述襯底放入濃度為0.0lM的硫代乙酰胺(TAA)的水溶液中，在70°C溫度下反應(yīng)lh，取出后，用去離子水將雜質(zhì)沖洗干凈后烘干，制得硫氧化鋅電子傳輸層；
4)室溫下將CH3NH3I和PbI2溶解在Y- 丁內(nèi)酯溶劑中得到混合液，然后利用勻膠機(jī)將混合液旋涂在電子傳輸層上，在100°`C下熱處理15min以除去殘余的溶劑，制得層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化材料為CH3NH3PbI3 ；
5)通過(guò)溶液旋涂的方法將濃度為0.06M的2，2’，7，7’ -四[N，N- 二(4-甲氧基苯基)氨基]-9，9’ -螺二芴(spiro-MeOTAD)的氯苯溶液旋涂在層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化材料CH3NH3PbI3上，制得空穴傳輸層；
6)在3X10_4Pa真空條件下采用熱蒸鍍法蒸鍍70nm Au背電極，制得雜化太陽(yáng)能電池。
[0017]所述乙二醇甲醚與乙醇胺的體積比為100:0.3。
[0018]所述混合液中CH3NH3與PbI2的摩爾比為1:1，CH3NH3與PbI2的總量在混合液的濃度為40wt%。
[0019]在透明導(dǎo)電襯底上制備硫氧化鋅電子傳輸層的機(jī)理是首先在透明導(dǎo)電襯底上制備ZnO顆?；蚣{米棒，在ZnO的表面利用硫代乙酰胺為反應(yīng)物通過(guò)S取代反應(yīng)在ZnO的界面處發(fā)生ZnO — ZnS化學(xué)鍵的重排作用，在ZnO的表面形成ZnS量子點(diǎn)，通過(guò)控制反應(yīng)溫度和時(shí)間可以改變ZnO/ZnS的配比，即可方便的調(diào)控氧化鋅的帶隙及能級(jí)。
[0020]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和積極效果:
在雜化太陽(yáng)能電池中，采用硫氧化鋅作為電子傳輸層具有較大的比表面積和較好的電子傳輸能力，電子一空穴的復(fù)合得到了有效的抑制，光電轉(zhuǎn)換效率較高；其制備方法工藝簡(jiǎn)單、反應(yīng)溫度低、效率高、原材料豐富、成本低且綠色無(wú)污染，適于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。
[0021]【【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】】
圖1為該雜化太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)示意圖；【【具體實(shí)施方式】】
實(shí)施例: 一種以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池，由透明導(dǎo)電玻璃襯底、電子傳輸層、無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦材料、空穴傳輸層和Au金屬背電極層組成并依次構(gòu)成疊層結(jié)構(gòu)，所述透明導(dǎo)電玻璃襯底是以銦錫氧化物(ITO)為導(dǎo)電層的導(dǎo)電玻璃；電子傳輸層為硫氧化鋅，電子傳輸層厚度為IOOnm ;層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化材料為CH3NH3PbX3,厚度為600nm ;空穴傳輸層為 2，2’，7，7’-四[N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基]_9，9’-螺二芴(spiro-MeOTAD)，厚度為40nm ；Au金屬背電極層的厚度為70nm。
[0022]所述以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下步驟:
1)將ITO玻璃襯底切割成3_X3mm，用洗潔精和去離子水反復(fù)清洗后，再分別經(jīng)異丙醇、丙酮和氯仿溶液浸泡并超聲清洗，最后在紅外烘箱中干燥待用；
2)稱取0.439g 二水乙酸鋅和20ml乙二醇甲醚混合，配制成濃度為0.1M的溶液，然后滴加60微升乙醇胺作為穩(wěn)定劑，攪拌30min后，60°C熟化2h，制得氧化鋅溶膠；在ITO玻璃襯底上旋涂制備好的氧化鋅溶膠，放入300°C的馬弗爐中退火lh，降至室溫后，用去離子水反復(fù)沖洗干凈后在真空烘箱中干燥；將上述襯底放入濃度為0.0lM的硫代乙酰胺(TAA)的水溶液中，反應(yīng)溫度為70°C，反應(yīng)時(shí)間為lh，然后取出基底，用去離子水沖洗雜質(zhì)，烘干后即可在襯底上涂敷氧化鋅溶膠；
3)將上述襯底放入濃度為0.0lM的硫代乙酰胺(TAA)的水溶液中，在70°C溫度下反應(yīng)lh，取出后，用去離子水將雜質(zhì)沖洗干凈后烘干，制得硫氧化鋅電子傳輸層，檢測(cè)表明其導(dǎo)電率8 X I(T4 S/cm,而未摻雜的ZnO的導(dǎo)電率5 X I(T6 S/cm ；
4)室溫下在手套箱中將的0.8g (5毫摩爾)CH3NH3I和2.3g (5毫摩爾)PbI2溶解在15.8mL Y-丁內(nèi)酯溶劑中配制成濃度為15 wt%的混合液，然后利用勻膠機(jī)將混合液旋涂在電子傳輸層上，在100°C下熱處理15min以除去殘余的溶劑，制得層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化材料為CH3NH3PbI3 ；
5)將72.3mg(0.06 毫摩爾)2，2’，7，7’-四[N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基]_9，9’-螺二芴(spiro-MeOTAD)溶解在ImL氯苯溶液中，通過(guò)溶液旋涂的方法旋涂在層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化材料CH3NH3PbI3上，制得空穴傳輸層；
6)在3X10_4Pa真空條件下采用熱蒸鍍法蒸鍍70nm Au背電極，制得雜化太陽(yáng)能電池。
[0023]該雜化太陽(yáng)能電池制備完成后，將所有條形ITO陽(yáng)極一端接電流表正極，所有條形Al陰極一端接電流表負(fù)極。測(cè)試結(jié)果表明:在AM1.5G( 100 mW/ cm2)光照下，Jsc、Voc、FF、PCE分別為8.0 mA/ cm2、0.8 V、50%、4.1%。在同樣條件下制備的以TiO2的對(duì)比器件在相同光照條件下，Jsc, Voc, FF、PCE 分別為 6.8 mA/ cm2,0.77 V、43%、3.2%。與采用 TiO2為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池相比，鋁摻雜氧化鋅納米棒為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池的性能得以進(jìn)一步提升。
【權(quán)利要求】
1.一種以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池，其特征在于:由透明導(dǎo)電玻璃襯底、電子傳輸層、無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦材料、空穴傳輸層和Au金屬背電極層組成并依次構(gòu)成疊層結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述透明導(dǎo)電玻璃襯底是以銦錫氧化物、摻雜氟的SnO2或摻Al的氧化鋅為導(dǎo)電層的導(dǎo)電玻3? ο
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述電子傳輸層為硫氧化鋅，電子傳輸層厚度為50-200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述的層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化材料為CH3NH3PbX3，式中X為Cl、Br或I，層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化材料CH3NH3PbX3 的厚度為 100-1OOOnm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述空穴傳輸層為2，2’，7，7’ -四[N，N- 二(4-甲氧基苯基)氨基]-9，9’ -螺二芴，空穴傳輸層的厚度為40-60nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述Au金屬背電極層的厚度為70nm。
7.—種如權(quán)利要求1所述以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:包括以下步驟: 1)將ITO玻璃襯底切割成3_X3mm，用洗潔精和去離子水反復(fù)清洗后，再分別經(jīng)異丙醇、丙酮和氯仿溶液浸泡并超聲清洗，最后在紅外烘箱中干燥待用； 2)將二水乙酸鋅和乙二醇甲醚混合，配制成濃度為0.1M的溶液，然后加入乙醇胺作為穩(wěn)定劑，攪拌30min后，60°C熟化2h，制得氧化鋅溶膠；在ITO玻璃襯底上旋涂制備好的氧化鋅溶膠，放入300°C的馬弗爐中退火lh，降至室溫后，用去離子水反復(fù)沖洗干凈后在真空烘箱中干燥；將上述襯底放入濃度為0.0lM的硫代乙酰胺的水溶液中，反應(yīng)溫度為70°C，反應(yīng)時(shí)間為lh，然后取出基底，用去離子水沖洗雜質(zhì)，烘干后即可在襯底上涂敷氧化鋅溶膠； 3)將上述襯底放入濃度為0.0lM的硫代乙酰胺的水溶液中，在70°C溫度下反應(yīng)lh，取出后，用去離子水將雜質(zhì)沖洗干凈后烘干，制得硫氧化鋅電子傳輸層； 4)室溫下將CH3NH3I和PbI2溶解在Y- 丁內(nèi)酯溶劑中得到混合液，然后利用勻膠機(jī)將混合液旋涂在電子傳輸層上，在100°C下熱處理15min以除去殘余的溶劑，制得層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化材料為CH3NH3PbI3 ； 5)通過(guò)溶液旋涂的方法將濃度為0.06M的2，2’，7，7’ -四[N，N- 二(4-甲氧基苯基)氨基]-9，9’ -螺二芴的氯苯溶液 旋涂在層狀類(lèi)鈣鈦礦雜化材料CH3NH3PbI3上，制得空穴傳輸層； 6)在3X10_4Pa真空條件下采用熱蒸鍍法蒸鍍70nm Au背電極，制得雜化太陽(yáng)能電池。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:所述乙二醇甲醚與乙醇胺的體積比為100:0.3。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述以硫氧化鋅為電子傳輸層的雜化太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于:所述混合液中CH3NH3與PbI2的摩爾比為1:1，CH3NH3與PbI2的總量在混合液的濃度為15wt%。
【文檔編號(hào)】H01L51/46GK103474575SQ201310444255
【公開(kāi)日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月26日
【發(fā)明者】楊利營(yíng), 印壽根, 秦文靜, 左紅文, 唐彤, 鄭克寧, 于景景, 張穎, 劉巍嵩, 鄒亞偉 申請(qǐng)人:天津理工大學(xué)