制作高均勻度柵極線條的方法
【專利摘要】一種制作高均勻度柵極線條的方法，包括：在襯底硅片上依次直接沉積多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜以及第一光刻膠；執(zhí)行曝光和顯影以便在第一光刻膠膜中形成第一柵極線條的結(jié)構(gòu)；將在第一光刻膠膜中有第一柵極線條結(jié)構(gòu)的硅片放置于充滿硅烷化材料氣體的腔體中固化第一柵極線條結(jié)構(gòu)，加熱使硅烷化材料與第一光刻膠表面反應(yīng)形成不溶于第二光刻膠的隔離膜；在固化后的第一光刻膠上涂布第二光刻膠；在第二光刻膠膜中形成第一線端切割圖形；以第二光刻膠膜為掩模，刻蝕隔離膜和第一柵極線條，形成第二線端切割圖形；以剩余的隔離膜和第一柵極線條為掩模，依次刻蝕旋涂碳薄膜、和多晶硅薄膜，形成第二柵極線條的結(jié)構(gòu)。
【專利說(shuō)明】制作高均勻度柵極線條的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種制作高均勻度柵極線條的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體芯片的集成度不斷提高，晶體管的特征尺寸不斷縮小，對(duì)光刻工藝的挑戰(zhàn)越來(lái)越大。傳統(tǒng)的光刻工藝通常采用以高分子材料為主體的有機(jī)抗反射薄膜(bottomant1-reflective coating, BARC)來(lái)提高光刻工藝的能力。圖1A是襯底娃片1、有機(jī)抗反射薄膜2、和光刻膠3的結(jié)構(gòu)圖示。有機(jī)抗反射薄膜還可以擴(kuò)大刻蝕工藝的可調(diào)適范圍，提高刻蝕后圖形結(jié)構(gòu)的均勻度。
[0003]在進(jìn)入45納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后，以傳統(tǒng)高分子材料為主體的有機(jī)抗反射薄膜越來(lái)越難以滿足光刻工藝和刻蝕后圖形結(jié)構(gòu)均勻度的要求。新的替代材料包括旋涂碳和利用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)方法制作的無(wú)定形碳薄膜。與無(wú)定形碳工藝相比，旋涂碳不需要額外的機(jī)臺(tái)，具有低成本、成膜速度快、平滑凹凸襯底能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。通常采用旋涂碳薄膜21和旋涂含硅硬掩模薄膜22搭配替代傳統(tǒng)的有機(jī)抗反射薄膜2 (圖1B)。旋涂碳薄膜21和旋涂含硅硬掩模薄膜22的搭配具有較低反射率和改善刻蝕后線條邊緣粗糙度(line-edge roughness, LER)的優(yōu)點(diǎn),很好地滿足光刻工藝和刻蝕后圖形結(jié)構(gòu)均勻度的要求。
[0004]柵極線寬是半導(dǎo)體器件的主要參數(shù)之一。減小線寬可以提高集成度以及減小器件尺寸。制作小線寬柵極的光刻工藝會(huì)產(chǎn)生線端收縮(line-end shortening)。圖2A圖示了柵極線條圖形的線端收縮A。柵極線寬越小，線端收縮越A嚴(yán)重。傳統(tǒng)的方法是在光掩模上進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正(optical proximity correction, 0PC)來(lái)矯正線端收縮(圖2B)。當(dāng)線端收縮太嚴(yán)重，所需光學(xué)臨近效應(yīng)修正的修正量太大，以至于在光掩模上相鄰兩個(gè)線端圖形形成重疊，導(dǎo)致光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法失效。在這種情況下，就不得不增加一步線端切割工藝(line-end cut)。柵極線端切割工藝是在形成重疊線端的柵極線條之后,通過(guò)利用切割掩模版B增加的線端切割光刻和線端切割刻蝕工藝來(lái)切斷重疊的相鄰兩個(gè)線端(圖2C)。
[0005]在器件尺寸微縮進(jìn)入到32納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，單次光刻曝光無(wú)法滿足制作密集線陣列圖形所需的分辨率。雙重圖形(double patterning)成形技術(shù)作為解決這個(gè)技術(shù)難題的主要方法被大量研究并被廣泛應(yīng)用于制作32納米以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的密集線陣列圖形。圖3A-圖3E圖示了雙重圖形成形技術(shù)制作密集線陣列圖形的過(guò)程。在需要制作密集線陣列圖形的襯底硅片I上，沉積襯底膜9和硬掩膜10，然后涂布第一光刻膠3 (圖3A)，曝光、顯影、刻蝕后，在硬掩膜10中形成第一光刻圖形11 (圖3B)，其線條和溝槽的特征尺寸比例為1:3。在此硅片上涂布第二光刻膠(5)(圖3C)，曝光和顯影后在第二光刻膠5膜中形成第二光刻圖形12(圖3D)，其線條和溝槽的特征尺寸比例也是1:3，但其位置與第一光刻圖形11交錯(cuò)。繼續(xù)刻蝕在襯底硅片上形成與第一光刻圖形11交錯(cuò)的第二光刻圖形12 (圖3E)。第一光刻圖形11與第二光刻圖形12的組合組成了目標(biāo)線條和溝槽特征尺寸比例為1:1的密集線陣列圖形。
[0006]雙重圖形成形技術(shù)需要兩次光刻和刻蝕，即光刻一刻蝕一光刻一刻蝕。其成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)的單次曝光成形技術(shù)。降低雙重圖形成形技術(shù)的成本成為新技術(shù)開(kāi)發(fā)的方向之一。美國(guó)專利US20110081618報(bào)道了在第一光刻圖形11顯影之后，在同一顯影機(jī)臺(tái)內(nèi)，使用硅烷化材料固化第一光刻膠3中第一光刻圖形11的方法。采用此方法后的雙重圖形成形工藝過(guò)程為光刻(顯影固化)一光刻一刻蝕。省略了原工藝中的第一刻蝕步驟，從而有效地降低了雙重圖形成形技術(shù)的成本。這種方法也稱作雙重曝光技術(shù)(double exposure)。
[0007]極小線寬柵極的制作過(guò)程包括柵極線條光刻一柵極線條刻蝕一柵極線端切割光刻一柵極線端切割刻蝕等步驟。
[0008]但是上述方案的過(guò)程比較復(fù)雜，產(chǎn)能低成本高，并且均勻性有限。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠簡(jiǎn)化極小線寬柵極線條的制作工藝，提高產(chǎn)能和減少制作成本，提高光刻工藝能力并且可以滿足刻蝕后圖形結(jié)構(gòu)均勻度的要求的方法。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種制作高均勻度柵極線條的方法，其包括:
[0011]第一步驟:在襯底硅片上依次直接沉積多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜以及第一光刻膠；
[0012]第二步驟:執(zhí)行曝光和顯影以便在第一光刻膠膜中形成第一柵極線條的結(jié)構(gòu)；
[0013]第三步驟:在與第二步驟的顯影過(guò)程相同的同一顯影機(jī)臺(tái)內(nèi)，將在第一光刻膠膜中有第一柵極線條結(jié)構(gòu)的硅片放置于充滿硅烷化材料氣體的腔體中固化第一柵極線條結(jié)構(gòu)，加熱使娃燒化材料與第一光刻膠表面反應(yīng)形成不溶于第二光刻膠的隔離膜；
[0014]第四步驟:在固化后的第一光刻膠上涂布第二光刻膠；
[0015]第五步驟:完成曝光和顯影在第二光刻膠膜中形成第一線端切割圖形；
[0016]第六步驟:以第二光刻膠膜為掩模，刻蝕隔離膜和第一柵極線條，形成第二線端切割圖形；
[0017]第七步驟:以剩余的隔離膜和第一柵極線條為掩模，繼續(xù)依次刻蝕旋涂碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除殘余的旋涂碳薄膜，最終在多晶硅薄膜層形成第二柵極線條的結(jié)構(gòu)。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種制作高均勻度柵極線條的方法，其包括:
[0019]第一步驟:在襯底硅片上依次直接沉積多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜以及第一光刻膠；
[0020]第二步驟:執(zhí)行曝光和顯影以便在第一光刻膠膜中形成第一柵極線條的結(jié)構(gòu)；
[0021]第三步驟:在與第二步驟的顯影過(guò)程相同的同一顯影機(jī)臺(tái)內(nèi)，在第一光刻膠上涂布硅烷化材料液體固化第一光刻膠中第一柵極線條結(jié)構(gòu)，加熱使硅烷化材料與第一光刻膠表面反應(yīng)形成不溶于第二光刻膠的隔離膜；
[0022]第四步驟:在固化后的第一光刻膠上涂布第二光刻膠；
[0023]第五步驟:完成曝光和顯影在第二光刻膠膜中形成第一線端切割圖形；
[0024]第六步驟:以第二光刻膠膜為掩模，刻蝕隔離膜和第一柵極線條，形成第二線端切割圖形；
[0025]第七步驟:以剩余的隔離膜和第一柵極線條為掩模，繼續(xù)依次刻蝕旋涂碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除殘余的旋涂碳薄膜，最終在多晶硅薄膜層形成第二柵極線條的結(jié)構(gòu)。
[0026]優(yōu)選地,第一光刻膠可選用可形成硬膜的光刻膠；優(yōu)選的，第一光刻膠是含娃燒基(silyl)、娃燒基氨基(siloxyl)和籠形娃氧燒(silsesquioxane)中的一種的光刻膠。
[0027]優(yōu)選地，第一光刻膠的硅含量范圍為大于或等于15wt%，優(yōu)選地大于或等于30wt%o
[0028]優(yōu)選地,第一光刻膠和第二光刻膠的抗刻蝕能力比大于或等于1.5:1。
[0029]優(yōu)選地，硅烷化材料為六甲基二硅胺、三甲基氯硅烷、六甲基二硅氮烷中的一種或多種。
[0030]優(yōu)選地，第三步驟中斷加熱溫度的范圍為80°C至300°C，優(yōu)選的，90°C至200°C。
[0031]優(yōu)選地，旋涂碳薄膜的厚度為20納米至300納米。優(yōu)選的，旋涂碳薄膜的厚度為50納米至250納米。
[0032]并且,優(yōu)選地,旋涂碳薄膜的碳含量范圍為大于或等于60wt%,優(yōu)選的,大于或等于70wt%o
[0033]由此，本發(fā)明將柵極線條刻蝕和柵極線端切割刻蝕合并成一步刻蝕，替代原工藝中柵極線條刻蝕和柵極線端切割刻蝕的兩步獨(dú)立工藝，并且綜合旋涂碳技術(shù)，可以有效地簡(jiǎn)化極小線寬柵極的制作工藝，同時(shí)可以滿足刻蝕后圖形結(jié)構(gòu)均勻度的要求，由此提供了一種能夠簡(jiǎn)化極小線寬柵極線條的制作工藝，提高產(chǎn)能和減少制作成本，提高光刻工藝能力并且可以滿足刻蝕后圖形結(jié)構(gòu)均勻度的要求的方法。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0034]結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中:
[0035]圖1A示意性地示出了襯底硅片、有機(jī)抗反射薄膜、和光刻膠的結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0036]圖1B示意性地示出了襯底硅片、涂碳碳薄膜、含碳氧化硅薄膜、和光刻膠的結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0037]圖2A圖示了柵極線條圖形的線端收縮。
[0038]圖2B圖示了在光掩模上利用光學(xué)臨近效應(yīng)修正矯正柵極線端收縮的俯視圖。
[0039]圖2C圖示了利用柵極線端切割工藝制作極小線寬柵極的俯視圖。
[0040]圖3A -圖3E圖示了雙重圖形成形技術(shù)制作密集線陣列圖形的過(guò)程。
[0041]圖4A是完成沉積多晶硅薄膜、涂碳碳薄膜、和含碳的氧化硅薄膜以及涂布第一光刻膠的結(jié)構(gòu)剖面圖。
[0042]圖4B是在第一光刻膠的膜中形成第一柵極線條結(jié)構(gòu)的剖面圖。
[0043]圖4C是固化第一光刻膠后形成不溶于第二光刻膠的隔離膜的剖面圖。
[0044]圖4D是完成涂布第二光刻膠的剖面圖。
[0045]圖4E是在第二光刻膠的膜中形成第一線端切割圖形的剖面圖。
[0046]圖4F是形成第二線端切割圖形的俯視圖。
[0047]圖4G是在多晶硅薄膜層形成第二柵極線條結(jié)構(gòu)的俯視圖。[0048]需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
【具體實(shí)施方式】
[0049]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0050]<第一實(shí)施例>
[0051]圖4A至圖4G示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的制作高均勻度柵極線條的方法。
[0052]具體地說(shuō)，如圖4A至圖4G所示，根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的制作高均勻度柵極線條的方法包括:
[0053]第一步驟:在襯底硅片I上依次直接沉積多晶硅薄膜4，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜21、和含硅硬薄膜22、以及第一光刻膠3，如圖4A所示；其中，需要說(shuō)明的是，含硅硬薄膜22和第一光刻膠3合在一起作為刻蝕旋涂碳21的掩模；但是,實(shí)際上，出于減少成本的考慮，可以去除含硅硬薄膜22 (此時(shí)，也可以看作是含硅硬薄膜的厚度為O納米)；實(shí)際上，去除含硅硬薄膜22仍可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的下述各個(gè)步驟，而且同時(shí)能減少成本。在不包含含硅硬薄膜22的示例中，可省略下述與含硅硬薄膜22相關(guān)的描述。
[0054]第二步驟:執(zhí)行曝光和顯影以便在第一光刻膠3膜中形成第一柵極線條31的結(jié)構(gòu)，如圖4B所示；
[0055]第三步驟:在與第二步驟的顯影過(guò)程相同的同一顯影機(jī)臺(tái)內(nèi)，將在第一光刻膠3膜中有第一柵極線條31結(jié)構(gòu)的硅片放置于充滿硅烷化材料氣體的腔體中固化第一柵極線條31結(jié)構(gòu),加熱使娃燒化材料與第一光刻膠3表面反應(yīng)形成不溶于第二光刻膠5的隔離膜，如圖4C所示；
[0056]第四步驟:在固化后的第一光刻膠3上涂布第二光刻膠5，如圖4D所示；
[0057]第五步驟:完成曝光和顯影在第二光刻膠5膜中形成第一線端切割圖形51，如圖4E所示；
[0058]第六步驟:以第二光刻膠5膜為掩模，刻蝕隔離膜13和第一柵極線條31，形成第二線端切割圖形52，如圖4F所示；
[0059]第七步驟:以剩余的隔離膜13和第一柵極線條31為掩模，繼續(xù)依次刻蝕含硅硬薄膜22、旋涂碳薄膜21、和多晶硅薄膜4，并去除殘余的含硅硬薄膜22和旋涂碳薄膜21，最終在多晶硅薄膜4層形成第二柵極線條41的結(jié)構(gòu)，如圖4G所示。
[0060]<第二實(shí)施例>
[0061]根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的制作高均勻度柵極線條的方法包括:
[0062]第一步驟:在襯底硅片I上依次直接沉積多晶硅薄膜4，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜21、和含硅硬薄膜22、以及第一光刻膠3，如圖4A所示；
[0063]第二步驟:執(zhí)行曝光和顯影以便在第一光刻膠3膜中形成第一柵極線條31的結(jié)構(gòu)，如圖4B所示；
[0064]第三步驟:在與第二步驟的顯影過(guò)程相同的同一顯影機(jī)臺(tái)內(nèi)，在第一光刻膠3上涂布硅烷化材料液體固化第一光刻膠3中第一柵極線條31結(jié)構(gòu)，加熱使硅烷化材料與第一光刻膠3表面反應(yīng)形成不溶于第二光刻膠5的隔離膜13 ;優(yōu)選地，多余的硅烷化材料可通過(guò)加熱蒸發(fā)去除，如圖4C所示；
[0065]第四步驟:在固化后的第一光刻膠3上涂布第二光刻膠5，如圖4D所示；
[0066]第五步驟:完成曝光和顯影在第二光刻膠5膜中形成第一線端切割圖形51，如圖4E所示；
[0067]第六步驟:以第二光刻膠5膜為掩模，刻蝕隔離膜13和第一柵極線條31，形成第二線端切割圖形52，如圖4F所示；
[0068]第七步驟:以剩余的隔離膜13和第一柵極線條31為掩模，繼續(xù)依次刻蝕含硅硬薄膜22、旋涂碳薄膜21、和多晶硅薄膜4，并去除殘余的含硅硬薄膜22和旋涂碳薄膜21，最終在多晶硅薄膜4層形成第二柵極線條41的結(jié)構(gòu)，如圖4G所示。
[0069]優(yōu)選地，第一光刻膠3可選用可形成硬膜的光刻膠；優(yōu)選的，第一光刻膠3是含娃燒基(silyl)、娃燒基氨基(siloxyl)和籠形娃氧燒(silsesquioxane)中的一種的光刻膠。優(yōu)選地，第一光刻膠的硅含量范圍為大于或等于15wt%，優(yōu)選的，大于或等于30wt%。
[0070]優(yōu)選地,第一光刻膠3和第二光刻膠5的抗刻蝕能力比大于或等于1.5:1。
[0071]優(yōu)選地,娃燒化材料為六甲基二娃胺(HMDS, hexamethyldisilazine)、三甲基氯娃燒(TMCS, trimethy lchlorosi lane)、六甲基二娃氮燒(HMDSZ, hexamethy Idi si Iazane)、或其他適用的硅烷化材料中的一種或多種。
[0072]優(yōu)選地，第三步驟中斷加熱溫度的范圍為80°C至300°C，優(yōu)選的，90°C至200°C。
[0073]優(yōu)選地，旋涂碳薄膜21的厚度為20納米至300納米。優(yōu)選的，旋涂碳薄膜21的厚度為50納米至250納米。
[0074]并且,優(yōu)選地,旋涂碳薄膜21的碳含量范圍為大于或等于60wt%,優(yōu)選的，大于或等于70wt%。
[0075]優(yōu)選地，含硅硬薄膜22的厚度為O納米至20納米。
[0076]并且，優(yōu)選地，含硅硬薄膜22的硅含量范圍為大于或等于15wt%，優(yōu)選的，大于或等于30wt%。
[0077]由此，本發(fā)明將柵極線條刻蝕和柵極線端切割刻蝕合并成一步刻蝕，替代原工藝中柵極線條刻蝕和柵極線端切割刻蝕的兩步獨(dú)立工藝，并且綜合旋涂碳技術(shù)，可以有效地簡(jiǎn)化極小線寬柵極的制作工藝，同時(shí)可以滿足刻蝕后圖形結(jié)構(gòu)均勻度的要求，由此提供了一種能夠簡(jiǎn)化極小線寬柵極線條的制作工藝，提高產(chǎn)能和減少制作成本，提高光刻工藝能力并且可以滿足刻蝕后圖形結(jié)構(gòu)均勻度的要求的方法。
[0078]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于包括: 第一步驟:在襯底硅片上依次直接沉積多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜以及第一光刻膠； 第二步驟:執(zhí)行曝光和顯影以便在第一光刻膠膜中形成第一柵極線條的結(jié)構(gòu)； 第三步驟:在與第二步驟的顯影過(guò)程相同的同一顯影機(jī)臺(tái)內(nèi)，將在第一光刻膠膜中有第一柵極線條結(jié)構(gòu)的硅片放置于充滿硅烷化材料氣體的腔體中固化第一柵極線條結(jié)構(gòu)，加熱使硅烷化材料與第一光刻膠表面反應(yīng)形成不溶于第二光刻膠的隔離膜； 第四步驟:在固化后的第一光刻膠上涂布第二光刻膠； 第五步驟:完成曝光和顯影在第二光刻膠膜中形成第一線端切割圖形； 第六步驟:以第二光刻膠膜為掩模，刻蝕隔離膜和第一柵極線條，形成第二線端切割圖形； 第七步驟:以剩余的隔離膜和第一柵極線條為掩模，繼續(xù)依次刻蝕旋涂碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除殘余的旋涂碳薄膜，最終在多晶硅薄膜層形成第二柵極線條的結(jié)構(gòu)。
2.一種制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于包括: 第一步驟:在襯底硅片上依次直接沉積多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜以及第一光刻膠； 第二步驟:執(zhí)行曝光和顯影以便在第一光刻膠膜中形成第一柵極線條的結(jié)構(gòu)；` 第三步驟:在與第二步驟的顯影過(guò)程相同的同一顯影機(jī)臺(tái)內(nèi)，在第一光刻膠上涂布硅烷化材料液體固化第一光刻膠中第一柵極線條結(jié)構(gòu)，加熱使硅烷化材料與第一光刻膠表面反應(yīng)形成不溶于第二光刻膠的隔離膜； 第四步驟:在固化后的第一光刻膠上涂布第二光刻膠； 第五步驟:完成曝光和顯影在第二光刻膠膜中形成第一線端切割圖形； 第六步驟:以第二光刻膠膜為掩模，刻蝕隔離膜和第一柵極線條，形成第二線端切割圖形； 第七步驟:以剩余的隔離膜和第一柵極線條為掩模，繼續(xù)依次刻蝕旋涂碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除殘余的旋涂碳薄膜，最終在多晶硅薄膜層形成第二柵極線條的結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，第一光刻膠和第二光刻膠的抗刻蝕能力比大于或等于1.5:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，硅烷化材料為六甲基二硅胺、三甲基氯硅烷、六甲基二硅氮烷中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，第三步驟中斷加熱溫度的范圍為80°C至300°C，優(yōu)選的，90°C至200°C。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，旋涂碳薄膜的厚度為20納米至300納米，優(yōu)選的，旋涂碳薄膜的厚度為50納米至250納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，旋涂碳薄膜的碳含量范圍為大于或等于60wt%，優(yōu)選的，大于或等于70wt%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，含硅硬薄膜的硅含量范圍為大于或等于15wt%，優(yōu)選的，大于或等于30wt%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，第一光刻膠可選用可形成硬膜的光刻膠；優(yōu)選的，第一光刻膠是含娃烷基、娃烷基氨基和籠形硅氧烷中的一種的光刻膠。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，第一光刻膠的硅含量范圍為大于或等于15wt%，優(yōu)選地大于或等于30wt%。
【文檔編號(hào)】H01L21/28GK103489769SQ201310432459
【公開(kāi)日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年9月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月22日
【發(fā)明者】毛智彪 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司