陣列基板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種陣列基板及其制作方法，為解決現(xiàn)有的陣列基板中信號線均位于同一層，以實(shí)現(xiàn)信號線間的等電阻而使部分信號線水平彎折，從而導(dǎo)致布線區(qū)域的信號線密度小，驅(qū)動數(shù)量多，成本高等問題而設(shè)計(jì)。所述陣列基板包括設(shè)置在非顯示區(qū)域的多個布線區(qū)域，所述布線區(qū)域內(nèi)設(shè)置有若干信號線，每一所述布線區(qū)域內(nèi)至少部分所述信號線由位于不同層的導(dǎo)線串接而成；同一布線區(qū)域內(nèi)任意兩根信號線的電阻差均在閾值范圍內(nèi)。本發(fā)明所述的陣列基板及其制作方法，將傳統(tǒng)的位于陣列基板一層內(nèi)的信號線，改變成位于多層之間的信號線，有利于信號線間的電阻差小于閾值且信號線的彎折半徑小，信號線集中密度大，減少了驅(qū)動數(shù)量，達(dá)到了降低成本的目的。
【專利說明】陣列基板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]陣列基板上設(shè)有柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極等結(jié)構(gòu)；上述結(jié)構(gòu)均采用由不同層的導(dǎo)電材質(zhì)構(gòu)成。通常陣列基板為分層結(jié)構(gòu)包括形成柵極的柵極金屬層、形成薄膜晶體管源極和漏極的源漏金屬層以及形成像素電極的像素電極層等。有的陣列基板上還包括形成公共電極的公共電極層。其中，柵線與薄膜晶體管的柵極相連；數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管的源極相連；柵線用以開啟薄膜晶體管，數(shù)據(jù)線用以通過所述薄膜晶體管向像素電極輸入電壓信號；柵線在陣列基板的邊緣處形成柵極信號線用以與柵極驅(qū)動相連；所述柵線和數(shù)據(jù)線可以統(tǒng)稱為信號線；在陣列基板的邊緣用于與驅(qū)動電路進(jìn)行連接的非顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)有布線區(qū)域(或稱為fanout扇區(qū));每一條所述信號線均包括分布在陣列基板顯示區(qū)域的部分以及分布在陣列基板非顯示區(qū)域部分；通常所述布線區(qū)域內(nèi)集中若干條信號線用于驅(qū)動的連接部分。
[0003]信號線在所述布線區(qū)域集中的過程中，將造成信號線所走過的路徑的遠(yuǎn)近不同，信號線所走過的路徑不同，在導(dǎo)電材質(zhì)以及信號線寬度一致的情況下，形成的信號線的長度差，將導(dǎo)致信號線形成電阻差。從而信號線長度長短影響了電信號傳輸?shù)穆窂降拈L短，從而導(dǎo)電通路長度不一，造成電阻電容差異，最終導(dǎo)致信號傳輸過程中形成不同時延，從而形成顯示不良。
[0004]為了解決上述問題，現(xiàn)有的做法將位于布線區(qū)域內(nèi)的信號線以折線方式形成導(dǎo)電通路，從而延長其長度，以形成與其他信號線差不多的長度，從而確保信號線與信號線之間的電阻差在預(yù)定的范圍內(nèi)，從而保證各信號線對傳輸信號的時延一致。具體的如圖1所示，圖中虛線圍成的區(qū)域?yàn)椴季€區(qū)域即所述布線區(qū)域S-S’，布線區(qū)域S-S’內(nèi)設(shè)有靠近布線區(qū)域S-S’邊緣的信號線011以及位于布線區(qū)域S-S’中間的信號線012。為了使信號線011與信號線012形成等電阻的導(dǎo)通路徑，將所述信號線012做成了折線狀，但是形成折線將導(dǎo)致信號線所占的布線區(qū)域的寬度變寬?，F(xiàn)有技術(shù)采用在陣列基板的同一層上形成折線時則所述信號線012所占寬度為d，從而同樣面積的布線區(qū)域所能容納的信號線數(shù)目減少，進(jìn)而導(dǎo)致驅(qū)動(C0F等)數(shù)量增加，驅(qū)動數(shù)量的增加必然導(dǎo)致驅(qū)動IC的增加，最終導(dǎo)致了成本的增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005](一)發(fā)明目的
[0006]針對上述問題，本發(fā)明旨在提供一種可以減少連接信號線所占的面積，從而有利于提高連接信號線的密集度，從而減少驅(qū)動成本，且有利于縮小邊框的陣列基板及其制作方法。
[0007](二)技術(shù)方案[0008]為達(dá)上述目的，本發(fā)明陣列基板，包括設(shè)置在非顯示區(qū)域的多個布線區(qū)域，所述布線區(qū)域內(nèi)設(shè)置有若干信號線，每一所述布線區(qū)域內(nèi)至少部分所述信號線由位于不同層的導(dǎo)線串接而成；同一布線區(qū)域內(nèi)任意兩根信號線的電阻差均在閾值范圍內(nèi)。
[0009]優(yōu)選地，所述導(dǎo)線位于柵極金屬層、源漏金屬層、像素電極層或公共電極層。
[0010]優(yōu)選地，所述柵極金屬層、源漏金屬層、像素電極層以及公共電極層中任意兩層之間均設(shè)有絕緣層；位于不同層的導(dǎo)線通過設(shè)置在所述絕緣層上的過孔進(jìn)行串接。
[0011]優(yōu)選地，同一所述信號線的不同層導(dǎo)線均位于同一截面內(nèi)；
[0012]所述截面垂直于所述陣列基板所在的平面。
[0013]優(yōu)選地，所述信號線一端與顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線或柵線相連接，另一端與驅(qū)動電路連接。
[0014]優(yōu)選地，形成同一所述信號線的至少一層中包括兩條以上間斷的導(dǎo)線。
[0015]優(yōu)選地，形成同一所述信號線的每一層都僅包括一條導(dǎo)線，不同層間的導(dǎo)線通過過孔串接形成所述信號線。
[0016]為達(dá)上述目的，本發(fā)明陣列基板的制作方法，包括形成位于非顯示區(qū)域且與柵線或數(shù)據(jù)線相連的信號線的步驟，所述信號線由位于不同層的導(dǎo)線串接而形成；
[0017]其中，所述信號線位于所述陣列基板的非顯示區(qū)域的布線區(qū)域內(nèi)；且同一布線區(qū)域內(nèi)任意兩根信號線的電阻差均在閾值范圍內(nèi)。
[0018]進(jìn)一步地,具體包括:
[0019]在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的若干間斷的第一導(dǎo)線；
[0020]在所述柵極金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層；
[0021]對應(yīng)于所述第一導(dǎo)線的端點(diǎn)處形成貫穿柵絕緣層和有源層的第一過孔；
[0022]在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及數(shù)據(jù)線的源漏金屬層，且同時在所述第一導(dǎo)線的間斷對應(yīng)處形成第二導(dǎo)線，并在所述第一過孔內(nèi)填充用以形成所述源極、漏極以及信號線的導(dǎo)電材料以串接所述第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線。
[0023]進(jìn)一步地,具體包括:
[0024]在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的若干間斷的第一導(dǎo)線；
[0025]在所述柵極金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層；
[0026]對應(yīng)于所述第一導(dǎo)線的端點(diǎn)處形成貫穿柵絕緣層和有源層的第一過孔；
[0027]在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及信號線的源漏金屬層，且同時至少在所述第一導(dǎo)線的部分間斷對應(yīng)處形成第二導(dǎo)線，并在所述第一過孔內(nèi)填充用以形成所述源極、漏極以及信號線的導(dǎo)電材料；
[0028]在所述源漏金屬層之上形成鈍化層，且同時形成第二過孔；
[0029]在所述鈍化層之上形成包括像素電極的像素電極層，且同時至少在對應(yīng)所述第一導(dǎo)線的間隔中未形成有所述第二導(dǎo)線處形成第三導(dǎo)線，并在所述第二過孔內(nèi)填充用以形成所述像素電極的導(dǎo)電材料；
[0030]其中，第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線以及第三導(dǎo)線通過第一過孔內(nèi)的導(dǎo)電材料以及第二過孔內(nèi)的導(dǎo)電材料串接形成信號線。[0031]進(jìn)一步地，包括:
[0032]在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的第一導(dǎo)線；
[0033]在所述柵極金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層；
[0034]在所述第一導(dǎo)線的端點(diǎn)處的上方形成貫穿柵絕緣層和有源層的第一過孔；
[0035]在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及數(shù)據(jù)線的源漏金屬層，且同時形成第二導(dǎo)線，并在所述第一過孔內(nèi)填充用以形成所述源極、漏極以及數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電材料以串接所述第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線。
[0036]進(jìn)一步地，包括:
[0037]在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的第一導(dǎo)線；
[0038]在所述柵極金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層；
[0039]在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及信號線的源漏金屬層，且同時形成第二導(dǎo)線；
[0040]在所述源漏金屬層之上形成鈍化層；
[0041]在所述鈍化層之上形成包括像素電極的像素電極層，且同時形成第三導(dǎo)線；
[0042]其中，所述制作方法還包括形成過孔的步驟；第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線以及第三導(dǎo)線以過孔串接形成信號線。
[0043]進(jìn)一步地，所述形成過孔的步驟包括:
[0044]形成貫穿所述柵絕緣層及有源層的第一過孔；
[0045]在所述鈍化層上形成第二過孔；
[0046]其中，
[0047]所述第一過孔用以連接第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線；
[0048]所述第二過孔用以連接第二導(dǎo)線和第三導(dǎo)線。
[0049]進(jìn)一步地，所述形成過孔的步驟包括:
[0050]形成貫穿所述柵絕緣層及有源層上的第一過孔；
[0051]形成貫穿所述柵絕緣層、有源層、源漏極層及所述鈍化層的第三過孔；
[0052]其中，
[0053]所述第一過孔用以連接第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線；
[0054]所述第三過孔用以連接第一導(dǎo)線和第三導(dǎo)線。
[0055]進(jìn)一步地，所述形成過孔的步驟包括:
[0056]在所述鈍化層上形成第二過孔；
[0057]形成貫穿所述柵絕緣層、有源層、源漏極層及所述鈍化層的第三過孔；
[0058]其中，
[0059]所述第二過孔用以連接第二導(dǎo)線和第三導(dǎo)線；
[0060]所述第三過孔用以連接第一導(dǎo)線和第三導(dǎo)線。
[0061](三)本發(fā)明陣列基板及其制作方法的有益效果
[0062]本發(fā)明陣列基板及其制作方法，改變了傳統(tǒng)將信號線設(shè)置在一層內(nèi)的做法，因?yàn)橥ㄟ^在同一層內(nèi)形成的折線結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號線間電阻差縮小的目的，將導(dǎo)致單根信號線占用布線區(qū)域面積較大的問題，從而導(dǎo)致布線區(qū)域增加，驅(qū)動數(shù)增加從而制作成本增加的問題。而在本發(fā)明中，采用將同一根信號線設(shè)置在不同層，使所述信號線在垂直于所述陣列基板的平面內(nèi)進(jìn)行彎折，達(dá)到延長信號線長度的目的，從而增大了需要增大電阻的信號線長度和電阻。與此同時沒有增加信號線所占的寬度，從而可以使得信號線在布線區(qū)域的密度更大、從而可以達(dá)到減少驅(qū)動數(shù)目的目的，降低了制作成本，同時避免了因單根信號線所占用的面積大，而導(dǎo)致非顯示區(qū)域的面積大不利于實(shí)現(xiàn)窄邊框的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0063]圖1為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板上布線區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0064]圖2a為本發(fā)明實(shí)施例一所述的陣列基板的布線區(qū)域的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0065]圖2b為圖2a的部分截面示意圖；
[0066]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一所述的陣列基板的一種信號線的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0067]圖4為圖3A-A’處的剖視圖；
[0068]圖5為圖3B-B’處的剖視圖；
[0069]圖6為本發(fā)明實(shí)施例二所述的陣列基板的一種信號線的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0070]圖7為本發(fā)明實(shí)施例三所述的陣列基板制作方法制作的信號線的俯視結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0071]圖8為圖7C-C’處的剖視圖；
[0072]圖9本發(fā)明實(shí)施例三所述的陣列基板制作方法制作的信號線的俯視結(jié)構(gòu)示意圖之二。
【具體實(shí)施方式】
[0073]下面結(jié)合說明書附圖以及實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。
[0074]實(shí)施例一:
[0075]本實(shí)施例陣列基板，包括設(shè)置在非顯示區(qū)域的多個布線區(qū)域，所述布線區(qū)域內(nèi)設(shè)置有若干信號線，每一所述布線區(qū)域內(nèi)至少部分所述信號線由位于不同層的導(dǎo)線串接而成；同一布線區(qū)域內(nèi)任意兩根信號線的電阻差均在閾值范圍內(nèi)。
[0076]陣列基板分為位于中間位置處的顯示區(qū)域通常也成為AA區(qū)域以及位于顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域。通常在陣列基板組裝成顯示裝置后，所述非顯示區(qū)域由顯示裝置的邊框覆蓋住。在非顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)有多個布線區(qū)域；每一所述布線區(qū)域內(nèi)均設(shè)有若干信號線；所述信號線可以為柵線或數(shù)據(jù)線；所述信號線位于所述布線區(qū)域內(nèi)的部分用以與驅(qū)動電路連接，即所述信號線一端與顯示區(qū)域的柵線或數(shù)據(jù)線相連，另一端與驅(qū)動電路相連。
[0077]陣列基板一般都為分層結(jié)構(gòu)，其中包括若干可以導(dǎo)電的導(dǎo)電層；且通常導(dǎo)電層之間設(shè)有起到絕緣作用的絕緣層；所述信號線位于布線區(qū)域內(nèi)的部分，在現(xiàn)有技術(shù)當(dāng)中所述信號線組成部分都是位于陣列基板的同一層中。位于同一層中信號線的制作材質(zhì)一樣，且通常信號線的寬度也相等，為了使布線區(qū)域內(nèi)邊緣位置的信號線與中間位置處的信號線形成的電阻差在閾值范圍內(nèi)，即需使信號線間的長度差也應(yīng)保持在一定范圍內(nèi)。故布線區(qū)域中間的信號線會進(jìn)行彎折，具體的可以參見圖1中信號線012。而在本實(shí)施例中，如圖2a_圖2b所示布線區(qū)域S-S’內(nèi)，包括位于布線區(qū)域S-S’邊緣位置處且由位于陣列基板同一層的導(dǎo)線構(gòu)成的信號線111以及由不同層導(dǎo)線串接而成的信號線112。位于所述布線區(qū)域S-S’中間位置處的信號線112，是由第一導(dǎo)線121以及第二導(dǎo)線123以過孔122串接而成的。其中113為第一導(dǎo)線121與第二導(dǎo)線123之間設(shè)置的絕緣層，根據(jù)所述第一導(dǎo)線121與第二導(dǎo)線123所在層的不同，所述絕緣層的構(gòu)成不同。對比圖1和圖2a可知，圖1中信號線012所在布線區(qū)域的寬度d大于圖2中信號線112的所占的寬度D。圖2a中信號線由位于不同層的導(dǎo)線串接，從而在垂直于陣列基板所在平面的平面內(nèi)形成了彎折，從而同樣的達(dá)到了延長信號線長度的效果，但是在布線區(qū)域內(nèi)的所占寬度相對于傳統(tǒng)的僅在同一層彎折的信號線的寬度變窄了。從而布線區(qū)域內(nèi)可設(shè)置的信號線的數(shù)目增多了，從而可以減少陣列基板上布線區(qū)域數(shù)目，從而減少了驅(qū)動數(shù)量，從而節(jié)省了成本。
[0078]同一布線區(qū)域內(nèi)任意兩根信號線的電阻差均在閾值范圍內(nèi)；所述閾值可以是根據(jù)陣列基板的尺寸等因素決定的取值，具體的如最大阻值的信號線與最小阻值的信號線之間的阻值比限制在3:1的范圍內(nèi)。實(shí)現(xiàn)電阻差保持在閾值范圍內(nèi)，可以通過增加位于不同層的導(dǎo)線的數(shù)目，從而形成的連接點(diǎn)(即過孔)的數(shù)目增多了，延長用于連接的信號線路徑，也可以在不影響布線區(qū)域的信號線密度的情況下，在不與驅(qū)動電路相連的所在層，將導(dǎo)線進(jìn)行彎折，以延長導(dǎo)線的傳輸路徑，以實(shí)現(xiàn)電阻的加大，實(shí)現(xiàn)任意兩根信號線的電阻差控制在閾值范圍內(nèi)。
[0079]在具體的實(shí)現(xiàn)過程中，如將所有的信號線都由位于兩層中的導(dǎo)線串接構(gòu)成，使所有信號線其中一層導(dǎo)線的數(shù)目、長度以及寬度都相等；而在另一層中，所有信號線所包含的導(dǎo)線數(shù)目相等且導(dǎo)線寬度也相等，不同的是沿布線區(qū)域內(nèi)信號線排列的方向，由中間向布線區(qū)域的兩側(cè)，信號線所包含導(dǎo)線的長度逐步變短。此外，還可以將所有的信號線都由多層導(dǎo)線串接而成，且所有導(dǎo)線在同一層中所包含的導(dǎo)線的條數(shù)相等；不同的是同一層導(dǎo)線的所形成的傳輸路徑，在布線區(qū)域內(nèi)由中間向布線區(qū)域的兩側(cè)逐步縮短，以達(dá)到等電阻的最終效果。
[0080]在具體的實(shí)現(xiàn)過程中，當(dāng)位于不同層的導(dǎo)線，位于同一陣列基板的截面內(nèi)時，則同一所述信號線的不同層導(dǎo)線位于同一截面內(nèi)(具體的如圖2a-圖2b中的信號線112所示)。當(dāng)位于不同層的導(dǎo)線，有其中一層的導(dǎo)線進(jìn)行了彎折，同一信號線位于不同層的導(dǎo)線可能位于垂直陣列基板的兩個或兩個以上截面內(nèi)，具體的如圖3所示。
[0081]具體的根據(jù)應(yīng)用顯示器的類型不同，陣列基板的分層結(jié)構(gòu)以及各層之間的位置關(guān)系不同。陣列基板通常包括柵極金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層、鈍化層以及像素電極層；柵極金屬層通常用以形成柵線；所述柵絕緣層設(shè)置在所述柵線金屬層上方；有源層通常包括半導(dǎo)體層以及摻雜半導(dǎo)體層；源漏金屬層主要用于形成薄膜晶體管的源極、漏極以及數(shù)據(jù)線；所述鈍化層用以保護(hù)位于其以下的結(jié)構(gòu)。所述像素電極層，主要用以形成像素電極。像素電極與薄膜晶體管的漏極相連。在上述層中的柵極金屬層、源漏金屬層、像素電極層都屬于導(dǎo)電層；故上述導(dǎo)電層在形成傳統(tǒng)陣列基板所包含結(jié)構(gòu)的同時，可以通過構(gòu)圖工藝形成用于形成信號線的導(dǎo)線。再通過過孔使不同層內(nèi)的導(dǎo)線連接，從而形成信號線。在本實(shí)施例中所述鈍化層、柵絕緣層以及有源層均可認(rèn)為位于導(dǎo)電層之間且是起到絕緣作用的絕緣層。
[0082]至少部分所述導(dǎo)線位于柵極金屬層、源漏金屬層、像素電極層或公共電極層。其中，位于所述柵極金屬層中導(dǎo)線與位于源漏金屬層的導(dǎo)線之間通過貫穿柵絕緣層以及有源層上的過孔連接；位于所述源漏金屬層中導(dǎo)線與位于像素電極層的導(dǎo)線之間通過設(shè)置在鈍化層的過孔連接；位于所述柵極金屬層中導(dǎo)線與位于像素電極層的導(dǎo)線之間通過貫穿柵絕緣層、鈍化層等中間層上的過孔內(nèi)的導(dǎo)電材質(zhì)相連。
[0083]具體的如圖3所示，所述信號線包括位于像素電極層120中的導(dǎo)線、位于源漏金屬層130中以及位于柵極金屬層110中的導(dǎo)線；上述導(dǎo)線進(jìn)行串接形成一個可導(dǎo)通的信號線。由于所述的信號線在不同層之間進(jìn)行彎折串連，如圖3所示，110，120，130形成的導(dǎo)線在沿著SS’方向依次串接.從而導(dǎo)線的長度增加了，繼而電阻增加了，從而可以通過調(diào)整導(dǎo)線的分布和數(shù)目，來調(diào)整各信號線之間的電阻差。比如通過增大信號線在不同層之間的彎折次數(shù)，將布線區(qū)域中間位置處信號的線電阻繼續(xù)增大，減小布線區(qū)域內(nèi)中間與周邊處信號線間的電阻差異，最終實(shí)現(xiàn)布線區(qū)域任意兩信號線的電阻差均在閾值范圍之內(nèi)。
[0084]上述結(jié)構(gòu)達(dá)到的效果為:在柵極金屬層或源漏金屬層中信號線所占的面積減小了，從而布線區(qū)域內(nèi)的信號線的密度可以進(jìn)一步提高，使得一個驅(qū)動對應(yīng)一個信號線區(qū)域的所連接的信號線數(shù)目增加了，有利于減少驅(qū)動(如C0F)數(shù)量，節(jié)省成本并充分利用了不同層的面積。進(jìn)一步地上述陣列基板采用現(xiàn)有的制作工藝就可以制作完成，具有實(shí)現(xiàn)簡便的優(yōu)點(diǎn)，同時有利于非顯示區(qū)域的面積的縮小，有助于窄邊框的實(shí)現(xiàn)。
[0085]進(jìn)一步地，通過改變位于不同層中導(dǎo)線的分布、條數(shù)，所述信號線的結(jié)構(gòu)至少包括以下兩種:
[0086]第一種，形成同一所述信號線的至少一層中包括兩條以上間斷的導(dǎo)線。如信號線A，包括位于柵極金屬層中的兩條間斷的第一導(dǎo)線以及位于源漏金屬層中對應(yīng)所述柵極金屬層中兩條導(dǎo)線間斷處的第二導(dǎo)線；第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線通過貫穿柵極絕緣層和有源層的過孔進(jìn)行連接。所述第一導(dǎo)線作為兩條第二導(dǎo)線的中間連接部分。
[0087]第二種:形成同一所述信號線的每一層都僅包括一條導(dǎo)線，不同層間的導(dǎo)線通過過孔串接形成所述信號線。如信號線B，包括位于柵極金屬層的第一導(dǎo)線、位于源漏金屬層中的第二導(dǎo)線以及位于像素電極層中第三導(dǎo)線。
[0088]其中，沿信號傳輸?shù)姆较?，所述第一?dǎo)線、第二導(dǎo)線以及第三導(dǎo)線都可在其所在層貫穿整個布線區(qū)域，從而在垂直于陣列基板所在的平面內(nèi)形成空間上的彎折信號線。
[0089]上述兩種結(jié)構(gòu)都能很好的實(shí)現(xiàn)縮小信號線電阻差的目的，且同時減少單根信號線所占布線區(qū)域的寬度，從而提高布線區(qū)域信號線的密度，從而減少驅(qū)動數(shù)目。
[0090]為了進(jìn)一步的縮小信號線之間的電阻差，即減少信號線之間的長度差，可將圖3所示位于不同層的導(dǎo)線如圖1中所述的信號線012 —樣進(jìn)行了彎折，由于信號線在層與層之間進(jìn)行了彎折，且同時在其中至少一層導(dǎo)線在平行陣列基板所在的平面內(nèi)進(jìn)行了彎折，從而可以保證布線區(qū)域信號線的彎折半徑d小于現(xiàn)有的同型號、同尺寸陣列基板中的信號線所占寬度，從而有利于連接信號線的集中以及驅(qū)動數(shù)量的減少。
[0091 ] 其中圖4為圖3在A-A’處的剖視圖，其中160為鈍化層、150為有源層，140為柵絕緣層。具體的如像素電極層120的導(dǎo)線以過孔與位于柵極金屬層110中的導(dǎo)線進(jìn)行連接，且用于連接兩者的導(dǎo)電材質(zhì)為構(gòu)成像素電極層120的導(dǎo)電材質(zhì)。
[0092]其中圖5為圖3在B-B’處的剖視圖。
[0093]實(shí)施例二:
[0094]本實(shí)施例陣列基板，包括設(shè)置在非顯示區(qū)域的多個布線區(qū)域，所述布線區(qū)域內(nèi)設(shè)置有若干信號線，每一所述布線區(qū)域內(nèi)至少部分所述信號線由位于不同層的導(dǎo)線串接而成；同一布線區(qū)域內(nèi)任意兩根信號線的電阻差均在閾值范圍內(nèi)。所述不同層的導(dǎo)線按照信號線的延伸方向依次相連。
[0095]具體的如圖6所示，所述陣列基板包括像素電極層、柵線金屬層、源漏金屬層。具體的如圖6中信號線位于陣列基板的非顯示區(qū)域部分，包括信號線210、信號線220以及信號線230，若采用傳統(tǒng)單層布線，由于信號線210位于連接布線區(qū)域的最外圍，從而經(jīng)過的路徑最長，故電阻最大。具體的所述信號線210僅由源漏金屬層310的導(dǎo)線構(gòu)成、所述信號線220由源漏金屬層310的導(dǎo)線、像素電極層320的導(dǎo)線以及柵極金屬層330的導(dǎo)線串接而成；所述信號線230由源漏金屬層310的導(dǎo)線、像素電極層320的導(dǎo)線以及柵極金屬層330的導(dǎo)線串接而成；其中410為連接位于源漏金屬層310導(dǎo)線與像素電極層320的導(dǎo)線的過孔；420為像素電極層320導(dǎo)線與柵極金屬層330導(dǎo)線的連接過孔。為了實(shí)現(xiàn)信號線220以及信號線230與信號線210的電阻差在閾值范圍，從而實(shí)現(xiàn)不同信號線間的傳輸時延差小，而使得信號線220和信號線230采用本實(shí)施例陣列基板中所述的信號線，由不同層導(dǎo)線串接而成，從而在三維空間內(nèi)延長了信號線220和信號線230的長度，且將原本位于布線區(qū)域中心的230調(diào)換到布線區(qū)域邊緣處，從而有助于布線區(qū)域等電阻的實(shí)現(xiàn)。
[0096]在具體的實(shí)施過程中，可以根據(jù)需要改變通過位于不同層中導(dǎo)線的位置，將原本應(yīng)位于布線區(qū)域中間位置的信號線與原本位于布線區(qū)域邊緣的信號線進(jìn)行位置的交換，通過交換可以再次實(shí)現(xiàn)信號線之間的電阻差的減小。具體的如圖6中所示將位于布線區(qū)域中央位置的信號線230與靠近布線區(qū)域邊緣的信號線220就通過不同層之間的導(dǎo)線的設(shè)置進(jìn)行了位置的交換，達(dá)到了延長230長度的目的，同時隨著230移動到布線區(qū)域外側(cè)，其他位于布線區(qū)域的信號線如220等有更大的空間來實(shí)現(xiàn)如圖1所示的水平彎折，從而有利于整體布線區(qū)域電阻的相等。
[0097]在具體的實(shí)現(xiàn)過程中，陣列基板上還包括的公共電極層；具體的如IPS:1n-PlaneSwitching平面轉(zhuǎn)換液晶面板，公共電極以及像素電極均位于陣列基板上，在如ADS邊緣電場顯示面板，公共電極與像素電極均位于陣列基板上，但是位于陣列基板的不同層，且兩者之間設(shè)有絕緣層。形成公共電極的材質(zhì)同樣的是導(dǎo)電材質(zhì)，故可以僅通過改變掩膜板，在包括有公共電極的公共電極層中形成導(dǎo)線，再在不同層導(dǎo)線之間進(jìn)行串接，形成信號線。
[0098]在具體的實(shí)施過程中，所述信號線可以是僅包括位于兩層之間的導(dǎo)線串接而成，也可以是兩層以上的導(dǎo)線串接連接而成。
[0099]進(jìn)一步的，所述信號線包括柵線和數(shù)據(jù)線；其中輸出端與陣列基板中薄膜晶體管的柵極相連的為柵線，用以柵極信號傳輸；其中輸出端與陣列基板中薄膜晶體管的漏極相連的為數(shù)據(jù)線，用以向像素電極輸入相應(yīng)的信號。柵極與柵極驅(qū)動連接，用以輸入柵極掃描信號，從而開啟或關(guān)閉相應(yīng)的薄膜晶體管。所述數(shù)據(jù)線與數(shù)據(jù)線驅(qū)動連接，用以向像素電極輸入電壓，用于液晶顯示器時由像素電極提供液晶分子的偏轉(zhuǎn)電壓。各信號線的電阻不同將導(dǎo)致其所傳輸信號的時延不同，若時延差過大將導(dǎo)致顯示不良，故可以通過調(diào)整信號線的長度、形成的導(dǎo)電材質(zhì)以及各種導(dǎo)線連接，來進(jìn)行電阻差的調(diào)整。在本實(shí)施例中進(jìn)一步的規(guī)定了，所述信號線間的電阻差小于閾值。所述閾值可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，在具體的實(shí)現(xiàn)過程中，信號線之間的電阻比值維持在3:1的范圍內(nèi)，對顯示造成無不良影響或不良影響輕微，同時本方法對制作工藝的要求也較低，現(xiàn)有制作工藝就可以實(shí)現(xiàn)。[0100]在具體的實(shí)施過程中，所述信號線可以在陣列基板的任意一個導(dǎo)電層與驅(qū)動電路進(jìn)行連接，優(yōu)選為由柵極金屬層的導(dǎo)線以及源漏金屬層的導(dǎo)線與驅(qū)動電路進(jìn)行連接。
[0101]綜合上述，本實(shí)施例提供了一種有別以往的僅在陣列基板的一層當(dāng)中進(jìn)行彎折的信號線的結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例所述陣列基板至少有部分信號線在陣列基板的多個層之間實(shí)現(xiàn)三維空間上的彎折，由位于不同層中的導(dǎo)線相互串接形成電阻滿足需要的信號線，同時不會導(dǎo)致柵極和/或數(shù)據(jù)信號所占面積過寬的問題，同時也避免了不利于非顯示區(qū)域窄邊框形成的問題。
[0102]實(shí)施例三:
[0103]本實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，所述制作方法包括:形成位于非顯示區(qū)域且與柵線或數(shù)據(jù)線相連的信號線，所述信號線由位于不同層的導(dǎo)線串接而形成；其中，所述信號線位于所述陣列基板的非顯示區(qū)域的布線區(qū)域內(nèi)；且同一布線區(qū)域內(nèi)任意兩根信號線的電阻差均在閾值范圍內(nèi)。
[0104]具體的位于不同層的導(dǎo)線形成信號線的至少包括以下兩種結(jié)構(gòu):
[0105]第一種，在陣列基板中用于形成導(dǎo)線的至少一個導(dǎo)電層中，形成有若干條導(dǎo)線，將位于不同層的導(dǎo)線對應(yīng)的串接起來。
[0106]第二種，在陣列基板用于形成導(dǎo)線的導(dǎo)電層中，對應(yīng)一個信號線形成一條導(dǎo)線，再將位于不同層的導(dǎo)線串接起來。
[0107]針對第一種結(jié)構(gòu)可以采用以下提供幾種具體的實(shí)施方式:
[0108]方式一:當(dāng)所述信號線僅由兩層中的導(dǎo)線串接而成；且每一層中至少包括兩條導(dǎo)線時，所述制作方法具體包括:
[0109]步驟1:在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的若干間斷的第一導(dǎo)線；
[0110]步驟2:在所述柵極金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層；
[0111]步驟3:對應(yīng)于所述第一導(dǎo)線的端點(diǎn)處形成貫穿柵絕緣層和有源層的第一過孔；
[0112]步驟4:在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及數(shù)據(jù)線的源漏金屬層，且同時在所述第一導(dǎo)線的間斷對應(yīng)處形成第二導(dǎo)線，并在所述第一過孔內(nèi)填充用以形成所述源極、漏極以及信號線的導(dǎo)電材料以串接所述第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線。
[0113]本方式制作的陣列基板中的至少部分信號線是由柵極金屬層中導(dǎo)線與源漏金屬層的導(dǎo)線串接而成的，串接時采用的是貫穿柵絕緣層和有源層的過孔實(shí)現(xiàn)的。
[0114]具體的如圖7所示，所述信號線包括位于柵極金屬層530的第一導(dǎo)線以及位于源漏金屬層520的第二導(dǎo)線。第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線通過過孔進(jìn)行連接。其中圖8為圖7在C-C’處的剖視圖。從圖8可知，在本實(shí)施例中所述陣列基板包括柵極金屬層530、柵絕緣層560、有源層550、源漏金屬層520以及鈍化層540。圖7中柵線金屬層530與源漏金屬層520形成連接時，增加了一次形成過孔的步驟，采用這種方式進(jìn)行連接可以有效的保證連接的可靠性，并減小連接點(diǎn)接觸電阻。
[0115]在具體的實(shí)現(xiàn)過程中，構(gòu)成信號線的導(dǎo)線還可以是位于其他層，如像素電極層中，公共電極層。第一導(dǎo)線是與柵線一同形成的，具體的只需改變掩膜板即可，不會增加額外的步驟，從而實(shí)現(xiàn)簡便。同樣形成原理也適用于形成第二導(dǎo)線，且第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線的連接也在形成第二導(dǎo)線時同步形成，從而實(shí)現(xiàn)簡便。且形成的信號線不局限在陣列基板的同一層中，而是形成于多層中，由原來的平面內(nèi)的彎折的信號線轉(zhuǎn)換成本發(fā)明所述的空間內(nèi)彎折的信號線，可以減少單個信號線在陣列基板一層內(nèi)所占的面積，從而有利于提高連接布線區(qū)域內(nèi)的信號線密度，從而在布線區(qū)域面積不變的情況下，一個驅(qū)動電路的可連接的信號線的數(shù)目增加，從而減小驅(qū)動的數(shù)目，從而有利于降低成本。
[0116]方式二，用于包括形成由陣列基板中三層中的導(dǎo)線串接而成的信號線的陣列基板；且每一層中包括了至少兩條形成同一信號線的導(dǎo)線。所述制作方法具體包括:
[0117]步驟1:在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的若干間斷的第一導(dǎo)線；
[0118]步驟2:在所述柵極金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層；
[0119]步驟3:對應(yīng)于所述第一導(dǎo)線的端點(diǎn)處形成貫穿柵絕緣層和有源層的第一過孔；
[0120]步驟4:在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及信號線的源漏金屬層，且同時至少在所述第一導(dǎo)線的部分間斷對應(yīng)處形成第二導(dǎo)線，并在所述第一過孔內(nèi)填充用以形成所述源極、漏極以及信號線的導(dǎo)電材料；
[0121]步驟5:在所述源漏金屬層之上形成鈍化層，且同時形成第二過孔；
[0122]步驟6:在所述鈍化層之上形成包括像素電極的像素電極層，且同時至少在所述第一導(dǎo)線的間隔中未形成有所述第二導(dǎo)線處形成第三導(dǎo)線，并在所述第二過孔內(nèi)填充用以形成所述像素電極的導(dǎo)電材料；
[0123]其中，第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線以及第三導(dǎo)線通過第一過孔內(nèi)的導(dǎo)電材料以及第二過孔內(nèi)的導(dǎo)電材料串接形成信號線。
[0124]上述實(shí)施方法，是實(shí)現(xiàn)了陣列基板中信號線由位于三層中的導(dǎo)線構(gòu)成，形成后的信號線可以參照圖4或圖5所示。
[0125]圖4或圖5中利用ITO連通的方式，在現(xiàn)有工藝流程中就可以簡便實(shí)現(xiàn)，工藝簡單
且可靠性高。
[0126]方式三:所述制作方法用于形成陣列基板，所述陣列基板包括由四層中的導(dǎo)線串接而成的信號線；且設(shè)有導(dǎo)線的導(dǎo)電層中，每一層均包括了至少兩條形成同一信號線的導(dǎo)線。在具體的實(shí)施過程中，有些陣列基板的制作方法還包括形成公共電極的步驟，具體的如ADS——邊緣電場模式的陣列基板。ADS模式的陣列基板包括了像素電極和公共電極；且像素電極和公共電極位于不同的層，且通常都是采用ITO形成的。
[0127]如圖9所示,所述制作方法具體包括:
[0128]形成包括柵極的柵極金屬層620的步驟，且同時形成用以形成信號線的導(dǎo)線；
[0129]一次ITO形成包括用以形成邊緣電場的透明電極的一次ITO層610，且同步通過構(gòu)圖工藝形成位于一次ITO層610中的導(dǎo)線；所述一次ITO用以形成像素電極或公共電極。若一次ITO用以形成像素電極，則二次ITO用以形成公共電極，若一次ITO用以形成公共電極，則二次ITO用以形成像素電極。
[0130]形成源漏金屬層640，且同步形成位于源漏金屬層640中的導(dǎo)線；
[0131]二次ITO形成包括用以形成邊緣電場的透明電極的二次ITO層630，且同步通過構(gòu)圖工藝形成位于二次ITO層630中的導(dǎo)線；
[0132]若兩由導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電層之間設(shè)有絕緣層，則形成相應(yīng)的絕緣層是同步形成連接兩導(dǎo)電層內(nèi)兩導(dǎo)線的過孔，以過孔內(nèi)的導(dǎo)電材質(zhì)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)線間的連接。[0133]上述實(shí)施方式中，提供了一種陣列基板，基板中的信號線由位于四個不同層中的導(dǎo)線連接而成。
[0134]在上述實(shí)施方式中，所述的構(gòu)圖工藝為包括沉積、涂布、曝光、顯影、刻蝕等一個或多個制作工藝。
[0135]針對第二種結(jié)構(gòu)可以采用以下提供幾種具體的實(shí)施方式:
[0136]方式一:用于形成包括由兩層導(dǎo)線串接而成的信號線的陣列基板；且用于形成同一信號線的一層中只包括一條導(dǎo)線。
[0137]步驟1:在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的第一導(dǎo)線；
[0138]步驟2:在所述柵極金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層；
[0139]步驟3:在所述第一導(dǎo)線的端點(diǎn)處的上方形成貫穿柵絕緣層和有源層的第一過孔；
[0140]步驟4:在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及數(shù)據(jù)線的源漏金屬層，且同時形成第二導(dǎo)線，并在所述第一過孔內(nèi)填充用以形成所述源極、漏極以及數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電材料以串接所述第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線。
[0141]在具體的實(shí)施過程中，還可以改變第一導(dǎo)線或第二導(dǎo)線所在的導(dǎo)電層。
[0142]方式二:本方式制作的陣列基板中的部分信號線是由三層導(dǎo)線串接而成；且用于形成同一信號線的每一層中只包括一條導(dǎo)線。所述制作方法具體包括:
[0143]步驟1:在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的第一導(dǎo)線；
[0144]步驟2:在所述柵極金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層；
[0145]步驟3:在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及信號線的源漏金屬層，且同時形成第二導(dǎo)線；
[0146]步驟4:在所述源漏金屬層之上形成鈍化層；
[0147]步驟5:在所述鈍化層之上形成包括像素電極的像素電極層，且同時形成第三導(dǎo)線.-^4 ，
[0148]所述陣列基板的制作方法還包括形成過孔的步驟包括:
[0149]步驟A:形成貫穿所述柵絕緣層及有源層的第一過孔；在具體的實(shí)現(xiàn)過程中，所述步驟A位于步驟2和步驟3之間；
[0150]步驟B:在所述鈍化層上形成第二過孔；所述步驟B位于步驟4和步驟5之間；
[0151]其中，所述第一過孔用以連接第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線；所述第二過孔用以連接第二導(dǎo)線和第三導(dǎo)線。
[0152]在本實(shí)施例所述陣列基板的實(shí)現(xiàn)方法中，陣列基板的第一導(dǎo)線僅和第二導(dǎo)線連接；第三導(dǎo)線僅和第二導(dǎo)線連接，第二導(dǎo)線作為連接第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線形成信號線的橋接部分。
[0153]方式三:本方式制作的陣列基板中的部分信號線是由三層導(dǎo)線串接而成；且用于形成同一信號線的每一層中只包括一條導(dǎo)線。所述制作方法具體包括:
[0154]步驟1:在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的第一導(dǎo)線；[0155]步驟2:在所述柵極金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層；
[0156]步驟3:在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及信號線的源漏金屬層，且同時形成第二導(dǎo)線；
[0157]步驟4:在所述源漏金屬層之上形成鈍化層；
[0158]步驟5:在所述鈍化層之上形成包括像素電極的像素電極層，且同時形成第三導(dǎo)線.-^4 ，
[0159]所述制作方法還包括形成過孔的步驟，具體包括:
[0160]步驟A:形成貫穿所述柵絕緣層及有源層上的第一過孔；步驟A位于步驟2和步驟3之間；
[0161]步驟B:形成貫穿所述柵絕緣層、有源層及所述鈍化層上的第三過孔；步驟B位于步驟4和步驟5之間；
[0162]其中，
[0163]所述第一過孔用以連接第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線；
[0164]所述第三過孔用以連接第一導(dǎo)線和第三導(dǎo)線。
[0165]在本實(shí)施例所述陣列基板的實(shí)現(xiàn)方法中，陣列基板的第一導(dǎo)線僅和第二導(dǎo)線連接；第三導(dǎo)線僅和第一導(dǎo)線連接，第一導(dǎo)線作為連接第三導(dǎo)線和第二導(dǎo)線形成信號線的橋接部分。
[0166]方式四:本方式制作的陣列基板中的部分信號線是由三層導(dǎo)線串接而成；且用于形成同一信號線的每一層中只包括一條導(dǎo)線。所述制作方法具體包括:
[0167]步驟1:在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的第一導(dǎo)線；
[0168]步驟2:在所述柵極金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層；
[0169]步驟3:在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及信號線的源漏金屬層，且同時形成第二導(dǎo)線；
[0170]步驟4:在所述源漏金屬層之上形成鈍化層；
[0171]步驟5:在所述鈍化層之上形成包括像素電極的像素電極層，且同時形成第三導(dǎo)線.-^4 ，
[0172]所述制作方法還包括形成過孔的步驟:所述形成過孔的步驟具體包括:
[0173]步驟A:在所述鈍化層上形成第二過孔；
[0174]步驟B:形成貫穿所述柵絕緣層、有源層及所述鈍化層上的第三過孔；
[0175]其中，
[0176]所述第二過孔用以連接第二導(dǎo)線和第三導(dǎo)線；
[0177]所述第三過孔用以連接第一導(dǎo)線和第三導(dǎo)線。在本實(shí)施例所述的形成過孔的步驟，可以將所述第一過孔以及第二過孔采用同一次構(gòu)圖工藝形成。所述形成過孔的步驟位于步驟4和步驟5之間。
[0178]在本實(shí)施例所述陣列基板的實(shí)現(xiàn)方法中，陣列基板的第一導(dǎo)線僅和第三導(dǎo)線連接；第二導(dǎo)線僅和第三導(dǎo)線連接，第三導(dǎo)線作為連接第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線形成信號線的橋接部分。
[0179]本實(shí)施例所述陣列基板的制作方法，制作出的陣列基板均可認(rèn)為為本發(fā)明所述的陣列基板。
[0180]本實(shí)施例所述的陣列基板的制作方法，用于制作本發(fā)明所述的陣列基板，制作工藝改進(jìn)少，僅需改變掩膜板的結(jié)構(gòu)就完成導(dǎo)線的制作以及導(dǎo)線間的連接，從而具有實(shí)現(xiàn)簡便的優(yōu)點(diǎn)，且采用本發(fā)明所述的陣列基板的制作方法形成的陣列基板具有信號線的彎折半徑小，信號線集中的密度大，有利于驅(qū)動數(shù)據(jù)的減少以節(jié)省耗材和制作成本的優(yōu)點(diǎn)。
[0181]以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括設(shè)置在非顯示區(qū)域的多個布線區(qū)域，所述布線區(qū)域內(nèi)設(shè)置有若干信號線，其特征在于，每一所述布線區(qū)域內(nèi)至少部分所述信號線由位于不同層的導(dǎo)線串接而成；同一布線區(qū)域內(nèi)任意兩根信號線的電阻差均在閾值范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)線位于柵極金屬層、源漏金屬層、像素電極層或公共電極層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極金屬層、源漏金屬層、像素電極層以及公共電極層中任意兩層之間均設(shè)有絕緣層；位于不同層的導(dǎo)線通過設(shè)置在所述絕緣層上的過孔進(jìn)行串接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的陣列基板，其特征在于，同一所述信號線的不同層導(dǎo)線均位于同一截面內(nèi)； 所述截面垂直于所述陣列基板所在的平面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述信號線一端與顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線或柵線相連接，另一端與驅(qū)動電路連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的陣列基板，其特征在于，形成同一所述信號線的至少一層中包括兩條以上間斷的導(dǎo)線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的陣列基板，其特征在于，形成同一所述信號線的每一層都僅包括一條導(dǎo)線，不同層間的導(dǎo)線通過過孔串接形成所述信號線。
8.—種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括形成位于非顯示區(qū)域且與柵線或數(shù)據(jù)線相連的信號線的步驟，所述信號線由位于不同層的導(dǎo)線串接而形成； 其中，所述信號線位于所述陣列基板的非顯示區(qū)域的布線區(qū)域內(nèi)；且同一布線區(qū)域內(nèi)任意兩根信號線的電阻差均在閾值范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，具體包括: 在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的若干間斷的第一導(dǎo)線； 在所述柵極金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層； 對應(yīng)于所述第一導(dǎo)線的端點(diǎn)處形成貫穿柵絕緣層和有源層的第一過孔； 在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及數(shù)據(jù)線的源漏金屬層，且同時在所述第一導(dǎo)線的間斷對應(yīng)處形成第二導(dǎo)線，并在所述第一過孔內(nèi)填充用以形成所述源極、漏極以及信號線的導(dǎo)電材料以串接所述第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，具體包括: 在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的若干間斷的第一導(dǎo)線； 在所述柵極金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層； 對應(yīng)于所述第一導(dǎo)線的端點(diǎn)處形成貫穿柵絕緣層和有源層的第一過孔； 在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及信號線的源漏金屬層，且同時至少在所述第一導(dǎo)線的部分間斷對應(yīng)處形成第二導(dǎo)線，并在所述第一過孔內(nèi)填充用以形成所述源極、漏極以及信號線的導(dǎo)電材料； 在所述源漏金屬層之上形成鈍化層，且同時形成第二過孔； 在所述鈍化層之上形成包括像素電極的像素電極層，且同時至少在對應(yīng)所述第一導(dǎo)線的間隔中未形成有所述第二導(dǎo)線處形成第三導(dǎo)線，并在所述第二過孔內(nèi)填充用以形成所述像素電極的導(dǎo)電材料； 其中，第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線以及第三導(dǎo)線通過第一過孔內(nèi)的導(dǎo)電材料以及第二過孔內(nèi)的導(dǎo)電材料串接形成信號線。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的第一導(dǎo)線.在所述柵極金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層； 在所述第一導(dǎo)線的端點(diǎn)處的上方形成貫穿柵絕緣層和有源層的第一過孔； 在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及數(shù)據(jù)線的源漏金屬層，且同時形成第二導(dǎo)線，并在所述第一過孔內(nèi)填充用以形成所述源極、漏極以及數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電材料以串接所述第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在顯示區(qū)域形成包括柵線的柵極金屬層，且同步形成非顯示區(qū)域所述信號線的第一導(dǎo)線.在所述柵極 金屬層上和所述第一導(dǎo)線上形成柵絕緣層及有源層； 在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及信號線的源漏金屬層，且同時形成第二導(dǎo)線.在所述源漏金屬層之上形成鈍化層； 在所述鈍化層之上形成包括像素電極的像素電極層，且同時形成第三導(dǎo)線； 其中，所述制作方法還包括形成過孔的步驟；第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線以及第三導(dǎo)線以過孔串接形成信號線。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成過孔的步驟包括: 形成貫穿所述柵絕緣層及有源層的第一過孔； 在所述鈍化層上形成第二過孔； 其中， 所述第一過孔用以連接第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線； 所述第二過孔用以連接第二導(dǎo)線和第三導(dǎo)線。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成過孔的步驟包括: 形成貫穿所述柵絕緣層及有源層的第一過孔； 形成貫穿所述柵絕緣層、有源層、源漏極層及所述鈍化層的第三過孔； 其中， 所述第一過孔用以連接第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線； 所述第三過孔用以連接第一導(dǎo)線和第三導(dǎo)線。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成過孔的步驟包括: 在所述鈍化層上形成第二過孔；形成貫穿所述柵絕緣層、有源層、源漏極層及所述鈍化層的第三過孔；其中，所述第二過孔用以連接第二導(dǎo)線和第三導(dǎo)線；所述第三過孔用以連接第一導(dǎo).線和第三導(dǎo)線。
【文檔編號】H01L21/77GK103474435SQ201310425475
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年9月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月17日
【發(fā)明者】張明, 樊超, 崔立全, 郝昭慧, 尹雄宣 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司