一種新型晶體硅太陽(yáng)電池及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種新型晶體硅太陽(yáng)電池，結(jié)構(gòu)由上而下包括正電極、減反射鈍化層、發(fā)射極、硅基體、鋁背場(chǎng)和背電極，減反射鈍化層由非晶硅鈍化層和透明導(dǎo)電薄膜組成，非晶硅鈍化層作為發(fā)射極鈍化層，透明導(dǎo)電薄膜作為減反射層，正電極由2～5根主柵線或2～5根主柵線加均勻分布的細(xì)柵線組成，該新型晶體硅太陽(yáng)電池電池的結(jié)構(gòu)由上而下依次為：正電極、透明導(dǎo)電薄膜、非晶硅鈍化層、發(fā)射極、硅基體、鋁背場(chǎng)、背電極。還公開(kāi)了上述新型晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法。該新型晶體硅太陽(yáng)電池，可降低前表面復(fù)合速率，獲得更好的鈍化效果，提高電池的開(kāi)路電壓；能降低表面反射率，提供導(dǎo)電性能；還可以降低銀漿用量，減少正電極遮光面積，提高短路電流。
【專利說(shuō)明】一種新型晶體硅太陽(yáng)電池及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，具體涉及一種新型晶體硅太陽(yáng)電池及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]太陽(yáng)能發(fā)電是一種清潔、可再生的能源獲取方式。晶體硅太陽(yáng)電池在太陽(yáng)能發(fā)電領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，是目前獲得商業(yè)化生產(chǎn)最多的太陽(yáng)電池?；竟に嚵鞒贪ㄖ平q、擴(kuò)散、刻蝕、氮化硅沉積、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)。其基本結(jié)構(gòu)包括(由上而下):正電極、氮化硅層、發(fā)射極、硅基體、鋁背場(chǎng)、背電極。
[0003]晶體硅太陽(yáng)電池的正電極通常采用絲網(wǎng)印刷工藝將銀漿印刷在硅片前表面，燒結(jié)后與發(fā)射極形成接觸。為了有效收集電流，并方便組件加工，正電極圖形通常由2?3根主柵線以及多根均勻分布的細(xì)柵線組成。消耗的銀漿占據(jù)了最多的輔料成本。同時(shí)正電極也遮擋了 7%?8%的受光面，使電池的電流受到很大影響。氮化硅通常由等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)制備于發(fā)射極上。主要作用是降低前表面反射率與和表面復(fù)合速率，提高電池的電流和電壓。實(shí)際上，氮化硅的鈍化效果并不是十分出色。通常由氮化硅鈍化的表面復(fù)合速率大于104cm/S，達(dá)不到高效電池對(duì)低表面復(fù)合速率的要求。這也是目前商業(yè)化生產(chǎn)的晶體硅太陽(yáng)電池開(kāi)路電壓難以進(jìn)一步提高的主要因素。
[0004]基于以上論述，晶體硅太陽(yáng)電池的鈍化層與正電極有較大的改良空間。但基于現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)，僅通過(guò)工藝優(yōu)化已很難取得實(shí)質(zhì)性的提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種新型晶體硅太陽(yáng)電池，該電池改變了傳統(tǒng)電池的減反鈍化層與正電極結(jié)構(gòu)，可以使電池的電流、電壓得到大幅提升，同時(shí)銀漿的使用量減少50%以上。
[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題還在于提供上述新型晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，該方法工藝簡(jiǎn)單，成本低。
[0007]本發(fā)明的第一個(gè)技術(shù)問(wèn)題是通過(guò)如下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:一種新型晶體硅太陽(yáng)電池，其結(jié)構(gòu)由上而下包括正電極、減反射鈍化層、發(fā)射極、硅基體、鋁背場(chǎng)和背電極，所述減反射鈍化層由非晶硅鈍化層和透明導(dǎo)電薄膜組成，其中非晶硅鈍化層作為發(fā)射極鈍化層，透明導(dǎo)電薄膜作為減反射層，所述正電極由2?5根主柵線或2?5根主柵線加均勻分布的細(xì)柵線組成，該新型晶體硅太陽(yáng)電池電池的結(jié)構(gòu)由上而下依次為:正電極、透明導(dǎo)電薄膜、非晶硅鈍化層、發(fā)射極、硅基體、鋁背場(chǎng)、背電極。
[0008]目前傳統(tǒng)電池氮化硅層即是減反層也是鈍化層，而本發(fā)明中的新型晶體硅太陽(yáng)電池，正面發(fā)射極鈍化層采用非晶硅代替氮化硅，可以降低前表面復(fù)合速率，獲得更好的鈍化效果，提高電池的開(kāi)路電壓；正面減反射層采用透明導(dǎo)電薄膜代替氮化硅，降低表面反射率的同時(shí)，提供導(dǎo)電性能；目前傳統(tǒng)電池的正電極必須有主柵加細(xì)柵線組成，且細(xì)柵線根數(shù)很多，需要的銀漿也較多，遮光面積大，而本發(fā)明中的新型晶體硅太陽(yáng)電池，其正面電極僅由2?5根主柵線或者由2?5根主柵線與少數(shù)根細(xì)柵線組成，其中細(xì)柵線的條數(shù)可以僅占傳統(tǒng)正面電極細(xì)柵線根數(shù)的1/3?1/2，由于減少了細(xì)柵線的根數(shù)，所以銀漿用量可以降低50%以上，正電極遮光面積可以從7%?8%減少為3%?4%，短路電流可提高4%。
[0009]本發(fā)明所述的非晶硅鈍化層，其厚度優(yōu)選為2?20nm。
[0010]本發(fā)明所述的透明導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)優(yōu)選為含銦、錫、鋅和鎘的氧化物中的一種或幾種。
[0011]本發(fā)明所述的透明導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)進(jìn)一步優(yōu)選為摻錫氧化銦，其厚度為50?200nmo
[0012]本發(fā)明所述的透明導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)進(jìn)一步優(yōu)選為摻鋁氧化鋅或摻鎵氧化鋅，其厚度為50?200nm。
[0013]本發(fā)明所述的透明導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)進(jìn)一步優(yōu)選為摻銦氧化鎘，其厚度為50?200nm。
[0014]本發(fā)明所述鋁背場(chǎng)可以為全背場(chǎng)或局部鋁背場(chǎng)。
[0015]本發(fā)明的第二個(gè)技術(shù)問(wèn)題是通過(guò)如下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:上述新型晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，含以下步驟:
[0016](I)硅片選取、制絨和清洗
[0017]選取單晶或多晶硅片，采用化學(xué)腐蝕進(jìn)行表面織構(gòu)制絨，清洗；
[0018](2)磷擴(kuò)散摻雜
[0019]采用三氯氧磷液態(tài)源擴(kuò)散，經(jīng)擴(kuò)散后實(shí)現(xiàn)磷對(duì)硅片表面摻雜，得到發(fā)射極；
[0020](3)清洗除去磷硅玻璃層
[0021]將擴(kuò)散后的娃片浸入體積百分含量為5?15%的氫氟酸中清洗掉殘留在娃片表面的磷娃玻璃層；
[0022](4)背面印刷鋁衆(zhòng)，或背面沉積鈍化層，激光開(kāi)孔后印刷鋁漿
[0023]在背面硅表面直接印刷鋁漿或者沉積鈍化層，激光開(kāi)孔后再印刷鋁漿；
[0024](5)高溫?zé)Y(jié)
[0025]將硅片置于燒結(jié)爐中，高溫?zé)Y(jié)，鋁漿與硅發(fā)生反應(yīng)，得到全鋁背場(chǎng)或者局部鋁背場(chǎng)的電池背面結(jié)構(gòu)；
[0026](6)正面沉積非晶硅鈍化層
[0027]在硅片正面發(fā)射極上，通過(guò)PECVD或者熱絲(Hot-wire) CVD工藝沉積一層非晶硅鈍化層；
[0028](7)正面沉積透明導(dǎo)電薄膜
[0029]在步驟(6)制備的硅片正面非晶硅鈍化層上，通過(guò)PVD工藝沉積一層透明導(dǎo)電薄膜減反射層；
[0030](8)正面印刷導(dǎo)電漿料
[0031]在硅片正面透明導(dǎo)電薄膜減反射層上，導(dǎo)電漿料印刷成2?5根主柵線的結(jié)構(gòu)；或印刷成2?5根主柵線加細(xì)柵線的結(jié)構(gòu)；
[0032](9)烘干，測(cè)試分選
[0033]將印刷導(dǎo)電漿料的硅片在低于200°C的條件下烘干處理，測(cè)試分選即制備得新型晶體硅太陽(yáng)電池。[0034]本發(fā)明步驟(6)中所述的非晶硅鈍化層，其厚度優(yōu)選為2?20nm。
[0035]本發(fā)明步驟(7)中所述的透明導(dǎo)電薄膜減反射層的材質(zhì)優(yōu)選為含銦、錫、鋅和鎘的氧化物中的一種或幾種。
[0036]本發(fā)明所述的透明導(dǎo)電薄膜減反射層的材質(zhì)更優(yōu)選為摻錫氧化銦(ΙΤ0)，其厚度為 50 ?200nm。
[0037]本發(fā)明所述的透明導(dǎo)電薄膜減反射層的材質(zhì)更優(yōu)選為摻鋁氧化鋅(AZO)或摻鎵氧化鋅，其厚度為50?200nm。
[0038]本發(fā)明所述的透明導(dǎo)電薄膜減反射層的材質(zhì)更優(yōu)選為摻銦氧化鎘(In-CdO)，其厚度為50?200nm。
[0039]本發(fā)明步驟⑶中所述的導(dǎo)電漿料優(yōu)選印刷成2?5根主柵線的結(jié)構(gòu)；或優(yōu)選印刷稱2?5根主柵線加20?50根細(xì)柵線的結(jié)構(gòu)，20?50根細(xì)柵線的數(shù)量比普通電池少很多，僅只占傳統(tǒng)正面電極細(xì)柵線根數(shù)的1/3?1/2，所以采用本發(fā)明中的技術(shù)方案，由于減少了細(xì)柵線的根數(shù)，從而減少了銀漿使用量，增加了受光面積。
[0040]本發(fā)明步驟(9)中所述的烘干溫度優(yōu)選為100?200°C，烘干時(shí)間優(yōu)選為2?20mino
[0041]本發(fā)明的有益效果是:
[0042](I)本發(fā)明發(fā)射極采用非晶硅鈍化，電池的表面復(fù)合速率〈100cm/S，鈍化效果優(yōu)于氮化硅，可以顯著提高電池的開(kāi)路電壓；
[0043](2)本發(fā)明采用透明導(dǎo)電薄膜作為減反射層，在降低反射率的同時(shí)，提供導(dǎo)電性能，具有電流收集功能；
[0044](3)本發(fā)明導(dǎo)電漿料僅需印刷主柵線或者主柵線加少量細(xì)柵線，遮光面積從原來(lái)7%?8%降至3%?4%，銀漿使用量減少50%以上。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0045]圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1制備的全鋁背場(chǎng)太陽(yáng)電池的工藝流程圖，其中(I)電池發(fā)射極與全背場(chǎng)制備，(2)沉積非晶硅鈍化層，(3)沉積透明導(dǎo)電薄膜，(4)印刷導(dǎo)電漿料，
(5)烘干；
[0046]圖2是本發(fā)明的實(shí)施例2制備的局部鋁背場(chǎng)太陽(yáng)電池的工藝流程圖，其中(I)電池發(fā)射極與局部背場(chǎng)制備，(2)沉積非晶硅鈍化層，(3)沉積透明導(dǎo)電薄膜，(4)印刷導(dǎo)電漿料，(5)烘干。
【具體實(shí)施方式】
[0047]實(shí)施例1
[0048]本實(shí)施例提供的新型晶體硅太陽(yáng)電池，該新型晶體硅太陽(yáng)電池電池的結(jié)構(gòu)由上而下依次為:正電極、透明導(dǎo)電薄膜、非晶硅鈍化層、發(fā)射極、硅基體、鋁背場(chǎng)、背電極，其中減反射鈍化層由非晶硅鈍化層和透明導(dǎo)電薄膜組成，非晶硅鈍化層作為發(fā)射極鈍化層，透明導(dǎo)電薄膜作為減反射層，正電極由2?5根主柵線組成。
[0049]透明導(dǎo)電薄膜為摻錫氧化銦，其厚度為50?200nm。
[0050]非晶硅鈍化層的厚度為2?20nm。[0051]鋁背場(chǎng)為全背場(chǎng)。
[0052]本實(shí)施例提供的新型晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，包括以下步驟:
[0053](I)選取P型單晶或多晶硅片，通過(guò)化學(xué)腐蝕進(jìn)行表面織構(gòu)化制絨，并清洗以除去化學(xué)藥品和反應(yīng)生成物
[0054]對(duì)單晶硅片，在重量百分含量為0.5?5%的氫氧化鈉去離子水溶液中，在溫度為75?90°C的條件下進(jìn)行表面織構(gòu)化制絨，對(duì)于多晶硅片，在硝酸、氫氟酸和去離子水的體積比為3: I: 2的混合溶液中，在5?15°C的條件下進(jìn)行表面織構(gòu)化制絨；
[0055](2)磷擴(kuò)散摻雜形成發(fā)射極
[0056]將織構(gòu)化后的硅片采用三氯氧磷液態(tài)源進(jìn)行管式擴(kuò)散形成發(fā)射極，如圖1中(I)所示；
[0057](3)清洗除去磷硅玻璃層
[0058]將磷擴(kuò)散后硅片浸入體積百分含量為5?20%的氫氟酸中清洗除去在磷擴(kuò)散時(shí)形成的磷硅玻璃；
[0059](4)背面印刷鋁漿
[0060]硅片背面通過(guò)絲網(wǎng)印刷涂覆一層鋁漿，如圖1中(I)所示；
[0061](5)燒結(jié)
[0062]硅片置于燒結(jié)爐中，高溫處理I?2分鐘，鋁漿與硅發(fā)生反應(yīng)，形成鋁背場(chǎng)及背電極，如圖1中(I)所示；
[0063](6)正面沉積非晶硅
[0064]采用PECVD工藝在電池正面沉積一層非晶硅，如圖1中(2)所示；
[0065](7)正面沉積透明導(dǎo)電薄膜
[0066]采用PVD工藝在電池正面沉積一層透明導(dǎo)電薄膜，如圖1中(3)所示；
[0067](8)正面印刷導(dǎo)電漿料
[0068]采用絲網(wǎng)印刷工藝在電池正面印刷導(dǎo)電漿料；導(dǎo)電漿料印刷在硅片正面透明導(dǎo)電薄膜減反射層上，導(dǎo)電漿料印刷成2?5根主柵線的結(jié)構(gòu)，如圖1中(4)所示；
[0069](9)烘干
[0070]帶有印刷漿料的硅片置于烘干設(shè)備中，漿料干燥固化后形成正電極，如圖1中(5)所示。
[0071]其中:
[0072]步驟(I)中氫氧化鈉水溶液中還含有有機(jī)溶劑酒精或異丙醇，其體積百分含量為5 ?10%。
[0073]步驟⑵中擴(kuò)散后硅片的方塊電阻為40?120 Ω/□，結(jié)深為0.2?Ιμπι。
[0074]步驟(5)中最高燒結(jié)溫度范圍為500?700°C，鋁背場(chǎng)中鋁原子的濃度范圍為IO18 ?IO19CnT3,結(jié)深為 5 ?9 μ m。
[0075]步驟(9)中烘干溫度100?200°C，烘干時(shí)間2?20min。
[0076]實(shí)施例2
[0077]本實(shí)施例提供的新型晶體硅太陽(yáng)電池，該新型晶體硅太陽(yáng)電池電池的結(jié)構(gòu)由上而下依次為:正電極、透明導(dǎo)電薄膜、非晶硅鈍化層、發(fā)射極、硅基體、鋁背場(chǎng)、背電極，其中減反射鈍化層由非晶硅鈍化層和透明導(dǎo)電薄膜組成，非晶硅鈍化層作為發(fā)射極鈍化層，透明導(dǎo)電薄膜作為減反射層，正電極由2?5根主柵線或2?5根主柵線加均勻分布的細(xì)柵線組成。
[0078]透明導(dǎo)電薄膜為摻招氧化鋅或摻鎵氧化鋅,其厚度為50?200nm。
[0079]非晶硅鈍化層的厚度為2?20nm。
[0080]鋁背場(chǎng)為局部鋁背場(chǎng)。
[0081]本實(shí)施例提供的新型晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，包括以下步驟:
[0082](I)選取P型硅片，進(jìn)行表面織構(gòu)化制絨
[0083]對(duì)單晶硅片，在重量百分含量為0.5?5%的氫氧化鈉去離子水溶液中，在溫度為75?90°C的條件下進(jìn)行表面織構(gòu)化制絨，對(duì)于多晶硅片，在硝酸、氫氟酸和去離子水的體積比為3: I: 2的混合溶液中，在5?15°C的條件下進(jìn)行表面織構(gòu)化制絨；
[0084](2)磷擴(kuò)散形成發(fā)射極
[0085]將織構(gòu)化后的硅片采用三氯氧磷液態(tài)源進(jìn)行管式擴(kuò)散形成發(fā)射極，如圖2中(I)所示；
[0086](3)去除磷硅玻璃
[0087]將磷擴(kuò)散后硅片浸入體積百分含量為5?20%的氫氟酸中清洗除去在磷擴(kuò)散時(shí)形成的磷硅玻璃；
[0088](4)背面沉積鈍化膜
[0089]利用PECVD在背面沉積鈍化膜，膜厚為50?200nm，如圖2中(I)所示。
[0090](5)激光背面開(kāi)孔或線
[0091]調(diào)節(jié)激光參數(shù)在電池背面刻蝕出均勻分布的點(diǎn)狀或線狀圖形；
[0092](6)背面絲網(wǎng)印刷鋁漿
[0093]硅片背面通過(guò)絲網(wǎng)印刷涂覆一層鋁漿，該鋁漿高溫下要求不穿透鈍化層；
[0094](7)燒結(jié)
[0095]高溫?zé)Y(jié)，鋁漿通過(guò)激光刻蝕出的圖形與硅反應(yīng)，形成局部鋁背場(chǎng)，如圖2中(I)所示；
[0096](8)正面沉積非晶硅
[0097]采用PECVD工藝在電池正面沉積一層非晶硅，如圖2中(2)所示；
[0098](9)正面沉積透明導(dǎo)電薄膜
[0099]采用PVD工藝在電池正面沉積一層透明導(dǎo)電薄膜，如圖2中(3)所示；
[0100](10)正面印刷導(dǎo)電漿料
[0101]采用絲網(wǎng)印刷工藝在電池正面印刷導(dǎo)電漿料，如圖2中(4)所示；
[0102](11)烘干
[0103]帶有印刷漿料的硅片置于烘干設(shè)備中，漿料干燥固化后形成正電極，如圖2中(5)所示。
[0104]其中
[0105]步驟(I)中氫氧化鈉水溶液中還含有有機(jī)溶劑酒精或異丙醇，其體積百分含量為5 ?10%。
[0106]步驟⑵中擴(kuò)散后硅片的方塊電阻為40?120 Ω/□，結(jié)深為0.2?Ιμπι。
[0107]步驟(7)中最高燒結(jié)溫度范圍為500?700°C，鋁背場(chǎng)中鋁原子的濃度范圍為IO18 ?IO19CnT3,結(jié)深為 5 ?9 μ m。
[0108]步驟(11)中烘干溫度100?200°C，烘干時(shí)間2?20min。
[0109]上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種新型晶體硅太陽(yáng)電池，其結(jié)構(gòu)由上而下包括正電極、減反射鈍化層、發(fā)射極、硅基體、鋁背場(chǎng)和背電極，其特征是:所述減反射鈍化層由非晶硅鈍化層和透明導(dǎo)電薄膜組成，其中非晶硅鈍化層作為發(fā)射極鈍化層，透明導(dǎo)電薄膜作為減反射層，所述正電極由2~5根主柵線或2~5根主柵線加均勻分布的細(xì)柵線組成，該新型晶體硅太陽(yáng)電池電池的結(jié)構(gòu)由上而下依次為:正電極、透明導(dǎo)電薄膜、非晶硅鈍化層、發(fā)射極、硅基體、鋁背場(chǎng)、背電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型晶體硅太陽(yáng)電池，其特征是:所述的非晶硅鈍化層，其厚度為2~20nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型晶體硅太陽(yáng)電池，其特征是:所述的透明導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)為含銦、錫、鋅和鎘的氧化物中的一種或幾種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型晶體硅太陽(yáng)電池，其特征是:所述的透明導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)為摻錫氧化銦，其厚度為50~200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型晶體硅太陽(yáng)電池，其特征是:所述的透明導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)為摻招氧化鋅或摻鎵氧化鋅，其厚度為50~200nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型晶體硅太陽(yáng)電池，其特征是:所述的透明導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)為摻銦氧化鎘，其厚度為50~200nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型晶體硅太陽(yáng)電池，其特征是:所述的鋁背場(chǎng)為全背場(chǎng)或局部鋁背場(chǎng)。
8.權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的 新型晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，其特征是含以下步驟: (1)硅片選取、制絨和清洗 選取單晶或多晶硅片，采用化學(xué)腐蝕進(jìn)行表面織構(gòu)制絨，清洗； (2)憐擴(kuò)散慘雜 采用三氯氧磷液態(tài)源擴(kuò)散，經(jīng)擴(kuò)散后實(shí)現(xiàn)磷對(duì)硅片表面摻雜，得到發(fā)射極； (3)清洗除去磷硅玻璃層 將擴(kuò)散后的娃片浸入體積百分含量為5~15%的氫氟酸中清洗掉殘留在娃片表面的磷娃玻璃層； (4)背面印刷鋁漿，或背面沉積鈍化層，激光開(kāi)孔后印刷鋁漿 在背面硅表面直接印刷鋁漿或者沉積鈍化層，激光開(kāi)孔后再印刷鋁漿； (5)高溫?zé)Y(jié) 將硅片置于燒結(jié)爐中，高溫?zé)Y(jié)，鋁漿與硅發(fā)生反應(yīng)，得到全鋁背場(chǎng)或者局部鋁背場(chǎng)的電池背面結(jié)構(gòu)； (6)正面沉積非晶硅鈍化層 在硅片正面發(fā)射極上，通過(guò)PECVD或者熱絲-CVD工藝沉積一層非晶硅鈍化層； (7)正面沉積透明導(dǎo)電薄膜 在步驟(6)制備的硅片正面非晶硅鈍化層上，通過(guò)PVD工藝沉積一層透明導(dǎo)電薄膜減反射層； (8)正面印刷導(dǎo)電漿料 在硅片正面透明導(dǎo)電薄膜減反射層上，導(dǎo)電漿料印刷成2~5根主柵線的結(jié)構(gòu)；或印刷成2~5根主柵線加細(xì)柵線的結(jié)構(gòu)；(9)烘干，測(cè)試分選 將印刷導(dǎo)電漿料的硅片在低于200°C的條件下烘干處理，測(cè)試分選即制備得新型晶體娃太陽(yáng)電池。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的新型晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，其特征是:步驟(8)中所述的細(xì)柵線的根數(shù)為20~50根。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的新型晶體硅太陽(yáng)電池的制備方法，其特征是:步驟(9)中所述的烘干溫度為100~200°C，烘`干時(shí)間為2~20min。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK103489933SQ201310403109
【公開(kāi)日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月6日
【發(fā)明者】尹海鵬, 單偉 申請(qǐng)人:晶澳（揚(yáng)州）太陽(yáng)能科技有限公司, 晶澳太陽(yáng)能有限公司