一種電阻器制作方法、電阻器及電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種電阻器制作方法、電阻器及電路，該電阻器包括絕緣基體；設(shè)置在絕緣基體上的電阻體及分別與該電阻體連接的第一電極和第二電極；以及與第一電極至少與其部分重疊的第一導(dǎo)電層和與第二電極至少與其部分重疊的第二導(dǎo)電層；設(shè)置于第一電極和第一導(dǎo)電層之間的用于阻擋外界腐蝕物與第一電極接觸的第一阻擋層，和/或，設(shè)置于第二電極和第二導(dǎo)電層之間的用于阻擋外界腐蝕物與第二電極接觸的第二阻擋層。通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施，在電極與導(dǎo)電層之間增加阻擋層，防止了外界中的腐蝕物與電極接觸，避免了電極因接觸到這些腐蝕物而遭到腐蝕，在防止腐蝕方面取得了顯著的進(jìn)步，提高了產(chǎn)品性能的可靠性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
—種電阻器制作方法、電阻器及電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電阻器領(lǐng)域，特別是涉及一種電阻器制作方法、電阻器及電路。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著通信技術(shù)的發(fā)展，對(duì)通信設(shè)備，尤其是通信電路的質(zhì)量要求也日益嚴(yán)格，而目前，電阻器設(shè)備，尤其是厚膜芯片電阻器的硫化現(xiàn)象也日益嚴(yán)重.
[0003]現(xiàn)有的厚膜芯片電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，參照?qǐng)D1所示，現(xiàn)有的厚膜芯片電阻器包括:陶瓷絕緣基體1，設(shè)置在陶瓷絕緣基體1上的底部電極(2a及2b)、頂部電極(3a及3b)、側(cè)面電極(4a及4b)及電阻體5，設(shè)置在電阻體上的介質(zhì)層6，及用于保護(hù)電阻體5的保護(hù)層7及電鍍層(電鍍鎳層8a及8b、電鍍錫層8c及8d)，當(dāng)然為了實(shí)現(xiàn)對(duì)厚膜芯片電阻器的標(biāo)記，厚膜芯片電阻器還可以包括設(shè)置于保護(hù)層7之上的標(biāo)記層9 ;由圖1可知，保護(hù)層7及電鍍層相交形成的交界線(xiàn)，該交界線(xiàn)處的電鍍層很薄或未形成電鍍層，從而存在縫隙或孔隙，這是現(xiàn)有電鍍工藝無(wú)法避免的，特別是當(dāng)絲網(wǎng)漏印保護(hù)層邊界不整齊時(shí)，孔隙就尤為嚴(yán)重；當(dāng)周?chē)h(huán)境存在硫化物，如硫化氫/羰基硫/硫磺粉等時(shí)，由于分子擴(kuò)散/吸附/毛細(xì)等物理作用，硫化物就會(huì)從這些孔隙處進(jìn)入到厚膜芯片電阻器內(nèi)部的頂部電極3并與其中的銀發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成高電阻率的硫化銀Ag2S，從而使厚膜芯片電阻器的阻值變大甚至開(kāi)路，導(dǎo)致電路發(fā)生故障。
[0004]因此，如何提供一種可以解決因電極腐蝕所導(dǎo)致的阻值變大的厚膜芯片電阻器，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供了一種電阻器制作方法、電阻器及電路，解決了當(dāng)前技術(shù)中所存在的因電極腐蝕所導(dǎo)致阻值變大的問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明提供了一種電阻器制作方法，在一個(gè)實(shí)施例中，該電阻器制作方法包括:在絕緣基體上設(shè)置電阻體及分別與該電阻體連接的第一電極和第二電極的步驟；以及為第一電極設(shè)置至少與其部分重疊的第一導(dǎo)電層和為第二電極設(shè)置至少與其部分重疊的第二導(dǎo)電層的步驟；還包括:在第一電極和第一導(dǎo)電層之間設(shè)置用于阻擋外界腐蝕物與第一電極接觸的第一阻擋層的步驟，和/或，在第二電極和第二導(dǎo)電層之間設(shè)置用于阻擋外界腐蝕物與第二電極接觸的第二阻擋層的步驟。
[0007]進(jìn)一步的，在上述實(shí)施例所提供的電阻器制作方法，還包括:在電阻體之上設(shè)置用于修正電阻體阻值的阻值修正層的步驟。
[0008]進(jìn)一步的，在上述實(shí)施例所提供的電阻器制作方法，還包括:在阻值修正層之上設(shè)置與第一阻擋層和/或第二阻擋層至少部分重疊的保護(hù)層的步驟。
[0009]進(jìn)一步的，在上述實(shí)施例所提供的電阻器制作方法中，設(shè)置第一阻擋層和/或第二阻擋層的方法包括絲網(wǎng)印刷、烘干或燒結(jié)。
[0010]本發(fā)明提供了一種電阻器，在一個(gè)實(shí)施例中，該電阻器包括絕緣基體，設(shè)置在絕緣基體上的電阻體及分別與該電阻體連接的第一電極和第二電極；以及與第一電極至少與其部分重疊的第一導(dǎo)電層和與第二電極至少與其部分重疊的第二導(dǎo)電層；還包括:設(shè)置于第一電極和第一導(dǎo)電層之間的用于阻擋外界腐蝕物與第一電極接觸的第一阻擋層，和/或，設(shè)置于第二電極和第二導(dǎo)電層之間的用于阻擋外界腐蝕物與第二電極接觸的第二阻擋層。
[0011]進(jìn)一步的，在上述實(shí)施例所提供的電阻器中，第一阻擋層整體設(shè)置于第一電極之上；和/或，第二阻擋層整體設(shè)置于第二電極之上。
[0012]進(jìn)一步的，在上述實(shí)施例所提供的電阻器還包括:設(shè)置于電阻體之上的用于修正電阻體阻值的阻值修正層。
[0013]進(jìn)一步的，在上述實(shí)施例所提供的電阻器還包括:用于保護(hù)電阻體的保護(hù)層，保護(hù)層設(shè)置于阻值修正層之上，與第一阻擋層和/或第二阻擋層至少部分重疊。
[0014]進(jìn)一步的，在上述實(shí)施例所提供的電阻器中，第一阻擋層和/或第二阻擋層的材料為導(dǎo)電材料。
[0015]進(jìn)一步的，在上述實(shí)施例所提供的電阻器中，外界腐蝕物包括硫化物。
[0016]相應(yīng)的，本發(fā)明也提供了一種電路，在一個(gè)實(shí)施例中，該電路包括本發(fā)明所提供的電阻器。
[0017]本發(fā)明的有益效果:
[0018]本發(fā)明提供的電阻器制作方法、電阻器及電路，通過(guò)在與第一電極與第一導(dǎo)電層之間增加第一阻擋層，和/或，在與第二電極與第二導(dǎo)電層之間增加第二阻擋層，防止了外界(空氣/工作環(huán)境)中的腐蝕物(如硫化物等)與電極接觸，避免了電極因接觸到這些腐蝕物而遭到腐蝕，在防止腐蝕(如硫化失效)方面取得了顯著的進(jìn)步，解決了當(dāng)前技術(shù)中所存在的因電極硫化等腐蝕所導(dǎo)致阻值變大的問(wèn)題，達(dá)到了防止芯片電阻器硫化失效或延長(zhǎng)芯片電阻器硫化失效時(shí)間的效果，提高了產(chǎn)品性能的可靠性。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中厚膜芯片電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的電阻器制作方法的示意圖；
[0022]圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖5為本發(fā)明第四實(shí)施例提供的電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖6為本發(fā)明第五實(shí)施例提供的電阻器制作方法的流程示意圖；
[0025]圖7a為執(zhí)行圖6中步驟S601之后電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖7b為執(zhí)行圖6中步驟S602之后電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖7c為執(zhí)行圖6中步驟S603之后電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖8為本發(fā)明第六實(shí)施例提供的電阻器制作方法的流程示意圖；
[0029]圖9a為執(zhí)行圖8中步驟S801之后電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖9b為執(zhí)行圖8中步驟S802之后電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖9c為執(zhí)行圖8中步驟S803之后電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0032]本發(fā)明提供的電阻器制作方法可以廣泛的電阻器生產(chǎn)領(lǐng)域，都可以達(dá)到防止電阻器的電極因腐蝕而失效的現(xiàn)象，下文以該電阻器為厚膜芯片電阻器為例，并通過(guò)具體實(shí)施例結(jié)合附圖的方式來(lái)對(duì)本發(fā)明做出進(jìn)一步的詮釋說(shuō)明。
[0033]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本發(fā)明提供的電阻器在包括:絕緣基體21，設(shè)置在絕緣基體21之上的電阻體22、分別與電阻體22連接的第一電極23a和第二電極23b,以及與第一電極23a至少與其部分重疊的第一導(dǎo)電層24a和與第二電極23b至少與其部分重疊的第二導(dǎo)電層24b之外，還包括:設(shè)置于第一電極23a和第一導(dǎo)電層24a之間的用于阻擋外界腐蝕物與第一電極23a接觸的第一阻擋層25a，和/或，設(shè)置于第二電極23b和第二導(dǎo)電層24b之間的用于阻擋外界腐蝕物與第二電極接觸23b的第二阻擋層25b。
[0034]進(jìn)一步的，如圖2所示，第一阻擋層25a整體設(shè)置于第一電極23a之上；和/或，第二阻擋層25b整體設(shè)置于第二電極23b之上；這樣設(shè)置在達(dá)到防止腐蝕的同時(shí)，還減少了制作第一阻擋層25a及第二阻擋層25b的生產(chǎn)成本。
[0035]進(jìn)一步的，如圖2所示，電阻器還包括:用于保護(hù)電阻體22的保護(hù)層26，保護(hù)層26設(shè)置于電阻體22之上，與第一阻擋層25a和/或第二阻擋層25b至少部分重疊；這樣設(shè)置在保護(hù)了電阻體22的同時(shí)，也進(jìn)一步增強(qiáng)了防腐蝕效果，因?yàn)橥饨绺g物在進(jìn)入電阻器之后，就直接全部被第一阻擋層25a和/或第二阻擋層25b攔截。
[0036]進(jìn)一步的，在其他實(shí)施例中，圖2所示的電阻器還包括:設(shè)置于電阻體之上的用于修正電阻體阻值的阻值修正層。
[0037]進(jìn)一步的，在其他實(shí)施例中，阻擋層(包括第一阻擋層25a和/或第二阻擋層25b)的材料為導(dǎo)電材料，如，鎳或鎳基合金(如:鎳鉻，鎳硼等)，以及鈀、鉬、金等貴重金屬組成的金屬漿料，還可以是非銀系導(dǎo)電樹(shù)脂，尤其是使用碳系導(dǎo)電樹(shù)脂；當(dāng)材料為非銀系導(dǎo)電樹(shù)脂時(shí)，設(shè)置阻擋層的方式是采用絲網(wǎng)印刷、高溫烘干，當(dāng)材料為使用金屬漿料時(shí)，設(shè)置阻擋層的方式是采用絲網(wǎng)印刷、高溫?zé)Y(jié)。
[0038]進(jìn)一步的，在其他實(shí)施例中，外界腐蝕物包括硫化物，如硫化氫/羰基硫/硫磺粉坐寸。
[0039]同時(shí)，為了將本發(fā)明提供的電阻器應(yīng)用到實(shí)際生活中，本發(fā)明相應(yīng)的也提供了一種電路，該電路包括本發(fā)明提供的電阻器。
[0040]圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的電阻器制作方法的示意圖；由圖3可知，本發(fā)明提供的電阻器制作方法包括以下步驟:
[0041]S301:在絕緣基體上設(shè)置電阻體及與電阻體連接的電極；
[0042]具體的為:在絕緣基體上設(shè)置電阻體及分別與該電阻體連接的第一電極和第二電極；
[0043]S302:設(shè)置阻擋層；
[0044]具體的為:在第一電極之上之間設(shè)置用于阻擋外界腐蝕物與第一電極接觸的第一阻擋層的步驟，和/或，在第二電極之上設(shè)置用于阻擋外界腐蝕物與第二電極接觸的第二阻擋層；
[0045]進(jìn)一步的，步驟S302可以包括:將第一阻擋層整體設(shè)置于第一電極之上；和/或，將第二阻擋層整體設(shè)置于第二電極之上；
[0046]S303:設(shè)置導(dǎo)電層；
[0047]具體的為:為第一電極設(shè)置至少與自身部分重疊的第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層至少覆蓋第一阻擋層的一部分，為第二電極設(shè)置至少與自身部分重疊的第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層至少覆蓋第二阻擋層的一部分。
[0048]較優(yōu)的，在其他實(shí)施例中，圖3所示電阻器制作方法還包括:在電阻體之上設(shè)置用于修正電阻體阻值的阻值修正層的步驟。進(jìn)一步的，該步驟可以在步驟S302之前，也可以在步驟S302之后。
[0049]較優(yōu)的，在其他實(shí)施例中，上述實(shí)施例中的電阻器制作方法還包括:在阻值修正層之上設(shè)置與第一阻擋層和/或第二阻擋層至少部分重疊的保護(hù)層的步驟。
[0050]較優(yōu)的，在其他實(shí)施例中，在圖3所示電阻器制作方法中，設(shè)置第一阻擋層和/或第二阻擋層的方法為包括絲網(wǎng)印刷、烘干或燒結(jié)。
[0051]現(xiàn)結(jié)合具體應(yīng)用實(shí)例來(lái)對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詮釋說(shuō)明，在下述實(shí)施例中，以電阻器為厚膜芯片電阻器為例，對(duì)照?qǐng)D1和圖2，當(dāng)電阻器為厚膜芯片電阻器時(shí)，圖2所示電阻器中的絕緣基體21對(duì)應(yīng)于圖1中的陶瓷絕緣基體1，圖2中的電阻體22對(duì)應(yīng)于圖1中的電阻體5，圖2中的第一電極23a對(duì)應(yīng)于圖1中的頂部電極3a，第二電極23b對(duì)應(yīng)于圖1中的頂部電極3b,圖2中的第一導(dǎo)電層24a對(duì)應(yīng)于圖1中的底部電極2a、側(cè)面電極4a、電鍍鎳層8a及電鍍錫層8c，第二導(dǎo)電層24b對(duì)應(yīng)于圖1中的底部電極2b、側(cè)面電極4b、電鍍鎳層及8b及電鍍錫層8d，圖2中的第一阻擋層25a、第二阻擋層25b在圖1不存在；在此基礎(chǔ)上，結(jié)合圖4及圖5來(lái)說(shuō)明采用本發(fā)明所提供的電阻器制作方法所生產(chǎn)出來(lái)的厚膜芯片電阻器的結(jié)構(gòu):
[0052]圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5為本發(fā)明第四實(shí)施例提供的電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖；參照?qǐng)D4或圖5可知，在本實(shí)施例中，本發(fā)明提供的電阻器包括:絕緣基體21，設(shè)置于絕緣基體21之上的電阻體22及分別與電阻體22連接的第一電極23a和第二電極23b,以及與第一電極23a至少與其部分重疊的第一導(dǎo)電層24a和與第二電極23b至少與其部分重疊的第二導(dǎo)電層24b，設(shè)置于第一電極23a和第一導(dǎo)電層24a之間的第一阻擋層25a,設(shè)置于第二電極23b和第二導(dǎo)電層24b之間的第二阻擋層25b,設(shè)置在電阻體22之上的阻值修正層27，設(shè)置于阻值修正層27之上、與第一阻擋層25a及第二阻擋層25b部分重疊的保護(hù)層26 ;第一阻擋層25a用于阻止外界腐蝕物通過(guò)保護(hù)層26與第一導(dǎo)電層24a之間的縫隙流入到第一電極23a，第二阻擋層25b用于阻止外界腐蝕物通過(guò)保護(hù)層26與第二導(dǎo)電層24b之間的縫隙流入到第二電極23b，起到了防止電阻器內(nèi)部電電極腐蝕的作用，如硫化等。
[0053]較優(yōu)的，為了實(shí)現(xiàn)對(duì)電阻器的標(biāo)記，電阻器還可以包括設(shè)置于保護(hù)層26之上的標(biāo)記層。
[0054]較優(yōu)的，如圖4所示，阻值修正層27完全覆蓋電阻體22，第一阻擋層25a及第二阻擋層25b均與阻值修正層27相交；相應(yīng)的，在其他實(shí)施例中，第一阻擋層25a及第二阻擋層25b中的最多一個(gè)與阻值修正層27相交。
[0055]較優(yōu)的，如圖5所示，阻值修正層27覆蓋電阻體22的一部分，第一阻擋層25a及第二阻擋層25b均不與阻值修正層27相交。
[0056]較優(yōu)的，第一阻擋層25a及第二阻擋層25b的材料可以是任何能起到阻擋空氣/工作環(huán)境中的硫化物與第一電極23a和第二電極23b接觸的導(dǎo)電材料即可，如，金屬漿料或?qū)щ姌?shù)脂。
[0057]圖4及圖5示例性的給出了兩種采用本發(fā)明提供的電阻器制作方法所生產(chǎn)的厚膜芯片電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖，現(xiàn)結(jié)合圖6至圖9c對(duì)這兩種厚膜芯片電阻器的工藝流程給出相應(yīng)的說(shuō)明。
[0058]圖6為本發(fā)明第五實(shí)施例提供的電阻器制作方法的流程示意圖，如圖6所示，在本實(shí)施例中，本發(fā)明提供的電阻器制作方法包括以下步驟:
[0059]S601:在絕緣基體上設(shè)置電阻體及第一電極和第二電極；
[0060]該步驟S601具體可以為:用銀基金屬漿料絲網(wǎng)漏印在陶瓷絕緣基體上，形成第一電極和第二電極，然后高溫?zé)Y(jié)而成，在第一電極和第二電極之間印刷燒結(jié)電阻體，電阻體與第一電極和第二電極有交疊；
[0061]執(zhí)行該步驟S601之后的電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖如圖7a所示；
[0062]S602:在電阻體上設(shè)置阻值修正層；
[0063]該步驟S602具體可以為:在電阻體上印刷燒結(jié)阻值修正層；阻值修正層可以完全覆蓋電阻體，為了保證厚膜芯片電阻器的電阻值的準(zhǔn)確性，圖6所示的制作方法還可以包括:在阻值修正層上對(duì)電阻體進(jìn)行激光修阻；
[0064]執(zhí)行該步驟S602之后電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖如圖7b所示；
[0065]S603:在第一電極上設(shè)置第一阻擋層，在第二電極上設(shè)置第二阻擋層；
[0066]該步驟S603具體可以為:在頂部電極上，印刷、高溫固化第一阻擋層及第二阻擋層；
[0067]執(zhí)行該步驟S603之后厚膜芯片電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖如圖7c所示；
[0068]S604:設(shè)置保護(hù)層、第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層；
[0069]該步驟S604具體可以為:在阻值修正層上覆蓋保護(hù)層，保護(hù)層一定要覆蓋到第一阻擋層及第二阻擋層，并有交疊，其覆蓋交疊的長(zhǎng)度尺寸不局限于某一具體尺寸；在保護(hù)層上印刷固化絲印標(biāo)記層；一次分割陶瓷基板，呈現(xiàn)側(cè)面電極部分，真空濺射側(cè)面電極；二次分割陶瓷基板，使之成為一個(gè)個(gè)獨(dú)立的電阻體，然后進(jìn)行電鍍形成電鍍層，先電鍍鎳層，再電鍍錫層；
[0070]執(zhí)行該步驟S604之后厚膜芯片電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖如圖4所示；
[0071]在本實(shí)施例中，阻擋層的材料選用非銀系導(dǎo)電樹(shù)脂，尤其是使用碳系導(dǎo)電樹(shù)脂，能方便后續(xù)用簡(jiǎn)單的電磁鐵方法檢查電鍍鎳層的質(zhì)量。
[0072]圖8為本發(fā)明第六實(shí)施例提供的電阻器制作方法的流程示意圖，如圖8所示，在本實(shí)施例中，本發(fā)明提供的電阻器制作方法包括以下步驟:
[0073]S801:在絕緣基體上設(shè)置電阻體及第一電極和第二電極；
[0074]該步驟S801與步驟S601相類(lèi)似，不在贅述；
[0075]執(zhí)行該步驟S801之后的電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖如圖9a所示；
[0076]S802:在第一電極上設(shè)置第一阻擋層，在第二電極上設(shè)置第二阻擋層；
[0077]該步驟S802具體可以為:在頂部電極上，印刷、高溫?zé)Y(jié)第一阻擋層及第二阻擋層；
[0078]執(zhí)行該步驟S802之后電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖如圖9b所示；
[0079]S803:在電阻體上設(shè)置阻值修正層；
[0080]該步驟S803具體可以為:在電阻體上印刷燒結(jié)阻值修正層；阻值修正層可以不完全覆蓋電阻體，為了保證電阻器的電阻值的準(zhǔn)確性，圖8所示的制作方法還可以包括:在阻值修正層上對(duì)電阻體進(jìn)行激光修阻；
[0081]執(zhí)行該步驟S803之后電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖如圖9c所示；
[0082]S804:設(shè)置保護(hù)層、第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層；
[0083]該步驟S804與步驟S604相類(lèi)似，不在贅述；
[0084]執(zhí)行該步驟S804之后厚膜芯片電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖如圖5所示；
[0085]在本實(shí)施例中，阻擋層的材料可以選用鎳或鎳基合金(如:鎳鉻，鎳硼等)，以及鈀、鉬、金等貴重金屬組成的金屬漿料。
[0086]綜上可知，通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施，至少存在以下有益效果:
[0087]在與第一電極與第一導(dǎo)電層之間增加第一阻擋層，和/或，在與第二電極與第二導(dǎo)電層之間增加第二阻擋層，防止了外界(空氣/工作環(huán)境)中的腐蝕物(如硫化物等)與電極接觸，避免了電極因接觸到這些腐蝕物而遭到腐蝕，在防止腐蝕(如硫化失效)方面取得了顯著的進(jìn)步，解決了當(dāng)前技術(shù)中所存在的因電極硫化等腐蝕所導(dǎo)致阻值變大的問(wèn)題，達(dá)到了防止芯片電阻器硫化失效或延長(zhǎng)芯片電阻器硫化失效時(shí)間的效果，提高了產(chǎn)品性能的可靠性；
[0088]進(jìn)一步的，由于阻擋層僅需要起到阻擋外接腐蝕物接觸到電極即可，因此，第一 /第二阻擋層僅需在第一 /第二導(dǎo)電層之前制作即可，兼容了現(xiàn)有的工藝流程；
[0089]進(jìn)一步的，阻擋層的材料只要具備防止/減緩腐蝕的作用即可，增加了阻擋層材料選用的靈活性，阻擋層可以使用常見(jiàn)的金屬漿料或?qū)щ姌?shù)脂，在生產(chǎn)成本增加不大的情況下增強(qiáng)了厚膜芯片電阻器的防硫化效果。
[0090]以上僅是本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】而已，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施方式所做的任意簡(jiǎn)單修改、等同變化或修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電阻器制作方法，包括:在絕緣基體上設(shè)置電阻體及分別與該電阻體連接的第一電極和第二電極的步驟；以及為所述第一電極設(shè)置至少與其部分重疊的第一導(dǎo)電層和為所述第二電極設(shè)置至少與其部分重疊的第二導(dǎo)電層的步驟；其特征在于，還包括:在所述第一電極和所述第一導(dǎo)電層之間設(shè)置用于阻擋外界腐蝕物與所述第一電極接觸的第一阻擋層的步驟，和/或，在所述第二電極和所述第二導(dǎo)電層之間設(shè)置用于阻擋外界腐蝕物與所述第二電極接觸的第二阻擋層的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的電阻器制作方法，其特征在于，在所述第一電極和所述第一導(dǎo)電層之間設(shè)置用于阻擋外界腐蝕物與所述第一電極接觸的第一阻擋層的步驟包括:將所述第一阻擋層整體設(shè)置于所述第一電極之上；在所述第二電極和所述第二導(dǎo)電層之間設(shè)置用于阻擋外界腐蝕物與所述第二電極接觸的第二阻擋層的步驟包括:將所述第二阻擋層整體設(shè)置于所述第二電極之上。
3.如權(quán)利要求1所述的電阻器制作方法，其特征在于，還包括:在所述電阻體之上設(shè)置用于修正所述電阻體阻值的阻值修正層的步驟。
4.如權(quán)利要求3所述的電阻器制作方法，其特征在于，還包括:在所述阻值修正層之上設(shè)置與所述第一阻擋層和/或所述第二阻擋層至少部分重疊的保護(hù)層的步驟。
5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的電阻器制作方法，其特征在于，設(shè)置所述第一阻擋層和/或所述第二阻擋層的方法包括絲網(wǎng)印刷、烘干或燒結(jié)。
6.一種電阻器，包括絕緣基體，設(shè)置在絕緣基體上的電阻體及分別與該電阻體連接的第一電極和第二電極；以及與所述第一電極至少與其部分重疊的第一導(dǎo)電層和與所述第二電極至少與其部分重疊的第二導(dǎo)電層；其特征在于，還包括:設(shè)置于所述第一電極和所述第一導(dǎo)電層之間的用于阻擋外界腐蝕物與所述第一電極接觸的第一阻擋層，和/或，設(shè)置于所述第二電極和所述第二導(dǎo)電層之間的用于阻擋外界腐蝕物與所述第二電極接觸的第二阻擋層。
7.如權(quán)利要求6所述的電阻器，其特征在于，所述第一阻擋層整體設(shè)置于所述第一電極之上；和/或，所述第二阻擋層整體設(shè)置于所述第二電極之上。
8.如權(quán)利要求6所述的電阻器，其特征在于，還包括:設(shè)置于所述電阻體之上的用于修正所述電阻體阻值的阻值修正層。
9.如權(quán)利要求8所述的電阻器，其特征在于，還包括:用于保護(hù)所述電阻體的保護(hù)層，所述保護(hù)層設(shè)置于所述阻值修正層之上，與所述第一阻擋層和/或所述第二阻擋層至少部分重疊。
10.如權(quán)利要求6至9任一項(xiàng)所述的電阻器，其特征在于，所述第一阻擋層和/或所述第二阻擋層的材料為導(dǎo)電材料。
11.如權(quán)利要求6至9任一項(xiàng)所述的電阻器，其特征在于，所述外界腐蝕物包括硫化物。
12.—種電路，其特征在于，包括如權(quán)利要求6至11任一項(xiàng)所述的電阻器。
【文檔編號(hào)】H01C17/00GK104347208SQ201310330111
【公開(kāi)日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2013年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月31日
【發(fā)明者】王能極, 王志堅(jiān), 張彥春, 李建邦, 向振紅, 黃黎明, 石代軍 申請(qǐng)人:中興通訊股份有限公司