技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，公開了一種終端保護(hù)環(huán)及其制造方法。本發(fā)明中，終端保護(hù)環(huán)包括至少一組位于半導(dǎo)體襯底的復(fù)合場限環(huán)；每組復(fù)合場限環(huán)包括至少一個N型場限環(huán)和至少一個P型場限環(huán)，且每個P型場限環(huán)至少有一側(cè)連接一個N型場限環(huán)形成PN結(jié)；N型場限環(huán)的深度大于與N型場限環(huán)連接的P型場限環(huán)深度的三分之一。N型場限環(huán)的深度更深，摻雜濃度分布更平緩，PN結(jié)面積更大，使場限環(huán)表面的電場分布更均勻，進(jìn)而有效提高器件的高壓特性和可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：張棟;黃國華;王明杰;呂國琦
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海北車永電電子科技有限公司
文檔號碼：201310312656
技術(shù)研發(fā)日：2013.07.23
技術(shù)公布日：2017.03.15