光電二極管及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明為光電二極管及其制造方法。用于制造光電二極管(10)的方法，其包括下述步驟：提供基底；溶液沉積量子納米材料層(14)在基底上，所述量子納米材料層(14)包括具有配體涂層(24)的許多量子納米材料(22)；和施加薄膜氧化物層(16)在量子納米材料層(14)上。
【專利說明】光電二極管及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及光伏設(shè)備，并且更具體地涉及由量子納米材料形成的光電二極管，并且甚至更具體地涉及使用溶液工藝技術(shù)由量子納米材料形成的光電二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]光電二極管通過光生伏打效應(yīng)將太陽能轉(zhuǎn)化成可用的電能(電流或電壓)?，F(xiàn)代光電二極管是相對輕質(zhì)的并且它們以相對高的效率操作。所以，光電二極管提供可靠的、輕質(zhì)的和負擔得起的電能來源，其適用于各種應(yīng)用，包括陸地和太空應(yīng)用。
[0003]光電二極管通常使用真空沉積技術(shù)在基底上生長半導體材料的薄層來制造。然后，可以電相互連接所得光電二極管形成大的陣列，以收獲太陽能并產(chǎn)生可用的電能。
[0004]不幸地，真空沉積技術(shù)通常需要基底具有相對小的表面積(小于Ift2)以合適地生長，所以不適合大表面積應(yīng)用。而且，真空沉積技術(shù)通常不適合曲面，所以限于相對小的平坦的基底。仍進一步，真空沉積技術(shù)是相對昂貴的，所以顯著增加了光電二極管的總體成本。
[0005]因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員在輕質(zhì)、高效率光電二極管領(lǐng)域——包括輕質(zhì)、高效率光電二極管的制造一繼續(xù)研究和開發(fā)努力。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]在一種實施方式中，公開了用于制造光電二極管的方法。該方法可包括下述步驟:
(I)提供基底，(2)溶液沉積(例如，旋轉(zhuǎn)涂布)量子納米材料層在基底上，所述量子納米材料層包括具有配體涂層(ligand coating)的量子納米材料,和(3)施加薄膜氧化物層在量子納米材料層上。
[0007]在另一實施方式中，公開的方法可包括下述步驟:(I)提供基底，(2)溶液沉積(例如，旋轉(zhuǎn)涂布)量子納米材料層在基底上，所述量子納米材料層包括具有配體涂層的量子納米材料，和(3)溶液沉積(例如，旋轉(zhuǎn)涂布)薄膜氧化物層在量子納米材料層上。
[0008]在另一實施方式中，公開的方法可包括下述步驟:(I)提供基底，(2)在基底上形成底觸點，(3)溶液沉積(例如，旋轉(zhuǎn)涂布)量子納米材料層在基底上，所述量子納米材料層包括具有配體涂層(例如，金屬鹵化物配體和/或金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物)的量子納米材料(例如，錫-碲化物和/或鉛-錫-碲化物)，(4)施加薄膜氧化物層在量子納米材料層上，和(5)在薄膜氧化物層上形成頂觸點。
[0009]在另一實施方式中，公開的光電二極管可包括(I)基底，(2)位于基底上的溶液澆鑄的量子納米材料層，所述溶液澆鑄的量子納米材料層包括具有配體涂層的錫-碲化物量子納米材料，其中配體涂層包括金屬鹵化物配體和/或金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物，其中金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物包括錫和/或過渡金屬，和(3)溶液澆鑄的量子納米材料層上的薄膜氧化物層。
[0010]在又另一實施方式中，公開的光電二極管可包括(I)基底；(2)位于基底上的溶液澆鑄的量子納米材料層，所述溶液澆鑄的量子納米材料層包括具有配體涂層的鉛-錫-碲化物量子納米材料，其中配體涂層包括金屬鹵化物配體和/或金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物，其中金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物包括錫和/或過渡金屬；和(3)溶液澆鑄的量子納米材料層上的薄膜氧化物層。
[0011]在正文和附圖中，公開了用于制造光電二極管10的方法，其包括下述步驟:提供基底；溶液沉積量子納米材料層14在所述基底上，所述量子納米材料層14包括多個量子納米材料22，所述多個22的每個量子納米材料22包括配體涂層24 ;和施加薄膜氧化物層16在所述量子納米材料層14上。
[0012]可選地，方法可包括其中所述基底包括半導體材料。
[0013]可選地，方法可包括其中所述半導體材料包括鍺12。
[0014]可選地，方法可包括其中所述鍺12是摻雜的P型鍺。
[0015]可選地，方法可進一步包括在所述溶液沉積步驟之前硫鈍化(sulfurpassivating)所述基底的步驟。
[0016]可選地，方法可包括其中所述基底包括金屬箔和聚合物膜的至少一種。
[0017]可選地，方法可包括其中所述多個量子納米材料22為多個量子點22，和其中所述多個量子點22的每個量子點22包括錫-碲化物和鉛-錫-碲化物的至少一種。
[0018]可選地，方法可包括其中所述多個量子納米材料22包括錫-碲化物。
[0019]可選地，方法可包括其中所述多個量子納米材料22的最大橫截面尺寸在約15納米和約50納米之間。
[0020]可選地，方法可包括其中所述多個量子納米材料22包括鉛-錫-碲化物。
[0021]可選地，方法可包括其中所述多個量子納米材料22的最大橫截面尺寸為至少約
7.5納米。
[0022]可選地，方法可包括其中所述配體涂層24包括金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物，其中所述金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物包括錫和過渡金屬的至少一種。
[0023]可選地，方法可包括其中所述配體涂層24包括錫-硫化物、錫-硒化物和錫-碲化物的至少一種。
[0024]可選地，方法可包括其中所述配體涂層24包括金屬齒化物配體。
[0025]可選地，方法可包括其中所述薄膜氧化物層16通過溶液沉積法施加。
[0026]可選地，方法可包括其中所述薄膜氧化物層16包括無定形氧化物半導體。
[0027]可選地，方法可進一步包括施加第一接觸層18在所述薄膜氧化物層16上的步驟。
[0028]可選地，方法可進一步包括施加第二接觸層20在所述基底上的步驟。
[0029]一個方面，公開了光電二極管，其包括:基底；位于所述基底上的溶液澆鑄的量子納米材料層14，所述溶液澆鑄的量子納米材料層14包括包含配體涂層24的錫-碲化物量子納米材料22，其中所述配體涂層24包括金屬鹵化物配體和金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物的至少一種，其中所述金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物包括錫和過渡金屬的至少一種；和所述溶液澆鑄的量子納米材料層14上的薄膜氧化物層。
[0030]一個方面，公開了光電二極管10，其包括:基底；位于所述基底上的溶液澆鑄的量子納米材料層14，所述溶液澆鑄的量子納米材料層14包括包含配體涂層24的鉛-錫-碲化物量子納米材料22，其中所述配體涂層24包括金屬鹵化物配體和金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物的至少一種，其中所述金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物包括錫和過渡金屬的至少一種；和所述溶液澆鑄的量子納米材料層14上的薄膜氧化物層16。
[0031]根據(jù)下面的發(fā)明詳述、附圖和所附權(quán)利要求中，公開的光電二極管及其制造方法的其他實施方式將變得顯而易見。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0032]圖1是公開的光電二極管的一種實施方式的橫截面的示意性側(cè)視圖；
[0033]圖2是圖解公開的制造光電二極管的方法的一種實施方式的流程圖；和
[0034]圖3A和3B是公開的光電二極管的一個實例在被照射之前(圖3A)和被照射時(圖3B)顯示的電流-電壓特性曲線的圖解。
[0035]發(fā)明詳述
[0036]現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，光電二極管可使用溶液沉積技術(shù)比如旋轉(zhuǎn)涂布、沖壓或印刷制造。公開的溶液沉積技術(shù)可用于以比使用傳統(tǒng)氣相沉積技術(shù)相對更低的成本制造配置為在具體波長范圍(例如，長波紅外線)內(nèi)操作的光電二極管。而且，公開的溶液沉積技術(shù)可用于大的表面積Oift2)應(yīng)用，并且可用在平坦的表面上以及曲面上。
[0037]參考圖1，通常指定10的公開的光電二極管的一種實施方式，可包括基底層12、量子納米材料層14和薄膜氧化物層16。第一接觸層18可施加在薄膜氧化物層16上。任選地，第二接觸層20可施加在基底層12上。
[0038]基底層12可提供在其上可沉積量子納米材料層14的表面。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解各種材料(或材料的組合)可用于形成基底層12，而不背離本發(fā)明的范圍。
[0039]在第一種變型中，基底層12可由半導體材料形成。例如，基底層12可由鍺形成，比如作為P型鍺開始的鍺或已經(jīng)是摻雜的P型鍺的鍺。但是，各種半導體基底材料可用于形成基底層12，并且半導體基底材料可任選地被摻雜以實現(xiàn)期望的電學性質(zhì)。
[0040]任選地，半導體基底材料(例如，鍺)可經(jīng)歷硫鈍化(S-鈍化)。盡管可使用各種硫鈍化技術(shù)，但是一種合適的例子包括水性(NH4) 2S處理，如在Thathachary
A.V.等，“Fermi Level Depinning at the germanium Schottky Interface ThroughSulfur Passivation, ” Appl.Phy.Lett.96, 152108 (2010)中更詳細描述的，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。不被限于任何具體的理論，認為半導體基底材料的硫鈍化可退釘扎(de-pin)半導體基底材料表面的費米能級以對半導體基底制造可重復的歐姆接觸。
[0041]在第二種變型中，基底層12可由非半導體材料形成。考慮各種非半導體材料，t匕如導電材料、非導電材料、柔性材料和剛性材料。非半導體材料可用各種材料比如導體和/或絕緣體涂布，以實現(xiàn)期望的電學性質(zhì)。
[0042]在第二種變型的一種表現(xiàn)中，基底層12可包括導電的、柔性箔，比如金屬箔。導電的柔性箔可被涂布絕緣體薄層(例如，25納米或更薄的)。作為一個例子，絕緣體可使用溶液工藝施加，比如溶液加工的磷酸鋁鹽或溶液加工的硫酸氧鉿。作為另一例子，絕緣體可使用物理氣相沉積法施加。不被限制于任何具體的理論，認為絕緣體可使得載流子隧穿至下面導電的柔性箔，但是可排除量子納米材料層14和導電的柔性箔之間的直接接觸，這種直接接觸可猝滅量子納米材料層14中量子納米材料的期望性質(zhì)。
[0043]在第二變型的另一表現(xiàn)中，基底層12可包括非導電聚合物膜，比如聚醚醚酮。非導電聚合物膜可用薄的高導電層涂布。例如，薄的高導電層可為使用物理氣相沉積法施加的薄金屬(例如，銀)層。接著，薄的高導電層可被涂布絕緣體薄層(例如，25納米或更薄的)，比如通過使用溶液工藝或物理氣相沉積法進行，如上述。
[0044]量子納米材料層14可包括使用溶液沉積技術(shù)作為薄膜施加在基底層12的表面13上的多個量子納米材料22。合適的溶液沉積技術(shù)的例子包括旋轉(zhuǎn)涂布、沖壓和印刷。
[0045]量子納米材料22可為量子點、量子棒、納米四腳錐體或任何其他納米晶體半導體材料。作為一個具體的例子，量子納米材料22可為錫-碲化物(SnTe)量子點。作為另一具體的例子，量子納米材料22可為鉛-錫-碲化物(Pb(1_x)SnxTe，其中x是0.1和0.6之間的數(shù))量子點。
[0046]可調(diào)諧量子納米材料22以吸收紅外線輻射，比如中波長紅外線(3 - 5微米)和長波長紅外線(5-15微米)帶寬內(nèi)的紅外線輻射。調(diào)諧量子納米材料22以吸收中波長和長波長紅外線光譜內(nèi)的紅外線輻射可能需要特定的材料選擇(例如，由錫-碲化物或鉛-錫-碲化物形成量子納米材料22)和生長量子納米材料22至具體尺寸，如在2011年2 月 8 日提交的美國專利申請?zhí)?13/022，705 ( “Nanomaterial Having Tunable InfraredAbsorption Characteristics and Associated method of Manufacture”)中更詳細描述，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。作為一個例子，量子納米材料22可由錫-碲化物(SnTe)形成并且最大橫截面尺寸可在約15和約50納米之間。作為另一例子，量子納米材料22可由鉛-錫-碲化物(PbxSn(1_x)Te，其中X是0.1和0.6之間的數(shù))形成并且最大橫截面尺寸可為至少約7.5納米。
[0047]量子納米材料22可包括配體涂層24。配體涂層24可包括無機配體或無機配體的組合。也考慮使用有機配體。不被限于任何具體的理論，認為配體涂層24可在量子納米材料22的表面上形成鍵(bond)，并且可使得量子納米材料層14內(nèi)鄰近的量子納米材料22之間間隔更近。
[0048]在一種配方中，配體涂層24可包括金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物(“MCC”)。金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物可包括金屬和硫?qū)僭?，比如硫、硒或碲，其中金屬包括錫和/或過渡金屬。適合用作配體涂層24的金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物的例子包括錫-硫化物(SnS)、錫-硒化物(SnSe)和錫-碲化物(SnTe)。
[0049]在另一配方中，配體涂層24可包括金屬鹵化物配體。例如，鹵化物可以是碘化物、溴化物和/或氯化物。適合用作配體涂層24的金屬鹵化物配體的例子是氯化鈦(TiCl4)。
[0050]配體涂層24可使用配體交換方法施加至量子納米材料22。制造量子納米材料22的方法可產(chǎn)生已在其表面上具有涂層(例如，油酸)的量子納米材料22。配體交換方法可用期望的配體涂層24 (例如，SnS, SnSe或SnTe)替換初始涂層(例如，油酸)。
[0051]作為非限制性例子，可如下制備具有適合形成量子納米材料層14的配體涂層24的量子納米材料22的分散液。首先，可如美國專利申請?zhí)?3/022，705所描述的制造錫-碲化物(SnTe)納米晶體?？煽刂圃撝圃旆椒◤亩{(diào)諧所得錫-碲化物納米晶體至期望的波長(例如，長波長紅外線)。錫-碲化物納米晶體可具有油酸涂層，并且可被分散在己烷中。第二，可進行配體交換反應(yīng)以用錫-硫化物(SnS)金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物涂布錫-碲化物納米晶體。最后，可將SnS-涂布的錫-碲化物納米晶體分散在肼中。
[0052]為了形成量子納米材料層14，肼中的SnS-涂布的錫-碲化物納米晶體的分散液可被溶液沉積在基底層14上，比如通過旋轉(zhuǎn)涂布、沖壓或印刷進行。可繼續(xù)溶液沉積法(例如，旋轉(zhuǎn)涂布)，直到實現(xiàn)期望的橫截面厚度的量子納米材料層14。接著，在溶液沉積之后，所得分層的結(jié)構(gòu)可被加熱處理(例如，280°C下60分鐘)。
[0053]薄膜氧化物層16可施加在量子納米材料層14上，并且可任選地滲入量子納米材料層14。薄膜氧化物層16可以是導電的，并且可以通常對于意圖被量子納米材料層14吸收的電磁輻射是透明的。
[0054]薄膜氧化物層16可由無定形氧化物半導體形成。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解各種無定形氧化物半導體可用于形成薄膜氧化物層16。適合形成薄膜氧化物層16的無定形氧化物半導體的兩個具體的例子是鋅-錫-氧化物(ZTO)和銦-鎵-鋅-氧化物(IGZO)。
[0055]在一種構(gòu)造中，薄膜氧化物層16可使用溶液沉積法形成。例如，薄膜氧化物層16可使用溶液沉積法通過合成銦-鎵-鋅-氧化物(IGZO)形成。合適的IGZO溶液獲得自Inpria Corporation of Corvallis, Oregon。所得溶液沉積的薄膜氧化物層16可在300°C下加熱處理60分鐘。
[0056]在另一構(gòu)造中，薄膜氧化物層16可使用物理氣相沉積法形成。例如，薄膜氧化物層16可使用真空沉積由鋅-錫-氧化物(ZTO)形成。
[0057]因此，量子納米材料層14可位于基底層12和薄膜氧化物層16之間。另外的層可并入光電二極管10，而不背離本發(fā)明的范圍。
[0058]第一接觸層18可施加在薄膜氧化物層16上并且可與薄膜氧化物層16電耦合。第一接觸層18可由導電金屬28比如金、鉬、鎳、鋁和/或鉭形成。任選的連接層(tielayer) 26,比如鈦，可位于第一接觸層18的導電金屬28和薄膜氧化物層16之間，以增強導電金屬28和下面的薄膜氧化物層16之間的結(jié)合(bonding)。
[0059]第一接觸層18可使用各種技術(shù)以各種圖案(例如，柵格圖案)施加至薄膜氧化物層16。作為一個例子，第一接觸層18可使用沖壓法施加。作為另一例子，第一接觸層18可使用物理氣相沉積法(蒸發(fā)或濺射)施加，其中平板印刷可用于限定第一接觸層18的圖案。
[0060]任選地,銦柱(indium bump) 30可施加至(例如,蒸發(fā)至)第一接觸層18上。
[0061]第二接觸層20可任選地施加在基底層12上并且可與基底層12電耦合。第二接觸層20可由導電金屬比如金、鉬、鎳、鋁和/或鉭形成。
[0062]也公開了用于制造光電二極管的方法。參考圖2，通常指定為100的公開的用于制造光電二極管的方法的一種實施方式可開始于塊102，提供基底的步驟。例如，在塊102提供的基底可為錯。
[0063]在塊104，可處理基底。作為一種處理，可摻雜基底。例如，鍺基底可被摻雜P型摻雜劑，以實現(xiàn)約IO13的載流子密度。作為另一處理，基底可經(jīng)歷硫鈍化。例如，P-摻雜的鍺基底可在(NH4)2S溶液中鈍化30分鐘，電阻率為24.5至27.5ohms/sq0在硫鈍化之后，基底可:(I)在HCL/HBr溶液中清潔5分鐘；(2)用去離子水沖洗5分鐘并且用N2吹干；(3)用40%硫化銨水溶液在50°C處理5分鐘；接著(4)用去離子水沖洗5分鐘并且用N2吹干。
[0064]在塊106，底觸點可被施加至基底。例如，底觸點可如下施加:(I)可在鍺基底上進行平板印刷；⑵金屬，比如金、鉬、鎳、鋁和/或鉭，可施加(例如，濺射)在平板印刷上；和
(3)可剝離(lift off)該平板印刷以限定底觸點。任選地，可進行AMD，隨后去離子水沖洗5分鐘,接著臭氧處理10至30分鐘。
[0065]在塊108，量子納米材料層可使用溶液沉積技術(shù)，比如旋轉(zhuǎn)涂布、沖壓或印刷施加至基底。例如，肼中SnS-涂布的錫-碲化物納米晶體的分散液可通過旋轉(zhuǎn)涂布施加至鍺基底，以實現(xiàn)期望的厚度。SnS-涂布的錫-碲化物納米晶體層(在鍺基底上)可在280°C加熱處理60分鐘，如在塊110中所顯示。
[0066]在塊112，薄膜氧化物層可施加在量子納米材料層上。例如，從InpriaCorporation of Corvallis, Oregon獲得的銦-鎵-鋅-氧化物(IGZO)溶液可通過旋轉(zhuǎn)涂布施加至SnS-涂布的錫-碲化物納米晶體層以實現(xiàn)期望的厚度(例如，單層約20至25納米厚)。IGZO薄膜氧化物層(在量子納米材料層上，后者在鍺基底上)可在30(TC加熱處理60分鐘，如在塊114中所顯示。作為另一例子，薄膜氧化物層(例如，鋅-錫-氧化物)可使用傳統(tǒng)的物理氣相沉積(PVD)法或無機縮聚(poly inorganic condensation) (PIC)法施加在量子納米材料層上，其可能不需要另外的沉積后熱處理步驟。
[0067]任選地，可在薄膜氧化物層形成之后(例如，塊114之后)進行臭氧處理步驟。
[0068]在塊116，頂觸點可被施加至薄膜氧化物層。例如，頂觸點可如下施加:(I)可在薄膜氧化物層上進行照相平板印刷以限定頂觸點；(2)金屬，比如金和任選的鈦連接層可被施加(例如，濺射)在該照相平板印刷上；和⑶可剝離該照相平板印刷以限定頂觸點。
[0069]任選地，可在頂觸點形成之后(例如，在塊116之后)進行銦柱施加步驟。
[0070]圖3A和3B顯示根據(jù)公開的方法100在硫鈍化的p型摻雜的鍺基底上制造的光電二極管的電流-電壓特性曲線，所述基底具有溶液澆鑄的SnS-涂布的SnTe納米晶體層和溶液澆鑄的IGZO薄膜氧化物層。圖3A顯示被照射之前光電二極管的電流-電壓特性曲線和圖3B顯示照射期間光電二極管的電流-電壓特性曲線。
[0071]因此，公開的光電二極管可使用低成本的溶液沉積法制造。溶液沉積法可便于在平坦表面以及曲面上光電二極管的可升級規(guī)模的、大面積(大于Ift2)制造。而且，納米晶體組成和尺寸的小心選擇可便于調(diào)諧光電二極管至期望的波長范圍(例如，長波長紅外線)。
[0072]盡管已經(jīng)顯示和描述了公開的光電二極管及其制造方法的各種實施方式，但是當閱讀本說明書時本領(lǐng)域技術(shù)人員可想到許多修改。本申請包括這些修飾并且僅被權(quán)利要求書的范圍限制。
【權(quán)利要求】
1.用于制造光電二極管(10)的方法，其包括下述步驟: 提供基底； 溶液沉積量子納米材料層(14)在所述基底上，所述量子納米材料層(14)包括多個量子納米材料(22)，所述多個量子納米材料(22)的每個量子納米材料(22)包括配體涂層(24);和 施加薄膜氧化物層(16)在所述量子納米材料層(14)上。
2.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基底包括半導體材料。
3.權(quán)利要求1或2任一項所述的方法，其中所述半導體材料包括鍺(12)。
4.權(quán)利要求1-3任一項所述的方法，進一步包括在所述溶液沉積步驟之前硫鈍化所述基底的步驟。
5.權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其中所述基底包括金屬箔和聚合物膜的至少一種。
6.權(quán)利要求1-5任一項所述的方法，其中所述多個量子納米材料(14)為多個量子點(22)，并且其中所述多個量子點(22)的每個量子點(22)包括錫-碲化物和鉛-錫-碲化物的至少一種。
7.權(quán)利要求1-6任一項所述的方法，其中所述多個量子納米材料(14)包括錫-碲化物；其中所述多個量子納米材料(14)的最大橫截面尺寸在約15納米和約50納米之間。
8.權(quán)利要求1-6任一項所述的方法，其中所述多個量子納米材料(14)包括鉛-錫-碲化物；其中所述多個量子納米材料(14)的最大橫截面尺寸為至少約7.5納米。
9.權(quán)利要求1-8任一項所述的方法，其中所述配體涂層(24)包括下述至少一種: 1.)金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物，其中所述金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物包括錫和過渡金屬的至少一種；和 i1.)錫-硫化物、錫-硒化物和錫-碲化物的至少一種。
10.權(quán)利要求1-8任一項所述的方法，其中所述配體涂層(24)包括金屬鹵化物配體。
11.權(quán)利要求1-10任一項所述的方法，其中所述薄膜氧化物層(16)通過溶液沉積法施加。
12.權(quán)利要求1-11任一項所述的方法，其中所述薄膜氧化物層(16)包括無定形氧化物半導體。
13.權(quán)利要求1-12任一項所述的方法，進一步包括施加第一接觸層(18)在所述薄膜氧化物層(16)上的步驟。
14.權(quán)利要求1-13任一項所述的方法，進一步包括施加第二接觸層(20)在所述基底上的步驟。
15.光電二極管,包括: 基底； 位于所述基底上的溶液澆鑄的量子納米材料層(14)，所述溶液澆鑄的量子納米材料層(14)包括包含配體涂層(24)的錫-碲化物量子納米材料(22)，其中所述配體涂層(24)包括金屬鹵化物配體和金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物的至少一種，其中所述金屬硫?qū)僭鼗锝j(luò)合物包括錫和過渡金屬的至少一種；和 在所述溶液澆鑄的量子納米材料層(14)上的薄膜氧化物層(16)。
【文檔編號】H01L31/18GK103545396SQ201310301655
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年7月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月16日
【發(fā)明者】L·E·尤里斯, G·M·格朗杰, K·J·戴維斯, N·L·阿波哥, P·D·布瑞維爾, B·諾守 申請人:波音公司