基底和斷裂準(zhǔn)備至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基底和斷裂準(zhǔn)備至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底的方法，該方法具有以下方法步驟：a）提供基底（1），其中，基底（1）具有不導(dǎo)電的絕緣材料體（2），b）在絕緣材料體（2）上沿著基底（1）的期望的斷裂棱邊（A、B、C、D、E）進(jìn)行材料剝除，其中，材料剝除以如下方式執(zhí)行，即，在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊（A、B、C、D、E）相會(huì)的角區(qū)域（14）中執(zhí)行相對(duì)于在期望的斷裂棱邊（A、B、C、D、E）的其余區(qū)域（17）中所執(zhí)行的材料剝除更高度的材料剝除。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)在斷裂用于至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底（1）時(shí)減少在絕緣材料體（2）上的不期望的裂縫。
【專利說(shuō)明】基底和斷裂準(zhǔn)備至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種斷裂準(zhǔn)備至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底的方法。此外本發(fā)明還涉及一種與之相關(guān)的基底。
【背景技術(shù)】
[0002]在由現(xiàn)有技術(shù)公知的功率半導(dǎo)體模塊中，功率半導(dǎo)體構(gòu)件，例如功率半導(dǎo)體開關(guān)和二極管通常布置在基底上，并且借助基底的導(dǎo)體層、絲焊和/或復(fù)合薄膜彼此導(dǎo)電連接。功率半導(dǎo)體開關(guān)在此通常以晶體管，例如IGBTs(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)或 M0SFETs(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)形式，或以半導(dǎo)體閘流管形式存在。
[0003]布置在基底上的功率半導(dǎo)體構(gòu)件在此經(jīng)常與單個(gè)或多個(gè)所謂的半橋電路電接通，該半橋電路通常用于電壓和電流的直流整流和交流整流。基底通常與冷卻體直接或間接連結(jié)。
[0004]為了制造功率半導(dǎo)體模塊將功率半導(dǎo)體構(gòu)件布置在基底上并且與該基底連接。基底在此可以例如以DCB基底的形式存在?；拙哂薪Y(jié)構(gòu)化的導(dǎo)電金屬層，該金屬層由于其結(jié)構(gòu)構(gòu)造出導(dǎo)體軌跡。功率半導(dǎo)體構(gòu)件經(jīng)由導(dǎo)體軌跡彼此連接，從而使得流過(guò)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的、可能具有很高電流強(qiáng)度的負(fù)載電流也流過(guò)導(dǎo)電金屬層的導(dǎo)體軌跡。為了制造DCB基底根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)例如將統(tǒng)一厚度的金屬板材壓焊到通常由陶瓷構(gòu)成的不導(dǎo)電的絕緣材料體上，并緊接著由該金屬板材蝕刻出導(dǎo)體軌跡結(jié)構(gòu)。
[0005]基底通常制造成較大單元的形式，其緊接著通過(guò)斷裂被分開成基底單個(gè)單元?；讍蝹€(gè)單元例如分別形成用于功率半導(dǎo)體模塊的基底。基底的斷裂在此既可以在功率半導(dǎo)體構(gòu)件與基底連接之前也可以在功率半導(dǎo)體構(gòu)件與基底連接之后進(jìn)行。
[0006]在現(xiàn)有技術(shù)中，在斷裂之前，借助激光射束在基底的絕緣材料體上沿著基底的期望的斷裂棱邊執(zhí)行恒定的材料剝除，并且因此基底和尤其是基底的絕緣材料體有針對(duì)性地沿著期望的斷裂棱邊機(jī)械地、統(tǒng)一地被削薄。在斷裂基底時(shí)，基底以如下方式被機(jī)械負(fù)載，即，在期望的斷裂棱邊上產(chǎn)生基底很高的機(jī)械負(fù)載，從而使得該基底沿著期望的斷裂棱邊斷裂。
[0007]在斷裂基底時(shí)出現(xiàn)的問(wèn)題是，在絕緣材料體上經(jīng)常在斷裂棱邊上并且尤其是在角區(qū)域中產(chǎn)生不期望的裂縫，并且因此基底不能使用，這是因?yàn)椴辉倌艽_保其電絕緣性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的任務(wù)是，在用于至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底斷裂時(shí)，減少在基底的絕緣材料體上的裂縫。
[0009]該任務(wù)通過(guò)一種斷裂準(zhǔn)備至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底的方法來(lái)解決，該方法具有以下方法步驟:
[0010]a)提供基底，其中，基底具有不導(dǎo)電的絕緣材料體，[0011]b)在絕緣材料體上沿著基底的期望的斷裂棱邊進(jìn)行材料剝除，其中，材料剝除以如下方式執(zhí)行，即，在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域中執(zhí)行相對(duì)于在期望的斷裂棱邊的其余區(qū)域中所執(zhí)行的材料剝除更高度的材料剝除。
[0012]此外，該任務(wù)通過(guò)用于至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底來(lái)解決，其中，基底具有不導(dǎo)電的絕緣材料體，其中，沿著基底的期望的斷裂棱邊，絕緣材料體的材料被剝除，其中，在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域中沿著期望的斷裂棱邊比在其余區(qū)域中沿著期望的斷裂棱邊每長(zhǎng)度單位剝除更多的材料。
[0013]本發(fā)明有利的構(gòu)造方式由從屬權(quán)利要求得出。
[0014]方法的有利構(gòu)造方式類似于基底有利的構(gòu)造方式得出，反之亦然。
[0015]被證明有利的是，材料剝除借助激光射束來(lái)執(zhí)行，這是因?yàn)榧す馍涫軌驅(qū)崿F(xiàn)在絕緣材料體上的特別地可變且可靠的材料剝除。
[0016]此外，被證明有利的是，材料剝除借助脈沖式激光射束來(lái)執(zhí)行,并且該脈沖式激光射束為了實(shí)現(xiàn)材料剝除沿著期望的斷裂棱邊將凹部引入絕緣材料體中，這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)引入凹部可以簡(jiǎn)單的方式和方法實(shí)現(xiàn)可變且與絕緣材料體協(xié)調(diào)的材料剝除。
[0017]此外，被證明有利的是，激光射束在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域中比在期望的斷裂棱邊的其余區(qū)域中沿著期望的斷裂棱邊每長(zhǎng)度單位將更多的凹部引入絕緣材料體中。
[0018]通過(guò)這種措施，可以簡(jiǎn)單的方式和方法實(shí)現(xiàn)可變且與絕緣材料體協(xié)調(diào)的材料剝除。
[0019]此外，被證明有利的是，脈沖式激光射束以如下方式將凹部引入絕緣材料體中，即，在第一分方法步驟中，激光射束沿著基底的期望的斷裂棱邊將第一凹部引入絕緣材料體中，而在第二分方法步驟中，激光射束在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域中沿著期望的斷裂棱邊將第二凹部引入絕緣材料體中。由此可以特別簡(jiǎn)單的方式和方法實(shí)現(xiàn)沿著期望的斷裂棱邊的可變的材料剝除。
[0020]此外，被證明有利的是，第一和第二凹部以如下方式布置，S卩，第一和第二凹部的中心在位置上一致，或第一和第二凹部的中心彼此錯(cuò)開地布置。由此可以特別簡(jiǎn)單的方式和方法實(shí)現(xiàn)對(duì)材料剝除程度的準(zhǔn)確的控制。
[0021]此外，被證明有利的是，激光射束在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域中的功率比激光射束在期望的斷裂棱邊的其余區(qū)域中的功率高。通過(guò)激光射束在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域中的功率提高，可以特別簡(jiǎn)單的方式和方法實(shí)現(xiàn)沿著期望的斷裂棱邊的可變的材料剝除。
[0022]此外，被證明有利的是，在第一和第二分方法步驟中，激光射束具有相同的功率，這是因?yàn)橛谑钱a(chǎn)生激光射束的激光射束產(chǎn)生裝置可以特別簡(jiǎn)單地構(gòu)建。
[0023]此外，被證明有利的是一種用于斷裂用于至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底的方法，其中，該方法包含根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的斷裂準(zhǔn)備至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底的方法，其中，執(zhí)行以下另一方法步驟:
[0024]c)沿著基底的期望的斷裂棱邊斷裂基底。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0025]在附圖中示出本發(fā)明的實(shí)施例并且接下來(lái)對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡釋。其中:
[0026]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的基底的示意性俯視圖；
[0027]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的基底的第一構(gòu)造方式的示意性截面圖；
[0028]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的基底的另一構(gòu)造方式的示意性截面圖；
[0029]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的基底的另一構(gòu)造方式的示意性截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]在圖1中示出了根據(jù)本發(fā)明的基底I的示意性俯視圖。在圖2中示出了根據(jù)本發(fā)明的基底I的第一構(gòu)造方式沿著期望的斷裂棱邊A的示意性截面圖。在所描述的實(shí)施例的框架內(nèi)，基底I構(gòu)造為DCB基底，但是它也可以構(gòu)造為其他基底類型。
[0031]在本實(shí)施例的框架內(nèi)，基底I具有不導(dǎo)電的絕緣材料體2和布置在該絕緣材料體2上的導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)化的導(dǎo)體層16，該導(dǎo)體層由于其結(jié)構(gòu)構(gòu)造出電導(dǎo)體軌跡3?；譏優(yōu)選具有另一個(gè)導(dǎo)電的導(dǎo)體層，其中，絕緣材料體2布置在結(jié)構(gòu)化的導(dǎo)體層16與另一個(gè)導(dǎo)體層之間。在功率半導(dǎo)體模塊成品中，在另一個(gè)導(dǎo)體層上通常布置有用于冷卻布置在基底I上的功率半導(dǎo)體構(gòu)件的冷卻體。結(jié)構(gòu)化的導(dǎo)體層16和另一個(gè)導(dǎo)體層例如可以由銅構(gòu)成。不導(dǎo)電的絕緣材料體2優(yōu)選由陶瓷構(gòu)成。
[0032]在本實(shí)施例中，基底I應(yīng)該通過(guò)將基底I斷裂分開成基底單個(gè)單元4a和4b。基底單個(gè)單元4a和4b分別形成例如用于功率半導(dǎo)體模塊的基底。基底I的斷裂在此既可以在功率半導(dǎo)體構(gòu)件與基底I連接之前也可以在功率半導(dǎo)體構(gòu)件與基底I連接之后進(jìn)行。
[0033]在本實(shí)施例中，基底I具有兩個(gè)在還沒(méi)有分開狀態(tài)下的基底單個(gè)單元4a和4b，其中，基底單個(gè)單元4a和4b具有各兩個(gè)導(dǎo)體軌跡3?；讍蝹€(gè)單元4a和4b視專業(yè)而定也被稱為所謂的分板(Nutzen)。
[0034]因此，在根據(jù)本發(fā)明的第一方法步驟中提供基底I。
[0035]在根據(jù)本發(fā)明的另一方法步驟中，在絕緣材料體I上沿著使用者期望的基底I的斷裂棱邊A、B、C、D和E進(jìn)行材料剝除，其中，材料剝除以如下方式來(lái)執(zhí)行，即，在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域14中，執(zhí)行相對(duì)于在期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E的其余區(qū)域17中所執(zhí)行的材料剝除更高度的材料剝除。期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E優(yōu)選環(huán)繞基底單個(gè)單元4a和4b或在基底單個(gè)單元4a與4b之間分布。角區(qū)域14在圖1中用黑色標(biāo)記示出。期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E的其余區(qū)域17在本實(shí)施例中表示期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E在角區(qū)域14之間的區(qū)域和期望的斷裂棱邊C和E在角區(qū)域14與絕緣材料體2的外棱邊21之間的區(qū)域。在材料剝除中，材料從絕緣材料體2上被剝除并且由此該絕緣材料體沿著期望的斷裂棱邊機(jī)械地被削薄。本發(fā)明的特征尤其在于，沿著期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E不以現(xiàn)有技術(shù)的方式在期望的斷裂棱邊的整個(gè)長(zhǎng)度上執(zhí)行恒定的材料剝除，而是在角區(qū)域14中執(zhí)行相對(duì)于期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E的其余區(qū)域17更高度的材料剝除。
[0036]因此，基底I和尤其是絕緣材料體2的機(jī)械削薄在角區(qū)域14中比在期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E的其余區(qū)域17中更強(qiáng)烈。在基底I稍后的斷裂中，基底I根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)被機(jī)械負(fù)載，使得在期望的斷裂棱邊上產(chǎn)生基底的很高的機(jī)械負(fù)載，從而基底沿著期望的斷裂棱邊斷裂并且產(chǎn)生與期望的斷裂棱邊相應(yīng)的真實(shí)的斷裂棱邊。通過(guò)在本發(fā)明中使基底I和尤其是絕緣材料體2在角區(qū)域14中比在期望的斷裂棱邊的其余區(qū)域17中更強(qiáng)烈地削薄，在基底I斷裂時(shí)斷裂擴(kuò)展通常從角區(qū)域14開始沿著各斷裂棱邊朝向斷裂棱邊中部的方向進(jìn)行。在此，絕緣材料體2在斷裂棱邊上僅產(chǎn)生非常少的裂縫，也就是說(shuō)，比根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)將絕緣材料體2沿著整個(gè)斷裂棱邊恒定地削薄產(chǎn)生明顯更少的裂縫。
[0037]材料剝除的程度與沿著期望的斷裂棱邊每長(zhǎng)度單位剝除掉的材料的量相應(yīng)，其中，長(zhǎng)度單位例如可以是1cm。
[0038]材料剝除優(yōu)選借助激光射束20來(lái)執(zhí)行，該激光射束在圖2中用箭頭示意性示出。但是備選地，材料剝除也可以借助銑削、磨削、鋸削或鉆削來(lái)實(shí)現(xiàn)。激光射束20由激光射束產(chǎn)生裝置19來(lái)產(chǎn)生。
[0039]在圖2中示出了根據(jù)本發(fā)明的基底I的第一構(gòu)造方式的示意性截面圖。激光射束產(chǎn)生裝置19產(chǎn)生連續(xù)的激光射束。激光射束20沿著基底I的期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E在基底I上引導(dǎo)并且以這種方式在絕緣材料體2上實(shí)現(xiàn)材料剝除。在此，在期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E的角區(qū)域14中，激光射束20的功率相對(duì)于激光射束在期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E的其余區(qū)域17中所具有的功率提高并且進(jìn)而在角區(qū)域14中的材料剝除提高。作為備選如下也是可行的，即，激光射束20的功率沿著整個(gè)斷裂棱邊并不改變，而是取而代之地，激光射束20在期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E的角區(qū)域14中沿著期望的斷裂棱邊運(yùn)動(dòng)的速度相對(duì)于激光射束20在期望的斷裂棱邊的其余區(qū)域17中沿著期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E運(yùn)動(dòng)的速度減小。
[0040]在圖3中示出了根據(jù)本發(fā)明的基底I的另一構(gòu)造方式沿著期望的斷裂棱邊A的示意性截面圖。與本發(fā)明根據(jù)圖2的構(gòu)造方式不同，在本發(fā)明根據(jù)圖3的構(gòu)造方式中，材料剝除借助脈沖式激光射束來(lái)執(zhí)行，并且該脈沖式激光射束為了實(shí)現(xiàn)材料剝除沿著期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E將凹部引入絕緣材料體2中。在圖3中為了清楚起見(jiàn)僅第一凹部18和第二凹部18’設(shè)有附圖標(biāo)記。凹部?jī)?yōu)選具有大致呈錐形的形狀，其在圖3中作為錐形示意性示出。凹部具有各一個(gè)中心M。在本實(shí)施例中，每一個(gè)激光脈沖都產(chǎn)生一個(gè)凹部。優(yōu)選地，激光射束20在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域中比在期望的斷裂棱邊的其余區(qū)域中沿著期望的斷裂棱邊每長(zhǎng)度單位將更多的凹部引入絕緣材料體中。凹部?jī)?yōu)選由脈沖式激光射束引入絕緣材料體中，其方法是在第一分方法步驟中激光射束將第一凹部沿著基底的期望的斷裂棱邊引入絕緣材料體中，而在第二分方法步驟中激光射束在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域14中沿著期望的斷裂棱邊將第二凹部引入絕緣材料體中。第一和第二凹部的中心M在此沿著各斷裂棱邊彼此錯(cuò)開地布置，其中，直接相鄰的第一和第二凹部的中心M彼此之間可以具有任意的間距，從而使得第一和第二凹部也可以彼此交疊或也可以彼此完全分開。通過(guò)附加地引入第二凹部，在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域中所執(zhí)行的材料剝除相對(duì)于在期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E的其余區(qū)域17中所執(zhí)行的材料剝除提聞。
[0041]備選地，激光射束20在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域14中比在期望的斷裂棱邊的其余區(qū)域中可以通過(guò)如下方法沿著期望的斷裂棱邊每長(zhǎng)度單位將更多的凹部引入絕緣材料體中，即，激光射束在角區(qū)域中的脈沖頻率相對(duì)于激光射束20在期望的斷裂棱邊的其余區(qū)域17中的脈沖頻率提高，或者激光射束20在期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E的角區(qū)域14中沿著期望的斷裂棱邊運(yùn)動(dòng)的速度相對(duì)于激光射束20在期望的斷裂棱邊的其余區(qū)域17中沿著期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E運(yùn)動(dòng)的速度減小。[0042]在圖4中示出了根據(jù)本發(fā)明的基底I的另一構(gòu)造方式沿著期望的斷裂棱邊A的示意性截面圖。根據(jù)圖4的實(shí)施例與根據(jù)圖3的實(shí)施例相應(yīng)，其中，與根據(jù)圖3的實(shí)施例不同，在根據(jù)圖4的實(shí)施例中第一和第二凹部被如此地布置，即，第一和第二凹部的中心在位置上一致，從而使得第一和第二凹部合并成總凹部。在圖4中為了清楚起見(jiàn)僅總凹部18’ ’設(shè)有附圖標(biāo)記。
[0043]在本發(fā)明根據(jù)圖3和圖4的構(gòu)造方式中，激光射束在第一和第二分方法步驟中具有相同的功率。但是顯然，在本發(fā)明根據(jù)圖3和圖4的構(gòu)造方式中如下也是可行的，即，激光射束在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域14中的功率比激光射束在期望的斷裂棱邊的其余區(qū)域17中的功率高。例如通過(guò)這種措施，第二凹部的大小相對(duì)于第一凹部的大小可以增大。
[0044]備選地，引入凹部以便產(chǎn)生圖4所示的凹部根據(jù)本發(fā)明也可以通過(guò)如下方法進(jìn)行，即，材料剝除借助如下脈沖式激光射束來(lái)執(zhí)行，并且該脈沖式激光射束為了實(shí)現(xiàn)材料剝除沿著期望的斷裂棱邊將凹部引入絕緣材料體2中，其中，激光射束在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域中的功率比激光射束在期望的斷裂棱邊的其余區(qū)域中的功率高，從而使得布置在角區(qū)域14中的凹部比布置在其余區(qū)域中的凹部更大。
[0045]在本實(shí)施例的框架內(nèi)，緊接著進(jìn)行基底I沿著基底I的期望的斷裂棱邊A、B、C、D和E的斷裂。在斷裂基底時(shí)，基底以如下方式被機(jī)械負(fù)載，即，在期望的斷裂棱邊上產(chǎn)生基底的很高的機(jī)械負(fù)載，從而使得該基底沿著期望的斷裂棱邊斷裂?；譏的斷裂在此既可以在功率半導(dǎo)體構(gòu)件與基底I連接之前也可以功率半導(dǎo)體構(gòu)件與基底I連接之后進(jìn)行。在斷裂時(shí)，在本實(shí)施例中首先將側(cè)邊部分10和13斷掉，然后將側(cè)邊部分11和12斷掉，并且緊接著將基底沿著期望的斷裂棱邊D斷裂，并以這種方式將基底分開成第一和第二基底單個(gè)單兀4a和4b。
[0046]在這里需要說(shuō)明的是，在附圖中相同的元件設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。
[0047]此外，在這里需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中角區(qū)域沿著期望的斷裂棱邊分布的長(zhǎng)度b優(yōu)選是在期望的斷裂棱邊的相鄰的兩個(gè)角點(diǎn)30之間沿著期望的斷裂棱邊分布的間距a的
0.5%至30% (參見(jiàn)圖1)，其中，在所述相鄰的兩個(gè)角點(diǎn)30處，至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相
A
ο
【權(quán)利要求】
1.一種斷裂準(zhǔn)備至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底(I)的方法，其具有以下方法步驟: a )提供所述基底(I)，其中，所述基底(I)具有不導(dǎo)電的絕緣材料體(2 )， b)在所述絕緣材料體(2)上沿著所述基底(I)的期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)進(jìn)行材料剝除，其中，材料剝除以如下方式執(zhí)行，即，在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)相會(huì)的角區(qū)域(14)中執(zhí)行相對(duì)于在期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)的其余區(qū)域(17)中所執(zhí)行的材料剝除更高度的材料剝除。
2.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，所述材料剝除借助激光射束(20)來(lái)執(zhí)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述材料剝除借助脈沖式激光射束(20)來(lái)執(zhí)行，并且所述脈沖式激光射束(20)為了實(shí)現(xiàn)所述材料剝除沿著所述期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)將凹部(18、18，、18’’ )引入所述絕緣材料體(2)中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光射束(20)在所述至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊相會(huì)的角區(qū)域(14)中比在所述期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)的其余區(qū)域(17)中沿著所述期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)每長(zhǎng)度單位將更多的凹部(18、18’ )引入所述絕緣材料體(2)中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述脈沖式激光射束(20)以如下方式將所述凹部(18、18’、18’’)引入所述絕緣材料體(2)中，即，在第一分方法步驟中，所述激光射束(20)沿著所述基底(I)的期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)將第一凹部(18)引入所述絕緣材料體(2)中，而在第二分方法步驟中，所述激光射束(20)在所述至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)相會(huì)的角區(qū)域(14)中沿著期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)將第二凹部(18’ )引入所述絕緣材料體(2)中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一和第二凹部(18、18’)以如下方式布置，即，所述第一和第二凹部(18、18’ )的中心(M)在位置上一致，或所述第一和第二凹部(18、18’ )的中心(M)彼此錯(cuò)開地布置。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至6之一所述的方法，其特征在于，所述激光射束(2)在所述至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)相會(huì)的角區(qū)域(14)中的功率比所述激光射束(20)在所述期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)的其余區(qū)域(17)中的功率高。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其特征在于，在所述第一和第二分方法步驟中，所述激光射束(20)具有相同的功率。
9.一種用于斷裂至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底的方法，其中，所述方法包含根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的斷裂準(zhǔn)備至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底的方法，其中，所述用于斷裂至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底的方法具有以下另一方法步驟: c)沿著所述基底(I)的期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)斷裂所述基底(I)。
10.一種用于至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的基底，其中，所述基底(I)具有不導(dǎo)電的絕緣材料體(2)，其中，沿著所述基底(I)的期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)，所述絕緣材料體(2)的材料被剝除，其中，在至少兩個(gè)期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)相會(huì)的角區(qū)域(14)中沿著期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)比在其余區(qū)域中沿著期望的斷裂棱邊(A、B、C、D、E)每長(zhǎng)度單位剝除更多的材料。
【文檔編號(hào)】H01L21/301GK103545195SQ201310291734
【公開日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2013年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月11日
【發(fā)明者】諾貝特·克勞斯, 格奧爾格·泰斯 申請(qǐng)人:賽米控電子股份有限公司