技術(shù)編號：7260511
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種，該方法具有以下方法步驟a）提供基底（1），其中，基底（1）具有不導電的絕緣材料體（2），b）在絕緣材料體（2）上沿著基底（1）的期望的斷裂棱邊（A、B、C、D、E）進行材料剝除，其中，材料剝除以如下方式執(zhí)行，即，在至少兩個期望的斷裂棱邊（A、B、C、D、E）相會的角區(qū)域（14）中執(zhí)行相對于在期望的斷裂棱邊（A、B、C、D、E）的其余區(qū)域（17）中所執(zhí)行的材料剝除更高度的材料剝除。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)在斷裂用于至少一個功率半導體構(gòu)件的基底（1）時減...
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