薄膜晶體管基底及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管基底及其制造方法。薄膜晶體管基底包括：基礎(chǔ)基底；有源圖案，設(shè)置在基礎(chǔ)基底上，并且包括源電極、漏電極以及設(shè)置在源電極和漏電極之間的包括氧化物半導(dǎo)體的溝道；柵極絕緣圖案，設(shè)置在有源圖案上；柵電極，設(shè)置在柵極絕緣圖案上并且與溝道疊置；光阻擋圖案，設(shè)置在基礎(chǔ)基底和有源圖案之間。
【專利說(shuō)明】薄膜晶體管基底及其制造方法【技術(shù)領(lǐng)域】[0001]本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種薄膜晶體管基底和一種制造該薄膜晶體管基底的方法。更具體地講，本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種包括氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管基底和一種制造該薄I吳晶體管基底的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管用于諸如平板顯示器的各種電子裝置。例如，薄膜晶體管用作包括液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器或電泳顯示器等在內(nèi)的平板顯示器中的開關(guān)器件或驅(qū)動(dòng)元件。
[0003]薄膜晶體管包括柵電極、源電極、漏電極以及形成源電極和漏電極之間的溝道的溝道層。溝道層包括半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層包括非晶硅、多晶硅或氧化物半導(dǎo)體等。
[0004]非晶硅的電子遷移率相對(duì)低，可以為大約IcmVV至大約10cm2/V，從而包括非晶硅的薄膜晶體管具有相對(duì)低的驅(qū)動(dòng)特性。相反，多晶硅的電子遷移率相對(duì)高，可以為大約IOcmVV至大約數(shù)百cm2/V。然而，需要晶化工藝來(lái)形成多晶硅。因此，難以在大尺寸基底上形成均勻的多晶硅層，并且?guī)?lái)的制造成本高。
[0005]氧化物半導(dǎo)體可以通過(guò)低溫工藝來(lái)形成，并且氧化物半導(dǎo)體可以容易被大規(guī)?；铱梢跃哂懈叩碾娮舆w移率。因此，正在積極地對(duì)包括氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管展開研究。
[0006]薄膜晶體管的柵電極可以與源電極或漏電極形成寄生電容。寄生電容會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)信號(hào)或柵極信號(hào)的信號(hào)延遲。因此，為了實(shí)現(xiàn)分辨率高且尺寸大的顯示面板，需要減小寄生電容。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種能夠改善氧化物半導(dǎo)體的電特性的薄膜晶體
管基底。
[0008]本發(fā)明的示例性實(shí)施例還提供了一種制造薄膜晶體管基底的方法。
[0009]本發(fā)明的附加特征將在下面的描述中進(jìn)行闡述，部分地通過(guò)描述將是清楚的，或者可通過(guò)對(duì)發(fā)明的實(shí)踐而了解。
[0010]本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開了一種薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底包括:基礎(chǔ)基底；有源圖案，設(shè)置在基礎(chǔ)基底上，并且包括源電極、漏電極以及設(shè)置在源電極和漏電極之間的包括氧化物半導(dǎo)體的溝道；柵極絕緣圖案，設(shè)置在有源圖案上；柵電極，設(shè)置在柵極絕緣圖案上并且與溝道疊置；光阻擋圖案，設(shè)置在基礎(chǔ)基底和有源圖案之間。
[0011]本發(fā)明的示例性實(shí)施例還公開了一種制造薄膜晶體管基底的方法。在該方法中，形成氧化物半導(dǎo)體層。將氧化物半導(dǎo)體層圖案化以形成氧化物半導(dǎo)體圖案。在氧化物半導(dǎo)體圖案上順序地形成柵極絕緣層和柵極金屬層。將柵極金屬層圖案化以形成柵電極。將柵極絕緣層圖案化以形成柵極絕緣圖案，從而使氧化物半導(dǎo)體圖案的一部分暴露。使氧化物半導(dǎo)體圖案的被暴露的部分還原以形成源電極和漏電極，源電極和漏電極包括金屬。
[0012]將要理解的是，前述總體的描述和后面詳細(xì)的描述都是示例性的和解釋性的，并且意圖對(duì)所保護(hù)的發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]附圖示出了發(fā)明的實(shí)施例，并且與描述一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理，其中，包括附圖來(lái)提供對(duì)發(fā)明進(jìn)一步的理解，并且將附圖包含在本說(shuō)明書中并且使附圖構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分。
[0014]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的薄膜晶體管基底的平面圖。
[0015]圖2是沿著圖1的Ι-1`線截取的剖視圖。 [0016]圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10和圖11是示出了制造圖1和圖2中示
出的薄膜晶體管基底的方法的剖視圖。
[0017]圖12、圖13、圖14、圖15和圖16是示出了根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的制造薄膜晶體管基底的方法的剖視圖。
[0018]圖17、圖18、圖19、圖20和圖21是示出了根據(jù)本發(fā)明又一示例性實(shí)施例的制造薄膜晶體管基底的方法的剖視圖。
[0019]圖22是圖20中示出的薄膜晶體管基底的光阻擋圖案的平面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]在下文中參照附圖更充分地描述發(fā)明，附圖中示出了發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開是徹底的，并且這些實(shí)施例將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)發(fā)明范圍。在附圖中，為了清晰起見，可能會(huì)夸大層、區(qū)域、膜、面板等的尺寸和相對(duì)尺寸。同樣的標(biāo)號(hào)指示同樣的元件。
[0021]將理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作“在”另一元件“上”或“連接到”另一元件時(shí)，該元件可以直接在所述另一元件上或直接連接到所述另一元件，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件“上”或“直接連接到”另一元件時(shí)，并不存在中間元件。將理解，出于本公開的目的，“x、Y和Z中的至少一個(gè)(種)”可以被解釋為只有X、只有Y、只有Z或者兩項(xiàng)或更多項(xiàng)X、Y和Z的任意組合(例如，ΧΥΖ、ΧΥΥ、TL、ΖΖ)。
[0022]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的薄膜晶體管基底的平面圖。圖2是沿著圖1的1-1’線截取的剖視圖。
[0023]參照?qǐng)D1和圖2，薄膜晶體管基底100包括基礎(chǔ)基底110、柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和有源圖案120。
[0024]柵極線GL在平面圖中沿第一方向Dl延伸，數(shù)據(jù)線DL沿與第一方向Dl交叉的第二方向D2延伸。第一方向Dl可以基本垂直于第二方向D2。
[0025]柵極線GL電連接到柵電極GE。柵電極GE可以沿第二方向D2從柵極線GL突出。
[0026]在示例性實(shí)施例中，柵極線GL和柵電極GE可以具有多層結(jié)構(gòu)。具體地講，柵極線GL和柵電極GE包括上覆蓋層182、下覆蓋層186以及設(shè)置在上覆蓋層182和下覆蓋層186之間的金屬層184。[0027]上覆蓋層182和下覆蓋層186包括氧化物，并且可以具有比金屬層184的莫氏硬度(Moh’s hardness)值大的莫氏硬度值，以在使用刷子的清潔工藝中保護(hù)金屬層184。例如，上覆蓋層182和下覆蓋層186的莫氏硬度的值可以等于或大于大約4.0。所述氧化物可以包括氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化鎵鋅(GZO)和氧化鋅鋁(ZAO)中的至少一種。
[0028]在示例性實(shí)施例中，金屬層184可以包括銅，上覆蓋層182和下覆蓋層186可以包括 ΙΖ0。
[0029]可選擇地，柵極線GL可以具有包括銅、銀、鉻、鑰、鋁、鈦、錳或它們的合金的單層結(jié)構(gòu)，或者可以具有包括不同材料的多層結(jié)構(gòu)。柵極線可以包括銅層和設(shè)置在銅層上和/或下的鈦層。
[0030]有源圖案120包括溝道122、源電極124和漏電極126。溝道122、源電極124和漏電極126由同一層形成以連續(xù)地設(shè)置在同一層中。溝道122設(shè)置在源電極124和漏電極126之間。
[0031]溝道122與柵電極GE疊置。柵電極GE可以設(shè)置在溝道122上。柵極絕緣圖案160可以設(shè)置在柵電極GE和溝道122之間。柵極絕緣圖案160可以在柵極線GL下方延伸。因此，在平面圖中，柵極絕緣圖案160可以具有與柵電極GE和柵極線GL的尺寸和形狀基本相同的尺寸和形狀。
[0032]在示例性實(shí)施例中，柵極絕緣圖案160可以具有多層結(jié)構(gòu)。柵極絕緣圖案160可以包括上柵極絕緣圖案162和下柵極絕緣圖案164,下絕緣圖案164包括與上柵極絕緣圖案162的材料不同的材料?？蛇x擇地，柵極絕緣圖案160可以具有包括絕緣材料的單層結(jié)構(gòu)(未示出)。
[0033]在示例性實(shí)施例中，薄膜晶體管基底100還可以包括電連接到漏電極126的像素電極PE。
[0034]數(shù)據(jù)線DL形成在基礎(chǔ)基底110上，與源電極124分隔開，并且電連接到源電極124。數(shù)據(jù)線DL可以通過(guò)連接電極130電連接到源電極124。在示例性實(shí)施例中，與柵極線GL基本相似，數(shù)據(jù)線DL具有多層結(jié)構(gòu)。數(shù)據(jù)線DL可以包括上覆蓋層172、下覆蓋層176以及設(shè)置在上覆蓋層172和下覆蓋層176之間的金屬層174。上覆蓋層172和下覆蓋層176可以包括氧化物。
[0035]在示例性實(shí)施例中，金屬層174可以包括銅，上覆蓋層172和下覆蓋層176可以包括ΙΖ0?？蛇x擇地，數(shù)據(jù)線DL可以為具有包括不同材料的多個(gè)金屬層的多層結(jié)構(gòu)或者為單層金屬結(jié)構(gòu)(未不出)。
[0036]在示例性實(shí)施例中，柵極線GL、柵電極GE和數(shù)據(jù)線DL可以具有大的錐形角(taperangle),以增大顯示基底的開口率。柵極線GL、柵電極GE和數(shù)據(jù)線DL可以具有等于或大于大約60°的錐形角。該錐形角可以等于或大于大約70°。
[0037]數(shù)據(jù)絕緣層113形成在基礎(chǔ)基底110上以覆蓋數(shù)據(jù)線DL。第一平坦化層115設(shè)置在數(shù)據(jù)絕緣層113上。
[0038]在示例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線DL可以具有相對(duì)大的錐形角和厚度以減少信號(hào)延遲，這會(huì)在基礎(chǔ)基底上造成大的階梯部分。第一平坦化層115使基礎(chǔ)基底110的上表面平坦化，從而可以防止由階梯部分帶來(lái)的諸如信號(hào)線斷開的問(wèn)題。第一平坦化層115可以是包括有機(jī)材料的絕緣層。[0039]溝道122、源電極124、漏電極126和柵電極GE形成薄膜晶體管。當(dāng)通過(guò)柵極線GL向柵電極GE施加?xùn)艠O信號(hào)時(shí)，溝道122變成電導(dǎo)體。因此，通過(guò)連接電極130、源電極124、溝道122和漏電極126將由數(shù)據(jù)線DL提供的數(shù)據(jù)信號(hào)傳遞到像素電極。
[0040]薄膜晶體管基底100還可以包括覆蓋薄膜晶體管和數(shù)據(jù)絕緣層113的鈍化層117以及覆蓋鈍化層117的第二平坦化層119。像素電極PE和連接電極130形成在第二平坦化層119上。
[0041]連接電極130通過(guò)穿過(guò)第二平坦化層119、鈍化層117、第一平坦化層115和數(shù)據(jù)絕緣層113形成的第一接觸孔CHl連接到數(shù)據(jù)線DL。此外，連接電極130通過(guò)穿過(guò)第二平坦化層119和鈍化層117形成的第二接觸孔CH2連接到源電極124。像素電極PE通過(guò)穿過(guò)第二平坦化層119和鈍化層117形成的第三接觸孔CH3連接到漏電極126。
[0042]光阻擋圖案140設(shè)置在溝道122下方。光阻擋圖案140覆蓋溝道122的下表面，以防止外部光穿過(guò)溝道122的下表面進(jìn)入溝道122。光阻擋圖案140可以與包括溝道122的有源圖案120的整個(gè)部分疊置。在示例性實(shí)施例中，光阻擋圖案140和有源圖案120可以利用同一掩模形成。按照這種方式，光阻擋圖案140的邊緣可以在平面圖中與有源圖案120的邊緣重合。因此，在平面圖中，光阻擋圖案140可以具有與有源圖案120的尺寸和形狀基本相同的尺寸和形狀。
[0043]可選擇地，光阻擋圖案140不僅可以與包括溝道的有源圖案120的整個(gè)部分疊置而且可以與柵電極GE的整個(gè)部分疊置。當(dāng)柵電極GE具有不與溝道122疊置的部分時(shí)，光阻擋圖案140不僅可以與溝道122自身疊置而且可以與柵電極GE的不與溝道122疊置的部分疊置。按照這種方式，在平面圖中，光阻擋圖案140可以具有比有源圖案120的尺寸大的尺寸。
[0044]在示例性實(shí)施例中，緩沖圖案150設(shè)置在光阻擋圖案140和有源圖案120之間。光阻擋圖案140可以形成在第一平坦化層115上。可選擇地，可以在光阻擋圖案140和第一平坦化層115之間形成包括諸如氧化硅或氮化硅的無(wú)機(jī)材料的絕緣層(未示出)。
[0045]圖3至圖11是示出了制造圖1和圖2中示出的薄膜晶體管基底的方法的剖視圖。
[0046]參照?qǐng)D3，在基礎(chǔ)基底110上形成數(shù)據(jù)金屬層270?；A(chǔ)基底110的示例可以包括玻璃基底、石英基底、硅基底或塑料基底等。
[0047]數(shù)據(jù)金屬層270包括上覆蓋層272、金屬層274和下覆蓋層276。上覆蓋層272和下覆蓋層276可以包括諸如IZO的氧化物，金屬層274可以包括諸如銅的金屬。金屬層274的厚度可以為大約I μ m至大約3 μ m。上覆蓋層272和下覆蓋層276可以具有比金屬層274的莫氏硬度值大的莫氏硬度值。例如，上覆蓋層272和下覆蓋層276的莫氏硬度值可以等于或大于大約4.0。
[0048]可以通過(guò)濺射工藝形成金屬層274，可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝等形成上覆蓋層272和下覆蓋層276。
[0049]參照?qǐng)D4，將數(shù)據(jù)金屬層270圖案化以形成數(shù)據(jù)線DL。
[0050]可以在上覆蓋層272上涂覆光致抗蝕劑組成物以形成具有與數(shù)據(jù)線DL對(duì)應(yīng)的形狀的光致抗蝕劑圖案。然后，順序地對(duì)沒有被光致抗蝕劑圖案覆蓋的上覆蓋層272、金屬層274和下覆蓋層276進(jìn)行蝕刻，以形成數(shù)據(jù)線DL。
[0051]可以利用相同的蝕刻劑在同一工藝中蝕刻上覆蓋層272、金屬層274和下覆蓋層276。因此，數(shù)據(jù)線DL可以具有相對(duì)大的錐形角，從而增大顯示基底的開口率。錐形角可以被定義為由數(shù)據(jù)線DL的下表面和側(cè)表面形成的角。優(yōu)選地，數(shù)據(jù)線DL的錐形角Θ可以等于或大于大約60°。
[0052]用于蝕刻劑的蝕刻組成物可以包括磷酸、硝酸、乙酸、銅鹽、氟化金屬酸(fluorometallic acid)、硝酸鹽、乙酸鹽和水。
[0053]數(shù)據(jù)線DL包括上覆蓋層172、下覆蓋層176以及設(shè)置在上覆蓋層172和下覆蓋層176之間的金屬層174。可以在蝕刻數(shù)據(jù)金屬層270之后或者在形成數(shù)據(jù)金屬層270之后用刷子清潔具有數(shù)據(jù)線DL的基礎(chǔ)基底110。因?yàn)榘ㄑ趸锏纳细采w層172的硬度比金屬層174的硬度大，所以可以防止因與刷子的摩擦引起的對(duì)金屬層174的損壞。此外，下覆蓋層176可以增強(qiáng)數(shù)據(jù)線DL與基礎(chǔ)基底110之間的粘附性。
[0054]參照?qǐng)D5，在基礎(chǔ)基底110上順序地形成數(shù)據(jù)絕緣層113、第一平坦化層115、光阻擋層240、緩沖層250和氧化物半導(dǎo)體層220。數(shù)據(jù)絕緣層113覆蓋數(shù)據(jù)線。在數(shù)據(jù)絕緣層113上設(shè)置第一平坦化層115。在第一平坦化層115上設(shè)置光阻擋層240。在光阻擋層240上設(shè)置緩沖層250。在緩沖層250上設(shè)置氧化物半導(dǎo)體層220。
[0055]在示例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線DL可以先于薄膜晶體管形成。此外，可以將數(shù)據(jù)線DL埋置在第一平坦化層115中。
[0056]在示例性實(shí)施例中，第一平坦化層115包括有機(jī)材料。因此，當(dāng)數(shù)據(jù)線DL接觸第一平坦化層115時(shí)，可能因例如金屬擴(kuò)散等而使數(shù)據(jù)線DL的電特性劣化。數(shù)據(jù)絕緣層113包括無(wú)機(jī)材料并且覆蓋數(shù)據(jù)線DL，以保護(hù)數(shù)據(jù)線DL。例如，數(shù)據(jù)絕緣層113可以包括氮化硅、氧化硅和氧化鋁中的至少一種，并且可以具有大約500A至大約2000人的厚度。
[0057]在數(shù)據(jù)絕緣層113上涂覆包括粘結(jié)劑用樹脂的組成物。例如，粘結(jié)劑用樹脂可以包括高耐熱性的樹脂，例如，丙烯酸類樹脂或酚醛樹脂等?？梢酝ㄟ^(guò)旋涂來(lái)涂覆該組成物?？梢酝ㄟ^(guò)熱或UV線使該組成物固化，以形成第一平坦化層115。第一平坦化層115可以足夠厚以使基礎(chǔ)基底的上表面平坦化。
[0058]可用于光阻擋層240的材料的示例可以包括金屬、合金、無(wú)機(jī)絕緣材料和有機(jī)絕緣材料中的至少一種。光阻擋層240可以包括氧化硅、硅鍺合金、鍺和氧化鈦中的至少一種。光阻擋層240可以包括硅鍺合金(SiGe)。在示例性實(shí)施例中，溝道可以包括氧化物半導(dǎo)體。該氧化物半導(dǎo)體特別容易受到因波長(zhǎng)不大于大約450nm的紫外輻射導(dǎo)致的損壞。硅鍺合金阻擋UV的能力高。因此，包括硅鍺合金的光阻擋層240可以有效地阻擋由光源等產(chǎn)生的紫外輻射，從而保護(hù)溝道。光阻擋層240的硅鍺合金可以具有非晶相。光阻擋層240可以具有包括硅鍺合金的單層結(jié)構(gòu)或者具有包括硅鍺合金層和鍺層的多層結(jié)構(gòu)(未示出)。鍺層可以設(shè)置在硅鍺合金層之上或之下。
[0059]光阻擋層240的厚度可以為大約100人至大約2000人。當(dāng)光阻擋層240的厚度小于大約100人時(shí)，光阻擋圖案的光阻擋能力會(huì)下降到使電特性劣化的程度。當(dāng)光阻擋層240的厚度大于大約2000A時(shí)，光阻擋圖案會(huì)與有源圖案120的源電極124或漏電極126形成電容，從而使信號(hào)傳播延遲。
[0060]光阻擋層240的厚度可以為大約600A至大約2000A。當(dāng)光阻擋層240的厚度不小于大約600A時(shí)，光阻擋圖案可以具有足夠高的光學(xué)密度。[0061]緩沖層250可以包括絕緣氧化物，該絕緣氧化物包括氧化硅、氧化鋁、氧化鉿和氧化釔中的至少一種。緩沖層250的厚度可以為大約500A至大約I μ m。
[0062]在緩沖層250上形成氧化物半導(dǎo)體層220。氧化物半導(dǎo)體層220可以包括金屬氧化物半導(dǎo)體。例如，金屬氧化物半導(dǎo)體可以包括鋅、銦、鎵、錫、鈦、磷或它們的組合的氧化物。金屬氧化物半導(dǎo)體可以包括氧化鋅(〖!!(^、氧化鋅錫^^乂氧化鋅銦^川乂氧化銦!:]:!^)、氧化鈦(TiO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)和氧化銦鋅錫(IZTO)中的至少一種。
[0063]可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝或溶液涂覆工藝等形成氧化物半導(dǎo)體層220。
[0064]參照?qǐng)D6，將氧化物半導(dǎo)體層220圖案化，以形成氧化物半導(dǎo)體圖案222。在氧化物半導(dǎo)體層220上形成光致抗蝕劑圖案PR之后，通過(guò)使用光致抗蝕劑圖案PR作為掩模來(lái)蝕刻氧化物半導(dǎo)體層220的被暴露的部分。因此，使緩沖層250的上表面部分地暴露。
[0065]然后，通過(guò)使用光致抗蝕劑圖案PR作為掩模來(lái)順序地蝕刻緩沖層250和光阻擋層240，以形成緩沖圖案150和光阻擋圖案140。隨后，去除光致抗蝕劑圖案PR。結(jié)果，氧化物半導(dǎo)體圖案222、緩沖圖案150和光阻擋圖案140在平面圖中具有基本相同的尺寸和形狀。
[0066]參照?qǐng)D7，在氧化物半導(dǎo)體圖案222和第一平坦化層115上形成柵極絕緣層260和柵極金屬層280。
[0067]柵極絕緣層260包括上柵極絕緣層262和下柵極絕緣層264。下柵極絕緣層264與氧化物半導(dǎo)體圖案222接觸。因此，下柵極絕緣層264可以包括具有相對(duì)小的百分比的氫的材料。例如，下柵極絕緣層264可以包括絕緣氧化物，該絕緣氧化物包括氧化硅、氧化鋁、氧化鉿和氧化釔中的至少一種，下柵極絕緣層264的厚度可以為大約500A至大約3000A。在下柵極絕緣層264上形成上柵極絕緣層262。上柵極絕緣層262可以包括氮化硅等，上柵極絕緣層262的厚度可以為大約500A至大約2000入。
[0068]在示例性實(shí)施例中，如上所述，柵極絕緣層260具有多層結(jié)構(gòu)?？蛇x擇地，柵極絕緣層260可以具有包括諸如氧化硅的絕緣氧化物的單層結(jié)構(gòu)(未示出)。
[0069]柵極金屬層280包括上覆蓋層282、金屬層284和下覆蓋層286。上覆蓋層282和下覆蓋層286可以包括諸如IZO的氧化物，金屬層284可以包括諸如銅的金屬。柵極金屬層280可以具有與數(shù)據(jù)金屬層270的構(gòu)成相同的構(gòu)成。因此，將省略任何重復(fù)性的解釋。
[0070]參照?qǐng)D7和圖8，將柵極金屬層280圖案化，以形成柵電極GE和柵極線GL。
[0071 ] 可以在上覆蓋層282上涂覆光致抗蝕劑組成物，以形成具有與柵極線GL和柵電極GE對(duì)應(yīng)的形狀的光致抗蝕劑圖案。然后，順序地對(duì)沒有被光致抗蝕劑圖案覆蓋的上覆蓋層282、金屬層284和下覆蓋層286進(jìn)行蝕刻，以形成柵極線GL和柵電極GE。
[0072]可以利用相同的蝕刻劑在同一工藝中蝕刻上覆蓋層282、金屬層284和下覆蓋層286。因此，柵極線GL可以具有相對(duì)大的錐形角，從而可以增大顯示基底的開口率。
[0073]參照?qǐng)D9，通過(guò)使用柵電極GE和柵極線GL作為掩模將上柵極絕緣層262和下柵極絕緣層264圖案化，以形成柵極絕緣圖案160。因此，柵極絕緣圖案160可以具有與柵極線GL和柵電極GE的尺寸和形狀基本相同的尺寸和形狀。
[0074]在將柵極絕緣層圖案化的工藝中，使氧化物半導(dǎo)體圖案222暴露。然而，氧化物半導(dǎo)體圖案222包括與柵極絕緣層260的材料不同的材料。因此，氧化物半導(dǎo)體圖案222具有相對(duì)于柵極絕緣層的蝕刻選擇性，氧化物半導(dǎo)體圖案222在柵極絕緣層被蝕刻時(shí)基本沒有被蝕刻。
[0075]然后，由氧化物半導(dǎo)體圖案222形成溝道122、源電極124和漏電極126。氧化物半導(dǎo)體圖案222的沒有被柵電極GE和柵極絕緣圖案160覆蓋的部分可以變成源電極124和漏電極126。
[0076]可以對(duì)氧化物半導(dǎo)體圖案222進(jìn)行等離子體處理，以形成源電極124和漏電極126。例如，利用 H2、He、PH3、NH3、SiH4、CH4、C2H2、B2H6、CO2、GeH4、H2Se、H2S、Ar、N2、N2O 或 CHF3等的等離子體氣體PT來(lái)設(shè)置氧化物半導(dǎo)體圖案222的暴露部分。因此，使氧化物半導(dǎo)體圖案222中包括的半導(dǎo)體材料的至少一部分還原，從而形成金屬性導(dǎo)體。結(jié)果，氧化物半導(dǎo)體圖案222的被還原的部分形成源電極124和漏電極126，氧化物半導(dǎo)體圖案222的沒有被柵電極GE和柵極絕緣圖案160覆蓋的部分保留而用作溝道122。
[0077]可選擇地，可以在還原氣體的氣氛中加熱氧化物半導(dǎo)體圖案222，或者可以對(duì)氧化物半導(dǎo)體圖案222進(jìn)行離子注入，從而形成源電極124和漏電極126。
[0078]參照?qǐng)D10，形成鈍化層117以覆蓋柵電極GE、柵極線GL、源電極124、漏電極126和第一平坦化層115。在鈍化層117上形成第二平坦化層119。
[0079]鈍化層117可以包括氮化硅、氧化硅和氧化鋁中的至少一種。第二平坦化層119使薄膜晶體管基底的表面平坦化?？梢栽阝g化層117上旋涂光致抗蝕劑組成物，以形成第二平坦化層119。
[0080]參照?qǐng)D11，將數(shù)據(jù)絕緣層113、第一平坦化層115、鈍化層117和第二平坦化層119圖案化，以形成多個(gè)接觸孔。
[0081]可以將鈍化層117和第二平坦化層119圖案化，以形成暴露源電極124的一部分的第二接觸孔CH2和暴露漏電極126的一部分的第三接觸孔CH3。還可以將數(shù)據(jù)絕緣層113和第一平坦化層115圖案化，以形成暴露數(shù)據(jù)線DL的一部分的第一接觸孔CH1。
[0082]使第二平坦化層119曝光。然后，向第二平坦化層119施加顯影劑，以去除曝光部分或未曝光部分，從而將第二平坦化層119圖案化。通過(guò)利用第二平坦化層119作為掩模來(lái)蝕刻鈍化層117、數(shù)據(jù)絕緣層113和第一平坦化層115，以形成第一接觸孔至第三接觸孔CH1、CH2 和 CH3。
[0083]然后，在第二平坦化層119上形成透明導(dǎo)電層。透明導(dǎo)電層可以包括IZO和ITO中的至少一種。
[0084]將透明導(dǎo)電層圖案化，以形成圖2中示出的連接電極130和像素電極PE。連接電極130通過(guò)第一接觸孔CHl與數(shù)據(jù)線DL接觸，并且通過(guò)第二接觸孔CH2與源電極124接觸。
[0085]如上所提出的，在示例性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線DL與源電極124分開形成，數(shù)據(jù)線DL可以通過(guò)連接電極130電連接到源電極124。
[0086]像素電極PE通過(guò)第三接觸孔CH3與漏電極126接觸。
[0087]根據(jù)薄膜晶體管基底和制造該薄膜晶體管基底的方法，在氧化物半導(dǎo)體層上形成柵電極，并且通過(guò)利用該柵電極由氧化物半導(dǎo)體層形成源電極、漏電極和溝道。因此，可以減小寄生電容。
[0088]此外，在包括氧化物半導(dǎo)體的溝道下方形成的是光阻擋圖案，而不是柵電極或黑色矩陣。因此，保護(hù)溝道免受外部光的影響，從而提高了薄膜晶體管的可靠性。[0089]此外，因?yàn)槔猛谎谀?lái)形成氧化物半導(dǎo)體圖案和光阻擋圖案，所以可以減少制造薄膜晶體管基底所需的掩模的數(shù)量。
[0090]此外，柵極線和/或數(shù)據(jù)線包括氧化物覆蓋層。因此，可以防止在使用刷子的清潔工藝中對(duì)柵極線和/或數(shù)據(jù)線的損壞，并且可以防止在清潔工藝中形成的精細(xì)顆粒使薄膜晶體管的可靠性劣化。
[0091]此外，可以用相同的蝕刻劑對(duì)包括氧化物覆蓋層的柵極線和/或數(shù)據(jù)線進(jìn)行蝕亥IJ。因此，可以增大柵極線和/或數(shù)據(jù)線的錐形角。因此，可以增大顯示面板的開口率。
[0092]此外，形成平坦化層以使基底的表面平坦化，從而可以對(duì)通過(guò)形成具有大錐形角的數(shù)據(jù)線的工藝所產(chǎn)生的階梯部分進(jìn)行補(bǔ)償。因此，可以改善制造工藝的可靠性。
[0093]圖12至圖16是示出了根據(jù)本發(fā)明另一示例實(shí)施例的制造薄膜晶體管基底的方法的剖視圖。
[0094]參照?qǐng)D12，在基礎(chǔ)基底310上形成數(shù)據(jù)線DL。數(shù)據(jù)線DL包括上覆蓋層372、下覆蓋層376以及設(shè)置在上覆蓋層372和下覆蓋層376之間的金屬層374。
[0095]然后，形成覆蓋數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)絕緣層313，在數(shù)據(jù)絕緣層313上形成第一平坦化層315、光阻擋層440、緩沖層450和氧化物半導(dǎo)體層420。
[0096]數(shù)據(jù)線DL、數(shù)據(jù)絕緣層313、第一平坦化層315、光阻擋層440、緩沖層450和氧化物半導(dǎo)體層420具有與圖3至圖5中示出的這些部件的構(gòu)成基本相同的構(gòu)成。因此，將省略任何重復(fù)性的解釋。
[0097]然后，在氧化物半導(dǎo)體層420上順序地形成柵極絕緣層460和柵極金屬層480。柵極絕緣層460包括上柵極絕緣層462和下柵極絕緣層464,柵極金屬層480包括上覆蓋層482、下覆蓋層486以及設(shè)置在上覆蓋層482和下覆蓋層486之間的金屬層484。
[0098]然后，通過(guò)光刻工藝在柵極金屬層上形成光致抗蝕劑圖案。光致抗蝕劑圖案包括對(duì)應(yīng)于柵極線的第一光致抗蝕劑圖案PRl和對(duì)應(yīng)于有源圖案的第二光致抗蝕劑圖案PR2。第二光致抗蝕劑圖案PR2包括第一部分PRTl和厚度不同于第一部分PRTl的厚度的第二部分。第一部分PRTl對(duì)應(yīng)于源電極和漏電極，第二部分PRT2對(duì)應(yīng)于柵電極。第一部分PRTl的厚度小于第二部分PRT2的厚度。第二部分PRT2的厚度可以與第一光致抗蝕劑圖案PRl的厚度基本相同。
[0099]可以利用半色調(diào)曝光來(lái)形成具有厚度差異的第二光致抗蝕劑圖案PR2。例如，在柵極金屬層上涂覆負(fù)性光致抗蝕劑組成物以形成涂覆層。在涂覆層上設(shè)置包括對(duì)應(yīng)于沒有形成光致抗蝕劑圖案的區(qū)域的光阻擋區(qū)域、對(duì)應(yīng)于第二部分PRT2的半透射區(qū)域以及對(duì)應(yīng)于第一部分PRTl和第一光致抗蝕劑圖案PRl的透射區(qū)域的掩模。然后，通過(guò)掩模對(duì)涂覆層提供光，并向涂覆層施加顯影劑以去除涂覆層的對(duì)應(yīng)于光阻擋區(qū)域的部分。不去除涂覆層的對(duì)應(yīng)于透射區(qū)域的部分。根據(jù)曝光量部分地去除半透射區(qū)域下方的涂覆層，從而光致抗蝕劑圖案具有厚度差異。
[0100]參照?qǐng)D13，利用光致抗蝕劑圖案作為掩模來(lái)使柵極金屬層480和柵極絕緣層460圖案化，以形成柵極線GL和柵極圖案GP。
[0101]柵極線GL包括上覆蓋層382、金屬層384和下覆蓋層386?？梢岳孟嗤奈g刻劑在同一工藝中對(duì)上覆蓋層382、金屬層384和下覆蓋層386進(jìn)行蝕刻。因此，柵極線GL可以具有相對(duì)大的錐形角，從而增大了顯示基底的開口率。[0102]由柵極絕緣層460形成的柵極絕緣圖案360設(shè)置在柵極線GL下方。柵極絕緣圖案360包括上柵極絕緣圖案362和下柵極絕緣圖案364。
[0103]柵極圖案GP由柵極金屬層480和柵極絕緣層460形成，并且包括具有與第二光致抗蝕劑圖案PR2對(duì)應(yīng)的形狀的圖案。
[0104]然后，對(duì)氧化物半導(dǎo)體層420、緩沖層450和光阻擋層440進(jìn)行蝕刻，以形成氧化物半導(dǎo)體圖案422、緩沖圖案350和光阻擋圖案340。結(jié)果，可以使第一平坦化層315部分地暴露。
[0105]在示例性實(shí)施例中，在蝕刻?hào)艠O金屬層480和柵極絕緣層460之后，蝕刻氧化物半導(dǎo)體層420、緩沖層450和光阻擋層440。因此，氧化物半導(dǎo)體圖案422、緩沖圖案350和光阻擋圖案340形成在柵極線GL的下方以及柵極圖案GP的下方。
[0106]參照?qǐng)D14，通過(guò)例如灰化工藝部分地去除光致抗蝕劑圖案。可以使光致抗蝕劑圖案的厚度整體減小。結(jié)果，去除了第二光致抗蝕劑圖案PR2的比第二部分PRT2薄的第一部分PRTl，從而使柵極圖案GP的上表面部分地暴露。
[0107]然后，通過(guò)利用第二光致抗蝕劑圖案PR2來(lái)蝕刻?hào)艠O圖案GP的被暴露的部分，以形成柵電極GE和柵極絕緣圖案360。柵電極GE包括上覆蓋層382、金屬層384和下覆蓋層386，柵極絕緣圖案360包括上柵極絕緣圖案362和下柵極絕緣圖案364。
[0108]隨著柵極圖案GP的一部分的去除，使氧化物半導(dǎo)體圖案422的一部分暴露。
[0109]參照?qǐng)D15，在去除光致抗蝕劑圖案之后，氧化物半導(dǎo)體圖案422的未被柵電極GE和柵極絕緣圖案360覆蓋的部分變成源電極324和漏電極326。例如，可以向氧化物半導(dǎo)體圖案422的被暴露的部分施加等離子體氣體PT，以形成源電極324和漏電極326。因此，使氧化物半導(dǎo)體圖案422中包括的半導(dǎo)體材料的至少一部分還原，以形成金屬性導(dǎo)體。結(jié)果，氧化物半導(dǎo)體圖案422的被還原的部分形成源電極324和漏電極326，氧化物半導(dǎo)體圖案222的沒有被還原的部分保留而形成溝道。因此，形成了包括由同一層形成的源電極324、漏電極326和溝道322的有源圖案320。
[0110]參照?qǐng)D16，形成鈍化層317以覆蓋柵電極GE、柵極線GL、源電極324、漏電極326和第一平坦化層315，在鈍化層317上形成第二平坦化層319。
[0111]然后，將數(shù)據(jù)絕緣層313、第一平坦化層315、鈍化層317和第二平坦化層319圖案化，以形成暴露數(shù)據(jù)線DL、源電極324和漏電極326的多個(gè)接觸孔。然后，形成將數(shù)據(jù)線DL電連接到源電極324的連接電極和電連接到漏電極326的像素電極?？梢酝ㄟ^(guò)與圖10和圖11中示出的工藝基本相同的工藝來(lái)形成接觸孔、連接電極和像素電極。因此，將省略任何重復(fù)性的解釋。
[0112]根據(jù)制造薄膜晶體管基底的方法，可以通過(guò)利用同一掩模來(lái)使柵電極GE、氧化物半導(dǎo)體層422、緩沖層450和光阻擋層440圖案化。因此，可以減少制造薄膜晶體管基底所需的掩模的數(shù)量。
[0113]圖17至圖21是示出了根據(jù)本發(fā)明又一示例性實(shí)施例的制造薄膜晶體管基底的方法的剖視圖。
[0114]參照?qǐng)D17，在基礎(chǔ)基底510上形成數(shù)據(jù)線DL。數(shù)據(jù)線DL包括上覆蓋層572、下覆蓋層576以及設(shè)置在上覆蓋層572和下覆蓋層576之間的金屬層574。
[0115]然后，形成覆蓋數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)絕緣層513，在數(shù)據(jù)絕緣層513上形成第一平坦化層515、光阻擋層640、緩沖層650和氧化物半導(dǎo)體層。
[0116]數(shù)據(jù)線DL、數(shù)據(jù)絕緣層513、第一平坦化層515、光阻擋層640、緩沖層650和氧化物半導(dǎo)體層具有與圖3至圖5中示出的這些部件的構(gòu)成基本相同的構(gòu)成。因此，將省略任何重復(fù)性的解釋。
[0117]然后，將氧化物半導(dǎo)體層圖案化，以形成氧化物半導(dǎo)體圖案622。具體地講，在氧化物半導(dǎo)體層上形成光致抗蝕劑圖案PR，通過(guò)利用光致抗蝕劑圖案PR來(lái)蝕刻氧化物半導(dǎo)體層。
[0118]在蝕刻氧化物半導(dǎo)體層的工藝中，使緩沖層650暴露。然而，緩沖層650包括與氧化物半導(dǎo)體層的材料不同的材料。因此，緩沖層650具有相對(duì)于氧化物半導(dǎo)體層的蝕刻選擇性，緩沖層650在氧化物半導(dǎo)體層被蝕刻時(shí)基本沒有被蝕刻。
[0119]參照?qǐng)D18，在氧化物半導(dǎo)體圖案622和緩沖層650上順序地形成柵極絕緣層660和柵極金屬層。柵極絕緣層660包括上柵極絕緣層662和下柵極絕緣層664,柵極金屬層680包括上覆蓋層682、下覆蓋層686以及設(shè)置在上覆蓋層682和下覆蓋層686之間的金屬層 684。
[0120]參照?qǐng)D19，將柵極絕緣層660和柵極金屬層680圖案化，以形成柵電極GE、柵極線GL和柵極絕緣圖案560。可以在柵極金屬層680上形成形狀對(duì)應(yīng)于柵電極GE和柵極線GL的光致抗蝕劑圖案(未示出)。然后，通過(guò)利用光致抗蝕劑圖案作為掩模來(lái)蝕刻?hào)艠O絕緣層660和柵極金屬層680。
[0121]在蝕刻?hào)艠O絕緣層660的工藝中，使氧化物半導(dǎo)體圖案622暴露。然而，氧化物半導(dǎo)體圖案622包括與柵極金屬層680和柵極絕緣層660的材料不同的材料。因此，氧化物半導(dǎo)體圖案622具有相對(duì)于柵極金屬層680和柵極絕緣層660的蝕刻選擇性，氧化物半導(dǎo)體圖案622在柵極絕緣層660和柵極金屬層680被蝕刻時(shí)基本沒有被蝕刻。
[0122]參照?qǐng)D20，將緩沖層650和光阻擋層640圖案化，以形成緩沖圖案550和光阻擋圖案540。通過(guò)利用柵極線GL和氧化物半導(dǎo)體圖案622作為掩模來(lái)蝕刻緩沖層650和光阻擋層640。按照這種方式，緩沖圖案550和光阻擋圖案540中的每個(gè)在平面圖中可以具有比氧化物半導(dǎo)體圖案622的尺寸大的尺寸。
[0123]圖22是示出了圖20中示出的薄膜晶體管基底的光阻擋圖案的平面圖。光阻擋圖案540可以與氧化物半導(dǎo)體圖案622的整個(gè)部分和柵電極GE的整個(gè)部分疊置。參照?qǐng)D22，光阻擋圖案540包括與柵極線GL疊置的第一部分542、從第一部分542延伸且與柵電極GE疊置的第二部分544以及從第二部分544延伸且與氧化物半導(dǎo)體圖案622疊置的第三部分546。
[0124]第一部分542可以沿第一方向Dl延伸，第二部分544可以沿第二方向D2延伸，第三部分546可以沿第一方向Dl延伸。在平面圖中，第二部分544的邊緣與柵電極GE的邊緣基本重合，第三部分546的邊緣與氧化物半導(dǎo)體圖案622的邊緣基本重合。因此，與氧化物半導(dǎo)體圖案622疊置的光阻擋圖案540的沿第一方向的寬度Wl與氧化物半導(dǎo)體圖案622的沿第一方向的寬度基本相同。此外，與柵電極GE疊置的光阻擋圖案540的沿第二方向的寬度與柵電極GE的沿第二方向的寬度基本相同。
[0125]在平面圖中，緩沖圖案550具有與光阻擋圖案540的形狀基本相同的形狀。
[0126]然后，氧化物半導(dǎo)體圖案622的未被柵電極GE和柵極絕緣圖案560覆蓋的部分變成源電極524和漏電極526。例如，可以向氧化物半導(dǎo)體圖案的被暴露的部分施加等離子氣體PT，以形成源電極524和漏電極526。結(jié)果，氧化物半導(dǎo)體圖案622的被等離子體處理的部分形成源電極524和漏電極526，氧化物半導(dǎo)體圖案622的被柵電極GE和柵極絕緣圖案560覆蓋而未被還原的部分保留而形成溝道。因此，形成了包括由同一層形成的源電極524、漏電極526和溝道522的有源圖案520。
[0127]可選擇地，可以在使緩沖層650和光阻擋層640圖案化之前形成源電極524和漏電極526。
[0128]參照?qǐng)D21，形成鈍化層517以覆蓋柵電極GE、柵極線GL、源電極524、漏電極526和第一平坦化層515，在鈍化層517上形成第二平坦化層519。
[0129]然后，將數(shù)據(jù)絕緣層513、第一平坦化層515、鈍化層517和第二平坦化層519圖案化，以形成暴露數(shù)據(jù)線DL、源電極524和漏電極526的多個(gè)接觸孔。然后，形成將數(shù)據(jù)線DL電連接到源電極524的連接電極和電連接到漏電極526的像素電極?？梢酝ㄟ^(guò)與圖10和圖11中示出的工藝基本相同的工藝來(lái)形成接觸孔、連接電極和像素電極。因此，將省略任何重復(fù)性的解釋。
[0130]根據(jù)圖12至圖21中示出的制造薄膜晶體管基底的方法，光阻擋圖案340和540不僅與有源圖案320和520疊置而且與柵電極GE和柵極線GL疊置。因此，減小了光阻擋區(qū)域，從而提高了薄膜晶體管基底的可靠性。
[0131]可以將薄膜晶體管基底和制造該薄膜晶體管基底的方法用于諸如液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器、包括薄膜晶體管的電路板或半導(dǎo)體裝置等的顯示裝置和電子裝置。
[0132]對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將清楚的是，在不脫離發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以在本發(fā)明中做出各種修改和變型。因此，本發(fā)明意圖覆蓋本發(fā)明的修改和變型，只要這些修改和變型落在權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)即可。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底包括: 基礎(chǔ)基底； 有源圖案，設(shè)置在基礎(chǔ)基底上，并且包括源電極、漏電極以及設(shè)置在源電極和漏電極之間的包括氧化物半導(dǎo)體的溝道； 柵極絕緣圖案，設(shè)置在有源圖案上； 柵電極，設(shè)置在柵極絕緣圖案上并且與溝道疊置；以及 光阻擋圖案，設(shè)置在基礎(chǔ)基底和有源圖案之間。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中，源電極和漏電極包括由氧化物半導(dǎo)體還原得到的金屬。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中，氧化物半導(dǎo)體包括從由氧化鋅、氧化鋅錫、氧化鋅銦、氧化銦、氧化鈦、氧化銦鎵鋅和氧化銦鋅錫組成的組中選擇的至少一種。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底還包括: 柵極線，電連接到柵電極； 數(shù)據(jù)線，電連接到源電極；以及 像素電極，電連接到漏電極。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基底，其中，柵極線和數(shù)據(jù)線中的至少一種包括上覆蓋層、下覆蓋層以及設(shè)置在上覆蓋層和下覆蓋層之間的金屬層， 上覆蓋層和下覆蓋層包括具有等于或大于4.0的莫氏硬度的氧化物。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管基底，其中，金屬層包括銅，上覆蓋層和下覆蓋層包括氧化銦鋅。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基底，其中，柵極線和數(shù)據(jù)線中的至少一種具有等于或大于60°的錐形角。
8.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底還包括: 數(shù)據(jù)絕緣層，覆蓋數(shù)據(jù)線；以及 第一平坦化層，設(shè)置在數(shù)據(jù)絕緣層上并且補(bǔ)償由數(shù)據(jù)線造成的階梯部分。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管基底，其中，光阻擋圖案設(shè)置在第一平坦化層上。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底還包括: 鈍化層，覆蓋柵電極、柵極線、有源圖案和第一平坦化層；以及 第二平坦化層，設(shè)置在鈍化層上。
11.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底還包括:連接電極，通過(guò)穿過(guò)數(shù)據(jù)絕緣層、第一平坦化層、鈍化層和第二平坦化層形成的第一接觸孔連接到數(shù)據(jù)線，并且通過(guò)穿過(guò)鈍化層和第二平坦化層形成的第二接觸孔連接到源電極。
12.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底還包括設(shè)置在光阻擋圖案和有源圖案之間的緩沖圖案。
13.如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管基底，其中，光阻擋圖案包括從由氧化硅、硅鍺合金、鍺和氧化鈦組成的組中選擇的至少一種。
14.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管基底，其中，在平面圖中，有源圖案具有與光阻擋圖案的形狀相同的形狀。
15.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管基底，其中，在平面圖中，光阻擋圖案的尺寸比有源圖案的尺寸大。
16.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管基底，其中，光阻擋圖案與柵電極的整個(gè)部分和有源圖案的整個(gè)部分疊置。
17.—種制造薄膜晶體管基底的方法，所述方法包括: 形成氧化物半導(dǎo)體層； 將氧化物半導(dǎo)體層圖案化以形成氧化物半導(dǎo)體圖案； 在氧化物半導(dǎo)體圖案上順序地形成柵極絕緣層和柵極金屬層； 將柵極金屬層圖案化以形成柵電極； 將柵極絕緣層圖案化以形成柵極絕緣圖案，從而使氧化物半導(dǎo)體圖案的一部分暴露；以及 使氧化物半導(dǎo)體圖案的被暴露的部分還原以形成源電極和漏電極，源電極和漏電極包括金屬。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，氧化物半導(dǎo)體層從由氧化鋅、氧化鋅錫、氧化鋅銦、氧化銦、氧化鈦、 氧化銦鎵鋅和氧化銦鋅錫組成的組中選擇的至少一種。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，向氧化物半導(dǎo)體圖案的被暴露的部分施加等離子體，以使氧化物半導(dǎo)體圖案的被暴露的部分還原以形成源電極和漏電極。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，所述方法還包括: 形成光阻擋層；以及 在光阻擋層上形成緩沖層，其中， 氧化物半導(dǎo)體層形成在緩沖層上。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，光阻擋層包括從由氧化硅、硅鍺合金、鍺和氧化鈦組成的組中選擇的至少一種。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，所述方法還包括: 將緩沖層圖案化以形成緩沖圖案；以及 將光阻擋層圖案化以形成光阻擋圖案， 其中，在形成柵極絕緣層之前形成緩沖層和光阻擋層， 其中，在平面圖中，緩沖圖案和光阻擋圖案具有與氧化物半導(dǎo)體圖案的形狀相同的形狀。
23.如權(quán)利要求20所述的方法，所述方法還包括: 將緩沖層圖案化以形成緩沖圖案；以及 將光阻擋層圖案化以形成光阻擋圖案， 其中，在形成柵極絕緣圖案之后將緩沖層和光阻擋層圖案化， 其中，在平面圖中，緩沖圖案和光阻擋圖案具有比氧化物半導(dǎo)體圖案的尺寸大的尺寸。
24.如權(quán)利要求17所述的方法，所述方法還包括: 在基礎(chǔ)基底上形成數(shù)據(jù)金屬層； 將數(shù)據(jù)金屬層圖案化以形成數(shù)據(jù)線； 形成覆蓋數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)絕緣層；以及 在數(shù)據(jù)絕緣層上形成第一平坦化層，以補(bǔ)償由數(shù)據(jù)線造成的階梯部分， 其中，氧化物半導(dǎo)體層形成在第一平坦化層上。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中，柵極線和數(shù)據(jù)線中的至少一種包括上覆蓋層、下覆蓋層以及設(shè)置在上覆蓋層和下覆蓋層之間的金屬層， 上覆蓋層和下覆蓋層包括具有等于或大于4.0的莫氏硬度的氧化物。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，金屬層包括銅，上覆蓋層和下覆蓋層包括氧化銦鋅。
27.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，用相同的蝕刻劑對(duì)金屬層、上覆蓋層和下覆蓋層進(jìn)行蝕刻，柵極線和數(shù)據(jù)線中的至少一種具有等于或大于60°的錐形角。
28.如權(quán)利要求24所述的方法，所述方法還包括: 形成覆蓋柵電極、源電極、漏電極和第一平坦化層的鈍化層；以及 在鈍化層上形成第二平坦化層。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，所述方法還包括: 將數(shù)據(jù)絕緣層、第一平坦化層、鈍化層、第二平坦化層圖案化，以形成暴露數(shù)據(jù)線的第一接觸孔、暴露源電極的第二接觸孔和暴露漏電極的第三接觸孔； 在第二平坦化層上形成透明導(dǎo)電層；以及 將透明導(dǎo)電層圖案化，以形成連接到數(shù)據(jù)線和源電極的連接電極以及連接到漏電極的像素電極。`
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103681690SQ201310273244
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年7月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月6日
【發(fā)明者】李玟真, 姜閏浩, 柳世桓, 李镕守, 沈珍英, 李知嬗, 崔炚永 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司