技術(shù)特征：
1.一種圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括像素陣列區(qū)和周邊器件區(qū)；在所述半導(dǎo)體基底表面形成第一掩膜層，所述第一掩膜層暴露出第一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和第二淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的位置，所述第一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)位于像素陣列區(qū)內(nèi)，所述第二淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)位于周邊器件區(qū)內(nèi)；以所述第一掩膜層為掩膜，對(duì)所述半導(dǎo)體基底進(jìn)行刻蝕，在第一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的位置形成第一溝槽，在所述第二淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的位置形成第二溝槽，利用同一刻蝕工藝形成第一溝槽和第二溝槽，第一溝槽和第二溝槽的深度和寬度取決于將周邊器件區(qū)電學(xué)隔離所需要的第二淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的深度和寬度，第一溝槽和第二溝槽的深度和寬度相同；在所述第一掩膜層和第二溝槽表面形成第二掩膜層，所述第二掩膜層至少暴露出第一溝槽；以所述第二掩膜層為掩膜對(duì)第一溝槽進(jìn)行刻蝕形成第三溝槽，所述第三溝槽的深度大于所述第一溝槽的深度，第三溝槽的深度由像素單元的深度所決定，第三溝槽的深度大于像素單元的深度，第三溝槽的寬度與第二溝槽的寬度相等，第三溝槽的深寬比大于3:1；采用高深寬比填孔工藝在第三溝槽、第二溝槽和第一掩膜層表面形成介質(zhì)材料，且所述介質(zhì)材料位于第三溝槽、第二溝槽位置的高度高于第一掩膜層的表面高度，所述高深寬比填孔工藝使得所述第二溝槽被介質(zhì)材料完全填充滿，當(dāng)?shù)谌郎喜蹆?nèi)部還未完全被介質(zhì)材料填充滿時(shí)，位于第三溝槽開口處形成的介質(zhì)材料已將第三溝槽的開口封閉，所述高深寬比填孔工藝包括：沉積氣體包括正硅酸乙酯和臭氧，所述正硅酸乙酯的流量為500毫克/分鐘～8000毫克/分鐘，臭氧的流量為5000標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘～3000標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，氣壓為300托～600托，溫度為400攝氏度～600攝氏度，經(jīng)所述高深寬比填孔工藝之后，形成的第一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)形成有氣泡，形成的第二淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)不會(huì)形成氣泡；以所述第一掩膜層為研磨停止層，利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除位于第一掩膜層表面的介質(zhì)材料；去除第一掩膜層，位于所述第三溝槽內(nèi)的介質(zhì)材料形成第一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，位于所述第二溝槽內(nèi)的介質(zhì)材料形成第二淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；在所述像素陣列區(qū)內(nèi)形成若干像素單元，所述第一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)將像素單元相隔離，所述第一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的深寬比的范圍大于3:1，形成的第一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)形成有氣泡；在所述周邊器件區(qū)內(nèi)形成邏輯電路器件，所述第二淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)將邏輯電路器件相隔離，形成的第二淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)不會(huì)形成氣泡。2.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述像素陣列區(qū)和周邊器件區(qū)之間通過第一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)或第二淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)相隔離。3.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，還包括：在所述第一淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的外部側(cè)壁和底部的半導(dǎo)體基底內(nèi)形成P型重?fù)诫s區(qū)。