光刻返工后殘留光刻膠的去除方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光刻返工后殘留光刻膠的去除方法，包括下列步驟：使用氫氟酸溶液浸泡殘留有光刻膠的晶圓；使用SPM溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗；使用APM對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗。本發(fā)明能夠去除返工后仍然殘留在晶圓上的光刻膠（通常已發(fā)生碳化），因此能夠降低生產(chǎn)成本、提高生產(chǎn)原料利用率，避免造成浪費。
【專利說明】光刻返工后殘留光刻膠的去除方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法，特別是涉及一種光刻返工后殘留光刻膠的去 除方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 在半導(dǎo)體制造中，光刻經(jīng)常會遇到由于各種各樣的原因?qū)е碌漠惓７倒?。其中，?果是在涂膠腔發(fā)生的異常(例如涂膠不良、雙重涂膠等)，處理起來就很麻煩，需要先內(nèi)部去 膠（EBR去膠）后再進(jìn)行返工，否則就會有返工后去膠不干凈的風(fēng)險。
[0003] 假如確實發(fā)生了返工之后光刻膠未去干凈的情況，則此時殘留的光刻膠通過再次 返工通常無法去除，因此晶圓就會被報廢。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，有必要提供一種光刻返工后殘留光刻膠的去除方法。
[0005] -種光刻返工后殘留光刻膠的去除方法，包括下列步驟：使用氫氟酸溶液浸泡殘 留有光刻膠的晶圓；使用第一溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗；使用第二溶液對 所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗；所述第一溶液是硫酸和雙氧水的混合溶液、所述第二 溶液是氨水和雙氧水的混合溶液，或所述第二溶液是硫酸和雙氧水的混合溶液、所述第一 溶液是氨水和雙氧水的混合溶液。
[0006] 在其中一個實施例中，所述氫氟酸溶液中H20和HF的摩爾比為100:1。
[0007] 在其中一個實施例中，所述使用氫氟酸溶液浸泡殘留有光刻膠的晶圓的步驟中浸 泡時間為30秒。
[0008] 在其中一個實施例中，所述硫酸和雙氧水的混合溶液中H2S04和H 202的摩爾比為 5:1。
[0009] 在其中一個實施例中，所述氨水和雙氧水的混合溶液中NH40H、H20 2、H20的摩爾比 為 1:2:10。
[0010] 在其中一個實施例中，所述使用第一溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗的 步驟和使用第二溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗的步驟中清洗時間為10分鐘。
[0011] 在其中一個實施例中，所述使用第一溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗的 步驟和使用第二溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗的步驟中是進(jìn)行超聲波清洗。
[0012] 在其中一個實施例中，使用第一溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗并使用 第二溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗是進(jìn)行兩次。
[0013] 在其中一個實施例中，所述光刻膠為殘留在多晶娃層表面的光刻膠。
[0014] 上述光刻返工后殘留光刻膠的去除方法，能夠去除返工后仍然殘留在晶圓上的光 刻膠(通常已發(fā)生碳化)，因此能夠降低生產(chǎn)成本、提高生產(chǎn)原料利用率，避免造成浪費。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 圖1是一實施例中光刻返工后殘留光刻膠的去除方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0016] 為使本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具 體實施方式做詳細(xì)的說明。
[0017] 圖1是一實施例中光刻返工后殘留光刻膠的去除方法的流程圖，包括下列步驟：
[0018] S110,使用氫氟酸溶液（DHF)浸泡殘留有光刻膠的晶圓。
[0019] 首先將光刻返工后有光刻膠殘留的晶圓浸泡在稀釋的DHF中。在本實施例中，是 采用H 20和HF的摩爾比為100:1的DHF溶液，浸泡的時間為30秒。在其它實施例中，本領(lǐng) 域技術(shù)人員可以對溶液濃度和浸泡時間進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。
[0020] S120,使用硫酸和雙氧水的混合溶液（SPM)對殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗。
[0021] 在DHF中的浸泡完成后，使用SPM對殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗。本實施例中， 是采用H 2S04和H202的摩爾比為5:1的SPM溶液，清洗的時間為10分鐘。為了取得更好的 清洗效果，可以采用超聲波清洗的方式，即用超聲波清洗機(jī)(清洗劑為上述SPM溶液)對該晶 圓進(jìn)行清洗。在其它實施例中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對溶液濃度和清洗時間進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào) 整。
[0022] S130,使用氨水和雙氧水的混合溶液的混合溶液(APM)對殘留有光刻膠的晶圓進(jìn) 行清洗。
[0023] 實施例中，是采用ΝΗ40Η、H202、H 20的摩爾比為1:2:10的APM溶液，清洗的時間為 10分鐘。為了取得更好的清洗效果，可以采用超聲波清洗的方式，即用超聲波清洗機(jī)(清洗 劑為上述APM溶液)對該晶圓進(jìn)行清洗。在其它實施例中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對溶液濃度 和清洗時間進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。
[0024] 可以理解的，上述步驟S120和S130可以互換，即先進(jìn)行APM的清洗再進(jìn)行SPM的 清洗。
[0025] 實際生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)，清洗步驟反復(fù)兩次的效果較好，即做完一次SPM+APM的超聲波 清洗后，再重復(fù)一次步驟S120和步驟S130。
[0026] 上述光刻返工后殘留光刻膠的去除方法，能夠去除返工后仍然殘留在晶圓上的光 刻膠(通常已發(fā)生碳化)，該殘留光刻膠因為用普通的返工方法難以去除，所以會導(dǎo)致良率 降低或需要直接對晶圓進(jìn)行報廢。采用上述光刻返工后殘留光刻膠的去除方法去膠后能夠 降低生產(chǎn)成本、提高生產(chǎn)原料利用率，避免造成浪費。
[0027] 下面的表格示出了兩組返工后多晶硅層上的光刻膠未去除干凈的晶圓在使用上 述光刻返工后殘留光刻膠的去除方法去膠前后多晶硅層的厚度變化，該多晶硅層未進(jìn)行摻 雜?？梢钥吹蕉嗑Ч璞豢涛g的速率約為〇. 18?0.22A/分鐘。
[0028] 經(jīng)發(fā)明人實驗研究，多晶硅的損失主要是APM造成的。從下表可以看到，采用上述 光刻返工后殘留光刻膠的去除方法多晶硅的損失非常小，在安全范圍內(nèi)。
[0029]

【權(quán)利要求】
1. 一種光刻返工后殘留光刻膠的去除方法，包括下列步驟： 使用氫氟酸溶液浸泡殘留有光刻膠的晶圓； 使用第一溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗； 使用第二溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗； 所述第一溶液是硫酸和雙氧水的混合溶液、所述第二溶液是氨水和雙氧水的混合溶 液，或所述第二溶液是硫酸和雙氧水的混合溶液、所述第一溶液是氨水和雙氧水的混合溶 液。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻返工后殘留光刻膠的去除方法，其特征在于，所述氫氟 酸溶液中H20和HF的摩爾比為100:1。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻返工后殘留光刻膠的去除方法，其特征在于，所述使用 氫氟酸溶液浸泡殘留有光刻膠的晶圓的步驟中浸泡時間為30秒。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻返工后殘留光刻膠的去除方法，其特征在于，所述硫酸 和雙氧水的混合溶液中H2S0 4和H202的摩爾比為5:1。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的光刻返工后殘留光刻膠的去除方法，其特征在于，所述氨 水和雙氧水的混合溶液中NH4OH、H 202、H20的摩爾比為1:2:10。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻返工后殘留光刻膠的去除方法，其特征在于，所述使用 第一溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗的步驟和使用第二溶液對所述殘留有光刻 膠的晶圓進(jìn)行清洗的步驟中清洗時間為10分鐘。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻返工后殘留光刻膠的去除方法，其特征在于，所述使用 第一溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗的步驟和使用第二溶液對所述殘留有光刻 膠的晶圓進(jìn)行清洗的步驟中是進(jìn)行超聲波清洗。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻返工后殘留光刻膠的去除方法，其特征在于，使用第一 溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn)行清洗并使用第二溶液對所述殘留有光刻膠的晶圓進(jìn) 行清洗是進(jìn)行兩次。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻返工后殘留光刻膠的去除方法，其特征在于，所述光刻 膠為殘留在多晶硅層表面的光刻膠。
【文檔編號】H01L21/3065GK104252103SQ201310258513
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2013年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月25日
【發(fā)明者】沈佳 申請人:無錫華潤上華科技有限公司