太陽能電池減反射膜及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種太陽能電池減反射膜，其由依次疊加設(shè)置的非晶硅層、第一氮化硅薄膜與第二氮化硅薄膜組成；所述非晶硅層設(shè)置于太陽能電池硅片表面。本發(fā)明還提供了所述太陽能電池減反射膜的制備方法。在制備減反射膜的過程中，本發(fā)明利用等離子體增強氣相沉積法在太陽能電池硅片表面依次沉積非晶硅層、第一氮化硅薄膜與第二氮化硅薄膜。本發(fā)明的減反射膜同時具有鈍化作用與減反射效果，有助于提高太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率。
【專利說明】太陽能電池減反射膜及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及新能源【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種太陽能電池減反射膜及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著新能源的發(fā)展，太陽能光伏發(fā)電成為新能源中發(fā)展最為迅速的產(chǎn)業(yè)之一。太 陽能光伏發(fā)電中晶體硅太陽能電池是應用最廣泛的電池類型。但是晶體硅太陽能電池表面 的缺陷態(tài)及體內(nèi)雜質(zhì)的存在，限制了其效率的進一步提升。
[0003] 為了提高太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率，可以考慮從增加電池對太陽光的吸收以產(chǎn)生 更多的光生載流子入手。工業(yè)上一般采用在硅片表面鍍減反射膜提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn) 換效率。減反射膜的作用就是利用光在減反射膜上下表面反射產(chǎn)生的光程差，使得兩束反 射光干涉相消，從而削弱反射增加入射，使得入射光符合一定的光程條件達到減反射效果。
[0004] 在晶體硅太陽能電池的生產(chǎn)工藝中，常用的減反射層材料有Si02、Ti0 2、IT0等。例 如：在硅片表面上高溫熱氧化生成Si02薄膜及采用常壓化學氣相沉積(APCVD)方法來制作 Ti〇2薄膜。Si02薄膜可以對硅片表面起到良好的鈍化作用，但是其減反射效果欠佳；^ 〇2薄 膜可以起到很好的減反射效果但其沒有鈍化作用。
[0005] 因此，目前晶體硅太陽能電池工藝中大多采用SiH4和腿3為原料來制作出含氫的 SiNx薄膜。由于含氫的SiNx薄膜中含有大量的N-H鍵和Si-H鍵能夠?qū)杵砻娴膽覓戽I 起到一定的鈍化作用，而SiN x薄膜也具有部分減反射作用。但SiNx薄膜的減反射作用和鈍 化作用不能同時兼顧。針對上述問題，本發(fā)明提出了一種減反射膜的制備方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于提供一種同時具有較好減反射作用與鈍化作用的太 陽能電池減反射膜及其制備方法。
[0007]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種太陽能電池減反射膜，由依次疊加設(shè)置的非晶硅層、 第一氮化硅薄膜與第二氮化硅薄膜組成；所述非晶硅層設(shè)置于太陽能電池硅片表面。
[0008] 優(yōu)選的，所述非晶娃層的厚度為l〇nm?40nm ;所述第~氮化娃薄膜的折射率 為2· 2?2. 3,厚度為40nm?45nm ;所述第二氮化硅薄膜的折射率為2. 1?2. 2,厚度為 40nm ~ 45nm〇
[0009] 本發(fā)明還提供了所述的太陽能電池減反射膜的制備方法，包括以下步驟：
[0010] a)將刻蝕后的太陽能電池硅片置于等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備中，并通入硅 燒與氫氣，使所述太陽能電池娃片表面沉積非晶娃層；
[0011] b)在等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備中通入硅烷與氨氣，使所述非晶硅層表面沉 積第一氮化硅薄膜；
[0012] C)繼續(xù)在等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備中通入硅烷與氨氣，使所述非晶硅層表 面沉積第二氮化硅薄膜。
[0013] 優(yōu)選的，所述非晶硅層的厚度為l〇nm?40nm;所述第一氮化硅薄膜的折射率 為2· 2?2· 3,厚度為40nm?45nm ;所述第二氮化硅薄膜的折射率為2· 1?2· 2,厚度為 40nm ?45nm〇
[0014]優(yōu)選的，步驟a)中所述硅烷與氫氣的流量比為丨：（；L?4);所述等離子體增強化學 氣相沉積設(shè)備的頻率為I2?15MHz，氣體壓強為20Pa?lOOPa ;所述沉積的溫度為100? 300Γ，所述沉積的功率為30W?80W。
[0015]優(yōu)選的，步驟b)中所述硅烷與氨氣的流量比為i : (3?6);所述等離子體增強化 學氣相沉積設(shè)備的射頻功率為3500W?6000W，氣體壓強為lOOPa?400Pa ;所述沉積的溫 度為350?500°C。
[0016] 優(yōu)選的，步驟c)中所述硅烷與氨氣的流量比為1 : (6?9);所述等離子體增強化 學氣相沉積設(shè)備的射頻功率為3500W?6000W，氣體壓強為lOOPa?400Pa ;所述沉積的溫 度為300?500°C。
[0017] 對現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種減反射膜，所述減反射膜由依次疊加設(shè)置的 非晶硅層、第一氮化硅薄膜與第二氮化硅薄膜組成。所述非晶硅層沉積到硅片的表面后，非 晶硅層內(nèi)富含有大量的氫原子，氫原子能夠使硅片表面的懸掛鍵飽和，降低硅片表面的缺 陷態(tài)，從而使非晶硅層薄膜具有鈍化作用；單層氮化硅薄膜具有減反射的作用，但是根據(jù)光 學減反射的原理，單層氮化硅薄膜只能對特定波段的光起到減反射效果，雙層氮化硅薄膜 能夠?qū)蓚€特定波長的光起到減反射效果，則雙層氮化硅薄膜的減反射效果更好。因此，由 于非晶硅層具有鈍化效果，而雙層氮化硅薄膜具有減反射效果，從而使減反射膜同時具有 較好的鈍化作用與減反射作用，有助于提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 圖1為本發(fā)明實施例1制備的減反射膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0019] 為了進一步理解本發(fā)明，下面結(jié)合實施例對本發(fā)明優(yōu)選實施方案進行描述，但是 應當理解，這些描述只是為進一步說明本發(fā)明的特征和優(yōu)點，而不是對本發(fā)明權(quán)利要求的 限制。
[0020] 本發(fā)明實施例公開了一種晶體硅太陽能電池減反射膜，其由依次疊加設(shè)置的非晶 硅層、第一氮化硅薄膜與第二氮化硅薄膜組成；所述非晶硅層設(shè)置于晶體硅太陽能電池硅 片表面。
[0021] 在本發(fā)明中，所述減反射膜由非晶硅層、第一氮化硅薄膜與第二氮化硅薄膜組成。 其中，所述非晶硅層是由硅烷經(jīng)過等離子體增強化學氣相沉積法沉積于晶體硅太陽能電池 硅片的表面；所述非晶硅層是含氫的非晶硅薄膜，氫在其中能夠補償硅表面的懸掛鍵，使 硅片表面的懸掛鍵飽和，從而使減反射膜具有較好的鈍化作用。上述鈍化作用是能夠鈍化 硅片中的雜質(zhì)和缺陷的電活性，降低電池表面的復合速率，增加少子壽命，進而提高開路電 壓和短路電流，對于晶體硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率有很大改善。所述非晶硅層的厚度為 10nm?40nm，優(yōu)選為15nm?35nm。若所述非晶娃的厚度太薄，則非晶娃層中的氫較少，鈍 化效果不明顯，若所述非晶硅層的厚度太厚，則增加生產(chǎn)的成本。
[0022] 按照本發(fā)明，所述非晶硅層表面依次沉積了兩層氮化硅薄膜，其中第一氮化硅薄 膜的厚度為40nm?45nm，折射率為2· 2?2. 3,第二氮化硅薄膜的厚度為40nm?45nm,折 射率為2· 1?2· 2。本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的，減反射膜是利用光在減反射膜上下表面反射產(chǎn) 生的光程差，使得兩束反射光干涉相消，從而削弱反射增加入射，使得入射光符合一定的光 程條件達到減反射效果，而單層氮化硅薄膜只能對一個特定波長的光進行較好的反射，而 雙層氮化硅薄膜能夠?qū)蓚€特定波長具有較好的減反射效果，但是氮化硅薄膜層數(shù)越多越 不容易進行膜厚與折射率的控制，因此本申請的減反射膜選擇了兩層氮化硅薄膜。根據(jù)本 發(fā)明中兩層氮化硅薄膜的膜厚與折射率，本發(fā)明中的減反射膜能夠?qū)蓚€波的波長具有較 好的減反射效果。
[0023]本發(fā)明還提供了一種減反射膜的制備方法，包括以下步驟：
[0024] a)將刻蝕后的太陽能電池硅片置于等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備中，并通入硅 烷與氫氣，使所述太陽能電池硅片表面沉積非晶硅層；
[0025] b)在等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備中通入硅烷與氨氣，使所述非晶硅層表面沉 積第一氮化硅薄膜；
[0026] c)繼續(xù)在等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備中通入硅烷與氨氣，使所述非晶硅層表 面沉積第二氮化硅薄膜。
[0027]在對晶體硅太陽能電池的硅片進行鍍膜之前，需要對硅片進行處理，具體過程 為：
[0028] 對所述硅片進行清洗腐蝕制絨，再將硅片置于擴散爐中進行擴散制備PN結(jié)，然后 等離子刻蝕以去除硅片四周的PN結(jié)，最后清洗去除磷硅玻璃。
[0029] 將所述晶體硅太陽能電池硅片進行處理后，則在處理后的硅片表面進行鍍膜。本 發(fā)明選用等離子體增強化學氣相沉積法實現(xiàn)減反射膜的沉積。所述等離子體增強化學氣相 沉積法(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子 體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，則在基片上沉積出薄膜；即PECVD技術(shù)是 借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學反應，從而實現(xiàn)薄膜材料生 長的一種制備技術(shù)。
[0030] 按照本發(fā)明，首先將處理后的晶體硅太陽能電池硅片置于等離子體增強化學氣相 沉積設(shè)備中，并通入硅烷與氫氣，使所述太陽能電池硅片表面沉積非晶硅層。在硅片表面沉 積非晶硅層的過程中，作為優(yōu)選方案，本發(fā)明將所述硅片置于PECVD鍍膜設(shè)備的沉積腔內(nèi)， 在爐管內(nèi)通入硅烷與氫氣，在硅片表面沉積非晶硅層。所述硅烷與氫氣的流量比優(yōu)選為1 : (1?4);所述PECVD的射頻電源頻率優(yōu)選為12?15MHz，氣體壓強優(yōu)選為20Pa?lOOPa ; 所述沉積的溫度優(yōu)選為1〇〇?300°C，所述沉積的功率優(yōu)選為30W?80W。所述硅烷與氫氣 的流量比更優(yōu)選為1:2。所述射頻電源頻率更優(yōu)選為13MHz?14MHz，最優(yōu)選為13.46MHz。 所述沉積溫度更優(yōu)選為15〇°C?250°C，所述沉積的功率更優(yōu)選為50?70W。本發(fā)明通過調(diào) 節(jié)沉積溫度、沉積功率、電源頻率與氣體流量比等因素，使非晶硅層的厚度達到10?40nm。
[0031] 在硅片表面沉積非晶硅層后，本發(fā)明則利用PECVD法在非晶硅層表面沉積第一氮 化硅薄膜。與沉積非晶硅層相似，在沉積第一氮化硅層的過程中，本申請優(yōu)選在PECVD設(shè)備 的爐管內(nèi)通入硅烷與氮氣，在非晶硅層表面沉積第一氮化硅薄膜。所述硅烷與氨氣的流量 比優(yōu)選為1 : (3?6)，更優(yōu)選為1 : (4?5);所述等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備的射頻功 率優(yōu)選為3500W?6000W，更優(yōu)選為4000W?5500W ;氣體壓強優(yōu)選為lOOPa?400Pa，更優(yōu) 選為150Pa?350Pa ;所述沉積的溫度優(yōu)選為350?500°C，更優(yōu)選為400°C?450°C。本發(fā) 明通過調(diào)節(jié)射頻功率、氣體壓強、沉積溫度與氣體流量的比等因素，使第一氮化硅薄膜的折 射率為2. 2?2. 3,膜厚為40nm?45nm。
[0032] 在非晶硅薄膜表面沉積第一氮化硅薄膜后，本發(fā)明則利用PECVD法在所述第一氮 化硅薄膜表面沉積第二氮化硅薄膜。與沉積非晶硅層相似，在沉積第二氮化硅層的過程中， 本申請優(yōu)選在PECVD設(shè)備的爐管內(nèi)通入硅烷與氨氣，在第一氮化硅薄膜表面沉積第二氮化 硅薄膜。所述硅烷與氨氣的流量比優(yōu)選為1 :(6?9)，更優(yōu)選為1 :(7?8);所述等離子體增 強化學氣相沉積設(shè)備的射頻功率優(yōu)選為3500W?6000W，更優(yōu)選為4000W?5500W ;氣體壓 強優(yōu)選為l〇〇Pa?400Pa，更優(yōu)選為150Pa?350Pa ;所述沉積的溫度優(yōu)選為300?500°C， 更優(yōu)選為350°C?450°C。本發(fā)明通過調(diào)節(jié)射頻功率、氣體壓強、沉積溫度與氣體流量的比 等因素，使第二氮化硅薄膜的折射率為2. 1?2. 2,膜厚為40nm?45nm。
[0033] 本發(fā)明提供了一種減反射膜，所述減反射膜由依次疊加設(shè)置的非晶硅層、第一氮 化硅薄膜與第二氮化硅薄膜組成。所述非晶硅薄膜沉積到硅片的表面后，非晶硅薄膜內(nèi)富 含有大量的氫原子，氧原子能夠使娃片表面的懸掛鍵飽和，降低桂片表面的缺陷態(tài)，從而使 非晶硅層薄膜具有鈍化作用；單層氮化硅薄膜具有減反射的作用，但是根據(jù)光學減反射的 原理，單層氮化硅薄膜只能對特定波段的光起到減反射效果，雙層氮化硅薄膜能夠?qū)蓚€ 特定波長的光起到減反射效果，則雙層氮化硅薄膜的減反射效果更好。因此，由于非晶硅層 具有鈍化效果，而雙層氮化硅薄膜具有減反射效果，從而使減反射膜同時具有鈍化作用與 減反射作用。
[0034] 為了進一步理解本發(fā)明，下面結(jié)合實施例對本發(fā)明提供的減反射膜及其制備方法 進行詳細說明，本發(fā)明的保護范圍不受以下實施例的限制。
[0035] 實施例1
[0036] 采用晶科能源控股有限公司生產(chǎn)的P型多晶硅片600片，其中電阻率為 0. 5Ω · cm?3Ω · cm，硅片厚度為200±20 μ m。將600片硅片經(jīng)過清洗腐蝕制絨，并將硅 片減薄量控制為〇. 4g?0. 5g ;然后將600片硅片放入擴散爐中每次擴散200片，分三次在 一根爐管中擴散，方阻都控制為60?70 Ω / □;再經(jīng)過等離子刻蝕與去磷硅玻璃。將去磷 硅玻璃后的600片分成六批，每批100片，分別標記為第一批、第二批、第三批、第四批、第五 批與第六批。
[0037] 實施例2
[0038] 1)將第一批硅片置于管式PECVD鍍膜設(shè)備的沉積腔內(nèi)，沉積溫度為200°C，沉積功 率為50W，在爐管內(nèi)通入氣體流量為30min/L的硅烷與流量為60L/min的氫氣，工作氣體電 壓為80?lOOPa，射頻電源頻率為13. 46MHz，持續(xù)lmin后在硅片表面沉積一層膜厚為30nm 的非晶硅層；
[0039] 2)將鍍有非晶硅層的硅片繼續(xù)進行沉積，在爐管內(nèi)通入氣體流量為40min/L的 硅烷與氣體流量為120min/L的氨氣，襯底溫度為500°C，射頻功率為6000W，氣體壓力為 300Pa，持續(xù)時間lmin后在非晶硅層表面沉積第一氮化硅薄膜，所述第一氮化硅薄膜的膜 厚為40nm，折射率為2. 2 ;
[0040] 3)將鍍有第一氮化硅薄膜的硅片繼續(xù)進行沉積，在爐管內(nèi)通入氣體流量為15min/ L的硅烷與氣體流量為120min/L的氨氣，襯底溫度為400°C，射頻功率為3500W，氣體壓力 為lOOPa,持續(xù)時間2min后在第一氮化娃薄膜表面沉積第二氮化桂薄膜，所述第二氮化娃 薄膜的膜厚為45nm，折射率為2. 1。如圖1所示，圖1為本發(fā)明減反射膜的結(jié)構(gòu)示意圖，其 中1為硅片，2為非晶硅層，3為第一氮化硅薄膜，4為第二氮化硅薄膜。
[0041] 實施例3
[0042] 1)將第二批硅片置于管式PECVD鍍膜設(shè)備的沉積腔內(nèi)，沉積溫度為100°C，沉積功 率為30W，在爐管內(nèi)通入氣體流量為15min/L的硅烷與氣體流量為30L/min的氫氣，工作氣 體電壓為20?40Pa，射頻電源頻率為13MHz，持續(xù)時間為lmin后在娃片表面沉積一層膜厚 為10nm的非晶娃層；
[0043] 2)將鍍有非晶硅層的硅片繼續(xù)進行沉積，在爐管內(nèi)通入氣體流量為20min/L的硅 烷與氣體流量為 8〇min/L的氨氣，襯底溫度為350°C，射頻功率為3500W，氣體壓力為lOOPa， 持續(xù)時間lmin后在非晶硅層表面沉積第一氮化硅薄膜，所述第一氮化硅薄膜的膜厚為 42nm，折射率為 2.3 ;
[0044] 3)將鍍有第一氮化硅薄膜的硅片繼續(xù)進行沉積，在爐管內(nèi)通入氣體流量為15min/ L的硅烷與氣體流量為90min/L的氨氣，襯底溫度為300°C，射頻功率為4000W，氣體壓力為 200Pa，持續(xù)時間2min后在第一氮化硅薄膜表面沉積第二氮化硅薄膜，所述第二氮化硅薄 膜的膜厚為40mn，折射率為2. 2。
[0045] 實施例4
[0046] 1)將第三批硅片置于管式PECVD鍍膜設(shè)備的沉積腔內(nèi)，沉積溫度為100?，沉積功 率為60W，在爐管內(nèi)通入氣體流量為40min/L的娃燒與氣體流量為l 2〇L/min的氧氣，工作氣 體電壓為30?60Pa,射頻電源頻率為15MHz，持續(xù)時間為lmin后在娃片表面沉積一層膜厚 為40nm的非晶娃層；
[0047] 2)將鍍有非晶硅層的硅片繼續(xù)進行沉積，在爐管內(nèi)通入氣體流量為30min/L的 硅烷與氣體流量為150min/L的氨氣，襯底溫度為400?，射頻功率為5000W，氣體壓力為 350Pa，持續(xù)時間lmin后在非晶硅層表面沉積第一氮化硅薄膜，所述第一氮化硅薄膜的膜 厚為45nm，折射率為2. 3 ;
[0048] 3)將鍍有第一氮化硅薄膜的硅片繼續(xù)進行沉積，在爐管內(nèi)通入氣體流量為20min/ L的硅烷與氣體流量為140min/L的氨氣，襯底溫度為450°C，射頻功率為4500W，氣體壓力 為300Pa，持續(xù)時間2min后在第一氮化硅薄膜表面沉積第二氮化硅薄膜，所述第二氮化硅 薄膜的膜厚為43nm，折射率為2. 1。
[0049] 4)在上述第二氮化硅薄膜表面印刷正反面電極，背場后進行燒結(jié)；背電場濕重為 1. 35g?1. 50g ;背電極濕重為0. 08g?0· 10g。將燒結(jié)后的硅片進行電性能測試，如表1所 示，表1為實施例與對比例制備的硅片的電性能數(shù)據(jù)表。
[0050] 對比例1
[0051] 1)將第四批硅片置于管式PECVD鍍膜設(shè)備的沉積腔內(nèi)，沉積溫度為500?，沉積功 率為100W，在爐管內(nèi)通入氣體流量為40min/L的娃焼與120L/min的氨氣，工作氣體電壓為 30?60Pa，射頻電源頻率為16MHz，持續(xù)時間為2min后在硅片表面沉積一層膜厚為80nm、 折射率為2. 1的第一氮化硅薄膜；
[0052] 2)再將鍍有第一氮化硅薄膜的硅片繼續(xù)進行沉積，在爐管內(nèi)通入氣體流量為 30min/L的硅烷與氣體流量為150min/L的氨氣，襯底溫度為400°C，射頻功率為3000W，氣體 壓力為350Pa，持續(xù)時間2min后在非晶硅層表面沉積第二氮化硅薄膜，所述第二氮化硅薄 膜的膜厚為8〇nm，折射率為2. 3。 ^
[0053] 3)在上述第二氮化硅薄膜表面印刷正反面電極，背場后進行燒結(jié)；背電場濕重為 1. 35g?1. 50g ;背電極濕重為〇· 〇8g?〇. l〇g。將燒結(jié)后的娃片進行電性能測試，如表1所 示，表1為實施例與對比例制備的硅片的電性能數(shù)據(jù)表。
[0054] 對比倒]2
[0055] 1)將第五批硅片置于管式PECVD鍍膜設(shè)備的沉積腔內(nèi)，沉積溫度為200°C，沉積 功率為50W，在爐管內(nèi)通入氣體流量為30min/L的娃燒與60L/min的氧氣，工作氣體電壓為 80?lOOPa，射頻電源頻率為13. 46MHz，持續(xù)時間為lmin后在娃片表面沉積一層膜厚為 30nm的非晶硅層；
[0056] 2)再將鍍有非晶硅層的硅片繼續(xù)進行沉積，在爐管內(nèi)通入氣體流量為30min/L 的硅烷與氣體流量為150min/L的氨氣，襯底溫度為400°C，射頻功率為3000W,氣體壓力 為350Pa，持續(xù)時間2min后在非晶硅層表面沉積一層化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的膜厚為 80nm,折射率為2. 0。
[0057] 3)在上述氮化硅薄膜表面印刷正反面電極，背場后進行燒結(jié)；背電場濕重為 1. 35g?1. 50g ;背電極濕重為0· 08g?0· l〇g。將燒結(jié)后的硅片進行電性能測試，如表1所 示，表1為實施例與對比例制備的硅片的電性能數(shù)據(jù)表。
[0058] 表1實施例與對比例制備的硅片的電性能數(shù)據(jù)表
[0059]

【權(quán)利要求】
1. 一種太陽能電池減反射膜，其特征在于，由依次疊加設(shè)置的非晶硅層、第一氮化硅薄 膜與第二氮化硅薄膜組成；所述非晶硅層設(shè)置于太陽能電池硅片表面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池減反射膜，其特征在于，所述非晶硅層的厚度為 10nm?40nm ;所述第一氮化娃薄膜的折射率為2. 2?2. 3,厚度為40nm?45nm ;所述第二 氮化硅薄膜的折射率為2. 1?2. 2,厚度為40nm?45nm。
3. 權(quán)利要求1?2任意一項所述的太陽能電池減反射膜的制備方法，包括以下步驟： a) 將刻蝕后的太陽能電池硅片置于等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備中，并通入硅烷與 氫氣，使所述太陽能電池硅片表面沉積非晶硅層； b) 在等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備中通入硅烷與氨氣，使所述非晶硅層表面沉積第 一氮化娃薄膜； c) 繼續(xù)在等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備中通入硅烷與氨氣，使所述非晶硅層表面沉 積第二氮化硅薄膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述非晶硅層的厚度為10nm? 40nm ;所述第一氮化娃薄膜的折射率為2. 2?2. 3,厚度為40nm?45nm ;所述第二氮化娃薄 膜的折射率為2. 1?2. 2,厚度為40nm?45nm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟a)中所述硅烷與氫氣的流量 比為1 :(1?4);所述等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備的頻率為12?15MHz，氣體壓強為 20Pa?lOOPa ;所述沉積的溫度為100?300°C，所述沉積的功率為30W?80W。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟b)中所述硅烷與氨氣的流量比 為1 : (3?6);所述等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備的射頻功率為3500W?6000W，氣體壓 強為lOOPa?400Pa ;所述沉積的溫度為350?500°C。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟c)中所述硅烷與氨氣的流量比 為1 : (6?9);所述等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備的射頻功率為3500W?6000W，氣體壓 強為lOOPa?400Pa ;所述沉積的溫度為300?500°C。
【文檔編號】H01L31/0216GK104241402SQ201310246443
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月20日
【發(fā)明者】肖斌, 劉亞鋒, 金浩, 董曙光, 陳康平 申請人:晶科能源有限公司, 浙江晶科能源有限公司