半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提高一種能夠在防止在集合配置的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)的最外周部產(chǎn)生裂縫的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置具備形成在半導(dǎo)體基板的一主面的元件分離用溝道（30）、形成在元件分離用溝道（30）內(nèi)的絕緣物（120）、被元件分離用溝道（30）包圍的元件形成區(qū)域（38）以及形成在元件形成區(qū)域（38）的半導(dǎo)體元件，其中，所述元件分離用溝道（30）具備：在X方向上延伸的元件分離用溝道（363）；在Y方向上延伸的元件分離用溝道（361、362）；以及在從X方向以角度θ(0°＜θ＜90°)傾斜的方向上延伸的元件分離用溝道（365、366）。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，尤其涉及具備元件分離用的溝道結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]人們提出了各種具備元件分離用的溝道結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。
[0003]專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-164609號(hào)公報(bào)
[0004]專利文獻(xiàn)2:日本特開2003-303830號(hào)公報(bào)
[0005]專利文獻(xiàn)3:日本特開2001-199191號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的發(fā)明人們對(duì)這種具備元件分離用的溝道結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)了其存在以下問題。即，發(fā)現(xiàn)了若使元件分離用的溝道結(jié)構(gòu)二維集合而配置，則存在被集合配置的溝道結(jié)構(gòu)的最外周部產(chǎn)生裂縫這樣的問題。
[0007]本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，該半導(dǎo)體裝置可以防止在被集合配置的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)的最外周部產(chǎn)生裂縫。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，提供一種半導(dǎo)體裝置，其具備半導(dǎo)體基板、具有形成在所述半導(dǎo)體基板的一主面的元件分離用溝道的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)、形成在所述元件分離用溝道內(nèi)的絕緣物、被所述元件分離用溝道包圍的元件形成區(qū)域以及形成在所述元件形成區(qū)域的半導(dǎo)體元件，其中，所述元件分離用溝道具備在第I方向上延伸的第I元件分離用溝道、在與所述第I方向正交的第2方向上延伸的第2元件分離用溝道以及在從所述第I方向傾斜角度Θ (0° < Θ <90° )的方向上延伸的第3元件分離用溝道。
[0009]另外，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方式，提供一種半導(dǎo)體裝置，其具備半導(dǎo)體基板、形成在所述半導(dǎo)體基板的一主面的元件分離用溝道、形成在所述元件分離用溝道內(nèi)的絕緣物、被所述元件分離用溝道包圍的元件形成區(qū)域以及形成在所述元件形成區(qū)域的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置，其中，在所述元件分離用溝道內(nèi)的所述絕緣物形成有縫隙。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的另一方式，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具備:在半導(dǎo)體基板的一主面形成元件分離用溝道的步驟；在所述元件分離用溝道內(nèi)形成具有縫隙的絕緣物的步驟；以及之后，在被所述元件分離用溝道包圍的元件形成區(qū)域形成半導(dǎo)體元件的步驟。
[0011]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，所述半導(dǎo)體裝置可以防止在集合配置的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)的最外周部產(chǎn)生裂縫。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是用于說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的俯視示意圖。
[0013]圖2是圖1的局部放大示意圖。
[0014]圖3是圖2的A部的局部放大示意圖。[0015]圖4是圖2的BB線剖視示意圖。[0016]圖5是用于說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的變形例的俯視示意圖。
[0017]圖6是用于說明用于比較的半導(dǎo)體裝置的俯視示意圖。
[0018]圖7是用于說明用于比較的半導(dǎo)體裝置的問題的俯視示意圖。
[0019]圖8是用于說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的俯視示意圖。
[0020]圖9是圖8的DD線剖視示意圖。
[0021]圖10是用于說明在本發(fā)明的第I實(shí)施方式和第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選形成在元件形成區(qū)域的雙極晶體管的剖視示意圖。
[0022]圖11是用于說明在本發(fā)明的第I實(shí)施方式和第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選形成在元件形成區(qū)域的MOS晶體管的剖視示意圖。
[0023]符號(hào)說明:
[0024]I…半導(dǎo)體裝置；10…半導(dǎo)體晶片；20...I/O元件用的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)；22…元件分離用溝道；26...Ι/0元件用的元件形成區(qū)域；30、32、34、50…元件分離用溝道結(jié)構(gòu)；38、40…元件形成區(qū)域;36、361、362、363、365、366、368…元件分離用溝道;100…硅基板；101----主面；110、120、122…硅氧化膜；124…縫隙；210、211、212、213、215、216…應(yīng)力。
【具體實(shí)施方式】
[0025]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0026](第I實(shí)施方式)
[0027]參照?qǐng)D1，在本發(fā)明的優(yōu)選的第I實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置I中，在半導(dǎo)體晶片10的周邊部的4個(gè)邊分別設(shè)置有I/O元件用的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)20，在中央部設(shè)置有元件分離用溝道結(jié)構(gòu)30。在元件分離用溝道結(jié)構(gòu)20中，被元件分離用溝道22包圍的區(qū)域?yàn)镮/O元件用的元件形成區(qū)域26。相鄰的元件形成區(qū)域26彼此共用相鄰的元件形成區(qū)域26間的元件分離用溝道24。元件分離用溝道結(jié)構(gòu)20由于為I/O元件用，因此元件形成區(qū)域26大于中央部的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)30的元件形成區(qū)域。
[0028]參照?qǐng)D1、圖2，中央部的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)30的元件形成區(qū)域38小于I/O元件用的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)20的元件形成區(qū)域26，并且被集合配置的元件形成區(qū)域38較密集。在元件分離用溝道結(jié)構(gòu)30中，元件分離用溝道結(jié)構(gòu)32和元件分離用溝道結(jié)構(gòu)34交
替地配置。
[0029]參照?qǐng)D2，元件分離用溝道結(jié)構(gòu)32的元件分離用溝道36具備在Y方向上延伸的元件分離用溝道361、362、和在X方向上延伸的元件分離用溝道363。需要說明的是，X方向與Y方向正交。由元件分離用溝道361、362和元件分離用溝道363、363包圍的區(qū)域?yàn)樵纬蓞^(qū)域38。相鄰的元件形成區(qū)域38彼此共用相鄰的元件形成區(qū)域38間的元件分離用溝道363。在元件分離用溝道結(jié)構(gòu)32中，元件形成區(qū)域38在Y方向上并排設(shè)置成I列。
[0030]元件分離用溝道結(jié)構(gòu)34的元件分離用溝道36具備在Y方向上延伸的元件分離用溝道361、362、從X方向逆時(shí)針傾斜角度Θ的元件分離用溝道365、以及從X方向順時(shí)針傾斜角度Θ (逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)角度-Θ)的元件分離用溝道366。由元件分離用溝道361、362和元件分離用溝道365、366包圍的區(qū)域?yàn)樵纬蓞^(qū)域40。相鄰的元件形成區(qū)域40彼此共用相鄰的元件形成區(qū)域40間的元件分離用溝道365或元件分離用溝道366。在元件分離用溝道結(jié)構(gòu)34中，元件形成區(qū)域40在Y方向上并排設(shè)置成I列。另外，元件分離用溝道結(jié)構(gòu)32的元件形成區(qū)域38和元件分離用溝道結(jié)構(gòu)34的元件形成區(qū)域40共用元件形成區(qū)域38和元件形成區(qū)域40之間的元件分離用溝道361或元件分離用溝道362。
[0031]參照?qǐng)D4，在硅基板100的一主面101形成有元件分離用溝道36。硅基板100的一主面101和元件分離用溝道36的側(cè)面以及底面被通過熱氧化等而形成的硅氧化膜110包覆。在被硅氧化膜110包覆的元件分離用溝道36內(nèi)形成有利用CVD法等而埋入的硅氧化膜120。在利用CVD法等在整個(gè)面形成硅氧化膜120后，進(jìn)行平坦化處理，將硅基板100的一主面101上的膜去除。對(duì)于元件分離用溝道36的尺寸，例如深度為10 μ m以上、寬度為I μ m左右、與相鄰的元件分離用溝道36之間的間隔為2μπι以上。該尺寸適合元件分離用溝道361、362、363、365、366。圖4為圖2的BB線剖視示意圖，但圖2的CC線剖面也為同樣的結(jié)構(gòu)。需要說明的是，這種深槽不僅用于分離元件，也可以密集配置于焊盤(pad)之下而用于降低焊盤和基板間的容量。
[0032]在這種結(jié)構(gòu)中，硅氧化膜120因退火等熱處理而收縮，硅基板110受來自硅氧化膜的壓力210。參照?qǐng)D3，在元件分離用溝道結(jié)構(gòu)32中，X方向的應(yīng)力211、212通過在Y方向上延伸的元件分離用溝道361、362而施加在元件形成區(qū)域38，Y方向的應(yīng)力213通過在X方向上延伸的元件分離用溝道363而施加在元件形成區(qū)域38。在元件分離用溝道結(jié)構(gòu)34中，對(duì)元件形成區(qū)域40，通過在Y方向上延伸的元件分離用溝道361、362而施加有X方向的壓力211、212 ;通過從X方向逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)傾斜角度Θ的元件分離用溝道365而施加有從X方向順時(shí)針旋轉(zhuǎn)傾斜角度Θ的方向的應(yīng)力215 ;通過從X方向順時(shí)針旋轉(zhuǎn)傾斜角度Θ的元件分離用溝道366而施加有從X方向逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)傾斜角度Θ的方向的應(yīng)力216。因此，通過由元件分離用溝道365產(chǎn)生的應(yīng)力215和由元件分離用溝道366產(chǎn)生的應(yīng)力216，可以使由元件分離用溝道361、362產(chǎn)生的X方向的應(yīng)力211、212和由元件分離用溝道363產(chǎn)生的Y方向的應(yīng)力213分散，可以防止因應(yīng)力的集中而在該基板產(chǎn)生裂縫。
[0033]角度Θ只要在0° < Θ <90°的范圍內(nèi)即可，優(yōu)選為45°。若為45°，則可以使應(yīng)力均勻地分散在X方向、Y方向這兩個(gè)方向。另外，元件分離用溝道365和元件分離用溝道366的傾斜優(yōu)選相對(duì)于X方向(或相對(duì)于Y方向)為相反方向。其原因在于，可以使應(yīng)力分散在互為相反的方向。
[0034]需要說明的是，角度Θ也可以不像上述那樣統(tǒng)一，如圖5所示那樣，也可以為元件分離用溝道結(jié)構(gòu)34的、設(shè)置在Y方向延伸的元件分離用溝道361和元件分離用溝道362之間且從X方向(或Y方向)傾斜的元件分離用溝道367的傾斜依次變化的形狀。在圖5所示的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)34中，隨著從紙面的下側(cè)向上側(cè)移動(dòng)，元件分離用溝道367的傾斜從自X方向逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)傾斜約45°的情況逐漸變小而平行于X方向，然后，從X方向順時(shí)針旋轉(zhuǎn)傾斜約45°，之后該傾斜逐漸變小而平行于X方向。
[0035]另外，還可以代替如本實(shí)施方式這樣、將具備在Y方向延伸的元件分離用溝道和X方向延伸的元件分離用溝道的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)32、和具備在Y方向延伸的元件分離用溝道和從X方向(或Y方向)傾斜的元件分離用溝道的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)34交替配置的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)30，而采用下述元件分離用溝道結(jié)構(gòu)，S卩:使從X方向(或Y方向)傾斜的元件分離用溝道分散配置于具備在Y方向延伸的元件分離用溝道和在X方向延伸的元件分離用溝道的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)內(nèi)。該情況下，對(duì)于從X方向(或Y方向)傾斜的元件分離用溝道而言，可以分散配置從X方向逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)傾斜45°的元件分離用溝道和從X方向順時(shí)針旋轉(zhuǎn)傾斜45°的元件分離用溝道。另外，也可以不統(tǒng)一從X方向(或Y方向)傾斜的元件分離用溝道的傾斜角度，以整體的方式分散應(yīng)力即可。
[0036]如元件形成區(qū)域40那樣，可以將半導(dǎo)體元件配置在由從X方向傾斜角度Θ (0°< Θ <90° )元件分離用溝道構(gòu)成元件分離用溝道的一部分的元件形成區(qū)域，但由于元件形成區(qū)域的角圓滑，所以元件形成區(qū)域小的情況下難以配置半導(dǎo)體元件。本實(shí)施方式中，半導(dǎo)體元件配置于元件形成區(qū)域38，而不配置于元件形成區(qū)域40。
[0037]與本實(shí)施方式不同，在圖6所示的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)50中，元件分離用溝道結(jié)構(gòu)32和元件分離用溝道結(jié)構(gòu)33交替配置。元件分離用溝道結(jié)構(gòu)32的結(jié)構(gòu)與第I實(shí)施方式的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)32相同。元件分離用溝道結(jié)構(gòu)33的元件分離用溝道36具備在Y方向延伸的元件分離用溝道361、362、和在X方向延伸的元件分離用溝道368。由元件分離用溝道361、362和元件分離用溝道368、368包圍的區(qū)域?yàn)樵纬蓞^(qū)域39。相鄰的元件形成區(qū)域39彼此共用相鄰的元件形成區(qū)域39間的元件分離用溝道368。在元件分離用溝道結(jié)構(gòu)33中，元件形成區(qū)域39在Y方向并排設(shè)置成I列。元件分離用溝道結(jié)構(gòu)32的元件形成區(qū)域38和元件分離用溝道結(jié)構(gòu)33的元件形成區(qū)域39共用元件形成區(qū)域38和元件形成區(qū)域39之間的元件分離用溝道361或元件分離用溝道362。元件分離用結(jié)構(gòu)32的元件分離用溝道363和元件分離用結(jié)構(gòu)33的元件分離用溝道368在Y方向交替配置。元件分離用溝道363與元件分離用溝道361或與元件分離用溝道362交叉成T字形，元件分離用溝道368與元件分離用溝道361或與元件分離用溝道362交叉成T字形。通過形成交叉為T字形的結(jié)構(gòu)，交叉部分的元件分離用溝道的埋入性優(yōu)于交叉為十字形的元件分離用溝道。
[0038]在該元件分離用溝道結(jié)構(gòu)50中，若如圖4所示那樣，在元件分離用溝道36形成有利用CVD法等而埋入的硅氧化膜120的結(jié)構(gòu)，則硅氧化膜120會(huì)因退火等熱處理而收縮，硅基板110受到來自硅氧化膜120的應(yīng)力210。通過在Y方向延伸的元件分離用溝道361、362而施加有X方向的應(yīng)力，通過在X方向延伸的元件分離用溝道363、368而施加有Y方向的應(yīng)力。溝道越密集該應(yīng)力的影響越大。因此，如圖7所示，在元件分離用溝道36密集的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)50中，應(yīng)力220在元件分離用溝道結(jié)構(gòu)50的最外周達(dá)到峰值，從而在元件分離用溝道結(jié)構(gòu)50的X方向和Y方向的最外周產(chǎn)生裂縫400。
[0039]接著，對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置I的制造方法進(jìn)行說明。參照?qǐng)D4，首先在硅基板100的一主面101形成元件分離用溝道36。然后，利用熱氧化等將硅氧化膜110形成在硅基板100的一主面101和元件分離用溝道36的側(cè)面以及底面。然后，利用CVD法將硅氧化膜120形成在整個(gè)面上。然后，進(jìn)行平坦化處理，將硅基板100的一主面101上的硅氧化膜120去除，從而形成在由硅氧化膜110包覆的元件分離用溝道36內(nèi)埋入了硅氧化膜120的結(jié)構(gòu)。然后，在元件形成區(qū)域38形成雙極晶體管或MOS晶體管等。
[0040](第2實(shí)施方式)
[0041]圖8所示的本實(shí)施方式的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)50的平面結(jié)構(gòu)與圖6相同，因此省略其說明。參照?qǐng)D9，在硅基板100的一主面101形成有元件分離用溝道36(361、362)。硅基板100的一主面101和元件分離用溝道36的側(cè)面以及底面被利用熱氧化等而形成的硅氧化膜Iio包覆。在被硅氧化膜110包覆的元件分離用溝道36內(nèi)形成有利用CVD法等而埋入的硅氧化膜122。對(duì)于本實(shí)施方式的元件分離用溝道36(361、362)的寬度，在利用第I實(shí)施方式的由硅氧化膜110包覆的元件分離用溝道36內(nèi)埋入硅氧化膜120的條件形成了硅氧化膜122的情況下，該寬度為能夠在硅氧化膜122形成以0.1 μ m左右開口的縫隙124的寬度。需要說明的是，圖9是圖8的DD線剖面示意圖，圖8的EE線剖面也為同樣的結(jié)構(gòu)。
[0042]硅氧化膜122由于存在有縫隙124所以通過退火等熱處理不會(huì)對(duì)硅基板100賦予應(yīng)力而是在箭頭230的方向上收縮。因此，如圖8所示，即使在元件分離用溝道36密集的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)50中，因硅氧化膜122在退火等熱處理時(shí)收縮而導(dǎo)致的應(yīng)力也會(huì)被抑制為最小限度，能夠防止裂縫的產(chǎn)生。需要說明的是，在布線步驟之前、換而言之在使應(yīng)力緩和后，例如在柵極多晶硅(gate polygon)形成時(shí)利用多晶硅填埋縫隙124、或者塞住縫隙124的開口部，因此不存在由縫隙124的階梯差而導(dǎo)致的布線形成時(shí)的影響。即，利用硅氧化膜和多晶硅這樣的不同的材料對(duì)元件分離用溝道36進(jìn)行了填埋。
[0043]接著，對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。參照?qǐng)D9，首先在硅基板100的一主面101形成元件分離用溝道36。然后，利用熱氧化等將硅氧化膜110形成在基板100的一主面101和元件分離用溝道36的側(cè)面以及底面。然后，利用CVD法將硅氧化膜120形成在整個(gè)面上。然后，進(jìn)行平坦化處理，將硅基板100的一主面101上的硅氧化膜120去除，從而形成在由硅氧化膜110包覆的元件分離用溝道36內(nèi)埋入了硅氧化膜120的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，元件分離用溝道36比第I實(shí)施方式的元件分離用溝道36寬度寬，在元件分離用溝道36內(nèi)的硅氧化膜122形成有縫隙124。然后，在元件形成區(qū)域38形成雙極晶體管或MOS晶體管等。若以形成MOS晶體管的情況為例,則在柵極多晶娃(gate polygon)形成時(shí)，利用多晶硅填埋縫隙124、或利用多晶硅將縫隙124的開口部堵住。
[0044]在上述的第I實(shí)施方式和第2實(shí)施方式中，元件形成區(qū)域38、39形成有雙極晶體管或MOS晶體管。雖然以元件形成區(qū)域38為例進(jìn)行了說明，但元件形成區(qū)域39也是同樣的。
[0045]參照?qǐng)D10，在N—基板130上形成P—層131。從P—層131的表面到N—基板130的中途形成有元件分離用溝道363。元件分離用溝道363的下部的N—基板130形成有溝道限位件158。被元件分離用溝道363、363和元件分離用溝道361、362(參照?qǐng)D2、圖8)包圍的區(qū)域?yàn)樵纬蓞^(qū)域38。P—層131的表面形成有N—層132。在P—層131與N—層132分離地形成有P—層133。在P—層131的表面形成有Locos氧化膜137。在Locos氧化膜137形成有開口 141、142、144。在露出于開口 141的N一層132上形成有P+層134。在露出于開口 142的N—層132上形成有N+層135。在露出于開口 144的P —層133上形成有P +層136。P+層134作為發(fā)射極而發(fā)揮功能。N—層132和N +層135作為基極而發(fā)揮功能。P—層133和P+層136作為集電極而發(fā)揮功能。在Locos氧化膜137、P+層134、N+層135以及P+層136上形成有層間絕緣膜150。在設(shè)置于層間絕緣膜150的貫通孔形成有分別與P+層134、N+層135以及P+層136連接的觸點(diǎn)151、152、153。在層間絕緣膜150上形成有分別與觸點(diǎn)151、152、153連接的金屬布線154、155、156。
[0046]參照?qǐng)D11，在P 一基板160上形成有N一層161。從N一層161的表面到P 一基板160的中途形成有元件分離用溝道363。元件分離用溝道363的下部的N—基板130形成有溝道限位件159。被元件分離用溝道363、363和元件分離用溝道361、362(參照?qǐng)D2、圖8)包圍的區(qū)域?yàn)樵纬蓞^(qū)域38。P—層162、163相互分離地形成在N—層161的表面。在P一層162形成有P層163。在P—層164形成有P層165。在N —層161的表面形成有Locos氧化膜168。在Locos氧化膜168形成有開口 171、172、173。在露出于開口 171的N-層161上形成有柵極氧化膜167。在露出于開口 172的P層163上形成有P+層174。在露出于開口 173的P層165上形成有P+層175。P-層162、P層163和P +層174作為源極而發(fā)揮功能。P-層164、P層165和P +層175作為漏極而發(fā)揮功能。在柵極氧化膜167上形成有柵電極用多晶硅層176，在多晶硅層176上形成有WSil77，在多晶硅層176和WSil77的側(cè)面形成有側(cè)壁178。
[0047]以上，對(duì)本發(fā)明的各種典型的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施方式。因此，本發(fā)明的范圍僅由權(quán)利要求書所限定。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，具備半導(dǎo)體基板、具有形成在所述半導(dǎo)體基板的一主面的元件分離用溝道的元件分離用溝道結(jié)構(gòu)、形成在所述元件分離用溝道內(nèi)的絕緣物、被所述元件分離用溝道包圍的元件形成區(qū)域以及形成在所述元件形成區(qū)域的半導(dǎo)體元件，其特征在于， 所述元件分離用溝道具備: 在第I方向上延伸的第I元件分離用溝道； 在與所述第I方向正交的第2方向上延伸的第2元件分離用溝道；以及在從所述第I方向傾斜了角度Θ的方向上延伸的第3元件分離用溝道，其中，0° < Θ< 90°。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第3方向?yàn)閺乃龅贗方向順時(shí)針傾斜了所述角度Θ的方向， 所述元件分離用溝道還具備第4元件分離用溝道，所述第4元件分離用溝道在從所述第I方向逆時(shí)針傾斜了所述角度Θ的第4方向上延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述元件分離用溝道結(jié)構(gòu)具備: 第I元件分離用溝道結(jié)構(gòu)，所述第I元件分離用溝道結(jié)構(gòu)具備所述第I元件分離用溝道和所述第2元件分離用溝道；和 第2元件分離用溝道結(jié)構(gòu)，所述第2元件分離用溝道結(jié)構(gòu)具備所述第2元件分離用溝道和所述第3元件分離用溝道， 所述第I元件分離用溝道結(jié)構(gòu)和所述第2元件分離用溝道結(jié)構(gòu)被交替配置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 用于分離排列在所述第2方向上的所述元件形成區(qū)域的所述第3元件分離用溝道的角度Θ在所述第2方向上變化。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述元件分離用溝道利用不同的材料被填埋。
6.一種半導(dǎo)體裝置，具備半導(dǎo)體基板、形成在所述半導(dǎo)體基板的一主面的元件分離用溝道、形成在所述元件分離用溝道內(nèi)的絕緣物、被所述元件分離用溝道包圍的元件形成區(qū)域以及形成在所述元件形成區(qū)域的半導(dǎo)體元件，其特征在于， 在所述元件分離用溝道內(nèi)的所述絕緣物形成有縫隙。
7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備: 在半導(dǎo)體基板的一主面形成元件分離用溝道的步驟； 在所述元件分離用溝道內(nèi)形成具有縫隙的絕緣物的步驟；以及在形成所述絕緣物的步驟后，在被所述元件分離用溝道包圍的元件形成區(qū)域形成半導(dǎo)體元件的步驟。
【文檔編號(hào)】H01L27/04GK103515382SQ201310228546
【公開日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年6月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月14日
【發(fā)明者】鍜治昂男, 佐佐木克仁, 古平貴章, 土井祐樹, 折津美奈子 申請(qǐng)人:拉碧斯半導(dǎo)體株式會(huì)社