技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種Si襯底三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)電池，包括按照遠(yuǎn)離Si襯底10的方向依次在Si襯底上生長(zhǎng)的第一過渡層、GeSi底電池、第二過渡層、第一隧道結(jié)、GaAs中間電池、第二隧道結(jié)、GaInP頂電池、GaAs接觸層。本發(fā)明采用Si襯底制作的三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池，實(shí)現(xiàn)帶隙能量分別為1.89eV/1.42eV/1.0eV，獲得高電壓、低電流輸出，從而有效降低超高倍聚光太陽(yáng)電池中的電阻損失，實(shí)現(xiàn)較高的光電轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)研發(fā)人員：趙勇明;董建榮;李奎龍;孫玉潤(rùn);曾徐路;于淑珍;趙春雨;楊輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
文檔號(hào)碼：201310210307
技術(shù)研發(fā)日：2013.05.30
技術(shù)公布日：2017.01.25