技術(shù)特征：
1.一種Si襯底三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池，其特征在于，包括從下至上依次設(shè)置在Si襯底上的第一過渡層、GeSi底電池、第二過渡層、第一隧道結(jié)、GaAs中間電池、第二隧道結(jié)、GaInP頂電池、GaAs接觸層；所述GeSi底電池、GaAs中間電池、GaInP頂電池的禁帶寬度分別為1.89eV、1.42eV、1.0eV；所述第一過渡層的材質(zhì)是SixGe1-x，0.8≤x＜1；所述第一過渡層中所述x含量按照遠(yuǎn)離Si襯底的方向呈線性或臺(tái)階式降低，所述第一過渡層厚度不大于2μm；所述第二過渡層的材質(zhì)為GaAsyP1-y，0.098≤y≤1；所述第二過渡層中所述y含量按照遠(yuǎn)離Si襯底的方向呈線性或臺(tái)階式降低，所述第二過渡層厚度不大于3μm。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池，其特征在于，還包括分別設(shè)置在所述Si襯底底部、所述GaAs接觸層頂部的背電極和柵電極，以及設(shè)置在所述柵電極表面的抗反膜。3.一種根據(jù)權(quán)利要求1～2任一項(xiàng)所述的Si襯底三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟A、采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉淀法或分子束外延法按照遠(yuǎn)離Si襯底的方向依次在Si襯底上生長第一過渡層、GeSi底電池、第二過渡層、第一隧道結(jié)、GaAs中電池、第二隧道結(jié)、GaInP頂電池、GaAs接觸層；步驟B、分別在所述Si襯底底部、GaAs接觸層頂部蒸鍍背電極和柵電極，以及在所述柵電極表面蒸鍍抗反膜。