一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝層，封裝層是由封裝層單元重復(fù)設(shè)置形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)，封裝層單元包括依次層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層，混合阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)材料、第一無(wú)機(jī)材料和第二無(wú)機(jī)材料三者混合形成的混合材料，有機(jī)材料為T(mén)APC、NPB、Alq3、m-MTDATA、BCP或TPBi，第一無(wú)機(jī)材料為氟化鎂、氟化鋁或六氟鋁酸鈉，第二無(wú)機(jī)材料為鑭系金屬氟化物。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。該方法可有效減少水、氧對(duì)器件的侵蝕，延長(zhǎng)器件壽命。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在透明陽(yáng)極和金屬陰極之間夾有多層有機(jī)材料薄膜(空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子輸送層和電子注入層)，當(dāng)電極間施加一定的電壓后，發(fā)光層就會(huì)發(fā)光。近年來(lái)，有機(jī)電致發(fā)光器件由于本身制作成本低、響應(yīng)時(shí)間短、發(fā)光亮度高、寬視角、低驅(qū)動(dòng)電壓以及節(jié)能環(huán)保等特點(diǎn)已經(jīng)在全色顯示、背光源和照明等領(lǐng)域受到了廣泛關(guān)注，并被認(rèn)為是最有可能在未來(lái)的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。
[0003]目前，有機(jī)電致發(fā)光器件存在壽命較短的問(wèn)題，這主要是因?yàn)橛袡C(jī)材料薄膜很疏松，易被空氣中的水汽和氧氣等成分滲入后迅速發(fā)生老化。因此，有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)入實(shí)際使用之前必須進(jìn)行封裝，封裝的好壞直接關(guān)系到有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
[0004]傳統(tǒng)技術(shù)中采用玻璃蓋或金屬蓋進(jìn)行封裝，其邊沿用紫外聚合樹(shù)脂密封，但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大，增加了器件的重量，并且該方法不能應(yīng)用于柔性有機(jī)電致放光器件的封裝。以及，現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光器件通常不能提供良好的透光率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。該制備方法可有效地減少水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。本發(fā)明方法適用于以導(dǎo)電玻璃基板制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，也適用于以塑料或金屬為基底制備的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006]一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝層，所述封裝層是由封裝層單元重復(fù)設(shè)置形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述封裝層單元包括依次層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層，
[0007]所述混合阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)材料、第一無(wú)機(jī)材料和第二無(wú)機(jī)材料三者混合形成的混合材料，所述有機(jī)材料為1，1- 二((4-N，N1-二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’ - 二苯基-N，N，-二 (1-萘基)_1，Γ-聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述第一無(wú)機(jī)材料為氟化鎂、氟化鋁或六氟鋁酸鈉，所述第二無(wú)機(jī)材料為鑭系金屬氟化物；在所述混合阻擋層的材質(zhì)中，所述第一無(wú)機(jī)材料占所述混合阻擋層總質(zhì)量的10%?20%，所述第二無(wú)機(jī)材料占所述混合阻擋層總質(zhì)量的10%?20% ；
[0008]所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁。
[0009]優(yōu)選地，陽(yáng)極基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯基板。
[0010]優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0011]本發(fā)明中，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用于本發(fā)明。
[0012]陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極(介質(zhì)層夾雜金屬層形成的介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。優(yōu)選為透明陰極。
[0013]封裝層單元依次包括混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層。
[0014]混合阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)材料、第一無(wú)機(jī)材料和第二無(wú)機(jī)材料三者混合形成的混合材料。
[0015]有機(jī)材料為1，1-二((4-N，N, -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、N，N’_二苯基-N，N，- 二 (1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4，7—二苯基一 I，10—鄰菲羅啉(BCP)或1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。有機(jī)材料的存在能有效提高混合阻擋層的整個(gè)膜層的平整度，防止封裝層存在縫隙。
[0016]第一無(wú)機(jī)材料為短周期金屬氟化物，為氟化鎂(MgF2)、氟化鋁(AlF3)或六氟鋁酸鈉(Na3AlF6)15短周期金屬氟化物具有較強(qiáng)的防腐蝕性能，從而能有效提高混合阻擋層的整個(gè)膜層的防外界腐蝕性能。
[0017]第二無(wú)機(jī)材料為鑭系金屬氟化物。優(yōu)選地，鑭系金屬氟化物為氟化鑭(LaF3)、氟化釹(NdF3)或氟化釓(GdF)。鑭系金屬氟化物折射率高，應(yīng)力小，與低折射率的第一無(wú)機(jī)材料結(jié)合，可有效彌補(bǔ)空間缺陷。
[0018]混合阻擋層采用上述三種材料混合摻雜共蒸鍍制備，所得膜層熱穩(wěn)定性高，致密性高，平整度好，從而能有效阻擋外界水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，延長(zhǎng)器件使用壽命。
[0019]無(wú)機(jī)阻擋層通過(guò)磁控濺射的方式沉積在混合阻擋層表面。
[0020]無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化鈦(T12)、氧化鎂(MgO)、二氧化硅(S12)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鋅(ZnO)或氧化鋁(Al2O3X
[0021]無(wú)機(jī)阻擋層為高吸水吸氧性物質(zhì)膜層，其存在可以保護(hù)陰極在后續(xù)操作條件下免遭破壞，延長(zhǎng)水、氧滲透路徑，有效減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕。
[0022]優(yōu)選地，混合阻擋層的厚度為100?200nm,無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為50?lOOnm。
[0023]優(yōu)選地，所述封裝層單元重復(fù)設(shè)置4?6次。
[0024]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0025]在陽(yáng)極基板上依次制備發(fā)光功能層和陰極；
[0026]在所述陰極表面制備封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，所述封裝層是由封裝層單元重復(fù)設(shè)置形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述封裝層單元包括依次層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層，
[0027]所述混合阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)材料、第一無(wú)機(jī)材料和第二無(wú)機(jī)材料三者混合形成的混合材料，所述有機(jī)材料為1，1- 二((4-N，N1-二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’ - 二苯基-N，N，-二 (1-萘基)_1，Γ-聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述第一無(wú)機(jī)材料為氟化鎂、氟化鋁或六氟鋁酸鈉，所述第二無(wú)機(jī)材料為鑭系金屬氟化物；在所述混合阻擋層的材質(zhì)中，所述第一無(wú)機(jī)材料占所述混合阻擋層總質(zhì)量的10%?20%，所述第二無(wú)機(jī)材料占所述混合阻擋層總質(zhì)量的10%?20% ;所述混合阻擋層采用真空蒸鍍的方式制備，所述真空蒸鍍過(guò)程中的真空度為I X 10_5Pa?I X 10_3Pa，蒸發(fā)速度為0.5A~5A/S;
[0028]所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁，所述無(wú)機(jī)阻擋層采用磁控濺射的方式制備，所述磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為lX10_5Pa?lX10_3Pa，濺射過(guò)程通入氬氣和氨氣，氬氣通入流量為5?15sccm，氨氣通入流量為10?20sccm。
[0029]優(yōu)選地，陽(yáng)極基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯基板。
[0030]優(yōu)選地，將陽(yáng)極基板進(jìn)行如下清潔處理:依次進(jìn)行丙酮清洗、乙醇清洗、純水清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，然后再用烘箱烘干待用，再對(duì)洗凈后的陽(yáng)極基板進(jìn)行表面活化處理。
[0031]優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0032]優(yōu)選地，發(fā)光功能層通過(guò)真空蒸鍍的方法或溶液涂敷的方法設(shè)置。本發(fā)明中，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用于本發(fā)明。
[0033]陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極(介質(zhì)層夾雜金屬層形成的介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層結(jié)構(gòu)等)。優(yōu)選為透明陰極。陰極采用真空蒸鍍的方式制備。
[0034]封裝層單元依次包括混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層。
[0035]具體地，封裝層單元的制備過(guò)程包括:先在陰極表面采用真空蒸鍍的方式制備混合阻擋層，然后在混合阻擋層上采用采用磁控濺射的方式制備無(wú)機(jī)阻擋層。依此重復(fù)多次制備封裝層單元，形成具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的封裝層。
[0036]優(yōu)選地，所述封裝層單元重復(fù)設(shè)置4?6次。
[0037]混合阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)材料、第一無(wú)機(jī)材料和第二無(wú)機(jī)材料三者混合形成的混合材料。
[0038]有機(jī)材料為1，1-二((4-N，N, -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、N，N’-二苯基-N，N，- 二 (1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA )、4，7 —二苯基一 I，1 —鄰菲羅啉(BCP )或1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。有機(jī)材料的存在能有效提高混合阻擋層的整個(gè)膜層的平整度，減少封裝層存在縫隙。
[0039]第一無(wú)機(jī)材料為短周期金屬氟化物，可以為氟化鎂(MgF2)、氟化鋁(AlF3)或六氟鋁酸鈉(Na3AlF6)15短周期金屬氟化物具有較強(qiáng)的防腐蝕性能，從而能有效提高混合阻擋層的整個(gè)膜層的防外界腐蝕性能。
[0040]第二無(wú)機(jī)材料為鑭系金屬氟化物。優(yōu)選地，鑭系金屬氟化物為氟化鑭(LaF3)、氟化釹(NdF3)或氟化釓(GdF)。鑭系金屬氟化物折射率高，應(yīng)力小，與低折射率的第一無(wú)機(jī)材料結(jié)合，可有效彌補(bǔ)空間缺陷。
[0041]混合阻擋層采用上述三種材料混合后蒸鍍制備，所得膜層熱穩(wěn)定性高，致密性高，從而能有效阻擋外界水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，延長(zhǎng)器件使用壽命。
[0042]混合阻擋層的蒸鍍制備過(guò)程中的真空度為lX10_5Pa?lX10_3Pa，蒸發(fā)速度為
0.5A ~ 5A/s ο
[0043]無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化鈦(T12)、氧化鎂(MgO)、二氧化硅(S12)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鋅(ZnO)或氧化鋁(Al2O3X
[0044]無(wú)機(jī)阻擋層為高吸水吸氧性物質(zhì)膜層，其存在可以保護(hù)陰極在后續(xù)操作條件下免遭破壞，延長(zhǎng)水、氧滲透路徑，有效減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕
[0045]優(yōu)選地，混合阻擋層的厚度為100?200nm,無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為50?lOOnm。
[0046]本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果:
[0047](I)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件重復(fù)設(shè)置的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層，可有效地減少水汽、氧等對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，同時(shí)可保護(hù)發(fā)光功能層和陰極免遭破壞，從而顯著提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命；
[0048](2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR)達(dá)到10_4g/m2.day，器件壽命(T70il000cd/m2)達(dá)5000小時(shí)以上，封裝面透光率可達(dá)到50%以上；
[0049](3)本發(fā)明方法適用于封裝以導(dǎo)電玻璃為陽(yáng)極基板制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，也適用于封裝以塑料或金屬為陽(yáng)極基底制備的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件，本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0050](4)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件材料廉價(jià)，封裝方法工藝簡(jiǎn)單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模使用。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0051]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0052]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0053]實(shí)施例1
[0054]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0055](I)在陽(yáng)極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0056]a.導(dǎo)電玻璃基板的前處理
[0057]取ITO玻璃基板，依次進(jìn)行丙酮清洗、乙醇清洗、純水清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，烘干后，對(duì)洗凈后的ITO玻璃基板進(jìn)行表面活化處理；IT0厚度10nm;
[0058]b.發(fā)光功能層和陰極的制備
[0059]采用真空蒸鍍的方法在ITO玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；
[0060]空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入N，N’-二苯基-N，N’-二 (1-萘基聯(lián)苯-4，4’-二胺(NPB)中作為空穴注入層材料，摻雜質(zhì)量濃度為30%，厚度為10nm，真空度3 X10_5Pa，蒸發(fā)速度 0.1 A/s;
[0061]空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.丨人/s,蒸發(fā)厚度30nm ；
[0062]發(fā)光層的制備:主體材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)，客體材料摻雜質(zhì)量濃度為5%，將主體材料與客體材料混合摻雜后共蒸，真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S,蒸發(fā)厚度20nm ；
[0063]電子傳輸層的制備:米用4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸材料，真空度3 X 10?,蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度1nm ；
[0064]電子注入層的制備:將CsN3摻入4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)中作為電子注入層材料，摻雜質(zhì)量濃度30%，真空度3 X 10?,蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0065]陰極的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS, ZnS厚度30nm, Ag厚度1nm,真空度為I X10_5Pa，蒸發(fā)速度為IA s
[0066](2)在陰極上重復(fù)制備4次封裝層單元，形成具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0067]所述封裝層單元包括依次層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層；
[0068]a.通過(guò)真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為120nm的混合阻擋層；混合阻擋層的材質(zhì)為T(mén)PB1、MgF2和GdF混合形成的混合材料，混合材料中，MgF2與GdF所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)均為12%，蒸鍍過(guò)程的真空度為1父10_1，蒸發(fā)速度為1人/5;
[0069]b.通過(guò)磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為70nm的T12層作為無(wú)機(jī)阻擋層，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為I X10_3Pa，通入Ar和NH3, Ar流量為8sCCm，MV流量為15sccm ；
[0070]c.重復(fù)3次步驟a、b，形成具有4個(gè)封裝層單元的復(fù)合封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0071]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為
6.5Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 4985 小時(shí)，透光率為 63%。
[0072]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括ITO玻璃基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層
4、電子傳輸層5、電子注入層6、陰極7和封裝層8。ITO玻璃基板I和封裝層8通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂密封形成一封閉空間，空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6和陰極7容置在該封閉空間內(nèi)。所述封裝層8依次包括4層厚度為120nm的混合阻擋層81、83、85和87、4層厚度為70nm的無(wú)機(jī)阻擋層82、84、86和88。
[0073]實(shí)施例2
[0074]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0075](I)在陽(yáng)極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0076]與實(shí)施例1同。
[0077](2)在陰極上重復(fù)制備5次封裝層單元，形成具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0078]所述封裝層單元包括依次層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層；
[0079]a.通過(guò)真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為200nm的混合阻擋層；混合阻擋層的材質(zhì)為NPB、A1F3和NdF3混合形成的混合材料，混合材料中，AlF3所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，NdF3所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，蒸鍍過(guò)程的真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為5A/s;
[0080]b.通過(guò)磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為10nm的ZnO層作為無(wú)機(jī)阻擋層，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為I X 10_5Pa，通入Ar和NH3, Ar流量為lOsccm，NH3流量為 1sccm ；
[0081]c.重復(fù)4次步驟a、b，形成具有5個(gè)封裝層單元的復(fù)合封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0082]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為
4.8Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 5074 小時(shí)，透光率為 55%。
[0083]實(shí)施例3
[0084]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0085](I)在陽(yáng)極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0086]與實(shí)施例1同。
[0087](2)在陰極上重復(fù)制備5次封裝層單元，形成具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0088]所述封裝層單元包括依次層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層；
[0089]a.通過(guò)真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為10nm的混合阻擋層；
[0090]混合阻擋層的材質(zhì)為Alq3、MgF2和GdF混合形成的混合材料,混合材料中，MgF2所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，GdF所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，蒸鍍過(guò)程的真空度為lX10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.sA/s;
[0091]b.通過(guò)磁控派射的方式在混合阻擋層上制備厚度為50nm的ZrO2層作為無(wú)機(jī)阻擋層，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為I X10_5Pa，通入Ar和NH3, Ar流量為5sCCm，MV流量為15sccm ；
[0092]c.重復(fù)4次步驟a、b，形成具有5個(gè)封裝層單元的復(fù)合封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0093]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為
5.1父10'壽命(了7浦100(^(1/1112)為5060小時(shí)，透光率為56%。
[0094]實(shí)施例4
[0095]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0096](I)在陽(yáng)極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0097]與實(shí)施例1同。
[0098](2)在陰極上重復(fù)制備5次封裝層單元，形成具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0099]所述封裝層單元包括依次層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層；
[0100]a.通過(guò)真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為130nm的混合阻擋層；混合阻擋層的材質(zhì)為m-MTDATA、Na3AlF6和LaF3混合形成的混合材料，混合材料中，Na3AlF6所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為16%，LaF3所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為13%，蒸鍍過(guò)程的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/s；
[0101]b.通過(guò)磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為70nm的S12層作為無(wú)機(jī)阻擋層，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為5X 10_5Pa，通入Ar和NH3, Ar流量為9sCCm，NH3流量為17sccm ；
[0102]c.重復(fù)4次步驟a、b，形成具有5個(gè)封裝層單元的復(fù)合封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0103]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為
5.4Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 5045 小時(shí)，透光率為 57%。
[0104]實(shí)施例5
[0105]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0106](I)在陽(yáng)極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0107]與實(shí)施例1同。
[0108](2)在陰極上重復(fù)制備5次封裝層單元，形成具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0109]所述封裝層單元包括依次層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層；
[0110]a.通過(guò)真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為140nm的混合阻擋層；混合阻擋層的材質(zhì)包括BCP、AlF3和NdF3混合形成的混合材料，混合材料中，AlF3所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為16%，NdF3所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為11%，蒸鍍過(guò)程的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為3A/S;
[0111]b.通過(guò)磁控派射的方式在混合阻擋層上制備厚度為60nm的MgO層作為無(wú)機(jī)阻擋層，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為5X 10_5Pa，通入Ar和NH3, Ar流量為7sCCm，NH3流量為12sccm ；
[0112]c.重復(fù)4次步驟a、b，形成具有5個(gè)封裝層單元的復(fù)合封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0113]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為
5.7Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 5025 小時(shí)，透光率為 59%。
[0114]實(shí)施例6
[0115]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0116]( I)在陽(yáng)極基板上制備發(fā)光功能層和陰極
[0117]與實(shí)施例1同。
[0118](2)在陰極上重復(fù)制備6次封裝層單元，形成具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0119]所述封裝層單元包括依次層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層；
[0120]a.通過(guò)真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為200nm的混合阻擋層；混合阻擋層的材質(zhì)包括TAPC、Na3AlF6和LaF3混合形成的混合材料，混合材料中，Na3AlF6所占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%，LaF3K占質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%，蒸鍍過(guò)程的真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為I A/s;
[0121]b.通過(guò)磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為SOnm的Al2O3層作為無(wú)機(jī)阻擋層，磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為I X10_5Pa，通入Ar和NH3, Ar流量為8sCCm，MV流量為 20sccm ；
[0122]c.重復(fù)5次步驟a、b，形成具有6個(gè)封裝層單元的復(fù)合封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0123]本實(shí)施例復(fù)合封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為4.2Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 5112 小時(shí)，透光率為 52%。
[0124]綜上，本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法可有效地減少水汽和氧對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，并且能夠保護(hù)發(fā)光功能層和陰極免遭破壞，同時(shí)提高封裝面的透光率。
[0125]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層是由封裝層單元重復(fù)設(shè)置形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述封裝層單元包括依次層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層， 所述混合阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)材料、第一無(wú)機(jī)材料和第二無(wú)機(jī)材料三者混合形成的混合材料，所述有機(jī)材料為1，1-二((4-N，N' -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’-二苯基-N，N’-二 (1-萘基)_1，Γ-聯(lián)苯-4，4’-二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述第一無(wú)機(jī)材料為氟化鎂、氟化鋁或六氟鋁酸鈉，所述第二無(wú)機(jī)材料為鑭系金屬氟化物；在所述混合阻擋層的材質(zhì)中，所述第一無(wú)機(jī)材料占所述混合阻擋層總質(zhì)量的10%?20%，所述第二無(wú)機(jī)材料占所述混合阻擋層總質(zhì)量的10%?20% ； 所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鑭系金屬氟化物為氟化鑭、氟化釹或氟化釓。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述混合阻擋層的厚度為100?200nm,所述無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為50?lOOnm。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝層單元重復(fù)設(shè)置4?6次。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽(yáng)極基板上依次制備發(fā)光功能層和陰極； 在所述陰極表面制備封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，所述封裝層是由封裝層單元重復(fù)設(shè)置形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述封裝層單元包括依次層疊的混合阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層， 所述混合阻擋層的材質(zhì)為有機(jī)材料、第一無(wú)機(jī)材料和第二無(wú)機(jī)材料三者混合形成的混合材料，所述有機(jī)材料為1，1-二((4-N，N' -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N，N’-二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述第一無(wú)機(jī)材料為氟化鎂、氟化鋁或六氟鋁酸鈉，所述第二無(wú)機(jī)材料為鑭系金屬氟化物；在所述混合阻擋層的材質(zhì)中，所述第一無(wú)機(jī)材料占所述混合阻擋層總質(zhì)量的10%?20%，所述第二無(wú)機(jī)材料占所述混合阻擋層總質(zhì)量的10%?20% ;所述混合阻擋層采用真空蒸鍍的方式制備，所述真空蒸鍍過(guò)程中的真空度為I X 10_5Pa?I X 10_3Pa，蒸發(fā)速度為0.5 A.~ 5 A/s; 所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁，所述無(wú)機(jī)阻擋層采用磁控濺射的方式制備，所述磁控濺射過(guò)程中的本底真空度為I X 1-5Pa?I X 10_3Pa，濺射過(guò)程通入氬氣和氨氣，氬氣通入流量為5?15sccm，氨氣通入流量為10?20sccmo
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述鑭系金屬氟化物為氟化鑭、氟化釹或氟化釓。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述混合阻擋層的厚度為100?200nm,所述無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為50?lOOnm。
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述封裝層單元重復(fù)設(shè)置4?6次。
10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104183705SQ201310188033
【公開(kāi)日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年5月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月20日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 張振華, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司