技術(shù)特征：
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件區(qū)，位于該基底之中；一導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基底上，且電性連接該元件區(qū)；一間隔層，設(shè)置于該基底的該第一表面之上；一第二基底，設(shè)置于該間隔層之上，其中該第二基底、該間隔層、及該基底共同于該元件區(qū)上圍出一空腔；一穿孔，自該第二基底的一表面朝該基底延伸，其中該穿孔連通該空腔，且該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)未暴露于該穿孔下；以及一光敏感區(qū)，位于該基底的該第一表面上，其中該光敏感區(qū)位于該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)與該元件區(qū)之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該元件區(qū)包括一溫度感測(cè)元件、一濕度感測(cè)元件、一壓力感測(cè)元件、或前述的組合。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：一孔洞，自該基底的該第二表面朝該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)延伸；一導(dǎo)線(xiàn)層，設(shè)置于該基底的該第二表面上，且延伸進(jìn)入該孔洞而電性連接該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)；以及一絕緣層，設(shè)置于該導(dǎo)線(xiàn)層與該基底之間。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：一保護(hù)層，設(shè)置于該基底的該第二表面上，且具有露出該導(dǎo)線(xiàn)層的一開(kāi)口；以及一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該開(kāi)口中，且電性接觸該導(dǎo)線(xiàn)層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該穿孔直接露出該元件區(qū)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該穿孔不直接露出該元件區(qū)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一第二穿孔，自該第二基底的該表面朝該基底延伸，其中該第二穿孔連通該空腔。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一覆蓋膠帶，設(shè)置于該第二基底的該表面上，且覆蓋該穿孔。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二基底包括一半導(dǎo)體基底、一金屬基底、一高分子基底、一陶瓷基底、或前述的組合。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層直接接觸該第二基底。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層的最靠近該穿孔的一側(cè)邊不與該穿孔的一側(cè)壁共平面。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層的一側(cè)邊與該穿孔的一側(cè)壁大抵共平面。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層不接觸任何的粘著膠。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，還包括一遮光層，設(shè)置于該第二基底的該表面上。15.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底，該基底具有一第一表面及一第二表面，其中一元件區(qū)形成于該基底之中，一導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)設(shè)置于該基底上且電性連接該元件區(qū)，及一光敏感區(qū)形成于該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)與該元件區(qū)之間；于該基底的該第一表面上形成一間隔層；于該間隔層上設(shè)置一第二基底，其中該第二基底、該間隔層、及該基底共同于該元件區(qū)上圍出一空腔；以及自該第二基底的一表面移除部分的該第二基底以形成朝該基底延伸的一穿孔，其中該穿孔連通該空腔，且該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)未暴露于該穿孔下。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括：自該基底的該第二表面移除部分的該基底以形成朝該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)延伸的一孔洞；于基底的該第二表面及該孔洞的側(cè)壁上形成一絕緣層；以及于該絕緣層上形成一導(dǎo)線(xiàn)層，該導(dǎo)線(xiàn)層延伸進(jìn)入該孔洞而電性連接該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括：在形成該孔洞之前，自該基底的該第二表面薄化該基底。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括于該第二基底的該表面上設(shè)置一覆蓋膠帶，該覆蓋膠帶覆蓋該穿孔。19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括沿著該基底的至少一預(yù)定切割道進(jìn)行一切割制程以形成彼此分離的多個(gè)晶片封裝體。20.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底，該基底具有一第一表面及一第二表面，其中一元件區(qū)形成于該基底之中，一導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)設(shè)置于該基底上且電性連接該元件區(qū)，及一光敏感區(qū)形成于該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)與該元件區(qū)之間；提供一第二基底；于該第二基底上形成一間隔層；將該間隔層接合于該基底的該第一表面上，其中該第二基底、該間隔層、及該基底共同于該元件區(qū)上圍出一空腔；以及自該第二基底的一表面移除部分的該第二基底以形成朝該基底延伸的一穿孔，其中該穿孔連通該空腔，且該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)未暴露于該穿孔下。