技術總結(jié)
本發(fā)明揭示了一種GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四結(jié)太陽電池的制作方法?；诰I合工藝，實現(xiàn)了基于GaAs襯底的GaInP/GaAs雙結(jié)太陽電池與基于InP襯底的InGaAsP/InGaAs雙結(jié)太陽電池集成；剝離InP襯底，采用GaAs作為支撐襯底，實現(xiàn)四結(jié)帶隙能量分別為1.89/1.42/1.05/0.72?eV的太陽電池，更大限度地實現(xiàn)太陽光全光譜的吸收和能量轉(zhuǎn)換，而且剝離后的InP襯底經(jīng)拋光后可重復利用，降低了InP襯底的消耗。本發(fā)明提出的四結(jié)太陽電池，可減少機械疊層多結(jié)太陽電池系統(tǒng)中使用多個襯底所導致的高成本以及光學集成電池中復雜的光學系統(tǒng)導致的光學損失，同時還有效解決了生長多結(jié)級聯(lián)半導體太陽電池材料的晶格失配問題。實現(xiàn)高電壓、低電流輸出，降低高倍聚光電池中電阻消耗。

技術研發(fā)人員：趙勇明;董建榮;李奎龍;孫玉潤;曾徐路;于淑珍;趙春雨;楊輝
受保護的技術使用者：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
文檔號碼：201310176398
技術研發(fā)日：2013.05.13
技術公布日：2017.01.25