專利名稱：一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示器件用的三端有源驅(qū)動器件，具體為一種金屬-絕緣體-納米材料-絕緣體-金屬疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件。
背景技術(shù)：
平板顯示器件的驅(qū)動方式和驅(qū)動器件性能對超高清顯示品質(zhì)具有重要的影響。平板顯示器件依據(jù)其驅(qū)動方式的不同可分為無源(Passive Matrix, PM)和有源(ActiveMatrix, AM)兩種類型。無源顯示由于有占空比的問題，使掃描電極數(shù)受到限制，難以實現(xiàn)均勻、高亮度、高分辨率(清)顯示以及低功率驅(qū)動。有源顯示屏在每個像素上集成了開關(guān)元件，用以驅(qū)動發(fā)光點陣，從而克服了使用占空比小的脈沖信號帶來的問題，有利于實現(xiàn)大面積、高分辨率的顯示。因此，研究新型高性能有源驅(qū)動器件，對信息顯示技術(shù)的發(fā)展以及增強我國信息產(chǎn)業(yè)核心競爭力具有重要的意義。目前有源驅(qū)動矩陣的開關(guān)元件主要有單晶硅M0SFET、薄膜晶體管(TFT)等三端開關(guān)元件，以及金屬-絕緣體-金屬(MM)型非線性二端元件。MOSFET因單晶硅晶片尺寸和成本因素，只適合于制作微型顯示器件。TFT技術(shù)經(jīng)過20多年的發(fā)展，工業(yè)生產(chǎn)已相當成熟,但制作工藝復雜、成本高。加之,對應一個像素往往需要多個TFT驅(qū)動源，導致開口率下降，功耗高。MIM 二端器件結(jié)構(gòu)簡單、技術(shù)成熟、制備成本低、易實現(xiàn)精細化、開口率大，具有較好的穩(wěn)定性和重復性。但是，目前用于有源驅(qū)動的MM 二端元件是基于Pool-Frenkel (PF)效應工作，即在10-100 ν/μπι電場下，介質(zhì)層內(nèi)部陷阱電荷依靠場助熱發(fā)射進入導帶，進行傳輸。Pool-Frekel效應要求介質(zhì)材料具有長程無序、短程有序、高缺陷密度等特點，此類介質(zhì)材料具有高介電常數(shù)，導致MIM器件電容大，工作溫度范圍窄，且工作電流小。因此，該器件存在著明顯的缺點:1)電容大，不利于驅(qū)動電壓的充分利用，同時固有的電容耦合作用將使竄擾程度增加；2)工作電流小·，不能應用于電流驅(qū)動型器件。若MIM二端器件在更高電場下工作(通常不低于1000 V/ μ m),其工作機制以Fowler-Nordheim (FN)內(nèi)場發(fā)射效應為主導，可獲得高密度發(fā)射電流，已成功應用于場發(fā)射電子源陣列。另一方面，F(xiàn)N-MIM器件適用于絕大多數(shù)介質(zhì)材料，通過選用低介電常數(shù)的介質(zhì)材料可以降低器件電容。因此，F(xiàn)N-M頂結(jié)構(gòu)有望應用于大電流、低電容有源驅(qū)動器件中。同時，考慮到作為二端有源器件，MIM元件的閾值電壓是像素電壓的一部分，它的均勻性和穩(wěn)定性將直接影響顯示特性。提高像質(zhì)的最好辦法是采用三端有源器件，這是由于三端有源器件可以實現(xiàn)開關(guān)器件的控制電壓和像素的驅(qū)動電壓分開設(shè)置，可以各自選擇最佳工作電壓，以達到高像質(zhì)的要求。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件。本發(fā)明采用以下方案實現(xiàn):一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件，其特征在于，包括:
一第一導電層；一第一絕緣層，設(shè)置于所述第一導電層上方；
一納米材料導電層，設(shè)置于所述第一絕緣層上方；
一第二絕緣層，設(shè)置于所述納米材料導電層上方；以及 一第二導電層，設(shè)置于所述第二絕緣層上方；
其中，在所述第一導電層和第二導電層之間施加一固定電壓，以在所述第一導電層和第二導電層之間形成高密度電流，通過所述納米材料導電層調(diào)制所述第一導電層和第二導電層之間的電流強度，從而實現(xiàn)所述納米材料導電層對所述第一導電層和第二導電層導通與截止的調(diào)控。在本發(fā)明一實施例中，所述納米材料導電層為單層或多層石墨烯，且其厚度小于10納米；或者是由碳納米管、金屬納米線或半導體納米線平鋪形成的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的導電薄層，其厚度小于50納米。在本發(fā)明一實施例中，所述第一導電層和第二導電層采用具有低功函數(shù)的單一金屬材料。在本發(fā)明一實施例中，所述第一導電層和第二導電層采用至少兩種金屬材料的疊 層。在本發(fā)明一實施例中，所述第一導電層與第一絕緣層的接觸層以及所述第二導電層與第二絕緣層的接觸層采用的是具有低功函數(shù)的材料。在本發(fā)明一實施例中，所述第一絕緣層和第二絕緣層所采用的是單一的絕緣材料。在本發(fā)明一實施例中，所述第一絕緣層和第二絕緣層采用對所述納米材料導電層的電學性能無影響的絕緣材料。在本發(fā)明一實施例中，所述第一絕緣層和第二絕緣層所采用的是至少兩種絕緣材
料的疊層。在本發(fā)明一實施例中，所述第一絕緣層與所述納米材料導電層的接觸層以及所述第二絕緣層與所述納米材料導電層的接觸層采用的是對所述納米材料導電層的電學性能無影響的絕緣材料。在本發(fā)明一實施例中，所述第一絕緣層和第二絕緣層的厚度為20-100納米。本發(fā)明在FN-MIM器件的基礎(chǔ)上設(shè)計出一種新型的三端有源驅(qū)動器件，在介質(zhì)層中弓I入一平行于上下電極的柵極，構(gòu)建一種底電極-絕緣體-柵極-絕緣體-頂電極的疊層結(jié)構(gòu)，以柵極電位調(diào)節(jié)器件內(nèi)部的電勢分布和電場強弱，從而達到對該三端有源器件上下電極的導通與關(guān)斷的高效控制。本發(fā)明的三端有源器件具有結(jié)構(gòu)簡單、易集成、高開口率、工作電流大、工作溫度范圍寬等優(yōu)點。


圖1是本發(fā)明第一實施例的截面圖。圖2是本發(fā)明第一實施例的具體制作工藝流程圖。圖3是本發(fā)明第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明第四實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標號說明:110——基板；120——第一導電層；121——第一導電過渡層；130——第一絕緣層；131——第一絕緣過渡層；140——納米材料導電層；150——第二絕緣層；151——第二絕緣過渡層；160——第二導電層；161——第二導電過渡層。
具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下將通過具體實施例和相關(guān)附圖，對本發(fā)明作進一步詳細說明。本發(fā)明提供優(yōu)選實施例，但不應該被認為僅限于在此闡述的實施例。在圖中，為了清楚放大了層和區(qū)域的厚度，但作為示意圖不應該被認為嚴格反映了幾何尺寸的比例關(guān)系。在此，參考圖是本發(fā)明的理想化實施例的示意圖，本發(fā)明所示的實施例不應該被認為僅限于圖中所示的區(qū)域的特定形狀，而是包括所得到的形狀，比如制造引起的偏差。在本實施例中均以矩形表示，圖中的表示是示意性的，但這不應該被認為限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明提供一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件，其特征在于，包括:
一第一導電層；
一第一絕緣層，設(shè)置于所述第一導電層上方；
一納米材料導電層，設(shè)置于所述第一絕緣層上方；
一第二絕緣層，設(shè)置于所述納米材料導電層上方；以及 一第二導電層，設(shè)置于所述第二絕緣層上方；
其中，在所述第一導電層和第二導電層之間施加一固定電壓，以在所述第一導電層和第二導電層之間形成高 密度電流，通過所述納米材料導電層調(diào)制所述第一導電層和第二導電層之間的電流強度，從而實現(xiàn)所述納米材料導電層對所述第一導電層和第二導電層導通與截止的調(diào)控。本發(fā)明中該三端有源器件工作過程如下:在上下電極上施加電壓形成電場，柵極上施加正偏壓，在發(fā)射極表面形成強電場，基于內(nèi)場致發(fā)射效應，電子由發(fā)射極發(fā)射，依次穿過絕緣層、柵極、絕緣層，到達陽極，等效“開”狀態(tài)；反之，在柵極上施加負偏壓，削弱發(fā)射極表面電場，抑制表面電子發(fā)射，等效“關(guān)”狀態(tài)?；谠撈骷慕Y(jié)構(gòu)特點，用于制作柵極的材料除了具有良好的導電性外，還必須為具有穩(wěn)定結(jié)構(gòu)、高電子透過率的納米材料。本發(fā)明提出一種基于“金屬-絕緣體-納米材料-絕緣體-金屬”結(jié)構(gòu)的有源驅(qū)動器件。該元件既具有三端有源驅(qū)動器件的優(yōu)勢，保留傳統(tǒng)MIM元件的易集成、高開口率特點，又具有工作電流大、工作溫度范圍寬，開關(guān)比大，響應速度快等優(yōu)點。下面結(jié)合圖1和圖2對本發(fā)明優(yōu)選的第一實施例的一種基于金屬-絕緣體-納米材料-絕緣體-金屬疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件及其制造方法進行闡述。本發(fā)明第一實施例所提供的一種金屬-絕緣體-納米材料-絕緣體-金屬疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件包括設(shè)置于基板110上的第一導電層120,設(shè)置于所述第一導電層120上的第一絕緣層130，設(shè)置于所述第一絕緣層130上的納米材料導電層140，設(shè)置于所述納米材料導電層140上的第二絕緣層150，和設(shè)置于所述第二絕緣層150上的第二導電層160，其制備方法包括下列步驟:
步驟一，在基板Iio上形成第一導電層120。
在該步驟中，第一導電層120所用材料可以選用Cu，W，Co，Ni，Ta，TaN，Ti，Zn，Al，Cr 一種金屬電極或者兩種及其以上的組合的復合金屬電極，也可以是P型硅材料?？梢酝ㄟ^物理氣相沉積、化學氣相沉積或者電化學沉積等方法形成。該電極可以選擇形成在玻璃襯底表面，也可以選擇形成在其他柔性襯底材料上。電極的寬度、厚度等參數(shù)不是限制性的，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況做出選擇。第一導電層120的構(gòu)圖形成可以通過光刻工藝步驟實現(xiàn)。本實施例優(yōu)選采用磁控濺射方法制作Al金屬膜及后續(xù)光刻工藝形成第一導電層120。步驟二，在第一導電層120上沉積第一絕緣層130。 在該步驟中，所用的材料可以是Si02、Ta205、AIN、A1203、Si3N4, BN、TiO2中的一種或者兩種及其以上的組合。可以通過物理氣相沉積、化學氣相沉積或者電化學沉積等方法形成。第一絕緣層的厚度為20-100nm，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況做出選擇。本實施例優(yōu)選采用磁控濺射方法制作30nm厚的SiO2膜及后續(xù)光刻工藝形成第一絕緣層130。步驟三，在第一絕緣層130表面形成納米材料導電層140。在該步驟中，優(yōu)選的，采用化學氣相沉積法制備石墨烯作為納米材料導電層140。具體為:在1000°c及高真空下，以甲烷、氫氣及氬氣混合氣為反應氣，在較短的時間內(nèi)在銅片表面制備了石墨烯；在長有石墨烯的銅片表面旋涂一層感光膠；腐蝕銅片，從而得到脫離基片的一面粘附有石墨烯層的感光膠薄膜；將粘附有石墨烯層的感光膠薄膜貼在第一絕緣層130表面，并使石墨烯層與第一絕緣層130接觸，加熱使感光膠層與第一絕緣層130緊密接觸；最后去除感光膠，得到第一絕緣層130表面的石墨烯導電層140。其中，本實施例中納米材料導電層所用材料也可以采用一維結(jié)構(gòu)的碳納米管、金屬納米線或半導體納米線，其制備方法為:將一維納米結(jié)構(gòu)分散在溶液中，采用噴涂、旋涂或印刷等工藝，將納米線或納米管平鋪在介質(zhì)層上，納米線或納米管相互交叉接觸，形成具有網(wǎng)絡狀結(jié)構(gòu)的導電薄層。步驟四，在納米材料導電層140上沉積第二絕緣層150。在該步驟中，所用的材料可以是Si02、Ta205、AIN、A1203、Si3N4, BN、TiO2中的一種或者兩種及其以上的組合?？梢酝ㄟ^物理氣相沉積、化學氣相沉積或者電化學沉積等方法形成。第二絕緣層的厚度為20-100nm，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況做出選擇。本實施例優(yōu)選采用磁控濺射方法制作30nm厚的SiO2膜及后續(xù)光刻工藝形成第二絕緣層150。步驟五，在第二絕緣層150上形成第二導電層160。在該步驟中，第二導電層160所用材料可以選用Cu，W，Co，Ni，Ta，TaN，Ti，Zn，Al，Cr 一種金屬電極或者兩種及其以上的組合的復合金屬電極，也可以是P型硅材料?？梢酝ㄟ^物理氣相沉積、化學氣相沉積或者電化學沉積等方法形成。該電極可以選擇形成在玻璃襯底表面，也可以選擇形成在其他柔性襯底材料上。電極的寬度、厚度等參數(shù)不是限制性的，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況做出選擇。第二導電層160的構(gòu)圖形成可以通過光刻工藝步驟實現(xiàn)。本實施例優(yōu)選采用磁控濺射方法制作Al金屬膜及后續(xù)光刻工藝形成第二導電層160。至此，一種金屬-絕緣體-納米材料-絕緣體-金屬疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件制備形成。以上制備方法工藝簡單、過程易于與現(xiàn)有的平板顯示器件制造工藝兼容，可實現(xiàn)大規(guī)?；I(yè)生 產(chǎn)。
為了保持納米材料導電層140的優(yōu)異電學特性，本發(fā)明第一實施例中，第一絕緣層130和第二絕緣層150采用對納米材料導電層140的電學性能無影響的絕緣材料；在本發(fā)明第二實施例中，對本發(fā)明第一實施例進行改良，第一絕緣層130和第二絕緣層150所采用的是至少兩種絕緣材料的疊層，且第一絕緣層130中與納米材料導電層140的接觸層(即第一絕緣過渡層131)以及第二絕緣層150中與納米材料導電層140的接觸層(即第二絕緣過渡層151)采用的是對納米材料導電層140的電學性能無影響的絕緣材料。如圖3所示，包括設(shè)置于基板110上的第一導電層120,設(shè)置于第一導電層120上的第一絕緣層130,設(shè)置于第一絕緣層130上的第一絕緣過渡層131，設(shè)置于第一絕緣過渡層131上的納米材料導電層140，設(shè)置于納米材料導電層140上的第二絕緣過渡層151，設(shè)置于第二絕緣過渡層151上的第二絕緣層150,和設(shè)置于第二絕緣層150上的第二導電層160。其中，在第一絕緣層130上沉積第一絕緣過渡層131 ;所用的過渡層材料對納米材料導電層的電學性能無明顯破壞，所選用的材料可以是但不限于Al2O3或TiO2，可以通過物理氣相沉積、化學氣相沉積或者電化學沉積等方法形成。第一絕緣過渡層的厚度為5-10nm，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況做出選擇。本實施例優(yōu)選采用電子束蒸鍍沉積IOnm厚的Al2O3膜形成第一絕緣過渡層131。在納米材料導電層140上沉積第二絕緣過渡層151 ；所用的過渡層材料對納米材料的電學性能無明顯破壞，所選用的材料可以是但不限于Al2O3或TiO2，可以通過物理氣相沉積、化學氣相沉積或者電化學沉積等方法形成。第一絕緣過渡層的厚度為5-10nm，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況做出選擇。本實施例優(yōu)選采用電子束蒸鍍沉積IOnm厚的Al2O3膜形成第二絕緣過渡層151。為了降低第一導電層120和第二導電層160的表面功函數(shù)，提高其發(fā)射電流密度，在本發(fā)明第一實施例中，第一導電層120和第二導電層160米用具有低功函數(shù)的單一金屬材料；在本發(fā)明三實施例中，對本 發(fā)明第一實施例進行改良，第一導電層120和第二導電層160采用至少兩種金屬材料的疊層，且第一導電層120與第一絕緣層130的接觸層(即第一導電過渡層121)以及第二導電層160與第二絕緣層150的接觸層(第二導電過渡層161)采用的是具有低功函數(shù)的材料。如圖4所示，包括設(shè)置于基板110上的第一導電層120，設(shè)置于第一導電層120上的第一導電過渡層121，設(shè)置于第一導電過渡層121上的第一絕緣層130，設(shè)置于第一絕緣層130上的納米材料導電層140，設(shè)置于納米材料導電層140上的第二絕緣層150，設(shè)置于第二絕緣層150上的第二導電過渡層161，和設(shè)置于第二導電過渡層161上的第二導電層。其中，在第一導電層120上形成第一導電過渡層121 ;所用的過渡層材料具有低功函數(shù)，所選用的材料可以是但不限于鎂銀合金、AlN或GaN，可以通過物理氣相沉積、化學氣相沉積或者電化學沉積等方法形成。第一導電過渡層的厚度為5-10nm，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況做出選擇。本實施例優(yōu)選采用脈沖激光沉積IOnm厚的AlN膜形成第一導電過渡層121。在第二絕緣層150上形成第二導電過渡層161 ;所用的過渡層材料具有低功函數(shù)，所選用的材料可以是但不限于鎂銀合金、AlN或GaN，可以通過物理氣相沉積、化學氣相沉積或者電化學沉積等方法形成。第二導電過渡層的厚度為5-10nm，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況做出選擇。本實施例優(yōu)選采用脈沖激光沉積IOnm厚的AlN膜形成第二導電過渡層161。
如圖5所示，本發(fā)明第四實施例中，包括設(shè)置于基板110上的第一導電層120，設(shè)置于第一導電層120上的第一導電過渡層121，設(shè)置于第一導電過渡層121上的第一絕緣層130，設(shè)置于第一絕緣層130上的第一絕緣過渡層131，設(shè)置于第一絕緣層過渡層131上的納米材料導電層140，設(shè)置于導電納米材料層140上的第二絕緣過渡層151，設(shè)置于第二絕緣過渡層151上的第二絕緣層150，設(shè)置于第二絕緣層150上的第二導電過渡層161，和設(shè)置于第二導電過渡層161上的第二導電層。在本發(fā)明中，第一絕緣層與納米材料導電層的接觸面、第二絕緣層與納米材料導電層的接觸面、第一導電層與第一絕緣層的接觸面以及第二導電層與第二絕緣層的接觸面是平整的，此外，第一導電層與第一絕緣層的接觸面以及第二導電層與第二絕緣層的接觸面也可以具有一凸起結(jié)構(gòu)。以上例子主要說明了本發(fā)明的一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件及其制備方法。盡管只對其中一些本發(fā)明的實施方式進行了描述，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應當了解，本發(fā)明可以在不偏離其主旨與范圍內(nèi)以許多其他的形式實施。因此，所展示的例子與實施例方式被視為示意性的而非限制性的，在不脫離如所附各權(quán)利要求所定義的本發(fā)明精神及范圍的情況下，本發(fā)明可能涵 蓋各種的修改與替換。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件，其特征在于，包括: 一第一導電層； 一第一絕緣層，設(shè)置于所述第一導電層上方； 一納米材料導電層，設(shè)置于所述第一絕緣層上方； 一第二絕緣層，設(shè)置于所述納米材料導電層上方；以及 一第二導電層，設(shè)置于所述第二絕緣層上方； 其中，在所述第一導電層和第二導電層之間施加一固定電壓，以在所述第一導電層和第二導電層之間形成高密度電流，通過所述納米材料導電層調(diào)制所述第一導電層和第二導電層之間的電流強度，從而實現(xiàn)所述納米材料導電層對所述第一導電層和第二導電層導通與截止的調(diào)控。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件，其特征在于:所述納米材料導電層為單層或多層石墨烯，其厚度小于10納米；或者是由碳納米管、金屬納米線或半導體納米線平鋪形成的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的導電薄層，其厚度小于50納米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件，其特征在于:所述第一導電層和第二導電層采用具有低功函數(shù)的單一金屬材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件，其特征在于:所述第一導電層和第二導電層采用至少兩種金屬材料的疊層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件，其特征在于:所述第一導電層與第一絕緣層的接觸層以及所述第二導電層與第二絕緣層的接觸層采用的是具有低功函數(shù)的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件，其特征在于:所述第一絕緣層和第二絕緣層所采用的是單一的絕緣材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件，其特征在于:所述第一絕緣層和第二絕緣層采用對所述納米材料導電層的電學性能無影響的絕緣材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件，其特征在于:所述第一絕緣層和第二絕緣層所采用的是至少兩種絕緣材料的疊層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件，其特征在于:所述第一絕緣層與所述納米材料導電層的接觸層以及所述第二絕緣層與所述納米材料導電層的接觸層采用的是對所述納米材料導電層的電學性能無影響的絕緣材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件，其特征在于:所述第一絕緣層和第二絕緣層的厚度為20-100納米。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種疊層結(jié)構(gòu)的三端有源器件，其特征在于，包括一第一導電層；一第一絕緣層，設(shè)置于所述第一導電層上方；一納米材料導電層，設(shè)置于所述第一絕緣層上方；一第二絕緣層，設(shè)置于所述納米材料導電層上方；以及一第二導電層，設(shè)置于所述第二絕緣層上方；其中，在所述第一導電層和第二導電層之間施加一固定電壓，以在所述第一導電層和第二導電層之間形成高密度電流，通過所述納米材料導電層調(diào)制所述第一導電層和第二導電層之間的電流強度，從而實現(xiàn)所述納米材料導電層對所述第一導電層和第二導電層導通與截止的調(diào)控。本發(fā)明的三端有源器件具有結(jié)構(gòu)簡單、易集成、高開口率、工作電流大、工作溫度范圍寬等優(yōu)點。
文檔編號H01L45/00GK103236496SQ20131013517
公開日2013年8月7日 申請日期2013年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月18日
發(fā)明者郭太良, 胡海龍, 吳朝興, 周雄圖, 葉蕓, 李福山, 張永愛, 楊尊先 申請人:福州大學