專(zhuān)利名稱(chēng)：主動(dòng)元件陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種陣列基板，且特別是有關(guān)于一種主動(dòng)元件陣列基板。
背景技術(shù)：
由于顯示器的需求與日俱增，因此業(yè)界全力投入相關(guān)顯示器的發(fā)展。其中，
又以陰極射線(xiàn)管(cathode ray tube, CRT)因具有優(yōu)異的顯示品質(zhì)與技術(shù)成熟性， 因此長(zhǎng)年獨(dú)占顯示器市場(chǎng)。然而，近來(lái)由于綠色環(huán)保概念的興起對(duì)于其能源消 耗較大與產(chǎn)生輻射量較大的特性，加上產(chǎn)品扁平化空間有限，因此無(wú)法滿(mǎn)足市 場(chǎng)對(duì)于輕、薄、短、小、美以及低消耗功率的市場(chǎng)趨勢(shì)。因此，具有高畫(huà)質(zhì)、 空間利用效率佳、低消耗功率、無(wú)輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器 (thin film transistor liquid crystal display, TFT-LCD)已逐漸成為市場(chǎng)的主流。
以薄膜晶體管液晶顯示模組(TFT-LCD module)而言，其主要是由一液晶 顯示面板(liquid crystal display panel)及一背光模組(backlight module)所構(gòu) 成。其中，液晶顯示面板通常是由一薄膜晶體管陣列基板(thin film transistor array substrate)、 一彩色濾光基板(color filter substrate)與配置于此兩基板間 的一液晶層所構(gòu)成，而背光模組用以提供此液晶顯示面板所需的面光源，以使 液晶顯示模組達(dá)到顯示的效果。
薄膜晶體管陣列基板可分為顯示區(qū)(display region)與周邊線(xiàn)路區(qū) (peripheral circuit region)，其中在顯示區(qū)上配置有以陣列排列的多個(gè)像素單 元，而每一像素單元包括薄膜晶體管以及與薄膜晶體管連接的像素電極(pixel electrode)。另外，在周邊線(xiàn)路區(qū)與顯示區(qū)上內(nèi)配置有多條掃描配線(xiàn)(scan line) 與數(shù)據(jù)配線(xiàn)(data line)，其中每一個(gè)像素單元的薄膜晶體管由對(duì)應(yīng)的掃描配線(xiàn) 與數(shù)據(jù)配線(xiàn)所控制。
為了避免在制造過(guò)程中產(chǎn)生靜電破壞的問(wèn)題，通常會(huì)于薄膜晶體管陣列基 板的周邊線(xiàn)路區(qū)上配置一靜電放電(electrostatic discharge, ESD)保護(hù)線(xiàn)路，其
中靜電放電保護(hù)線(xiàn)路包括外部靜電放電保護(hù)環(huán)(outer short ring, OSR)以及內(nèi) 部靜電放電保護(hù)環(huán)(inner short ring, ISR)。在完成整個(gè)薄膜晶體管陣列基板的 制作之后，通常會(huì)進(jìn)行一切割制程，以移除外部靜電放電保護(hù)環(huán)。然而，移除 外部靜電放電保護(hù)環(huán)后的薄膜晶體管陣列基板對(duì)于靜電放電的防護(hù)能力便下 降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問(wèn)題是提供一種主動(dòng)元件陣列基板，以提高靜電放電防 護(hù)能力。
本發(fā)明提出一種主動(dòng)元件陣列基板，其包括一基板、 一像素陣列、多個(gè)接 墊、多個(gè)第一開(kāi)關(guān)元件與多個(gè)第二開(kāi)關(guān)元件。其中，基板具有一周邊電路區(qū)與 一顯示區(qū)，而像素陣列配置于顯示區(qū)上。接墊配置于周邊電路區(qū)上，并與像素 陣列電性連接。第一開(kāi)關(guān)元件配置該周邊電路區(qū)上，并位于接墊外側(cè)，且各第 一開(kāi)關(guān)元件分別與這些接墊其中之一電性連接。各第一開(kāi)關(guān)元件具有一柵極、 一源極與一漏極，其中柵極與源極電性連接，且柵極與接墊電性連接。第二開(kāi) 關(guān)元件配置周邊電路區(qū)上，并位于這些接墊外側(cè)。各第二開(kāi)關(guān)元件分別電性連 接于兩相鄰的第一開(kāi)關(guān)元件，而各第二開(kāi)關(guān)元件具有一柵極、 一源極與一漏極。 其中，源極與相鄰的第一開(kāi)關(guān)元件的漏極電性連接，且漏極與相鄰的第一開(kāi)關(guān) 元件的源極電性連接。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，各第二開(kāi)關(guān)元件的柵極為一浮動(dòng)?xùn)艠O。 在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，各第二開(kāi)關(guān)元件的柵極與源極電性連接。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，主動(dòng)元件陣列基板還包括一連接線(xiàn)，其 配置于周邊電路區(qū)上，并位于第一開(kāi)關(guān)元件與第二開(kāi)關(guān)元件的外側(cè)。各第二開(kāi) 關(guān)元件的源極電性連接至連接線(xiàn)，且各第二開(kāi)關(guān)元件的柵極為一浮動(dòng)?xùn)艠O。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，這些接墊包括數(shù)據(jù)線(xiàn)接墊或掃描線(xiàn)接墊。
本發(fā)明提出一種主動(dòng)元件陣列基板，其包括一基板、 一像素陣列、多個(gè)接 墊、多個(gè)第一開(kāi)關(guān)元件與多個(gè)第二開(kāi)關(guān)元件。其中，基板具有一周邊電路區(qū)與 一顯示區(qū)，而像素陣列配置于顯示區(qū)上。接墊配置于周邊電路區(qū)上，并與像素 陣列電性連接。第一開(kāi)關(guān)元件配置該周邊電路區(qū)上，并位于接墊外側(cè)，且各第 一開(kāi)關(guān)元件分別與這些接墊其中之一電性連接。各第一開(kāi)關(guān)元件具有一柵極、 一源極與一漏極，其中柵極與源極電性連接，而柵極與接墊電性連接，且漏極 為浮動(dòng)漏極。第二開(kāi)關(guān)元件配置周邊電路區(qū)上，并位于接墊外側(cè)。各第一開(kāi)關(guān) 元件分別與這些第一開(kāi)關(guān)其中之一電性連接，而各第二開(kāi)關(guān)元件具有一柵極、 一源極與一漏極，其中漏極與第一開(kāi)關(guān)元件的源極電性連接。此外，源極為浮 動(dòng)源極，柵極為浮動(dòng)?xùn)艠O。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，這些接墊包括數(shù)據(jù)線(xiàn)接墊或掃描線(xiàn)接墊。
本發(fā)明提出一種主動(dòng)元件陣列基板，其包括一基板、 一像素陣列、多個(gè)接 墊、多個(gè)第一開(kāi)關(guān)元件、多個(gè)第二開(kāi)關(guān)元件與一外部靜電放電保護(hù)環(huán)。其中， 基板具有一周邊電路區(qū)與一顯示區(qū)，而像素陣列配置于顯示區(qū)上。接墊配置于
周邊電路區(qū)上，并與像素陣列電性連接。第一開(kāi)關(guān)元件配置該周邊電路區(qū)上， 并位于接墊外側(cè)，且各第一開(kāi)關(guān)元件分別與這些接墊其中之一電性連接。各第 一開(kāi)關(guān)元件具有一柵極、 一源極與一漏極，其中柵極與源極電性連接，且柵極 與接墊電性連接。第二開(kāi)關(guān)元件配置周邊電路區(qū)上，并位于這些接墊外側(cè)。各 第二開(kāi)關(guān)元件分別電性連接于兩相鄰的第一開(kāi)關(guān)元件，而各第二開(kāi)關(guān)元件具有 一柵極、 一源極與一漏極。其中，源極與相鄰的第一開(kāi)關(guān)元件的漏極電性連接， 且漏極與相鄰的第一開(kāi)關(guān)元件的源極電性連接。外部靜電放電保護(hù)環(huán)配置周邊 電路區(qū)上，并位于第一開(kāi)關(guān)元件與第二開(kāi)關(guān)元件外側(cè)，且各第二開(kāi)關(guān)元件的柵 極電性連接至外部靜電放電保護(hù)環(huán)。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，各第二開(kāi)關(guān)元件的源極電性連接至外部 靜電放電保護(hù)環(huán)。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，各第二開(kāi)關(guān)元件的柵極與源極電性連接。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，主動(dòng)元件陣列基板還包括一連接線(xiàn)，其 配置于周邊電路區(qū)上，并位于第一開(kāi)關(guān)元件與第二開(kāi)關(guān)元件的外側(cè)以及外部靜 電放電保護(hù)環(huán)的內(nèi)側(cè)。各第二開(kāi)關(guān)元件的源極電性連接至連接線(xiàn)，且各第二開(kāi) 關(guān)元件的柵極電性連接至外部靜電放電保護(hù)環(huán)。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，這些接墊包括數(shù)據(jù)線(xiàn)接墊或掃描線(xiàn)接墊。
本發(fā)明提出一種主動(dòng)元件陣列基板，其包括一基板、 一像素陣列、多個(gè)接 墊、多個(gè)第一開(kāi)關(guān)元件、多個(gè)第二開(kāi)關(guān)元件與一外部靜電放電保護(hù)環(huán)。其中， 基板具有一周邊電路區(qū)與一顯示區(qū)，而像素陣列配置于顯示區(qū)上。接墊配置于 周邊電路區(qū)上，并與像素陣列電性連接。第一開(kāi)關(guān)元件配置該周邊電路區(qū)上， 并位于接墊外側(cè)，且各第一開(kāi)關(guān)元件分別與這些接墊其中之一電性連接。各第 一開(kāi)關(guān)元件具有一柵極、 一源極與一漏極，其中柵極與源極電性連接，而柵極 與接墊電性連接。第二開(kāi)關(guān)元件配置周邊電路區(qū)上，并位于接墊外側(cè)。各第一 開(kāi)關(guān)元件分別與這些第一開(kāi)關(guān)其中之一電性連接，而各第二開(kāi)關(guān)元件具有一柵 極、 一源極與一漏極，其中漏極與第一開(kāi)關(guān)元件的源極電性連接。外部靜電放 電保護(hù)環(huán)配置周邊電路區(qū)上，并位于第一開(kāi)關(guān)元件與第二開(kāi)關(guān)元件外側(cè)，且各 第二開(kāi)關(guān)元件的柵極與源極分別電性連接至外部靜電放電保護(hù)環(huán)，且各第一開(kāi) 關(guān)元件的漏極電性連接至外部靜電放電保護(hù)環(huán)。
在本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中，這些接墊包括數(shù)據(jù)線(xiàn)接墊或掃描線(xiàn)接墊。
基于上述，本發(fā)明采用第一開(kāi)關(guān)元件與第二開(kāi)關(guān)元件，以電性連接各接墊， 因此此種主動(dòng)陣列基板具有靜電放電防護(hù)的功能。此外，各接墊間也可以電性 絕緣，以降低信號(hào)的相互干擾。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā) 明的具體實(shí)施方式
作詳細(xì)說(shuō)明，其中
圖1A是本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板于切割制程前的等 效電路圖。
圖1B是本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的切割制程前的俯 視圖，其未繪示像素陣列。
圖2A是本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的等效電路圖。圖2B是本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的俯視圖，其未繪
示像素陣列。
圖3A是本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板于切割制程前的等 夢(mèng)電路圖。
圖3B是本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的切割制程前的俯
視圖，其未繪示像素陣列。
圖4A是本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的等效電路圖。 圖4B是本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的俯視圖，其未繪
示像素陣列。
圖5A是本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板于切割制程前的等 效電路圖。
圖5B是本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的切割制程前的俯
視圖，其未繪示像素陣列。
圖6A是本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的等效電路圖。 圖6B是本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的俯視圖，其未繪
示像素陣列。
圖7A是本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板于切割制程前的等 效電路圖。
圖7B是本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的切割制程前的俯
視圖，其未繪示像素陣列。
圖8A是本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的等效電路圖。 圖8B是本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的俯視圖，其未繪
示像素陣列。
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例
圖1A是本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板于切割制程前的等 效電路圖。圖1B是本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的切割制程 前的俯視圖，其未繪示像素陣列。
請(qǐng)參考圖1A，本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板制造方法包括下列步驟。首
先，提供一基板110，而此基板110具有一周邊電路區(qū)110a與一顯示區(qū)110b， 其中在顯示區(qū)110b上已形成一像素陣列120。此像素陣列120通常包括多條掃 描線(xiàn)、多條數(shù)據(jù)線(xiàn)、多個(gè)薄膜晶體管以及多個(gè)像素電極，但為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，像 素陣列120的細(xì)部結(jié)構(gòu)便不再繪出。此外，在周邊電路區(qū)110a上已形成多個(gè)接 墊130、多個(gè)第一開(kāi)關(guān)元件140、多個(gè)第二開(kāi)關(guān)元件150以及一外部靜電放電 保護(hù)環(huán)(outer short ring, OSR) 160。接墊130與像素陣列120電性連接，而此 接墊130可以是數(shù)據(jù)線(xiàn)接墊、掃描線(xiàn)接墊或其他類(lèi)型的接墊。
第一開(kāi)關(guān)元件140與第二開(kāi)關(guān)元件150位于接墊130的外側(cè)，其中各第一 開(kāi)關(guān)元件140分別電性連接至這些接墊130其中之一。更詳細(xì)而言，各第一開(kāi) 關(guān)元件140具有一柵極140g、 一源極140s與一漏極140d,其中柵極140g與源 極140s電性連接，且柵極140g與接墊130電性連接。換言之，第一開(kāi)關(guān)元件 140可以視為一個(gè)二極管(diode)。此外，各第二開(kāi)關(guān)元件150分別電性連接 于兩相鄰的第一開(kāi)關(guān)元件140。換言之，這些第二開(kāi)關(guān)元件150與這些第一開(kāi) 關(guān)元件140電性串聯(lián)，因此當(dāng)靜電放電產(chǎn)生時(shí)，電流便可沿著圖1A中的放電 路徑B移動(dòng)而擴(kuò)散至整個(gè)基板IIO上，以降低發(fā)生靜電放電破壞的可能性。各 第二開(kāi)關(guān)元件150具有一柵極150g、 一源極150s與一漏極150d。其中'源極 150s與相鄰的第一開(kāi)關(guān)元件140的漏極140d電性連接，且漏極150d與相鄰的 第一開(kāi)關(guān)元件140的源極140s電性連接。另外，各第二開(kāi)關(guān)元件150的源極 150s與柵極150g均電性連接至外部靜電放電保護(hù)環(huán)160。
以下就細(xì)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但值得注意的是，圖1A的等效電路圖所 代表的結(jié)構(gòu)并不限定于圖1B所繪示的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人 員，基于圖1A的等效電路圖，應(yīng)可變化出其他結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)參考圖1B，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，像素陣列120的細(xì)部結(jié)構(gòu)便不再繪出。接 墊130包括一第一金屬層132、 一第二金屬層134、 一透明導(dǎo)電層136與多個(gè) 接觸窗130a、130b，其中第一金屬層132與第二金屬層134分別配置于基板110 上，而透明導(dǎo)電層136配置于第一金屬層132與第二金屬層134上方。此外， 透明導(dǎo)電層136經(jīng)由接觸窗130a電性連接至第一金屬層132，且透明導(dǎo)電層136 經(jīng)由接觸窗130b電性連接第二金屬層134。
第一開(kāi)關(guān)元件140包括一柵極140g、 一源極140s、 一漏極140d、多個(gè)接 觸窗142a、 142b、 一半導(dǎo)體層144、 一透明導(dǎo)電層146，其中柵極140g配置于 基板110上，并與接墊130的第一金屬層132相連。半導(dǎo)體層144配置于柵極 140g上方，而源極140s與漏極140d分別覆蓋部分半導(dǎo)體層144。透明導(dǎo)電層 146配置于部分源極140s上方以及部分柵極140g上方，且透明導(dǎo)電層146經(jīng) 由接觸窗142a與源極140s電性連接。透明導(dǎo)電層146經(jīng)由接觸窗142b與柵極 140g電性連接。因此，第一開(kāi)關(guān)元件140的源極140s便經(jīng)由透明導(dǎo)電層146 電性連接至柵極140g。此外，漏極140d連接至外部靜電放電保護(hù)環(huán)160。
第二開(kāi)關(guān)元件150包括一柵極150g、 一源極150s、 一漏極150d以及一半 導(dǎo)體層152。其中，柵極150g配置于基板110上，而半導(dǎo)體層152配置于柵極 150g上方。源極150s與漏極150d分別覆蓋部分半導(dǎo)體層152，其中漏極150d 與第一開(kāi)關(guān)元件140的源極140s相連，而源極150s與柵極150g均連接至外部 靜電放電保護(hù)環(huán)160。此外，源極150s與相鄰的第一開(kāi)關(guān)元件140的漏極140d 相連。因此，第二開(kāi)關(guān)元件150與第一開(kāi)關(guān)元件140電性串聯(lián)。
外部靜電放電保護(hù)環(huán)160包括一第一金屬層162、 一第二金屬層164、 一 透明導(dǎo)電層166與多個(gè)接觸窗168a、168b，其中第一金屬層162配置于基板110 上，而第二開(kāi)關(guān)元件150的柵極150g與第一金屬層162相連。第二金屬層164 配置于基板110上，并覆蓋部分第一金屬層162。此外，第二開(kāi)關(guān)元件150的 源極150s以及第一開(kāi)關(guān)元件140的漏極140d均連接至第二金屬層164。透明 導(dǎo)電層166覆蓋第一金屬層162與第二金屬層164，其中透明導(dǎo)電層166經(jīng)由 接觸窗168a電性連接至第一金屬層162，且透明導(dǎo)電層166經(jīng)由接觸窗168b 電性連接至第二金屬層164。
請(qǐng)繼續(xù)參考圖1A與圖1B，然后，沿著切割線(xiàn)A進(jìn)行一切割制程，以移除 外部靜電放電保護(hù)環(huán)160。此時(shí)，便完成主動(dòng)元件陣列基板100的制程。
圖2A是本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的等效電路圖。圖 2B是本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的俯視圖，其未繪示像素陣 列。請(qǐng)參考圖2A與圖2B，經(jīng)過(guò)切割制程后，各第二開(kāi)關(guān)元件150的柵極150g 成為一浮動(dòng)?xùn)艠O。換言之，柵極150g并未與任何線(xiàn)路相連。由于這些接墊130 經(jīng)由第一開(kāi)關(guān)元件140與第二開(kāi)關(guān)元件150電性串聯(lián)，因此當(dāng)靜電放電發(fā)生時(shí)， 電流便可沿著放電路徑B而擴(kuò)散至整個(gè)主動(dòng)元件陣列基板100，以降低發(fā)生靜 電放電破壞的情況發(fā)生。換言之，此主動(dòng)元件陣列基板100具有靜電放電防護(hù) 的功能。
第二實(shí)施例
圖3A是本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板于切割制程前的等 效電路圖。圖3B是本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的切割制程 前的俯視圖，其未繪示像素陣列。請(qǐng)先參考圖3A，本實(shí)施例與第一實(shí)施例相似， 其不同之處在于各第二開(kāi)關(guān)元件250的柵極250g與源極250s電性連接。因 此，第二開(kāi)關(guān)元件250可以視為一個(gè)二極管。此外，第二開(kāi)關(guān)元件250的漏極 250d與第一開(kāi)關(guān)元件140的源極140s電性連接。
以下就細(xì)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但值得注意的是，圖3A的等效電路圖所 代表的結(jié)構(gòu)并不限定于圖3B所繪示的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人 員，基于圖3A的等效電路圖，應(yīng)可變化出其他結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)參考圖3B，更詳細(xì)而言，第二開(kāi)關(guān)元件250包括一柵極250g、 一源極 250s、 一漏極250d、 一半導(dǎo)體層252、 一透明導(dǎo)電層254與多個(gè)接觸窗256a、 256b。其中，柵極250g配置于基板IIO上，并連接至外部靜電放電保護(hù)環(huán)160 的第一金屬層162。半導(dǎo)體層252位于柵極250g上方。源極250s與漏極250d 分別覆蓋部分半導(dǎo)體層252。此外，在本實(shí)施例中，源極250s更跨過(guò)柵極250g， 且透明導(dǎo)電層254覆蓋于部分源極250s與柵極250g。透明導(dǎo)電層254經(jīng)由接 觸窗256a與柵極250g電性連接，且透明導(dǎo)電層254經(jīng)由接觸窗256b與源極 250s電性連接。由于這些第二開(kāi)關(guān)元件250與這些第一開(kāi)關(guān)元件140電性串聯(lián)， 因此當(dāng)靜電放電產(chǎn)生時(shí)，電流便可沿著放電路徑B移動(dòng)而擴(kuò)散至整個(gè)基板110 上，以降低發(fā)生靜電放電破壞的可能性。
請(qǐng)繼續(xù)參考圖3A與圖3B，然后，沿著切割線(xiàn)A進(jìn)行一切割制程，以移除 外部靜電放電保護(hù)環(huán)160。此時(shí)，便完成主動(dòng)元件陣列基板200的制程。
圖4A是本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的等效電路圖。圖 4B是本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的俯視圖，其未繪示像素陣 列。請(qǐng)參考圖4A與圖4B，在經(jīng)過(guò)切割制程后，各第二開(kāi)關(guān)元件250的柵極250g
被切斷。此外，各第二開(kāi)關(guān)元件250的柵極250g與源極250s電性連接。換言 之，在本實(shí)施例中，第二開(kāi)關(guān)元件250與第一開(kāi)關(guān)元件140可以視為兩個(gè)二極 管串聯(lián)。由于這些接墊130經(jīng)由第一開(kāi)關(guān)元件140與第二開(kāi)關(guān)元件250電性串 聯(lián)，因此當(dāng)靜電放電發(fā)生時(shí)，電流便可沿著放電路徑B而擴(kuò)散至整個(gè)主動(dòng)元件 陣列基板200，以降低發(fā)生靜電放電破壞的情況發(fā)生。換言之，此主動(dòng)元件陣 列基板200具有靜電放電防護(hù)的功能。再者，由于切割制程僅切斷各第二開(kāi)關(guān) 元件250的柵極250g，因此由切割制程所產(chǎn)生的金屬碎屑所造成的線(xiàn)路短路的 可能性便能夠降低。
第三實(shí)施例
圖5A是本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板于切割制程前的等 效電路圖。圖5B是本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的切割制程 前的俯視圖，其未繪示像素陣列。請(qǐng)先參考圖5A，本實(shí)施例與第一實(shí)施例相似， 其不同之處在于在基板110的周邊電路區(qū)110a上還形成一連接線(xiàn)370，其配 置于第一開(kāi)關(guān)元件140與第二開(kāi)關(guān)元件150的外側(cè)，且各第二開(kāi)關(guān)元件150的 源極150s電性連接至連接線(xiàn)370。
以下就細(xì)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但值得注意的是，圖5A的等效電路圖所 代表的結(jié)構(gòu)并不限定于圖5B所繪示的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人 員，基于圖5A的等效電路圖，應(yīng)可變化出其他結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)參考圖5B，更詳細(xì)而言，連接線(xiàn)370配置于周邊電路區(qū)110a上，并位 于第一開(kāi)關(guān)元件140與第二開(kāi)關(guān)元件150的外側(cè)。此外，連接線(xiàn)370跨過(guò)各第 二開(kāi)關(guān)元件150的柵極150g，而各第二開(kāi)關(guān)元件150的源極150s電性連接至 連接線(xiàn)370。由于這些第二開(kāi)關(guān)元件150與這些第一開(kāi)關(guān)元件140電性串聯(lián)， 因此當(dāng)靜電放電產(chǎn)生時(shí)，電流便可沿著放電路徑B移動(dòng)而擴(kuò)散至整個(gè)基板110 上，以降低發(fā)生靜電放電破壞的可能性。此外，連接線(xiàn)370也有助于降低發(fā)生 靜電放電破壞的可能性。
請(qǐng)繼續(xù)參考圖5A與圖5B，然后，沿著切割線(xiàn)A進(jìn)行一切割制程，以移除 外部靜電放電保護(hù)環(huán)160。此時(shí)，便完成主動(dòng)元件陣列基板300的制程。
圖6A是本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的等效電路圖。圖6B是本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的俯視圖，其未繪示像素陣 列。請(qǐng)參考圖6A與圖6B，在經(jīng)過(guò)切割制程后，各第二開(kāi)關(guān)元件150的柵極150g 成為一浮動(dòng)?xùn)艠O。換言之，柵極150g并未與任何線(xiàn)路相連。
由于這些接墊130經(jīng)由第一開(kāi)關(guān)元件140與第二開(kāi)關(guān)元件150電性串聯(lián)， 且各第二開(kāi)關(guān)元件150的源極150s更經(jīng)由連接線(xiàn)370電性串聯(lián)，因此當(dāng)靜電放 電發(fā)生時(shí)，電流便可沿著放電路徑B以及連接線(xiàn)370而擴(kuò)散至整個(gè)主動(dòng)元件陣 列基板300，以降低發(fā)生靜電放電破壞的情況發(fā)生。換言之，此主動(dòng)元件陣列 基板300具有較佳的靜電放電防護(hù)的功能。再者，由于切割制程僅切斷各第二 開(kāi)關(guān)元件150的柵極150g，因此由切割制程所產(chǎn)生的金屬碎屑所造成的線(xiàn)路短 路的可能性便能夠降低。
第四實(shí)施例
圖7A是本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板于切割制程前的等 效電路圖。圖7B是本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的切割制程 前的俯視圖，其未繪示像素陣列。請(qǐng)先參考圖7A，本實(shí)施例與第一實(shí)施例相似， 其不同之處在于第一開(kāi)關(guān)元件140的漏極140d直接連接至外部靜電放電保 護(hù)環(huán)160，而第二開(kāi)關(guān)元件150的源極150s也直接連接至外部靜電放電保護(hù)環(huán) 160。換言之，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例的第一開(kāi)關(guān)元件140的漏極140d 與第二開(kāi)關(guān)元件150的源極150s分別連接至外部靜電放電保護(hù)環(huán)160。此外， 第一開(kāi)關(guān)元件140的漏極140d與第二開(kāi)關(guān)元件150的源極I50s為分離。
以下就細(xì)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但值得注意的是，圖7A的等效電路圖所 代表的結(jié)構(gòu)并不限定于圖7B所繪示的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人 員，基于圖7A的等效電路圖，應(yīng)可變化出其他結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)參考圖7B，更詳細(xì)而言，第二開(kāi)關(guān)元件150的源極150s覆蓋部分柵極 150g，且第二開(kāi)關(guān)元件150的源極150s直接連接至外部靜電放電保護(hù)環(huán)160 的第二金屬層164。此外，第一開(kāi)關(guān)元件140的漏極140d也是直接連接至外部 靜電放電保護(hù)環(huán)160的第二金屬層164。
請(qǐng)繼續(xù)參考圖7A與圖7B，然后，沿著切割線(xiàn)A進(jìn)行一切割制程，以移除 外部靜電放電保護(hù)環(huán)160。此時(shí)，便完成主動(dòng)元件陣列基板400的制程。
圖8A是本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的等效電路圖。圖
8B是本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的俯視圖，其未繪示像素陣 列。請(qǐng)參考圖8A與圖8B，在經(jīng)過(guò)切割制程后，各第二開(kāi)關(guān)元件150的柵極150g 以及源極150s均被切斷。因此，各第二開(kāi)關(guān)元件150的柵極150g成為一浮動(dòng) 柵極，而各第二開(kāi)關(guān)元件150的源極150s也成為一浮動(dòng)源極。換言之，柵極 150g與源極150s均并未與任何線(xiàn)路相連。此外，第一開(kāi)關(guān)元件140的漏極140d 也被切斷，因此第一開(kāi)關(guān)元件140的漏極140d也成為一浮動(dòng)漏極。同樣地， 漏極140d未與任何線(xiàn)路相連。因此，主動(dòng)元件陣列基板400的各接墊130之 間便形成電性斷路，以降低信號(hào)干擾的可能性。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書(shū)所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，包括一基板，具有一周邊電路區(qū)與一顯示區(qū)；一像素陣列，配置于該顯示區(qū)上；多個(gè)接墊，配置于該周邊電路區(qū)上，并與該像素陣列電性連接；多個(gè)第一開(kāi)關(guān)元件，配置該周邊電路區(qū)上，并位于該些接墊外側(cè)，且各該第一開(kāi)關(guān)元件分別與該些接墊的其中之一電性連接，其中各該第一開(kāi)關(guān)元件具有一柵極、一源極與一漏極，該柵極與該源極電性連接，且該柵極與該接墊電性連接；以及多個(gè)第二開(kāi)關(guān)元件，配置該周邊電路區(qū)上，并位于該些接墊外側(cè)，且各該第二開(kāi)關(guān)元件分別電性連接于兩相鄰的該些第一開(kāi)關(guān)元件，其中各該第二開(kāi)關(guān)元件具有一柵極、一源極與一漏極，而該源極與相鄰的該第一開(kāi)關(guān)元件的該漏極電性連接，且該漏極與相鄰的該第一開(kāi)關(guān)元件的該源極電性連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，各該第二開(kāi)關(guān)元 件的該柵極為一浮動(dòng)?xùn)艠O。
3. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，各該第二開(kāi)關(guān)元 件的該柵極與該源極電性連接。
4. 如權(quán)利要求l所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，還包括一連接線(xiàn)， 配置于該周邊電路區(qū)上，并位于該些第一開(kāi)關(guān)元件與該些第二開(kāi)關(guān)元件的外 側(cè)，且各該第二開(kāi)關(guān)元件的該源極電性連接至該連接線(xiàn)，且各該第二開(kāi)關(guān)元件 的該柵極為一浮動(dòng)?xùn)艠O。
5. 如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，該些接墊包括數(shù) 據(jù)線(xiàn)接墊或掃描線(xiàn)接墊。
6. —種主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，包括 一基板，具有一周邊電路區(qū)與一顯示區(qū)； 一像素陣列，配置于該顯示區(qū)上；多個(gè)接墊，配置于該周邊電路區(qū)上，并與該像素陣列電性連接； 多個(gè)第一開(kāi)關(guān)元件，配置該周邊電路區(qū)上，并位于該些接墊外側(cè)，而各該 第一開(kāi)關(guān)元件分別與該些接墊其中之一電性連接，且各該第一開(kāi)關(guān)元件具有一 柵極、 一源極與一漏極，其中該柵極與該源極電性連接，而該柵極與該接墊電 性連接，且該漏極為浮動(dòng)漏極；以及多個(gè)第二開(kāi)關(guān)元件，配置該周邊電路區(qū)上，并位于該些接墊外側(cè)，且各該 第一開(kāi)關(guān)元件分別與該些第一開(kāi)關(guān)其中之一電性連接，其中各該第二開(kāi)關(guān)元件 具有一柵極、 一源極與一漏極，而該漏極與該第一開(kāi)關(guān)元件的該源極電性連接， 且該源極為浮動(dòng)源極，該柵極為浮動(dòng)?xùn)艠O。
7. 如權(quán)利要求6所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，該些接墊包括數(shù) 據(jù)線(xiàn)接墊或掃描線(xiàn)接墊。
8. —種主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，包括 一基板，具有一周邊電路區(qū)與一顯示區(qū)； 一像素陣列，配置于該顯示區(qū)上；多個(gè)接墊，配置于該周邊電路區(qū)上，并與該像素陣列電性連接；多個(gè)第一開(kāi)關(guān)元件，配置該周邊電路區(qū)上，并位于該些接墊外側(cè)，且各該 第一開(kāi)關(guān)元件分別與該些接墊其中之一電性連接，其中各該第一開(kāi)關(guān)元件具有 一柵極、 一源極與一漏極，該柵極與該源極電性連接，且該柵極與該接墊電性連接；多個(gè)第二開(kāi)關(guān)元件，配置該周邊電路區(qū)上，并位于該些接墊外側(cè)，且各該 第二開(kāi)關(guān)元件分別電性連接于兩相鄰的該些第一開(kāi)關(guān)元件，其中各該第二開(kāi)關(guān) 元件具有一柵極、 一源極與一漏極，而該源極與相鄰的該第一開(kāi)關(guān)元件的該漏極電性連接，且該漏極與相鄰的該第一開(kāi)關(guān)元件的該源極電性連接；以及一外部靜電放電保護(hù)環(huán)，配置該周邊電路區(qū)上，并位于該些第一開(kāi)關(guān)元件 與該些第二開(kāi)關(guān)元件外側(cè)，各該第二開(kāi)關(guān)元件的該柵極電性連接至該外部靜電 放電保護(hù)環(huán)。
9. 如權(quán)利要求8所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，各該第二開(kāi)關(guān)元件的該源極電性連接至該外部靜電放電保護(hù)環(huán)。
10. 如權(quán)利要求8所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，各該第二開(kāi)關(guān)元件的該柵極與該源極電性連接。
11. 如權(quán)利要求8所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，還包括一連接線(xiàn)， 配置于該周邊電路區(qū)上，并位于該些第一開(kāi)關(guān)元件與該些第二開(kāi)關(guān)元件的外側(cè) 以及該外部靜電放電保護(hù)環(huán)的內(nèi)側(cè)，且各該第二開(kāi)關(guān)元件的該源極電性連接至 該連接線(xiàn)，且各該第二開(kāi)關(guān)元件的該柵極電性連接至該外部靜電放電保護(hù)環(huán)。
12. 如權(quán)利要求8所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，該些接墊包括數(shù) 據(jù)線(xiàn)接墊或掃描線(xiàn)接墊。
13. —種主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，包括 一基板，具有一周邊電路區(qū)與一顯示區(qū)； 一像素陣列，配置于該顯示區(qū)上；多個(gè)接墊，配置于該周邊電路區(qū)上，并與該像素陣列電性連接； 多個(gè)第一開(kāi)關(guān)元件，配置該周邊電路區(qū)上，并位于該些接墊外側(cè)，而各該 第一開(kāi)關(guān)元件分別與該些接墊其中之一電性連接，且各該第一開(kāi)關(guān)元件具有一 柵極、 一源極與一漏極，其中該柵極與該源極電性連接，而該柵極與該接墊電 性連接；多個(gè)第二開(kāi)關(guān)元件，配置該周邊電路區(qū)上，并位于該些接墊外側(cè)，且各該 第一開(kāi)關(guān)元件分別與該些第一開(kāi)關(guān)其中之一電性連接，其中各該第二開(kāi)關(guān)元件 具有一柵極、 一源極與一漏極，而該漏極與該第一開(kāi)關(guān)元件的該源極電性連接； 以及一外部靜電放電保護(hù)環(huán)，配置該周邊電路區(qū)上，并位于該些第一開(kāi)關(guān)元件 與該些第二開(kāi)關(guān)元件外側(cè)，各該第二開(kāi)關(guān)元件的該柵極與該源極分別電性連接 至該外部靜電放電保護(hù)環(huán)，且各該第一開(kāi)關(guān)元件的該漏極電性連接至該外部靜 電放電保護(hù)環(huán)。
14. 如權(quán)利要求13所述的主動(dòng)元件陣列基板，其特征在于，該些接墊包括 數(shù)據(jù)線(xiàn)接墊或掃描線(xiàn)接墊。
全文摘要
一種主動(dòng)元件陣列基板，包括基板、像素陣列、多個(gè)接墊、多個(gè)第一與多個(gè)第二開(kāi)關(guān)元件。像素陣列配置于基板的顯示區(qū)上。接墊、第一與第二開(kāi)關(guān)元件均配置于基板的周邊電路區(qū)上，且接墊與像素陣列電性連接。第一與第二開(kāi)關(guān)元件均位于接墊外側(cè)，且各第一開(kāi)關(guān)元件分別與這些接墊其中之一電性連接。各第一開(kāi)關(guān)元件具有柵極、源極與漏極，而柵極分別電性連接至源極與接墊。各第二開(kāi)關(guān)元件分別電性連接于兩相鄰的第一開(kāi)關(guān)元件，而各第二開(kāi)關(guān)元件具有柵極、源極與漏極。源極與相鄰的第一開(kāi)關(guān)元件的漏極電性連接，且漏極與相鄰的第一開(kāi)關(guān)元件的源極電性連接。本發(fā)明采用第一開(kāi)關(guān)元件與第二開(kāi)關(guān)元件，以電性連接各接墊，因此具有靜電放電防護(hù)的功能。
文檔編號(hào)H01L23/522GK101350356SQ20071013866
公開(kāi)日2009年1月21日 申請(qǐng)日期2007年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月19日
發(fā)明者何建國(guó), 劉文雄 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司