有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層、陰極及封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括第一有機阻擋層、形成于所述第一有機阻擋層表面的第一無機阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第二有機阻擋層及形成于所述第二有機阻擋層表面的第二無機阻擋層，第一有機阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，第一無機阻擋層的材料包括碲化物、金屬氧化物及硒化物，第二有機阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，第二無機阻擋層的材料包括金屬氧化物及硒化物。上述有機電致發(fā)光器件的壽命較長。本發(fā)明還提供一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制備一層幾十納米厚的有機發(fā)光材料作發(fā)光層,發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。當電極上加有電壓時，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]有機電致發(fā)光器件受到濕氣和潮氣侵蝕后，會引起有機電致發(fā)光器件內(nèi)部元件的材料發(fā)生老化進而失效，從而所述有機電致發(fā)光器件的壽命較短。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種壽命較長的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層及陰極，所述有機電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括第一有機阻擋層、形成于所述第一有機阻擋層表面的第一無機阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第二有機阻擋層及形成于所述第二有機阻擋層表面的第二無機阻擋層；
[0006]所述第一有機阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第一無機阻擋層的材料包括碲化物、金屬氧化物及硒化物，所述第二有機阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第二無機阻擋層的材料包括金屬氧化物及硒化物，所述空穴傳輸材料選自N，N’- 二苯基-N，N’- 二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-Ν，Ν' - 二苯基-4,4' - 二胺、1，1-二((4-Ν，Ν, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’’-三(咔唑_9_基)三苯胺及1，3-二(9Η-咔唑-9-基)苯中的至少一種，所述電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁及3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑中的至少一種，所述碲化物選自三碲化銻、碲化鉍、碲化鎘、三碲化二銦、碲化錫及碲化鉛中的至少一種，所述金屬氧化物選自氧化鎂、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭中的至少一種，所述硒化物選自硒化銻、硒化鑰、硒化鉍、二硒化銀、二硒化鉭及硒化亞銅中的至少一種。
[0007]在其中一個實施例中，所述封裝蓋的數(shù)量為2?4，2?4個封裝蓋依次層疊。
[0008]在其中一個實施例中，所述第一有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第一無機阻擋層的厚度為10nm?200nm ;所述第二有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第二無機阻擋層的厚度為10nm?200nm。
[0009]在其中一個實施例中，所述第一有機阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100?60:100 ;所述第一無機阻擋層中所述碲化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%，所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%?30% ;所述第二有機阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100?60:100 ;所述第二無機阻擋層中所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0010]在其中一個實施例中，所述封裝蓋與所述陽極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。
[0011]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0012]在陽極表面制備發(fā)光層；
[0013]在所述發(fā)光層表面制備陰極；及
[0014]在所述陰極表面制備封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括第一有機阻擋層、形成于所述第一有機阻擋層表面的第一無機阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第二有機阻擋層及形成于所述第二有機阻擋層表面的第二無機阻擋層，所述第一有機阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第一無機阻擋層的材料包括碲化物、金屬氧化物及硒化物，所述第二有機阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第二無機阻擋層的材料包括金屬氧化物及硒化物，所述空穴傳輸材料選自N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’ -聯(lián)苯二胺、N，N' -二(0-萘基)_隊& - 二苯基-4，4' - 二胺、1，1-二((4-N，N, -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10- 二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺及1，3- 二(9H-咔唑-9-基)苯中的至少一種，所述電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁及3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑中的至少一種，所述碲化物選自三碲化銻、碲化鉍、碲化鎘、三碲化二銦、碲化錫及碲化鉛中的至少一種，所述金屬氧化物選自氧化鎂、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭中的至少一種，所述硒化物選自硒化銻、硒化鑰、硒化鉍、二硒化銀、二硒化鉭及硒化亞銅中的至少一種。
[0015]在其中一個實施例中，所述第一有機阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100?60:100 ;所述第一無機阻擋層中所述碲化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%，所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%?30% ;所述第二有機阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100?60:100 ;所述第二無機阻擋層中所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0016]在其中一個實施例中，所述封裝蓋的數(shù)量為2?4，2?4個封裝蓋依次層疊。
[0017]在其中一個實施例中,所述第一有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第一無機阻擋層的厚度為10nm?200nm ;所述第二有機阻擋層的厚度為200nm?300nm ;所述第二無機阻擋層的厚度為10nm?200nm。
[0018]在其中一個實施例中，所述封裝蓋與所述陽極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。
[0019]上述有機電致發(fā)光器件及其制備方法，封裝蓋包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層、第二無機阻擋層，四層配合可以有效的阻擋水氧的腐蝕，提高防水氧能力，從而有機電致發(fā)光器件的壽命較長。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為一實施例的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為一實施例的有機電致發(fā)光的制備方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和具體實施例對有機電致發(fā)光器件及其制備方法進一步闡明。
[0023]請參閱圖1，一實施方式的有機電致發(fā)光器件100包括依次層疊的具有陽極圖案的陽極10、功能層20、陰極30及封裝蓋40。
[0024]陽極10為導電玻璃或?qū)щ娪袡C聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。陽極10上具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm~150nm。
[0025]功能層20形成于基底10表面。功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。可以理解，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時功能層20僅包括發(fā)光層。
[0026]本實施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基-1，1' -聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm。
[0027]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm。
[0028]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。
[0029]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為1nm0
[0030]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3)。CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。
[0031]需要說明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據(jù)需要采用其他材料?？昭ㄗ⑷雽?、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的厚度也可以根據(jù)需要進行調(diào)整。
[0032]陰極30形成于功能層20表面。陰極的厚度為lOOnm。陰極30的材料為鋁(Al)。
[0033]封裝蓋40形成于陰極30的表面。本實施方式中，封裝蓋40罩設于功能層20及陰極30，且封裝蓋40的邊緣與陽極10固接，從而將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。封裝蓋40形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋40的表面凹陷的凹槽。封裝蓋40將功能層20及陰極30收容于收容腔。
[0034]封裝蓋40包括依次層疊的第一有機阻擋層41、第一無機阻擋層42、第二有機阻擋層43及第二無機阻擋層44。
[0035]第一有機阻擋層41形成于陰極30的表面，且覆蓋陰極30及功能層20的端面以及陽極10的部分表面，從而將將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。
[0036]第一有機阻擋層41的材料包括空穴傳輸材料和電子傳輸材料。空穴傳輸材料選自 N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’_ 聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(ΝΡΒ)、1，1-二((4-Ν，Ν, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4，4’，4’’_ 三(咔唑 _9_ 基)三苯胺(TCTA)及1，3-二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)中的至少一種。電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉(Bphen)、2, 9- 二甲基-4，7- 二苯基-1, 10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基_8_喹啉)_(4_苯基苯酚)鋁(Balq)及3- (4_聯(lián)苯基)_4苯基_5_叔丁基苯-1，2，4_三唑(TAZ)中的至少一種。第一有機阻擋層41的厚度為200nm~300nm。
[0037]進一步的，第一有機阻擋層41中，空穴傳輸材料與電子傳輸材料的摩爾比為40:100 ~60:100。
[0038]第一無機阻擋層42形成于第一無機阻擋層41的表面。第一無機阻擋層42的材料包括碲化物、金屬氧化物及硒化物。碲化物選自三碲化銻(Sb2Te3)、碲化鉍(Bi2Te)、碲化鎘(CdTe)、三碲化二銦(In2Te3)、碲化錫(SnTe)及碲化鉛(PbTe)中的至少一種。金屬氧化物選自氧化鎂(MgO)、三氧化二鋁(A1203)、二氧化鈦(Ti02)、二氧化鋯(Zr02)、二氧化鉿(HfO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)中的至少一種。硒化物選自硒化鋪(Sb2Se3)、硒化鑰(MoSe2)、硒化秘(Bi2Se3)、二硒化銀(NbSe2)、二硒化鉭(TaSe2)及硒化亞銅(Cu2Se)中的至少一種。第一無機阻擋層42的厚度為10nm~200nm。
[0039]進一步的，第一無機阻擋層中，碲化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，其余為金屬氧化物。
[0040]第二有機阻擋層43形成于第一無機阻擋層42的表面。第二有機阻擋層43的材料包括空穴傳輸材料和電子傳輸材料?？昭▊鬏敳牧线x自N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’_ 聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(ΝΡΒ)、 I,1-二((4-Ν，Ν, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4, 4’，4’’-三(咔唑 _9_基)三苯胺(TCTA)及 1，3-二 (9H-咔唑-9-基)苯(mCP)中的至少一種。電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉(8?1^11)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基-8-喹啉)_ (4-苯基苯酚)鋁(Balq)及3-(4-聯(lián)苯基)_4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑(TAZ)中的至少一種。第二有機阻擋層43的厚度為200nm~300nmo
[0041]進一步的，第二有機阻擋層43中，空穴傳輸材料與電子傳輸材料的摩爾比為40:100 ~60:100。
[0042]第二無機阻擋層44形成于第二有機阻擋層43的表面。第二無機阻擋層44的材料包括金屬氧化物及硒化物。金屬氧化物選自氧化鎂(MgO)、三氧化二鋁(A1203)、二氧化鈦(T12),二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鉿(HfO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)中的至少一種。硒化物選自硒化銻(Sb2Se3)、硒化鑰(MoSe2)、硒化鉍(Bi2Se3)、二硒化鈮(NbSe2)、二硒化鉭(TaSe2)及硒化亞銅(Cu2Se)中的至少一種。第二無機阻擋層44的厚度為10nm~200nm。
[0043]進一步的，第二無機阻擋層44中硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，其余為金屬氧化物。
[0044]優(yōu)選的，封裝蓋40的數(shù)量為2~4，2~4個封裝蓋40依次層疊。即2~4個封裝蓋40均罩設于功能層20及陰極30，且位于外側(cè)的封裝蓋40罩設于位于內(nèi)側(cè)的封裝蓋40上，從而多個封裝蓋40形成如下的層疊結(jié)構(gòu):第一有機阻擋層41/第一無機阻擋層42/第二有機阻擋層43/第二無機阻擋層44/./第一有機阻擋層41/第一無機阻擋層42/第二有機阻擋層43/第二無機阻擋層44。
[0045]上述有機電致發(fā)光器件100中，封裝蓋40包括依次層疊的第一有機阻擋層41、第一無機阻擋層42、第二有機阻擋層43及第二無機阻擋層44，四層配合可以有效的阻擋水氧的腐蝕，封裝蓋40把功能層20及陰極30封裝在陽極10上，可有效的提高防水氧能力，從而有機電致發(fā)光器件100的壽命較長。
[0046]可以理解，封裝蓋40的收容腔可以省略，此時直接在陽極10上設置收容腔即可。
[0047]請同時參閱圖2，一實施方式的有機電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0048]步驟S110、在陽極10上形成功能層20。
[0049]功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。
[0050]陽極10可以為導電玻璃基底或?qū)щ娪袡C聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。陽極10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm?150nm。
[0051]陽極10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加陽極10表面的含氧量以提高陽極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0052]本實施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/S。
[0053]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3\10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人/5。
[0054]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S。
[0055]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.1人/3。
[0056]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A.&
[0057]需要說明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據(jù)需要采用其他材料?？昭ㄗ⑷雽印⒖昭▊鬏攲?、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時功能層20僅包括發(fā)光層。
[0058]步驟S120、在功能層20表面形成陰極30。
[0059]陰極30的材料為鋁(Al)。陰極30的厚度為lOOnm。陰極30由真空蒸鍍形成，真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為5A/S。
[0060]步驟S130、在陰極30表面制備封裝蓋40。
[0061]封裝蓋40形成于陰極30的表面。本實施方式中，封裝蓋40罩設于功能層20及陰極30，且封裝蓋40的邊緣與陽極10固接，從而將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。封裝蓋40形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋40的表面凹陷的凹槽。封裝蓋40將功能層20及陰極30收容于收容腔。
[0062]封裝蓋40包括依次層疊的第一有機阻擋層41、第一無機阻擋層42、第二有機阻擋層43及第二無機阻擋層44。
[0063]第一有機阻擋層41形成于陰極30的表面，且覆蓋陰極30及功能層20的端面以及陽極10的部分表面，從而將將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。
[0064]第一有機阻擋層41的材料包括空穴傳輸材料和電子傳輸材料?？昭▊鬏敳牧线x自 N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’_ 聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(ΝΡΒ)、1，1-二((4-Ν，Ν, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4，4’，4’’_ 三(咔唑 _9_ 基)三苯胺(TCTA)及1，3-二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)中的至少一種。電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉(Bphen)、2, 9- 二甲基-4，7- 二苯基-1, 10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2- 基)苯(TPBi)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基_8_喹啉)_(4_苯基苯酚)鋁(Balq)及3-(4-聯(lián)苯基)_4苯基_5_叔丁基苯-1，2，4_三唑(TAZ)中的至少一種。第一有機阻擋層41的厚度為200nm~300nm。
[0065]進一步的，第一有機阻擋層41中，空穴傳輸材料與電子傳輸材料的摩爾比為40:100 ~60:100。
[0066]第一有機阻擋層41由真空蒸鍍形成，真空度為I X 1-5Pa~I X 10?,電子傳輸材料的蒸發(fā)速度0.5 A~5 A/s ?
[0067]第一無機阻擋層42形成于第一無機阻擋層41的表面。第一無機阻擋層42的材料包括碲化物、金屬氧化物及硒化物。碲化物選自三碲化銻(Sb2Te3)、碲化鉍(Bi2Te)、碲化鎘(CdTe)、三碲化二銦(In2Te3)、碲化錫(SnTe)及碲化鉛(PbTe)中的至少一種。金屬氧化物選自氧化鎂(MgO)、三氧化二鋁(A1203)、二氧化鈦(Ti02)、二氧化鋯(Zr02)、二氧化鉿(HfO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)中的至少一種。硒化物選自硒化鋪(Sb2Se3)、硒化鑰(MoSe2)、硒化秘(Bi2Se3)、二硒化銀(NbSe2)、二硒化鉭(TaSe2)及硒化亞銅(Cu2Se)中的至少一種。第一無機阻擋層42的厚度為10nm~200nm。
[0068]進一步的，第一無機阻擋層中，碲化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，其余為金屬氧化物。
[0069]第一無機阻擋層42由磁控濺射制備，本底真空度為I X KT5Pa~I X 10_3Pa。
[0070]第二有機阻擋層43形成于第一無機阻擋層42的表面。第二有機阻擋層43的材料包括空穴傳輸材料和電子傳輸材料?？昭▊鬏敳牧线x自N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’_ 聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(ΝΡΒ)、
I,1-二((4-Ν，Ν, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4, 4’，4’’-三(咔唑 _9_基)三苯胺(TCTA)及 1，3-二 (9H-咔唑-9-基)苯(mCP)中的至少一種。電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉(8?1^11)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(Balq)及3-(4-聯(lián)苯基)_4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑(TAZ)中的至少一種。第二有機阻擋層43的厚度為200nm~300nm。
[0071]進一步的，第二有機阻擋層43中，空穴傳輸材料與電子傳輸材料的摩爾比為40:100 ~60:100。
[0072]第二有機阻擋層43由真空蒸鍍形成，真空度為I X 1-5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度0.5 A~5 A/s。
[0073]第二無機阻擋層44形成于第二有機阻擋層43的表面。第二無機阻擋層44的材料包括金屬氧化物及硒化物。金屬氧化物選自氧化鎂(MgO)、三氧化二鋁(A1203)、二氧化鈦(T12),二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鉿(HfO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)中的至少一種。硒化物選自硒化銻(Sb2Se3)、硒化鑰(MoSe2)、硒化鉍(Bi2Se3)、二硒化鈮(NbSe2)、二硒化鉭(TaSe2)及硒化亞銅(Cu2Se)中的至少一種。第二無機阻擋層44的厚度為10nm~200nm。
[0074]第二無機阻擋層44由磁控濺射制備，本底真空度為I X KT5Pa~I X 10_3Pa。
[0075]進一步的，第二無機阻擋層44中硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，其余為金屬氧化物。
[0076]優(yōu)選的，封裝蓋40的數(shù)量為2~4，2~4個封裝蓋40依次層疊。即2~4個封裝蓋40均罩設于功能層20及陰極30，且位于外側(cè)的封裝蓋40罩設于位于內(nèi)側(cè)的封裝蓋40上，從而多個封裝蓋40形成如下的層疊結(jié)構(gòu):第一有機阻擋層41/第一無機阻擋層42/第二有機阻擋層43/第二無機阻擋層44/./第一有機阻擋層41/第一無機阻擋層42/第二有機阻擋層43/第二無機阻擋層44。
[0077]封裝蓋40形成于陰極30的表面。本實施方式中，封裝蓋40罩設于功能層20及陰極30，且封裝蓋40的邊緣與陽極10固接，從而將功能層20及陰極30封裝在陽極10上。封裝蓋40形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋40的表面凹陷的凹槽。封裝蓋40將功能層20及陰極30收容于收容腔。
[0078]可以理解，封裝蓋40的收容腔可以省略，此時直接在陽極10上設置收容腔即可。
[0079]上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，制備工藝簡單，容易大批量制備。
[0080]以下結(jié)合具體實施例對本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件制備方法進行詳細說明。
[0081]實施例1
[0082]本實施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機電致發(fā)光器件；其中，斜桿“/”表示層狀結(jié)構(gòu)，冒號“:”表示摻雜，下同。
[0083]上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0084]1、在陽極上形成功能層。
[0085]陽極10為導電玻璃。陽極10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm0
[0086]陽極10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加陽極10表面的含氧量以提高陽極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0087]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' - 二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1人/S。
[0088]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?父10_中&，蒸發(fā)速度為0.1入/5。
[0089]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-午&，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0090]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為1nm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_^，蒸發(fā)速度為0.1人/5。
[0091]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為 0.2 A/S。
[0092]2、在功能層表面形成陰極。
[0093]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為5人/8。
[0094]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0095]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0096]封裝蓋包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層。
[0097]第一有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括TH)及Bphen，TPD與Bphen的摩爾比為55:100，真空度IX l(T5Pa，Bphen的蒸發(fā)速度5 A /S，厚度300nm ；
[0098]第一無機阻擋層由磁控濺射制備，材料包括Sb2Te3、MgO及Sb2Se3, Sb2Te3的質(zhì)量百分含量為30%，Sb2Se3的質(zhì)量百分含量為10%，其余為MgO，本底真空度lX10_5Pa，厚度200nm ；
[0099]第二有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括TH)及Bphen，TPD與Bphen的摩爾比為55:100，真空度IXlO-5Pa, Bphen的蒸發(fā)速度5 A/S，厚度300nm ；
[0100]第二無機阻擋層由磁控濺射制備，材料包括MgO及Sb2Se3, Sb2Se3的質(zhì)量百分含量為30%，其余為MgO，本底真空度I X 10_5Pa，厚度200nm ；
[0101]封裝蓋的數(shù)量為4，4個封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(TH):Bphen/Sb2Te3:MgO:Sb2Se3APD:Bphen/Mg0:Sb2Se3)4，其中，“/”表示層與層之間的分隔，冒號表示至少兩種材料摻雜或混合，下同。
[0102]實施例2
[0103]本實施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機電致發(fā)光器件。
[0104]上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0105]1、在陽極上形成功能層。
[0106]陽極10為導電玻璃。陽極10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0107]陽極10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加陽極10表面的含氧量以提高陽極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0108]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lAis。
[0109]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3父10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人/5。
[0110]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2人/S。
[0111]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s ^
[0112]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-午&，蒸發(fā)速度為0.2人/5。
[0113]2、在功能層表面形成陰極。
[0114]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-^，蒸發(fā)速度為5力8。
[0115]3、在陰極表面蒸鍍保護層。
[0116]保護層的材料為NPB。保護層40的厚度為300nm。保護層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 1-5Pa,蒸發(fā)速度為5A/S。
[0117]4、在保護層表面制備封裝蓋。
[0118]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0119]封裝蓋包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層。
[0120]第一有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括NPB及BCP，NPB與BCP的摩爾比為50:100，真空度5X10_5Pa，BCP的蒸發(fā)速度2 A/s,厚度250nm ；
[0121]第一無機阻擋層由磁控濺射制備，材料包括Bi2Te、Al2O3及MoSe2, Bi2Te的質(zhì)量百分含量為10%，MoSe2的質(zhì)量百分含量為30%，其余為Al2O3,本底真空度IX 10_5Pa，厚度10nm ；
[0122]第二有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括NPB及BCP，NPB與BCP的摩爾比為50:100，真空度5 X10_5Pa，BCP的蒸發(fā)速度2 A/s，厚度250nm ；
[0123]第二無機阻擋層由磁控濺射制備，材料包括Al2O3及MoSe2, MoSe2的質(zhì)量百分含量為20%，其余為Al2O3,本底真空度I X 10_4Pa，厚度150nm ；
[0124]封裝蓋的數(shù)量為3，3個封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(NPB:BCP/Bi2Te =Al2O3:MoSe2/NPB:BCP/A1203:MoSe2)3
[0125]實施例3
[0126]本實施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機電致發(fā)光器件。
[0127]上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0128]1、在陽極上形成功能層。
[0129]陽極10為導電玻璃。陽極10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm0
[0130]陽極10 表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加陽極10表面的含氧量以提高陽極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0131]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1A/S。
[0132]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為30nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3父10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人/5。
[0133]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0134]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成,真空度為3父10_5?3,蒸發(fā)速度為0.1人/5。
[0135]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為 0.2A/S。
[0136]2、在功能層表面形成陰極。
[0137]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為51^。
[0138]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0139]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0140]封裝蓋包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層。
[0141]第一有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括TAPC及TPBi，TAPC與TPBi的摩爾比為50:100，真空度5 X10_5Pa，TPBi的蒸發(fā)速度0.5A/s,厚度200nm ；
[0142]第一無機阻擋層由磁控濺射制備，材料包括CdTe、Ti02及Bi2Se3, CdTe的質(zhì)量百分含量為20%，Bi2Se3的質(zhì)量百分含量為13%，其余為T12，本底真空度5 X 10_5Pa，厚度160nm ；
[0143]第二有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括TAPC及TPBi，TAPC與TPBi的摩爾比為50:100，真空度5X 10_5Pa，TPBi的蒸發(fā)速度0.5A /s,厚度200nm ；
[0144]第二無機阻擋層由磁控濺射制備，材料包括T12及Bi2Se3, Bi2Se3的質(zhì)量百分含量為10%，其余為T12,本底真空度I X 10_4Pa，厚度140nm ；
[0145]封裝蓋的數(shù)量為3，3個封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(TAPC:TPBi/CdTe:T12:Bi2Se3/TAPC:TPBi/Ti02 =Bi2Se3) 3
[0146]實施例4
[0147]本實施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機電致發(fā)光器件。
[0148]上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0149]1、在陽極上形成功能層。
[0150]陽極10為導電玻璃。陽極10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為150nmo
[0151]陽極10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加陽極10表面的含氧量以提高陽極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0152]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s。
[0153]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為30nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s。
[0154]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.2入/3。
[0155]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.1人/8。
[0156]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為0.2入/5。
[0157]2、在功能層表面形成陰極。
[0158]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為51/8。
[0159]3、在陰極表面蒸鍍保護層。
[0160]保護層的材料為S1。保護層40的厚度為200nm。保護層由真空蒸鍍形成，真空度為5\10-^，蒸發(fā)速度為0.5人土，
[0161]4、在保護層表面制備封裝蓋。
[0162]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0163]封裝蓋包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層。
[0164]第一有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括MADN及Alq3，MADN與Alq3的摩爾比為60:100，真空度5X10_5Pa，Alq3的蒸發(fā)速度2 A/s,厚度250nm ；
[0165]第一無機阻擋層由磁控濺射制備，材料包括In2Te、Zr02&NbSe2，In2Te的質(zhì)量百分含量為20%，NbSe2的質(zhì)量百分含量為25%，其余為ZrO2，本底真空度5 X 10_5Pa，厚度150nm ；
[0166]第二有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括MADN及Alq3，MADN與Alq3的摩爾比為60:100，真空度5X10_5Pa，Alq3的蒸發(fā)速度2 A/s,厚度250nm ；
[0167]第二無機阻擋層由磁控濺射制備，材料包括ZrO2及NbSe2, NbSe2的質(zhì)量百分含量為10%，其余為ZrO2,本底真空度I X 10_4Pa，厚度120nm ；
[0168]封裝蓋的數(shù)量為3，3個封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(MADN:Alq3/In2Te:ZrO2:NbSe2/MADN:Alq3/Zr02 =NbSe2) 3
[0169]實施例5
[0170]本實施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機電致發(fā)光器件。
[0171]上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0172]1、在陽極上形成功能層。
[0173]陽極10為導電玻璃。陽極10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為120nmo
[0174]陽極10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加陽極10表面的含氧量以提高陽極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0175]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1 A/s ?
[0176]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_中&，蒸發(fā)速度為0.11/8。
[0177]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_%，蒸發(fā)速度為0.2人/3。
[0178]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s。
[0179]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-午&，蒸發(fā)速度為0.2入/3。
[0180]2、在功能層表面形成陰極。
[0181]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發(fā)速度為5^3。
[0182]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0183]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0184]封裝蓋包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層。
[0185]第一有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括TCTA及Balq，TCTA與Balq的摩爾比為50:100，真空度5X 10_5Pa，Balq的蒸發(fā)速度I A/S,厚度250nm ；
[0186]第一無機阻擋層由磁控濺射制備，材料包括SnTe、Hf02及TaSe2, SnTe的質(zhì)量百分含量為20%，TaSe2的質(zhì)量百分含量為15%，其余為HfO2，本底真空度5 X 10_5Pa，厚度150nm ；
[0187]第二有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括TCTA及Balq，TCTA與Balq的摩爾比為50: 100，真空度I X 10_5Pa，真空度5 X 10_5Pa，Balq的蒸發(fā)速度I人/s,厚度250nm ；
[0188]第二無機阻擋層由磁控濺射制備，材料包括HfO2及TaSe2, TaSe2的質(zhì)量百分含量為15%，本底真空度I X 10_4Pa，厚度10nm ；
[0189]封裝蓋的數(shù)量為3，3個封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(TCTA:Balq/SnTe:HfO2:TaSe2/TCTA:Balq/Hf02:TaSe2)3
[0190]實施例6
[0191]本實施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機電致發(fā)光器件。
[0192]上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0193]1、在陽極上形成功能層。
[0194]陽極10為導電玻璃。陽極10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm0
[0195]陽極10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加陽極10表面的含氧量以提高陽極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0196]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA s
[0197]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人/3。
[0198]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0199]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為1nm0電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_^，蒸發(fā)速度為0.1人/8。
[0200]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為 0.2 A/S。
[0201]2、在功能層表面形成陰極。
[0202]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為5人々。
[0203]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0204]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0205]封裝蓋包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層。
[0206]第一有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括mCP及TAZ，mCP與TAZ的摩爾比為40:100，真空度I X10_3Pa，TAZ的蒸發(fā)速度2 A/s,厚度250nm ；
[0207]第一無機阻擋層由磁控濺射制備，材料包括PbTe、Ta2O5及Cu2Se, PbTe的質(zhì)量百分含量為20%，Cu2Se的質(zhì)量百分含量為20%，其余為Ta2O5，本底真空度I X 10_3Pa，厚度150nm ；
[0208]第二有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料包括mCP及TAZ，mCP與TAZ的摩爾比為40:100，真空度I X 1^3Pa, TAZ的蒸發(fā)速度2 A/S，厚度250nm ；
[0209]第二無機阻擋層由磁控濺射制備，材料包括Ta2O5及Cu2Se, Cu2Se的質(zhì)量百分含量為10%，其余為Ta2O5，本底真空度lX10_3Pa，厚度120nm ；
[0210]封裝蓋的數(shù)量為2，2個封裝蓋依次層疊。2個封裝蓋依次層疊的結(jié)構(gòu)為(mCP =TAZ/PbTe:Ta2O5:Cu2Se/mCP:TAZ/Ta205:Cu2Se) 2
[0211]對比例
[0212]本實施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/封裝蓋的有機電致發(fā)光器件。
[0213]上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0214]1、在陽極上形成功能層。
[0215]陽極10為導電玻璃。陽極10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為10nm0
[0216]陽極10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加陽極10表面的含氧量以提高陽極10表面的功函數(shù)。具體為，將陽極10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0217]空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(MoO3)。MoO3的質(zhì)量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為
0.1A/s。
[0218]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?父10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人/3。
[0219]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0220]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為10nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.1人/8。
[0221]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為30%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-午&，蒸發(fā)速度為0.2入/5。
[0222]2、在功能層表面形成陰極。
[0223]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為5A/S
[0224]3、在陰極表面制備封裝蓋。
[0225]封裝蓋形成于陰極的表面，且覆蓋陰極及功能層的端面以及陽極的部分表面，從而將將功能層及陰極封裝在陽極上。
[0226]封裝蓋包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層。
[0227]第一有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為Balq，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度I A /s,厚度 250nm ；
[0228]第一無機阻擋層由磁控濺射制備，材料為SnTe，本底真空度5X 10_5Pa，厚度150nm ；
[0229]第二有機阻擋層采用真空蒸發(fā)制備，材料為Balq，真空度IX 10_5Pa，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度 I A /S，厚度 250nm ；
[0230]第二無機阻擋層由磁控濺射制備，材料為HfO2,本底真空度I X 10_4Pa，厚度10nm ；
[0231]封裝蓋的數(shù)量為3，3個封裝蓋依次層疊。封裝蓋的結(jié)構(gòu)為(Balq/SnTe/Balq/HfO2) 3
[0232]本發(fā)明實施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜設備(沈陽科學儀器研制中心有限公司，壓強〈IX 10-3Pa)、磁控濺射設備(沈陽科學儀器研制中心有限公司)、電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2400)、色彩亮度計(柯尼卡美能達，型號:CS-100A)。
[0233]請參閱表1，表1所示為實施例1~實施例6及對比例制備的有機電致發(fā)光器件的水氣穿透率(Water Vapor Transmiss1n Rate)的測試結(jié)果。從表1中可以看出實施例1~實施例6制備的有機電致發(fā)光器件的水氣穿透率均小于4.2X 10_4g/m2/day，遠小于對比例制備的有機電致發(fā)光器件的水氣穿透率(4.9X10 —3g/m2/day)防水效果較好，可以有效減少外部水氣對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，從而提高有機電致發(fā)光器件的壽命。
[0234]表1

【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層及陰極，其特征在于:所述有機電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括第一有機阻擋層、形成于所述第一有機阻擋層表面的第一無機阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第二有機阻擋層及形成于所述第二有機阻擋層表面的第二無機阻擋層； 所述第一有機阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第一無機阻擋層的材料包括碲化物、金屬氧化物及硒化物，所述第二有機阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第二無機阻擋層的材料包括金屬氧化物及硒化物，所述空穴傳輸材料選自N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺、N，N ' -二(α-萘基)-Ν，Ν' - 二苯基-4,4' - 二胺、1，1-二((4-Ν，Ν, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’’-三(咔唑_9_基)三苯胺及1，3-二(9Η-咔唑-9-基)苯中的至少一種，所述電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁及3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑中的至少一種，所述碲化物選自三碲化銻、碲化鉍、碲化鎘、三碲化二銦、碲化錫及碲化鉛中的至少一種，所述金屬氧化物選自氧化鎂、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭中的至少一種，所述硒化物選自硒化銻、硒化鑰、硒化鉍、二硒化銀、二硒化鉭及硒化亞銅中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋的數(shù)量為2~4，2~4個封裝蓋依次層疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述第一無機阻擋層的厚度為10nm~200nm ;所述第二有機阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述第二無機阻擋層的厚度為10nm~200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100 ;所述第一無機阻擋層中所述碲化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30% ；所述第二有機阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100 ;所述第二無機阻擋層中所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋與所述陽極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。
6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽極表面制備發(fā)光層； 在所述發(fā)光層表面制備陰極；及 在所述陰極表面制備封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括第一有機阻擋層、形成于所述第一有機阻擋層表面的第一無機阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第二有機阻擋層及形成于所述第二有機阻擋層表面的第二無機阻擋層，所述第一有機阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第一無機阻擋層的材料包括碲化物、金屬氧化物及硒化物，所述第二有機阻擋層的材料包括空穴傳輸材料及電子傳輸材料，所述第二無機阻擋層的材料包括金屬氧化物及硒化物，所述空穴傳輸材料選自N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(0-萘基)_隊& - 二苯基-4，4' - 二胺、1，1-二((4-N，N, -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10- 二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺及1，3- 二(9H-咔唑-9-基)苯中的至少一種，所述電子傳輸材料選自4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁及3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑中的至少一種，所述碲化物選自三碲化銻、碲化鉍、碲化鎘、三碲化二銦、碲化錫及碲化鉛中的至少一種，所述金屬氧化物選自氧化鎂、三氧化二鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、五氧化二鉭中的至少一種，所述硒化物選自硒化銻、硒化鑰、硒化鉍、二硒化銀、二硒化鉭及硒化亞銅中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一有機阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100 ;所述第一無機阻擋層中所述碲化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%，所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%;所述第二有機阻擋層中，所述空穴傳輸材料與所述電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100 ;所述第二無機阻擋層中所述硒化物的質(zhì)量百分含量為10%~30%。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述封裝蓋的數(shù)量為2~4，2~4個封裝蓋依次層疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述第一有機阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述第一無機阻擋層的厚度為10nm~200nm ;所述第二有機阻擋層的厚度為200nm~300nm ;所述第二無機阻擋層的厚度為10nm~200nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述封裝蓋與所述陽極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。
【文檔編號】H01L51/52GK104078614SQ201310110244
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 梁祿生 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司