有機電致發(fā)光器件及其封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其封裝方法，該有機電致發(fā)光器件包括陽極導電基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝蓋，發(fā)光功能層和陰極依次層疊于陽極導電基板上，封裝蓋將發(fā)光功能層和陰極封裝于陽極導電基板上，封裝蓋包括依次罩設于有機發(fā)光功能層和陰極上的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層；其中，第一有機阻擋層的材料包括第一空穴傳輸材料及第一電子傳輸材料，第一無機阻擋層的材料包括碲化物、第一氮化物及第一合金氧化物，第二有機阻擋層的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸，第二無機阻擋層的材料包括第二氮化物與第二合金氧化物。該有機電致發(fā)光器件的使用壽命較長。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件及其封裝方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電致發(fā)光【技術領域】，特別是涉及一種有機電致發(fā)光器件及其封裝方法。
【背景技術】
[0002]有機電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導體發(fā)光器件。其典型結構是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發(fā)光材料作發(fā)光層,發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。當電極上加有電壓時，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點，被業(yè)內人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術，OLED技術在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長速度驚人，目前已經(jīng)到達了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0004]然而,OLED中的發(fā)光層對于大氣中的污染物、氧氣、水汽等十分敏感,在污染物、氧氣及水汽等的作用下發(fā)生化學反應會導致發(fā)光量子效率的降低，而陰極一般由較活潑的金屬形成，在空氣或氧氣中易受侵蝕，從而導致OLED的穩(wěn)定性較差，使用壽命較短。
【發(fā)明內容】
[0005]基于此，有必要提供一種使用壽命較長的有機電致發(fā)光器件。
[0006]進一步，提供一種有機電致發(fā)光器件的封裝方法。
[0007]—種有機電致發(fā)光器件，包括陽極導電基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝蓋，所述發(fā)光功能層和陰極依次層疊于所述陽極導電基板上，所述封裝蓋將所述發(fā)光功能層和陰極封裝于所述陽極導電基板上，所述封裝蓋包括依次罩設于所述有機發(fā)光功能層和陰極上的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層；其中，
[0008]所述第一有機阻擋層的材料包括第一空穴傳輸材料及第一電子傳輸材料，所述第一空穴傳輸材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4,4' - 二胺、1，1-二((4-N，N' -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’’-三(咔唑_9_基)三苯胺或1，3_ 二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第一電子傳輸材料為4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁、或3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1, 2，4-三唑；
[0009]所述第一無機阻擋層的材料包括碲化物、第一氮化物及第一合金氧化物，所述碲化物為三締化鋪、締化秘、締化鎘、三締化二銦、締化錫或締化鉛，所述第一氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第一合金氧化物為偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵或鋁酸釔；
[0010]所述第二有機阻擋層的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸材料，所述第二空穴傳輸材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(0-萘基)^^' - 二苯基-4，4' - 二胺、1，1-二((4-N，N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’’-三(咔唑_9_基)三苯胺或1，3_ 二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第二電子傳輸材料為4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1, 2，4-三唑；
[0011]所述第二無機阻擋層的材料包括第二氮化物及第二合金氧化物，所述第二氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第二合金氧化物為偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵或鋁酸釔。
[0012]在其中一個實施例中，所述封裝蓋為3~5個，所述3~5個封裝蓋依次罩設于所述發(fā)光功能層和陰極。
[0013]在其中一個實施例中，所述第一空穴傳輸材料與所述第一電子傳輸材料的摩爾比為 40:100 ~60:100。
[0014]在其中一個實施例中，所述第一無機阻擋層中，所述第一氮化物的質量百分含量為10%~40%，所述第一合金氧化物的質量百分含量為10%~30%。
[0015]在其中一個實施例中，所述第二空穴傳輸材料與所述第二電子傳輸材料的摩爾比為 40:100 ~60:100。
[0016]在其中一個實施例中，所述第二氮化物占所述第二無機阻擋層的質量百分數(shù)為
10% ~40% O
[0017]在其中一個實施例中，所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層的厚度為200納米~300納米。
[0018]在其中一個實施例中，所述第一無機阻擋層和第二無機阻擋層的厚度為100納米~200納米。
[0019]一種有機電致發(fā)光器件的封裝方法，包括如下步驟:
[0020]提供陽極導電基板，在所述陽極導電基板上真空蒸鍍形成發(fā)光功能層；
[0021]在所述發(fā)光功能層上真空蒸鍍形成陰極；
[0022]真空蒸鍍制備第一有機阻擋層，所述第一有機阻擋層設置于所述陽極導電基板上并罩設于所述發(fā)光功能層和陰極上，所述第一有機阻擋層的材料包括第一空穴傳輸材料及第一電子傳輸材料，所述第一空穴傳輸材料為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’_ 聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基 _4，4' - 二胺、1，1_ 二((4-N，N, -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或1，3_ 二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第一電子傳輸材料為4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁、或3- (4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑；
[0023]磁控濺射制備第一無機阻擋層，所述第一無機阻擋層設置于所述陽極導電基板上并罩設于所述第一有機阻擋層上，所述第一無機阻擋層的材料包括碲化物、第一氮化物及第一合金氧化物，所述締化物為三締化鋪、締化秘、締化鎘、三締化二銦、締化錫或締化鉛，所述第一氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第一合金氧化物為偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵或鋁酸釔；
[0024]真空蒸鍍制備第二有機阻擋層，所述第二有機阻擋層設置于所述陽極導電基板上并罩設于所述第一無機阻擋層上，所述第二有機阻擋層的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸材料，所述第二空穴傳輸材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’_ 聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基 _4，4' - 二胺、1，1_ 二((4-N，N, -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺或1，3- 二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第二電子傳輸材料為4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或
3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑；及
[0025]磁控濺射制備第二無機阻擋層，所述第二無機阻擋層設置于所述陽極導電基板上并罩設于所述第二有機阻擋層上，所述第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層依次罩設于在所述發(fā)光功能層和陰極上形成設置于所述陽極導電基板上的封裝蓋，封裝得到有機電致發(fā)光器件；其中，所述第二無機阻擋層的材料包括第二氮化物及第二合金氧化物，所述第二氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第二合金氧化物為偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵或鋁酸釔。
[0026]在其中一個實施例中，所述真空蒸鍍制備第一有機阻擋層的步驟及真空蒸鍍制備第二有機阻擋層的步驟中，所述真空蒸鍍的真空度為IX 10_5Pa?IX 10_3Pa ；
[0027]所述磁控濺射制備第一無機阻擋層的步驟及磁控濺射制備第二無機阻擋層的步驟中，本底的真空度為I X KT5Pa?lX10_3Pa。
[0028]上述有機電致發(fā)光器件的陽極導電基板上設置有封裝蓋，封裝蓋將活潑的發(fā)光功能層和陰極封裝于陽極導電基板上，由第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層依次罩設于發(fā)光功能層和陰極上形成的致密的封裝蓋能夠有效地減少外部水、氧等活性物質對發(fā)光功能層和陰極的侵蝕，對有機電致發(fā)光器件的發(fā)光功能層和陰極形成有效的保護，從而使有機電致發(fā)光器件的使用壽命較高。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0029]圖1為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖；
[0030]圖2為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的封裝方法流程圖。
【具體實施方式】
[0031]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似改進，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0032]請參閱圖1，一實施方式的有機電致發(fā)光器件100，包括陽極導電基板10、發(fā)光功能層20、陰極30及封裝蓋40。
[0033]發(fā)光功能層20和陰極30依次層疊于陽極導電基板10上。發(fā)光功能層20覆蓋陽極導電基板10的部分表面，封裝蓋40設置于陽極導電基板10未被發(fā)光功能層20覆蓋的表面上并罩設于發(fā)光功能層20和陰極30上，將發(fā)光功能層20和陰極30封裝于陽極導電基板10上。
[0034]陽極導電基板10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)。
[0035]發(fā)光功能層20包括依次層疊于陽極導電基板10上的空穴注入層(圖未示)、空穴傳輸層(圖未示)、發(fā)光層(圖未示)、電子傳輸層(圖未示)及電子注入層(圖未示)。
[0036]空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜于N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)中形成的摻雜材料。其中，三氧化鑰(MoO3)與N，N’ - 二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯 _4，4’-=K(NPB)的質量比為 30:100。
[0037]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10納米。
[0038]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。
[0039]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30納米。
[0040]發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)摻雜于1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中形成的摻雜材料。其中，三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)與1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)的質量比為5:100。
[0041]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20納米。
[0042]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。
[0043]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為10納米。
[0044]電子注入層的材料為疊氮化銫(CsN3)摻雜于4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)中形成的摻雜材料。其中，疊氮化銫(CsN3)與4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)的質量比為 30:100。
[0045]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20納米。
[0046]陰極的材料為金屬鋁(Al)。優(yōu)選地，陰極30的厚度為100納米。
[0047]封裝蓋40包括依次罩設于發(fā)光功能層20和陰極30上的第一有機阻擋層41、第一無機阻擋層42、第二有機阻擋層43及第二無機阻擋層44。
[0048]第一有機阻擋層41的材料包括第一空穴傳輸材料及第一電子傳輸材料。
[0049]第一空穴傳輸材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α -萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(NPB)、1，1-二((4-N, N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10- 二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4，4，，4，，-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 1，3- 二 (9H-咔唑-9-基)苯(mCP)。
[0050]第一電子傳輸材料為4，7-二苯基鄰菲羅啉化?611)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI )、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(Balq)或3_ (4_聯(lián)苯基)~4苯基_5_叔丁基苯-1,2，4-三唑(TAZ)。
[0051]優(yōu)選地，第一空穴傳輸材料與第一電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100。
[0052]優(yōu)選地，第一有機阻擋層41的厚度為200納米~300納米。
[0053]第一無機阻擋層42的材料包括碲化物、第一氮化物及第一合金氧化物。
[0054]碲化物為三碲化銻(Sb2Te3)、碲化鉍(Bi2Te)、碲化鎘(CdTe)、三碲化二銦(In2Te3)、碲化錫(SnTe )或碲化鉛(PbTe )。
[0055]第一氮化物為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)。
[0056]第一合金氧化物為偏鋁酸鎂(MgAl204)、鈦酸鉍(Bi2Ti4O11X鉻酸鎳(CrN14)、鉻酸鈷(CoCr2O4)、镥酸鐵(Fe2LuO4)或鋁酸釔(Y3Al5O12)。
[0057]優(yōu)選地，第一無機阻擋層42中，第一氮化物的質量百分含量為10%?40%，第一合金氧化物的質量百分含量為10%?30%。
[0058]優(yōu)選地，第一無機阻擋層42的厚度為100納米?200納米。
[0059]第二有機阻擋層43的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸材料。
[0060]第二空穴傳輸材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α -萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(NPB)、1，1-二((4-N, N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10- 二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4，4，，4，，-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 1，3- 二 (9H-咔唑-9-基)苯(mCP)。
[0061]第二電子傳輸材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉(Bphen)、2，9_ 二甲基_4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI )、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(Balq)或3_ (4_聯(lián)苯基)~4苯基_5_叔丁基苯-1,2，4-三唑(TAZ)。
[0062]優(yōu)選地，第二空穴傳輸材料與第二電子傳輸材料的摩爾比為40:100?60:100。
[0063]優(yōu)選地，第二有機阻擋層43的厚度為200納米?300納米。
[0064]第二無機阻擋層44的材料包括第二氮化物及第二合金氧化物。
[0065]第二氮化物為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)。
[0066]第二合金氧化物為偏鋁酸鎂(MgAl204)、鈦酸鉍(Bi2Ti4O11X鉻酸鎳(CrN14)、鉻酸鈷(CoCr2O4)、镥酸鐵(Fe2LuO4)或鋁酸釔(Y3Al5O12)。
[0067]優(yōu)選地，第二氮化物占第二無機阻擋層44的質量百分數(shù)為10%?40%。
[0068]封裝蓋40設置于陽極導電基板上10，與陽極導電基板10形成密封的收容腔(圖未示)，發(fā)光功能層20和陰極30收容于收容腔中。陽極導電基板10具有較好的阻隔性能，由上述材料形成的封裝蓋40的致密性較高，能夠有效地阻擋空氣中的氧氣、水汽等，進一步滿足封裝的密封性要求，從而能夠有效地保護發(fā)光功能層20及陰極30，使得有機電致發(fā)光器件100的使用壽命(T70@1000cd/m2)較高，達到7600小時以上。
[0069]優(yōu)選地，封裝蓋40的數(shù)量為3?5個。3?5個封裝蓋40的大小不等，且3?5個大小不等的封裝蓋40按小到大的順序依次罩設于發(fā)光功能層和陰極上。3?5個封裝蓋40能夠進一步提高封裝的密封性，提高有機電致發(fā)光器件100的使用壽命。
[0070]請參閱圖2，一實施方式中的有機電致發(fā)光器件的封裝方法，包括如下步驟:
[0071]步驟SllO:提供陽極導電基板，在陽極導電基板上采用真空蒸鍍形成發(fā)光功能層。
[0072]陽極導電基板為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)。
[0073]采用真空蒸鍍在潔凈的干燥的玻璃基板上蒸鍍銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物，在玻璃基板形成陽極圖形，得到陽極導電基板。
[0074]優(yōu)選地，陽極圖形的厚度為100納米。
[0075]采用真空蒸鍍在陽極導電基板上形成發(fā)光功能層之前，首先將陽極導電基板依次放入丙酮、乙醇、去離子水及乙醇中進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，然后用氮氣吹干，再用烘箱烘干，得到潔凈、干燥的陽極導電基板。進一步將陽極導電基板進行表面活性處理，以增加陽極導電基板表面的含氧量，提高陽極導電基板的功函數(shù)。進行表面活性處理的步驟為采用紫外-臭氧(UV-ozone)對清洗干燥后的陽極導電基板進行處理30?50分鐘。
[0076]發(fā)光功能層包括依次層疊于陽極導電基板上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層。發(fā)光功能層覆蓋陽極導電基板的部分表面。
[0077]在潔凈、干燥的陽極導電基板上真空蒸鍍依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層，得到層疊于陽極導電基板上的發(fā)光功能層。
[0078]空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜于N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)中形成的摻雜材料。其中，三氧化鑰(MoO3)與N，N’ - 二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯 _4，4’-=K(NPB)的質量比為 30:100。
[0079]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10納米。
[0080]真空蒸鍍形成空穴注入層的真空度為3X 10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.lA/s。
[0081]空穴傳輸層的材料為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。
[0082]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30納米。
[0083]真空蒸鍍形成空穴傳輸層的真空度為3X 10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.lA/s。
[0084]發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)摻雜于1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中形成的摻雜材料。其中，三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)與1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)的質量比為5:100。
[0085]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20納米。
[0086]真空蒸鍍形成發(fā)光層的真空度為3X10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.2人/l
[0087]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen
[0088]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為10納米。
[0089]真空蒸鍍形成電子傳輸層的真空度為3X10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.lA/s。
[0090]電子注入層的材料為疊氮化銫(CsN3)摻雜于4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)中形成的摻雜材料。其中，疊氮化銫(CsN3)與4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)的質量比為 30:100。
[0091]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20納米。
[0092]真空蒸鍍形成電子注入層的真空度為3X10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.2A/S。
[0093]步驟S120:在發(fā)光功能層上真空蒸鍍形成陰極。
[0094]陰極的材料為金屬鋁(Al)。優(yōu)選地，陰極的厚度為100納米。
[0095]真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa。蒸發(fā)速度為5A/s。
[0096]步驟S130:真空蒸鍍制備第一有機阻擋層，第一有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于發(fā)光功能層和陰極上。
[0097]第一有機阻擋層的材料包括第一空穴傳輸材料及第一電子傳輸材料。
[0098]第一空穴傳輸材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α -萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(NPB)、1，1-二((4-N, N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10- 二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4，4，，4，，-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 1，3- 二 (9H-咔唑-9-基)苯(mCP)。
[0099]第一電子傳輸材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉(Bphen)、2，9_ 二甲基_4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI )、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(Balq)或3_ (4_聯(lián)苯基)~4苯基_5_叔丁基苯-1,2，4-三唑(TAZ)。
[0100]優(yōu)選地，第一空穴傳輸材料與第一電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100。
[0101]優(yōu)選地，第一有機阻擋層的厚度為200納米~300納米。
[0102]真空蒸鍍的真空度為IX KT5Pa~IX 10_3Pa。蒸發(fā)速度為0.5A/S~5A/s?
[0103]步驟S140:磁控濺射制備第一無機阻擋層，第一無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一有機阻擋層上。
[0104]第一無機阻擋層的材料包括碲化物、第一氮化物及第一合金氧化物。
[0105]碲化物為三碲化銻(Sb2Te3)、碲化鉍(Bi2Te)、碲化鎘(CdTe)、三碲化二銦(In2Te3)、碲化錫(SnTe )或碲化鉛(PbTe )。
[0106]第一氮化物為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)。
[0107]第一合金氧化物為偏鋁酸鎂(MgAl204)、鈦酸鉍(Bi2Ti4O11X鉻酸鎳(CrN14)、鉻酸鈷(CoCr2O4)、镥酸鐵(Fe2LuO4)或鋁酸釔(Y3Al5O12)。
[0108]優(yōu)選地，第一無機阻擋層中，第一氮化物的質量百分含量為10%~40%，第一合金氧化物占的質量百分含量為10%~30%。
[0109]優(yōu)選地，第一無機阻擋層的厚度為100納米~200納米。
[0110]本底的真空度為I X KT5Pa~lXl(T3Pa。
[0111]步驟S150:真空蒸鍍制備第二有機阻擋層，第二有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一無機阻擋層上。
[0112]第二有機阻擋層的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸材料。
[0113]第二空穴傳輸材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α -萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(NPB)、1，1-二((4-N, N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10- 二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4，4，，4，，-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 1，3- 二 (9H-咔唑-9-基)苯(mCP)。
[0114]第二電子傳輸材料為4，7-二苯基鄰菲羅啉(8?1^11)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI )、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(Balq)或3_ (4_聯(lián)苯基)~4苯基_5_叔丁基苯-1,2，4-三唑(TAZ)。
[0115]優(yōu)選地，第二空穴傳輸材料與第二電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100。
[0116]優(yōu)選地，第二有機阻擋層的厚度為200納米~300納米。
[0117]真空蒸鍍的真空度為I X KT5Pa~I X 10_3Pa。蒸發(fā)速度為0.5A/S~5A/s。
[0118]步驟S160:磁控濺射制備第二無機阻擋層，第二無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第二有機阻擋層上，第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層依次罩設于在發(fā)光功能層和陰極上形成設置于陽極導電基板上的封裝蓋，封裝得到有機電致發(fā)光器件。
[0119]第二無機阻擋層的材料包括第二氮化物及第二合金氧化物。
[0120]第二氮化物為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)。
[0121]第二合金氧化物為偏鋁酸鎂(MgAl204)、鈦酸鉍(Bi2Ti4O11X鉻酸鎳(CrN14)、鉻酸鈷(CoCr2O4)、镥酸鐵(Fe2LuO4)或鋁酸釔(Y3Al5O12)。
[0122]優(yōu)選地，第二氮化物占第二無機阻擋層的質量百分數(shù)為10%~40%。
[0123]本底的真空度為I X KT5Pa~lXl(T3Pa。
[0124]第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層依次罩設于發(fā)光功能層和陰極上，形成設置于陽極導電基板上的封裝蓋，封裝蓋將發(fā)光功能層和陰極封裝于陽極導電基板上，封裝得到有機電致發(fā)光器件。
[0125]上述有機電致發(fā)光器件的封裝方法采用真空蒸鍍及磁控濺射的方法形成罩設于有機發(fā)光功能層和陰極上的封裝蓋，從而將發(fā)光功能層及陰極封裝于陽極導電基板上，能夠很好的保護發(fā)光功能層及陰極，封裝得到穩(wěn)定性較高、使用壽命較長的有機電致發(fā)光器件，并且封裝工藝簡單，易于大規(guī)模封裝。
[0126]可以理解，在其他實施方式中，當封裝蓋的數(shù)量為3~5時，交替重復步驟S130、步驟S140、步驟S150及步驟S1602~4次，形成依次罩設于有機發(fā)光功能層和陰極上的3~5個封裝蓋。
[0127]在真空度1父10_^~1父10，&、以蒸發(fā)速度為0.51/8~51/8進行真空蒸鍍形成第一有機阻擋層及第二有機阻擋層，以及在本底真空度為I X 1-5Pa~I X 1-3Pa下磁控濺射形成第一無機阻擋層和第二無機阻擋層，有利于形成致密、無缺陷的膜層，得到致密性較高的封裝蓋。
[0128]以下為具體實施例。
[0129]實施例1
[0130]結構為IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TPD:Bphen/Sb2Te3:Si3N4:MgAl204/Tro: Bphen/Si3N4:MgAl2O4 的有機電致發(fā)光器件的封裝。
[0131](1)提供陽極導電基板，陽極導電基板為銦錫氧化物玻璃，表示為ΙΤ0。首先將陽極導電基板依次放入丙酮、乙醇、去離子水及乙醇中進行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，然后用氮氣吹干，再用烘箱烘干，得到潔凈、干燥的陽極導電基板。進一步采用紫外-臭氧(UV-ozone)對清洗干燥后的陽極導電基板進行處理進行表面活性處理30分鐘，以增加陽極導電基板表面的含氧量，提高陽極導電基板的功函數(shù)；
[0132](2)在陽極導電基板的表面上真空蒸鍍形成的空穴注入層，真空蒸鍍的真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s;空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜于N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB )中形成的摻雜材料，表示為MoO3: NPB，其中，MoO3與NPB的質量比為30:100 ;空穴注入層的厚度為10納米；
[0133](3)在空穴注入層的表面上真空蒸鍍形成的空穴傳輸層，真空蒸鍍的真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s;空穴傳輸層的材料為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA);空穴傳輸層的厚度為30納米；
[0134](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S:發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(PPy)3)摻雜于1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中形成的摻雜材料，表示為Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3)與TPBI的質量比為5:100 ;發(fā)光層的厚度為20納米；
[0135](5 )在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空蒸鍍的真空度為3 X 10?,蒸發(fā)速度為0.lA/s;電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，電子傳輸層的厚度為10納米；
[0136](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S。電子注入層的材料為疊氮化銫(CsN3)摻入4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)中形成的摻雜材料，表示為CsN3:Bphen，其中，CsN3與Bphen的質量比為30:100 ;電子注入層的厚度為20納米；空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層依次層疊形成層疊于陽極導電基板上的發(fā)光功能能層；
[0137](7)在發(fā)光功能層上真空蒸鍍形成陰極，真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為5人/S;陰極的材料為鋁，陰極的厚度為100納米；
[0138](8)真空蒸鍍制備第一有機阻擋層，第一有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于發(fā)光功能層和陰極上，真空蒸鍍的真空度為1父10_午&，蒸發(fā)速度為5力8;第一有機阻擋層的材料包括 N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)及4，7- 二苯基鄰菲羅啉(Bphen)，其中，TH)與Bphen的摩爾比為55:100，第一有機阻擋層的厚度為300納米；
[0139](9)磁控濺射制備第一無機阻擋層，第一無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一有機阻擋層上，本底的真空度為I X 1-5Pa,第一無機阻擋層的材料包括三碲化銻(Sb2Te3)、氮化硅(Si3N4)及偏鋁酸鎂(MgAl2O4),第一無機阻擋層中，Si3N4的質量百分含量為40%，MgAl2O4的質量百分含量為12% ;第一無機阻擋層的厚度為200納米；
[0140](10)真空蒸鍍制備第二有機阻擋層，第二有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一無機阻擋層上，真空蒸鍍的真空度為I X 1-5Pa,蒸發(fā)速度為5A/S;第二有機阻擋層的材料包括N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD )及4，7- 二苯基鄰菲羅啉(Bphen)，其中，TH)與Bphen的摩爾比為55:100，第二有機阻擋層的厚度為300納米；
[0141](11)磁控濺射制備第二無機阻擋層，第二無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第二有機阻擋層上，本底的真空度為lX10_5Pa，第二無機阻擋層的材料包括氮化硅(Si3N4)及偏鋁酸鎂(MgAl2O4),其中，Si3N4占第二無機阻擋層的質量百分數(shù)為40% ;第二無機阻擋層的厚度為200納米；
[0142]第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層依次罩設于在所述發(fā)光功能層和陰極上形成設置于所述陽極導電基板上的封裝蓋，封裝得到結構為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TPD: Bphen/Sb2Te3: Si3N4: MgAl204/Tro: Bphen/Si3N4: MgAl2O4 的有機電致發(fā)光器件。其中，斜桿 “/” 表示層疊或罩設，冒號“”表示摻雜或混合，下同。
[0143]實施例2
[0144]結構為IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/NPB:BCP/Bi2Te: AlN:Bi2Ti40n/NPB: BCP/BN: Bi2Ti4O11 的有機電致發(fā)光器件的封裝。
[0145](I)~(7)同實施例1。
[0146](8)真空蒸鍍制備第一有機阻擋層,第一有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于發(fā)光功能層和陰極上，真空蒸鍍的真空度為5\10_午&，蒸發(fā)速度為21/8;第一有機阻擋層的材料包括(N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4,4' -二胺(NPB)及2，9_ 二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)，其中，NPB與BCP的摩爾比為50:100，第一有機阻擋層的厚度為250納米；
[0147](9)磁控濺射制備第一無機阻擋層，第一無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一有機阻擋層上，本底的真空度為lX10_5Pa，第一無機阻擋層的材料包括碲化鉍(Bi2Te)、氮化鋁(AlN)及鈦酸鉍(Bi2Ti4O11),第一無機阻擋層中，AlN的質量百分含量為10%, Bi2Ti4O11的質量百分含量為30% ;第一無機阻擋層的厚度為100納米；
[0148](10)真空蒸鍍制備第二有機阻擋層，第二有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一無機阻擋層上，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S;第二有機阻擋層的材料包括N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4,4' -二胺(NPB)及2，9_ 二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)，其中，NPB與BCP的摩爾比為50:100，第二有機阻擋層的厚度為250納米；
[0149](11)磁控濺射制備第二無機阻擋層，第二無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第二有機阻擋層上，本底的真空度為lX10_5Pa，第二無機阻擋層的材料包括氮化硼(BN)及鈦酸鉍(Bi2Ti4O11),其中，BN占第二無機阻擋層的質量百分數(shù)為20% ;第二無機阻擋層的厚度為140納米；第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層依次罩設于在所述發(fā)光功能層和陰極上形成設置于所述陽極導電基板上的一個封裝蓋；
[0150](12)交替重復步驟(8)至步驟(11) 4次，形成依次罩設于發(fā)光功能層和陰極上的5 個封裝蓋，封裝得到結構為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/NPB: BCP/Bi2Te: AlN:Bi2Ti40n/NPB: BCP/BN: Bi2Ti4O11 的有機電致發(fā)光器件。
[0151]實施例3
[0152]結構為IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TAPC:TPBI/CdTe:BN:CrNi04/TAPC:TPBI/A1N:CrN14的有機電致發(fā)光器件的封裝。
[0153](I)~(7)同實施例1。
[0154](8)真空蒸鍍制備第一有機阻擋層,第一有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于發(fā)光功能層和陰極上，真空蒸鍍的真空度為5\10_中&，蒸發(fā)速度為0.5^3;第一有機阻擋層的材料包括1，1-二((4-N，N, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)及1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，其中，TAPC與TPBI的摩爾比為50:100，第一有機阻擋層的厚度為200納米；
[0155](9)磁控濺射制備第一無機阻擋層，第一無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一有機阻擋層上，本底的真空度為lX10_5Pa，第一無機阻擋層的材料包括碲化鎘(CdTe )、氮化硼(BN)及鉻酸鎳(CrN14 )，第一無機阻擋層中，BN的質量百分含量為30%，CrN14的質量百分含量為10% ;第一無機阻擋層的厚度為150納米；
[0156](10)真空蒸鍍制備第二有機阻擋層，第二有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一無機阻擋層上，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/S;第二有機阻擋層的材料包括1，1- 二((4-N，N' -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，其中，TAPC與TPBI的摩爾比為50:100，第二有機阻擋層的厚度為200納米；
[0157](11)磁控濺射制備第二無機阻擋層，第二無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第二有機阻擋層上，本底的真空度為lX10_4Pa，第二無機阻擋層的材料包括氮化鋁(AlN)及鉻酸鎳(CrN14),其中，AlN占第二無機阻擋層的質量百分數(shù)為10% ;第二無機阻擋層的厚度為150納米；第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層依次罩設于在所述發(fā)光功能層和陰極上形成設置于所述陽極導電基板上的一個封裝蓋；
[0158](12)交替重復步驟(8)至步驟(11) 4次，形成依次罩設于發(fā)光功能層和陰極上的5 個封裝蓋，封裝得到結構為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TAPC:TPBI/CdTe:BN:CrNi04/TAPC:TPBI/A1N:CrN14 的有機電致發(fā)光器件。
[0159]實施例4
[0160]結構為IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/MADN:Alq3/In2Te3: HfN: CoCr204/MADN: Alq3/HfN: CoCr2O4 的有機電致發(fā)光器件的封裝。
[0161](I)?(7)同實施例1。
[0162](8)真空蒸鍍制備第一有機阻擋層，第一有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于發(fā)光功能層和陰極上，真空蒸鍍的真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度為2人/8;第一有機阻擋層的材料包括2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽(MADN)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)，其中，MADN與Alq3的摩爾比為60:100，第一有機阻擋層的厚度為250納米；
[0163](9)磁控濺射制備第一無機阻擋層，第一無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一有機阻擋層上，本底的真空度為5X10_5Pa，第一無機阻擋層的材料包括三碲化二銦(In2Te3)、氮化鉿(HfN)及鉻酸鈷(CoCr2O4),第一無機阻擋層中，氮化鉿(HfN)的質量百分含量為20%，CoCr2O4的質量百分含量為18% ;第一無機阻擋層的厚度為150納米；
[0164](10)真空蒸鍍制備第二有機阻擋層，第二有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一無機阻擋層上，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S;第二有機阻擋層的材料包括2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽(MADN)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)，其中，MADN與Alq3的摩爾比為60:100，第二有機阻擋層的厚度為250納米；
[0165](11)磁控濺射制備第二無機阻擋層，第二無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第二有機阻擋層上，本底的真空度為lX10_4Pa，第二無機阻擋層的材料包括氮化鉿(HfN)及鉻酸鈷(CoCr2O4),其中，HfN占第二無機阻擋層的質量百分數(shù)為25% ;第二無機阻擋層的厚度為100納米；第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層依次罩設于在所述發(fā)光功能層和陰極上形成設置于所述陽極導電基板上的一個封裝蓋;
[0166](12)交替重復步驟(8)至步驟(11) 4次，形成依次罩設于發(fā)光功能層和陰極上的5 個封裝蓋，封裝得到結構為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/MADN: Alq3/In2Te3: HfN: CoCr204/MADN: Alq3/HfN: CoCr2O4 的有機電致發(fā)光器件。
[0167]實施例5
[0168]結構為IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TCTA:Balq/SnTe: TaN: Fe2Lu04/TCTA: Balq/TaN: Fe2LuO4 的有機電致發(fā)光器件的封裝。
[0169](I)?(7)同實施例1。
[0170](8)真空蒸鍍制備第一有機阻擋層，第一有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于發(fā)光功能層和陰極上，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為I Α/S;第一有機阻擋層的材料包括4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(Balq)，其中，TCTA與Balq的摩爾比為50:100，第一有機阻擋層的厚度為250納米；
[0171](9)磁控濺射制備第一無機阻擋層，第一無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一有機阻擋層上，本底的真空度為5X10_5Pa，第一無機阻擋層的材料包括碲化錫(SnTe)、氮化鉭(TaN)及镥酸鐵(Fe2LuO4),第一無機阻擋層中，氮化鉭(TaN)的質量百分含量為25%，F(xiàn)e2LuO4的質量百分含量為15% ;第一無機阻擋層的厚度為120納米；
[0172](10)真空蒸鍍制備第二有機阻擋層，第二有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一無機阻擋層上，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為1A/S;第二有機阻擋層的材料包括4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(Balq)，其中，TCTA與Balq的摩爾比為50:100，第二有機阻擋層的厚度為250納米；
[0173](11)磁控濺射制備第二無機阻擋層，第二無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第二有機阻擋層上，本底的真空度為lX10_4Pa，第二無機阻擋層的材料包括氮化鉭(TaN)及镥酸鐵(Fe2LuO4),其中，TaN占第二無機阻擋層的質量百分數(shù)為11%;第二無機阻擋層的厚度為120納米；第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層依次罩設于在所述發(fā)光功能層和陰極上形成設置于所述陽極導電基板上的一個封裝蓋；
[0174](12)交替重復步驟(8)至步驟(11) 3次，形成依次罩設于發(fā)光功能層和陰極上的4 個封裝蓋，封裝得到結構為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TCTA:Balq/SnTe: TaN:Fe2Lu04/TCTA:Balq/TaN:Fe2LuO4 的有機電致發(fā)光器件。
[0175]實施例6
[0176]結構為IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/mCP:TAZ/PbTe:TiN:Y3Al5012/mCP:TAZ/TiN:Y3Al5O12 的有機電致發(fā)光器件的封裝。
[0177](I)?(7)同實施例1。
[0178](8)真空蒸鍍制備第一有機阻擋層，第一有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于發(fā)光功能層和陰極上，真空蒸鍍的真空度為1父10_午&，蒸發(fā)速度為2力8;第一有機阻擋層的材料包括1，3- 二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)及3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑(TAZ)，其中，mCP與TAZ的摩爾比為40:100，第一有機阻擋層的厚度為250納米；
[0179](9)磁控濺射制備第一無機阻擋層，第一無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一有機阻擋層上，本底的真空度為lX10_3Pa，第一無機阻擋層的材料包括碲化鉛(PbTe)、氮化鈦(TiN)及鋁酸釔(Y3Al5O12),第一無機阻擋層中，氮化鈦(TiN)的質量百分含量為20%，Y3Al5O12的質量百分含量為20% ;第一無機阻擋層的厚度為110納米；
[0180](10)真空蒸鍍制備第二有機阻擋層，第二有機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第一無機阻擋層上，真空蒸鍍的真空度為I X 1-3Pa,蒸發(fā)速度為2A/S;第二有機阻擋層的材料包括1，3- 二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)及3- (4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑(TAZ)，其中，mCP與TAZ的摩爾比為40:100，第二有機阻擋層的厚度為250納米；
[0181](11)磁控濺射制備第二無機阻擋層，第二無機阻擋層設置于陽極導電基板上并罩設于第二有機阻擋層上，本底的真空度為lX10_4Pa，第二無機阻擋層的材料包括氮化鈦(TiN)及鋁酸釔(Y3Al5O12),其中，TiN占第二無機阻擋層的質量百分數(shù)為20%;第二無機阻擋層的厚度為120納米；第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層依次罩設于在所述發(fā)光功能層和陰極上形成設置于所述陽極導電基板上的一個封裝蓋；
[0182](12)交替重復步驟(8)至步驟(11) 2次，形成依次罩設于發(fā)光功能層和陰極上的3 個封裝蓋，封裝得到結構為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/mCP: TAZ/PbTe: TiN: Y3Al5012/mCP: TAZ/TiN: Y3Al5O12 的有機電致發(fā)光器件。
[0183]對比例I
[0184]結構為
[0185]IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/Al/mCP/PbTe/mCP/TiN 的有機電致發(fā)光器件的封裝
[0186]封裝方法同實施例1。不同于實施例1的是，第一有機阻擋層的材料為1，3_ 二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)，第一無機阻擋層的材料為碲化鉛(PbTe)，第二有機阻擋層的材料為1，3_ 二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)，第二無機阻擋層的材料為氮化鈦(TiN)，除此外，其余與實施例1相同。
[0187]表I為實施例1?6及對比例I的有機電致發(fā)光器件的水蒸氣透過率(WVTR)及使用壽命，由表I可看出，實施例1?實施例6的有機電致發(fā)光器件的水蒸氣透過率均小于對比I的有機電致發(fā)光器件的水蒸氣，使用壽命均大于對比例I的有機電致發(fā)光器件的使用壽命。
[0188]表I實施例1?6及對比例I的有機電致發(fā)光器件的水蒸氣透過率及使用壽命
[0189]
【權利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括陽極導電基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝蓋，所述發(fā)光功能層和陰極依次層疊于所述陽極導電基板上，所述封裝蓋將所述發(fā)光功能層和陰極封裝于所述陽極導電基板上，其特征在于，所述封裝蓋包括依次罩設于所述有機發(fā)光功能層和陰極上的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層；其中， 所述第一有機阻擋層的材料包括第一空穴傳輸材料及第一電子傳輸材料，所述第一空穴傳輸材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’ -聯(lián)苯二胺、N，N' -二( α -萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' - 二胺、1，1-二((4-Ν，Ν, -二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或1，3-二(9Η-咔唑-9-基)苯，所述第一電子傳輸材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁、或3- (4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑； 所述第一無機阻擋層的材料包括碲化物、第一氮化物及第一合金氧化物，所述碲化物為三締化鋪、締化秘、締化鎘、 三締化二銦、締化錫或締化鉛，所述第一氮化物為氮化娃、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第一合金氧化物為偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵或鋁酸釔； 所述第二有機阻擋層的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸材料，所述第二空穴傳輸材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’ -聯(lián)苯二胺、N，N' -二( α -萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' - 二胺、1，1-二((4-Ν，Ν, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’’-三(咔唑_9_基)三苯胺或1，3-二(9Η-咔唑-9-基)苯，所述第二電子傳輸材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑； 所述第二無機阻擋層的材料包括第二氮化物及第二合金氧化物，所述第二氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第二合金氧化物為偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵或鋁酸釔。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋為3~5個，所述3~5個封裝蓋依次罩設于所述發(fā)光功能層和陰極。
3.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一空穴傳輸材料與所述第一電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100。
4.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無機阻擋層中，所述第一氮化物的質量百分含量為10%~40%，所述第一合金氧化物的質量百分含量為10%~30%。
5.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二空穴傳輸材料與所述第二電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100。
6.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二氮化物占所述第二無機阻擋層的質量百分數(shù)為10%~40%。
7.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層的厚度為200納米~300納米。
8.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無機阻擋層和第二無機阻擋層的厚度為100納米~200納米。
9.一種有機電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供陽極導電基板，在所述陽極導電基板上真空蒸鍍形成發(fā)光功能層； 在所述發(fā)光功能層上真空蒸鍍形成陰極； 真空蒸鍍制備第一有機阻擋層，所述第一有機阻擋層設置于所述陽極導電基板上并罩設于所述發(fā)光功能層和陰極上，所述第一有機阻擋層的材料包括第一空穴傳輸材料及第一電子傳輸材料，所述第一空穴傳輸材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’ -聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4,4' - 二胺、1，1-二((4-N，N' -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10- 二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺或1，3- 二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第一電子傳輸材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁、或3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2，4-三唑； 磁控濺射制備第一無機阻擋層，所述第一無機阻擋層設置于所述陽極導電基板上并罩設于所述第一有機阻擋層上，所述第一無機阻擋層的材料包括碲化物、第一氮化物及第一合金氧化物，所述締化物為三締化鋪、締化秘、締化鎘、三締化二銦、締化錫或締化鉛，所述第一氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第一合金氧化物為偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵或鋁酸釔； 真空蒸鍍制備第二有機阻擋層，所述第二有機阻擋層設置于所述陽極導電基板上并罩設于所述第一無機阻擋層 上，所述第二有機阻擋層的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸材料，所述第二空穴傳輸材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’ -聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' - 二胺、1，1-二((4-N，N' -二 (對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10- 二(咪唑-2-基)蒽、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺或1，3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第二電子傳輸材料為4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑；及 磁控濺射制備第二無機阻擋層，所述第二無機阻擋層設置于所述陽極導電基板上并罩設于所述第二有機阻擋層上，所述第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層及第二無機阻擋層依次罩設于在所述發(fā)光功能層和陰極上形成設置于所述陽極導電基板上的封裝蓋，封裝得到有機電致發(fā)光器件；其中，所述第二無機阻擋層的材料包括第二氮化物及第二合金氧化物，所述第二氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第二合金氧化物為偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵或鋁酸釔。
10.根據(jù)權利要求9所述的有機電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于， 所述真空蒸鍍制備第一有機阻擋層的步驟及真空蒸鍍制備第二有機阻擋層的步驟中，所述真空蒸鍍的真空度為I X 1-5Pa~I X 1-3Pa ； 所述磁控濺射制備第一無機阻擋層的步驟及磁控濺射制備第二無機阻擋層的步驟中，本底的真空度為I X KT5Pa~I X 10?ο
【文檔編號】H01L51/52GK104078573SQ201310109595
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年3月29日 優(yōu)先權日:2013年3月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 梁祿生 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司