有機(jī)電致發(fā)光器件及其封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其封裝方法，該有機(jī)電致發(fā)光器件包括陽(yáng)極導(dǎo)電基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝蓋，發(fā)光功能層和陰極依次層疊于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上，封裝蓋將發(fā)光功能層和陰極封裝于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上，封裝蓋包括依次罩設(shè)于有機(jī)發(fā)光功能層和陰極上的第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層；其中，第一有機(jī)阻擋層的材料包括第一空穴傳輸材料、第一電子傳輸材料及氟化物，第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金屬，第二有機(jī)阻擋層的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸，第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金屬。該有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命較長(zhǎng)。
【專利說(shuō)明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其封裝方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電致發(fā)光【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其封裝方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層,發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無(wú)視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來(lái)的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過(guò)去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來(lái)越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動(dòng)了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0004]然而,OLED中的發(fā)光層對(duì)于大氣中的污染物、氧氣、水汽等十分敏感,在污染物、氧氣及水汽等的作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)會(huì)導(dǎo)致發(fā)光量子效率的降低，而陰極一般由較活潑的金屬形成，在空氣或氧氣中易受侵蝕，從而導(dǎo)致OLED的穩(wěn)定性較差，使用壽命較短。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要提供一種使用壽命較長(zhǎng)的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006]進(jìn)一步，提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法。
[0007]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽(yáng)極導(dǎo)電基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝蓋，所述發(fā)光功能層和陰極依次層疊于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上，所述封裝蓋將所述發(fā)光功能層和陰極封裝于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上，所述封裝蓋包括依次罩設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光功能層和陰極上的第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層；其中，
[0008]所述第一有機(jī)阻擋層的材料包括第一空穴傳輸材料、第一電子傳輸材料及氟化物，所述第一空穴傳輸材料為N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' - 二胺、1，1-二((4-N，N' -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，V，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或1，3- 二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第一電子傳輸材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑；所述氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；
[0009]所述第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金屬，所述碲化物為三締化鋪、締化秘、締化鎘、三締化二銦、締化錫或締化鉛，所述第一氮化物為氮化娃、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第一金屬為銀、鋁、鎳、金、銅或鉬；
[0010]所述第二有機(jī)阻擋層的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸材料，所述第二空穴傳輸材料為N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4,4' - 二胺、1，1-二((4-N，N, -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4'，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺或1，3_ 二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第二電子傳輸材料為4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2，4-三唑；
[0011]所述第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金屬，所述第二氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述合金氧化物為偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵或鋁酸釔；所述第二金屬為銀、鋁、鎳、金、銅或鉬。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋為3?5個(gè)，所述3?5個(gè)封裝蓋依次罩設(shè)于所述發(fā)光功能層和陰極。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一空穴傳輸材料與所述第一電子傳輸材料的摩爾比為40:100?60:100 ;所述氟化物與所述第一電子傳輸材料的摩爾比為10:100?20:100。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一無(wú)機(jī)阻擋層中，所述第一氮化物的質(zhì)量百分含量為10%?40%,所述第一金屬的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二空穴傳輸材料與所述第二電子傳輸材料的摩爾比為 40:100 ?60:100。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二無(wú)機(jī)阻擋層中，所述第二氮化物的質(zhì)量百分含量為10%?40%，所述第二金屬的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一有機(jī)阻擋層和第二有機(jī)阻擋層的厚度為200納米?300納米。
[0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一無(wú)機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為100納米?200納米。
[0019]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，包括如下步驟:
[0020]提供陽(yáng)極導(dǎo)電基板，在所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上真空蒸鍍形成發(fā)光功能層；
[0021]在所述發(fā)光功能層上真空蒸鍍形成陰極；
[0022]真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層，所述第一有機(jī)阻擋層設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于所述發(fā)光功能層和陰極上，所述第一有機(jī)阻擋層的材料包括第一空穴傳輸材料、第一電子傳輸材料及氟化物，所述第一空穴傳輸材料為N，N, - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' - 二胺、
I,1-二((4-Ν，Ν, -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4/，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或1，3-二(9Η-咔唑-9-基)苯，所述第一電子傳輸材料為4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3- (4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯_1，2, 4- 二唑；所述氟化物為氟化鋰、氟化鋪、氟化續(xù)、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；
[0023]磁控濺射制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，所述第一無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于所述第一有機(jī)阻擋層上，所述第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金屬，所述締化物為三締化鋪、締化秘、締化鎘、三締化二銦、締化錫或締化鉛，所述第一氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第一金屬為銀、鋁、鎳、金、銅或鉬；
[0024]真空蒸鍍制備第二有機(jī)阻擋層，所述第二有機(jī)阻擋層設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于所述第一無(wú)機(jī)阻擋層上，所述第二有機(jī)阻擋層的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸材料，所述第二空穴傳輸材料為N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)_4，4'-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' - 二胺、1，1_ 二((4-N，N, -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4/，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第二電子傳輸材料為4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3- (4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑；及
[0025]磁控濺射制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，所述第二無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于所述第二有機(jī)阻擋層上，所述第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層依次罩設(shè)于在所述發(fā)光功能層和陰極上，形成設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上的封裝蓋，封裝得到有機(jī)電致發(fā)光器件；其中，所述第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金屬，所述第二氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第二合金氧化物為偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵或鋁酸釔；所述第二金屬為銀、鋁、鎳、金、銅或鉬。
[0026]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層的步驟及真空蒸鍍制備第二有機(jī)阻擋層的步驟中，所述真空蒸鍍的真空度為I X 1-5Pa?I X 1-3Pa ；
[0027]所述磁控濺射制備第一無(wú)機(jī)阻擋層的步驟及磁控濺射制備第二無(wú)機(jī)阻擋層的步驟中，本底的真空度為I X KT5Pa?lX10_3Pa。
[0028]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極導(dǎo)電基板上設(shè)置有封裝蓋，封裝蓋將活潑的發(fā)光功能層和陰極封裝于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上，由第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層依次罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上形成的致密的封裝蓋能夠有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)發(fā)光功能層和陰極的侵蝕，對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光功能層和陰極形成有效的保護(hù)，從而使有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命較高。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。
[0032]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100，包括陽(yáng)極導(dǎo)電基板10、發(fā)光功能層20、陰極30及封裝蓋40。
[0033]發(fā)光功能層20和陰極30依次層疊于陽(yáng)極導(dǎo)電基板10上。發(fā)光功能層20覆蓋陽(yáng)極導(dǎo)電基板10的部分表面，封裝蓋40設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板10未被發(fā)光功能層20覆蓋的表面上并罩設(shè)于發(fā)光功能層20和陰極30上，從而將發(fā)光功能層20和陰極30封裝于陽(yáng)極導(dǎo)電基板10上。
[0034]陽(yáng)極導(dǎo)電基板10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)。
[0035]發(fā)光功能層20包括依次層疊于陽(yáng)極導(dǎo)電基板10上的空穴注入層(圖未示)、空穴傳輸層(圖未示)、發(fā)光層(圖未示)、電子傳輸層(圖未示)及電子注入層(圖未示)。
[0036]空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜于N，N' - 二苯基_N，N' -二(1-萘基)_1，P -聯(lián)苯-4,4' -二胺(NPB)中形成的摻雜材料。其中，三氧化鑰(MoO3)與N，N' -二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4' -二胺(NPB)的質(zhì)量比為 30:100。
[0037]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10納米。
[0038]空穴傳輸層的材料為4,4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。
[0039]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30納米。
[0040]發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)摻雜于1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中形成的摻雜材料。其中，三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)與1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)的質(zhì)量比為5:100。
[0041]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20納米。
[0042]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。
[0043]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為10納米。
[0044]電子注入層的材料為疊氮化銫(CsN3)摻雜于4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)中形成的摻雜材料。其中，疊氮化銫(CsN3)與4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)的質(zhì)量比為 30:100。
[0045]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20納米。
[0046]陰極的材料為金屬鋁(Al)。優(yōu)選地，陰極30的厚度為100納米。
[0047]封裝蓋40包括依次罩設(shè)于發(fā)光功能層20和陰極30上的第一有機(jī)阻擋層41、第一無(wú)機(jī)阻擋層42、第二有機(jī)阻擋層43及第二無(wú)機(jī)阻擋層44。
[0048]第一有機(jī)阻擋層41的材料包括第一空穴傳輸材料、第一電子傳輸材料及氟化物。
[0049]第一空穴傳輸材料為N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)_4，4'-聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α -萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(NPB)、1，1-二((4-N, N' -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10- 二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4,4f，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)。
[0050]第一電子傳輸材料為4，7-二苯基鄰菲羅啉化?611)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI )、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(Balq)或3_ (4_聯(lián)苯基)~4苯基_5_叔丁基苯-1,2，4-三唑(TAZ)。
[0051]氟化物為氟化鋰(LiF)、氟化鋪(CeF2)、氟化鎂(MgF2)、氟化招(AlF3)、氟化鈣(CaF2)或氟化鋇(BaF2)。
[0052]優(yōu)選地，第一空穴傳輸材料與第一電子傳輸材料的摩爾比為40:100?60:100，氟化物與第一電子傳輸材料的摩爾比為10:100?20:100。
[0053]優(yōu)選地，第一有機(jī)阻擋層41的厚度為200納米?300納米。
[0054]第一無(wú)機(jī)阻擋層42的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金屬。
[0055]碲化物為三碲化銻(Sb2Te3)、碲化鉍(Bi2Te)、碲化鎘(CdTe)、三碲化二銦(In2Te3)、碲化錫(SnTe )或碲化鉛(PbTe )。
[0056]第一氮化物為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)。
[0057]第一金屬為銀(Ag)、鋁(Al)、鎳(Ni)、金(Au)、銅(Cu)或鉬(Pt)。
[0058]優(yōu)選地，第一無(wú)機(jī)阻擋層42中，第一氮化物的質(zhì)量百分含量為10%?40%，第一金屬的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0059]優(yōu)選地，第一無(wú)機(jī)阻擋層42的厚度為100納米?200納米。
[0060]第二有機(jī)阻擋層43的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸材料。
[0061]第二空穴傳輸材料為N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α -萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(NPB)、1，1-二((4-N, N' -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10- 二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4,4f，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)。
[0062]第二電子傳輸材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉(Bphen)、2，9_ 二甲基_4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI )、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(Balq)或3_ (4_聯(lián)苯基)~4苯基_5_叔丁基苯-1,2，4-三唑(TAZ)。
[0063]優(yōu)選地，第二空穴傳輸材料與第二電子傳輸材料的摩爾比為40:100?60:100。
[0064]優(yōu)選地，第二有機(jī)阻擋層43的厚度為200納米?300納米。
[0065]第二無(wú)機(jī)阻擋層44的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金屬。
[0066]第二氮化物為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)。
[0067]合金氧化物為偏鋁酸鎂(MgAl204)、鈦酸鉍(Bi2Ti4O11X鉻酸鎳(CrNi04)、鉻酸鈷(CoCr2O4)、镥酸鐵(Fe2LuO4)或鋁酸釔(Y3Al5O12)。
[0068]第二金屬為銀(Ag)、鋁(Al)、鎳(Ni)、金(Au)、銅(Cu)或鉬(Pt)。
[0069]優(yōu)選地，第二無(wú)機(jī)阻擋層中，第二氮化物的質(zhì)量百分含量為10%?40%，第二金屬的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0070]封裝蓋40設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上10，與陽(yáng)極導(dǎo)電基板10形成密封的收容腔(圖未示)，發(fā)光功能層20和陰極30收容于收容腔中。陽(yáng)極導(dǎo)電基板10具有較好的阻隔性能，由上述材料形成的封裝蓋40的致密性較高，能夠有效地阻擋空氣中的氧氣、水汽等，進(jìn)一步滿足封裝的密封性要求，從而能夠有效地保護(hù)發(fā)光功能層20及陰極30，使得有機(jī)電致發(fā)光器件100的使用壽命(T70@1000cd/m2)較高，達(dá)到7600小時(shí)以上。
[0071]優(yōu)選地，封裝蓋40的數(shù)量為3?5個(gè)。3?5個(gè)封裝蓋40的大小不等，且3?5個(gè)大小不等的封裝蓋40按小到大的順序依次罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上。3?5個(gè)封裝蓋40能夠進(jìn)一步提高封裝的密封性，提高有機(jī)電致發(fā)光器件100的使用壽命。
[0072]請(qǐng)參閱圖2，一實(shí)施方式中的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，包括如下步驟:
[0073]步驟SllO:提供陽(yáng)極導(dǎo)電基板，在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上采用真空蒸鍍形成發(fā)光功能層。
[0074]陽(yáng)極導(dǎo)電基板為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)。
[0075]采用真空蒸鍍?cè)跐崈舻母稍锏牟ＡЩ迳险翦冦熷a氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物，在玻璃基板形成陽(yáng)極圖形，得到陽(yáng)極導(dǎo)電基板。
[0076]優(yōu)選地，陽(yáng)極圖形的厚度為100納米。
[0077]采用真空蒸鍍?cè)陉?yáng)極導(dǎo)電基板上形成發(fā)光功能層之前，首先將陽(yáng)極導(dǎo)電基板依次放入丙酮、乙醇、去離子水及乙醇中進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烘干，得到潔凈、干燥的?yáng)極導(dǎo)電基板。進(jìn)一步將陽(yáng)極導(dǎo)電基板進(jìn)行表面活性處理，以增加陽(yáng)極導(dǎo)電基板表面的含氧量，提高陽(yáng)極導(dǎo)電基板的功函數(shù)。進(jìn)行表面活性處理的步驟為采用紫外-臭氧(UV-ozone)對(duì)清洗干燥后的陽(yáng)極導(dǎo)電基板進(jìn)行處理30~50分鐘。
[0078]發(fā)光功能層包括依次層疊于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層。發(fā)光功能層覆蓋陽(yáng)極導(dǎo)電基板的部分表面。
[0079]在潔凈、干燥的陽(yáng)極導(dǎo)電基板上真空蒸鍍依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層，得到層疊于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上的發(fā)光功能層。
[0080]空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜于N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，P -聯(lián)苯-4,4' -二胺(NPB)中形成的摻雜材料。其中，三氧化鑰(MoO3)與N，N' -二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4' -二胺(NPB)的質(zhì)量比為 30:100。
[0081]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10納米。
[0082]真空蒸鍍形成空穴注入層的真空度為3X 10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.1 A/sn
[0083]空穴傳輸層的材料為4,4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。
[0084]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30納米。
[0085]真空蒸鍍形成空穴傳輸層的真空度為3X 10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.lA/s.
[0086]發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)摻雜于1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中形成的摻雜材料。其中，三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)與1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)的質(zhì)量比為5:100。
[0087]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20納米。
[0088]真空蒸鍍形成發(fā)光層的真空度為3X10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.2A/S.?
[0089]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。
[0090]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為10納米。
[0091]真空蒸鍍形成電子傳輸層的真空度為3X10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.lA/s^
[0092]電子注入層的材料為疊氮化銫(CsN3)摻雜于4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)中形成的摻雜材料。其中，疊氮化銫(CsN3)與4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)的質(zhì)量比為 30:100。
[0093]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20納米。
[0094]真空蒸鍍形成電子注入層的真空度為3X10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.2A/S。
[0095]步驟S120:在發(fā)光功能層上真空蒸鍍形成陰極。
[0096]陰極的材料為金屬鋁(Al)。優(yōu)選地，陰極的厚度為100納米。
[0097]真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa。蒸發(fā)速度為5A/s?
[0098]步驟S130:真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層，第一有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上。
[0099]第一有機(jī)阻擋層的材料包括第一空穴傳輸材料、第一電子傳輸材料及氟化物。
[0100]第一空穴傳輸材料為N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α -萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(NPB)、1，1-二((4-N, N' -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10- 二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4,4f，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)。
[0101]第一電子傳輸材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉(Bphen)、2，9_ 二甲基_4，7_ 二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI )、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(Balq)或3_ (4_聯(lián)苯基)~4苯基_5_叔丁基苯-1,2，4-三唑(TAZ)。
[0102]氟化物為氟化鋰(LiF )、氟化鋪(CeF2)、氟化鎂(MgF2)、氟化招(AlF3)、氟化鈣(CaF2)或氟化鋇(BaF2)。
[0103]優(yōu)選地，第一空穴傳輸材料與第一電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100，氟化物與第一電子傳輸材料的摩爾比為10:100~20:100。
[0104]優(yōu)選地，第一有機(jī)阻擋層的厚度為200納米~300納米。
[0105]真空蒸鍍的真空度為I X KT5Pa~I X 10_3Pa。蒸發(fā)速度為0.5人/s~5A/s。
[0106]步驟S140:磁控濺射制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，第一無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一有機(jī)阻擋層上。
[0107]第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金屬。
[0108]碲化物為三碲化銻(Sb2Te3)、碲化鉍(Bi2Te)、碲化鎘(CdTe)、三碲化二銦(In2Te3)、碲化錫(SnTe )或碲化鉛(PbTe )。
[0109]第一氮化物為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)。
[0110]第一金屬為銀(Ag)、鋁(Al)、鎳(Ni)、金(Au)、銅(Cu)或鉬(Pt)。
[0111]優(yōu)選地，第一無(wú)機(jī)阻擋層中，第一氮化物的質(zhì)量百分含量為10%~40%，第一金屬占的質(zhì)量百分含量為10%~30%。
[0112]優(yōu)選地，第一無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為100納米~200納米。
[0113]本底的真空度為I X KT5Pa~lXl(T3Pa。
[0114]步驟S150:真空蒸鍍制備第二有機(jī)阻擋層，第二有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一無(wú)機(jī)阻擋層上。
[0115]第二有機(jī)阻擋層的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸材料。
[0116]第二空穴傳輸材料為N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N' -二(α -萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' -二胺(NPB)、1，1-二((4-N, N' -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、2-甲基-9，10- 二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4,4f，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)。
[0117]第二電子傳輸材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉(Bphen)、2，9_ 二甲基_4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI )、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(Balq)或3_ (4_聯(lián)苯基)~4苯基_5_叔丁基苯-1,2，4-三唑(TAZ)。
[0118]優(yōu)選地，第二空穴傳輸材料與第二電子傳輸材料的摩爾比為40:100?60:100。
[0119]優(yōu)選地，第二有機(jī)阻擋層的厚度為200納米?300納米。
[0120]真空蒸鍍的真空度為I X KT5Pa?I X 10_3Pa。蒸發(fā)速度為0.5A/S?5A/s。
[0121]步驟S160:磁控濺射制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，第二無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第二有機(jī)阻擋層上，第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層依次罩設(shè)于在發(fā)光功能層和陰極上形成設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上的封裝蓋，封裝得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0122]第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金屬。
[0123]第二氮化物為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)。
[0124]合金氧化物為偏鋁酸鎂(MgAl204)、鈦酸鉍(Bi2Ti4O11X鉻酸鎳(CrNi04)、鉻酸鈷(CoCr2O4)、镥酸鐵(Fe2LuO4)或鋁酸釔(Y3Al5O12)。
[0125]第二金屬為銀(Ag)、鋁(Al)、鎳(Ni)、金(Au)、銅(Cu)或鉬(Pt)。
[0126]優(yōu)選地，第二無(wú)機(jī)阻擋層中，第二氮化物的質(zhì)量百分含量為10%?40%，第二金屬的質(zhì)量百分含量為10%?30%。
[0127]本底的真空度為I X KT5Pa?lXl(T3Pa。
[0128]第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層依次罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上，形成設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上的封裝蓋，封裝蓋將發(fā)光功能層和陰極封裝于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上，封裝得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0129]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法采用真空蒸鍍及磁控濺射的方法形成罩設(shè)于有機(jī)發(fā)光功能層和陰極上的封裝蓋，從而將發(fā)光功能層及陰極封裝于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上，能夠很好的保護(hù)發(fā)光功能層及陰極，封裝得到穩(wěn)定性較高、使用壽命較長(zhǎng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，并且封裝工藝簡(jiǎn)單，易于大規(guī)模封裝。
[0130]可以理解，在其他實(shí)施方式中，當(dāng)封裝蓋的數(shù)量為3?5時(shí)，交替重復(fù)步驟S130、步驟S140、步驟S150及步驟S1602?4次，形成依次罩設(shè)于有機(jī)發(fā)光功能層和陰極上的3?5個(gè)封裝蓋。
[0131]在真空度I X 1-5Pa?I X 10_3Pa、以蒸發(fā)速度為0.5A/S?5人/s進(jìn)行真空蒸鍍形成第一有機(jī)阻擋層及第二有機(jī)阻擋層，以及在本底真空度為I X 1-5Pa?I X 1-3Pa下磁控濺射形成第一無(wú)機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層，有利于形成致密、無(wú)缺陷的膜層，得到致密性較高的封裝蓋。
[0132]以下為具體實(shí)施例。
[0133]實(shí)施例1
[0134]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TPD:Bphen:LiF/Sb2Te3: Si3N4: Ag/TPD: Bphen/Si3N4:MgAl2O4: Ag 的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝。
[0135](I)提供陽(yáng)極導(dǎo)電基板，陽(yáng)極導(dǎo)電基板為銦錫氧化物玻璃，表示為ΙΤ0。首先將陽(yáng)極導(dǎo)電基板依次放入丙酮、乙醇、去離子水及乙醇中進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈桑儆煤嫦浜娓?，得到潔凈、干燥的?yáng)極導(dǎo)電基板。進(jìn)一步采用紫外-臭氧(UV-ozone)對(duì)清洗干燥后的陽(yáng)極導(dǎo)電基板進(jìn)行處理進(jìn)行表面活性處理30分鐘，以增加陽(yáng)極導(dǎo)電基板表面的含氧量，提高陽(yáng)極導(dǎo)電基板的功函數(shù)；
[0136](2)在陽(yáng)極導(dǎo)電基板的表面上真空蒸鍍形成的空穴注入層，真空蒸鍍的真空度為3X 10?,蒸發(fā)速度為OJ A/S;空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)摻雜于N，N' -二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' -聯(lián)苯-4，4' -二胺(NPB)中形成的摻雜材料，表示為MoO3:ΝΡΒ，其中，MoO3與NPB的質(zhì)量比為30:100 ;空穴注入層的厚度為10納米；
[0137](3)在空穴注入層的表面上真空蒸鍍形成的空穴傳輸層，真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s;空穴傳輸層的材料為4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)形成；空穴傳輸層的厚度為30納米；
[0138](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S;發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)摻雜于1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中形成的摻雜材料，表示為Ir(ppy)3:TPBI，其中，Ir(ppy)3)與TPBI的質(zhì)量比為5:100 ;發(fā)光層的厚度為20納米；
[0139](5 )在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空蒸鍍的真空度為3 X 10?,蒸發(fā)速度為0.1 A/S；電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，電子傳輸層的厚度為10納米；
[0140](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/s?i子注入層的材料為疊氮化銫(CsN3)摻入4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)中形成的摻雜材料，表示為CsN3:Bphen，其中，CsN3與Bphen的質(zhì)量比為30:100 ;電子注入層的厚度為20納米；空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層依次層疊形成層疊于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上的發(fā)光功能能層；
[0141](7)在發(fā)光功能層上真空蒸鍍形成陰極，真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為5A/s;陰極的材料為鋁，陰極的厚度為100納米；
[0142](8)真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層，第一有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上，真空蒸鍍的真空度為1\10_午8，蒸發(fā)速度為5人/8;第一有機(jī)阻擋層的材料包括N，N' -二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-聯(lián)苯二胺(TPD)、4，7-二苯基鄰菲羅啉(Bphen)及氟化鋰(LiF);其中，TPD與Bphen的摩爾比為55:100，LiF與Bphen的摩爾比為10:100，第一有機(jī)阻擋層的厚度為300納米；
[0143](9)磁控濺射制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，第一無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一有機(jī)阻擋層上，本底的真空度為I X 1-5Pa,第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括三碲化銻(Sb2Te3)、氮化硅(Si3N4)及銀(Ag)，第一無(wú)機(jī)阻擋層中，Si3N4的質(zhì)量百分含量為40%，Ag的質(zhì)量百分含量為20% ;第一無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為200納米；
[0144](10)真空蒸鍍制備第二有機(jī)阻擋層，第二有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一無(wú)機(jī)阻擋層上，真空蒸鍍的真空度為1\10_午&，蒸發(fā)速度為5人/8;第二有機(jī)阻擋層的材料包括N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-聯(lián)苯二胺(TPD)及4，7-二苯基鄰菲羅啉(Bphen)，其中，TH)與Bphen的摩爾比為55:100，第二有機(jī)阻擋層的厚度為300納米；
[0145](11)磁控濺射制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，第二無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第二有機(jī)阻擋層上，本底的真空度為lX10_5Pa，第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化硅(Si3N4)、偏鋁酸鎂(MgAl2O4)及銀(Ag);第二無(wú)機(jī)阻擋層中，Si3N4的質(zhì)量百分含量為40% ；Ag的質(zhì)量百分含量為20%，第二無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為200納米；
[0146]第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層依次罩設(shè)于在所述發(fā)光功能層和陰極上，形成設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上的封裝蓋，封裝得到結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TPD:Bphen:LiF/Sb2Te3:Si3N4: Ag/TPD: Bphen/Si3N4:MgAl2O4: Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件。其中，斜桿“/”表示層疊或罩設(shè)，冒號(hào)“”表示摻雜或混合，下同。
[0147]實(shí)施例2
[0148]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/NPB:BCP:CeF2/Bi2Te:AIN:Al/NPB:BCP/A1N:Bi2Ti4O11:Al 的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝。
[0149](I)?(7)同實(shí)施例1。
[0150](8)真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層,第一有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S;第一有機(jī)阻擋層的材料包括(N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4,4' -二胺(NPB)、2，9_ 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)及氟化鈰(CeF2 )，其中，NPB與BCP的摩爾比為50:100，CeF2和BCP的摩爾比為20:100，第一有機(jī)阻擋層的厚度為250納米；
[0151](9)磁控濺射制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，第一無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一有機(jī)阻擋層上，本底的真空度為lX10_5Pa，第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括碲化鉍(Bi2Te)、氮化鋁(AlN)及鋁(Al)，第一無(wú)機(jī)阻擋層中，AlN的質(zhì)量百分含量為10%，Al的質(zhì)量百分含量為15% ;第一無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為100納米；
[0152](10)真空蒸鍍制備第二有機(jī)阻擋層，第二有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一無(wú)機(jī)阻擋層上，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S;第二有機(jī)阻擋層的材料包括N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4,4' -二胺(NPB)及2，9_ 二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)，其中，NPB與BCP的摩爾比為50:100，第二有機(jī)阻擋層的厚度為250納米；
[0153](11)磁控濺射制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，第二無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第二有機(jī)阻擋層上，本底的真空度為lX10_5Pa，第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化鋁(A1N)、鈦酸鉍(Bi2Ti4O11)及鋁(Al);第二無(wú)機(jī)阻擋層中，AlN的質(zhì)量百分含量為10%，Al的質(zhì)量百分含量為15% ;第二無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為100納米；第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層依次罩設(shè)于在所述發(fā)光功能層和陰極上，形成設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上的一個(gè)封裝蓋；
[0154](12)交替重復(fù)步驟(8)至步驟(11) 2次，形成依次罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上的
3個(gè)封裝蓋，封裝得到結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/NPB:BCP:CeF2/Bi2Te:AIN:Al/NPB:BCP/A1N:Bi2Ti4O11:Al 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0155]實(shí)施例3
[0156]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TAPC: TPB1: MgF2/CdTe: BN: Ni/TAPC: TPBI/BN: CrN14: Ni 的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝。
[0157](I)?(7)同實(shí)施例1。
[0158](8)真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層，第一有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上，真空蒸鍍的真空度為5父10_中&，蒸發(fā)速度為0.5蓋/5;第一有機(jī)阻擋層的材料包括1，1-二((4-N，N' -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及氟化鎂(MgF2),其中，TAPC與TPBI的摩爾比為50:100, MgF2與TPBI的摩爾比為16:100，第一有機(jī)阻擋層的厚度為200納米；
[0159](9)磁控濺射制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，第一無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一有機(jī)阻擋層上，本底的真空度為lX10_5Pa，第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括碲化鎘(CdTe)、氮化硼(BN)及鎳(Ni )，第一無(wú)機(jī)阻擋層中，BN的質(zhì)量百分含量為30%，Ni的質(zhì)量百分含量為15% ;第一無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為150納米；
[0160](10)真空蒸鍍制備第二有機(jī)阻擋層，第二有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一無(wú)機(jī)阻擋層上，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;第二有機(jī)阻擋層的材料包括1，1-二((4-N，N, -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷(TAPC)及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，其中，TAPC與TPBI的摩爾比為50:100，第二有機(jī)阻擋層的厚度為200納米；
[0161](11)磁控濺射制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，第二無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第二有機(jī)阻擋層上，本底的真空度為lX10_5Pa，第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化硼(BN)、鉻酸鎳(CrN14)及鎳(Ni);第二無(wú)機(jī)阻擋層中，BN的質(zhì)量百分含量為30%，Ni的質(zhì)量百分含量為15% ;第二無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為150納米；第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層依次罩設(shè)于在所述發(fā)光功能層和陰極上形成設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上的一個(gè)封裝蓋；
[0162](12)交替重復(fù)步驟(8)至步驟(11) 4次，形成依次罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上的5 個(gè)封裝蓋，封裝得到結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TAPC: TPB1: MgF2/CdTe: BN: Ni/TAPC: TPBI/BN: CrN14: Ni 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0163]實(shí)施例4
[0164]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/MADN:Alq3:AlF3/In2Te3: HfN:Au/MADN:Alq3/HfN: CoCr2O4:Au 的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝。
[0165](I)?(7)同實(shí)施例1。
[0166](8)真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層,第一有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S;第一有機(jī)阻擋層的材料包括2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)及氟化鋁(AlF3),其中，MADN與Alq3的摩爾比為60:100, AlF3與Alq3的摩爾比為10:100，第一有機(jī)阻擋層的厚度為250納米；
[0167](9)磁控濺射制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，第一無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一有機(jī)阻擋層上，本底的真空度為5X10_5Pa，第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括三碲化二銦(In2Te3)、氮化鉿(HfN)及金(Au)，第一無(wú)機(jī)阻擋層中，氮化鉿(HfN)的質(zhì)量百分含量為20%，Au的質(zhì)量百分含量為20% ;第一無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為150納米；
[0168](10)真空蒸鍍制備第二有機(jī)阻擋層，第二有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一無(wú)機(jī)阻擋層上，真空蒸鍍的真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S;第二有機(jī)阻擋層的材料包括2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽(MADN)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)，其中，MADN與Alq3的摩爾比為60:100，第二有機(jī)阻擋層的厚度為250納米；
[0169](11)磁控濺射制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，第二無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第二有機(jī)阻擋層上，本底的真空度為5X10_5Pa，第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化鉿(HfN)、鉻酸鈷(CoCr2O4)及金(Au);第二無(wú)機(jī)阻擋層中，HfN的質(zhì)量百分含量為20%，Au的質(zhì)量百分含量為20% ;第二無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為150納米；第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層依次罩設(shè)于在所述發(fā)光功能層和陰極上形成設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上的一個(gè)封裝蓋；
[0170](12)交替重復(fù)步驟(8)至步驟(11) 4次，形成依次罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上的5 個(gè)封裝蓋，封裝得到結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/MADN:Alq3:AlF3/In2Te3: HfN:Au/MADN:Alq3/HfN: CoCr2O4:Au 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0171]實(shí)施例5
[0172]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TCTA: Balq: CaF2/SnTe: TaN: Cu/TCTA: Balq/TaN: Fe2LuO4: Cu 的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝。
[0173](I)?(7)同實(shí)施例1。
[0174](8)真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層，第一有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為IA/S;第一有機(jī)阻擋層的材料包括4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(Balq)及氟化鈣(CaF2),其中，TCTA與Balq的摩爾比為50:100，CaF2與Balq的摩爾比為20:100，第一有機(jī)阻擋層的厚度為250納米；
[0175](9)磁控濺射制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，第一無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一有機(jī)阻擋層上，本底的真空度為5X10_5Pa，第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括碲化錫(SnTe)、氮化鉭(TaN)及銅(Cu)，第一無(wú)機(jī)阻擋層中，氮化鉭(TaN)的質(zhì)量百分含量為25%，Cu的質(zhì)量百分含量為10% ;第一無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為120納米；
[0176](10)真空蒸鍍制備第二有機(jī)阻擋層，第二有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一無(wú)機(jī)阻擋層上，真空蒸鍍的真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為iA/S*,第二有機(jī)阻擋層的材料包括4,4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(Balq)，其中，TCTA和Balq的摩爾比為50:100，第二有機(jī)阻擋層的厚度為250納米；
[0177](11)磁控濺射制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，第二無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第二有機(jī)阻擋層上，本底的真空度為5X10_5Pa，第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化鉭(TaN)、镥酸鐵(Fe2LuO4)及銅(Cu);第二無(wú)機(jī)阻擋層中，TaN占第二無(wú)機(jī)阻擋層的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為25%，Cu占第二無(wú)機(jī)阻擋層的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10% ;第二無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為120納米；第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層依次罩設(shè)于在所述發(fā)光功能層和陰極上形成設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上的一個(gè)封裝蓋；
[0178](12)交替重復(fù)步驟(8)至步驟(11) 3次，形成依次罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上的
4個(gè)封裝蓋，封裝得到結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/TCTA:Balq: CaF2/SnTe: TaN: Cu/TCTA:Balq/TaN:Fe2LuO4: Cu 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0179]實(shí)施例6
[0180]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/mCP: TAZ: BaF2/PbTe: TiN: Pt/mCP: TAZ/TiN: Y3Al5O12: Pt 的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝。
[0181](I)?(7)同實(shí)施例1。
[0182](8)真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層，第一有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上，真空蒸鍍的真空度為1父10_午&，蒸發(fā)速度為21/5;第一有機(jī)阻擋層的材料包括1，3-二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)、3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1, 2，4-三唑(TAZ)及氟化鋇(BaF2);其中，mCP與TAZ的摩爾比為40:100, BaF2與TAZ的摩爾比15:100，第一有機(jī)阻擋層的厚度為250納米；
[0183](9)磁控濺射制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，第一無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一有機(jī)阻擋層上，本底的真空度為lX10_3Pa，第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括碲化鉛(PbTe)、氮化鈦(TiN)及鉬(Pt);第一無(wú)機(jī)阻擋層中，氮化鈦(TiN)的質(zhì)量百分含量為20%，Pt的質(zhì)量百分含量為30% ;第一無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為110納米；
[0184](10)真空蒸鍍制備第二有機(jī)阻擋層，第二有機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第一無(wú)機(jī)阻擋層上，真空蒸鍍的真空度為1\10_午&，蒸發(fā)速度為214;第二有機(jī)阻擋層的材料包括1，3- 二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)及3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑(TAZ)，其中，mCP與TAZ的摩爾比為40:100，第二有機(jī)阻擋層的厚度為250納米；
[0185](11)磁控濺射制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，第二無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于第二有機(jī)阻擋層上，本底的真空度為lX10_3Pa，第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括氮化鈦(TiN)、鋁酸釔(Y3Al5O12)及鉬(Pt);第二無(wú)機(jī)阻擋層中，TiN的質(zhì)量百分比為20%，Pt的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為30% ;第二無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為110納米；第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層依次罩設(shè)于在所述發(fā)光功能層和陰極上形成設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上的一個(gè)封裝蓋；
[0186](12)交替重復(fù)步驟(8)至步驟(11) 2次，形成依次罩設(shè)于發(fā)光功能層和陰極上的
3個(gè)封裝蓋，封裝得到結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir(ppy)3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/Al/mCP: TAZ: BaF2/PbTe: TiN: Pt/mCP: TAZ/TiN: Y3Al5O12: Pt 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0187]對(duì)比例I
[0188]結(jié)構(gòu)為
[0189]IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/Al/mCP/PbTe/mCP/TiN 的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝
[0190]封裝方法同實(shí)施例1。不同于實(shí)施例1的是，第一有機(jī)阻擋層的材料為1，3_ 二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)，第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料為碲化鉛(PbTe)，第二有機(jī)阻擋層的材料為1，3_ 二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP)，第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料為氮化鈦(TiN)，除此外，其余與實(shí)施例1相同。
[0191]表I為實(shí)施例1?6與對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣透過(guò)率(WVTR)及使用壽命，由表I可看出，實(shí)施例1?實(shí)施例6的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣透過(guò)率均小于對(duì)比I的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣，使用壽命均大于對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命。
[0192]表1實(shí)施例1~6與對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件的水蒸氣透過(guò)率及使用壽命
[0193]

【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽(yáng)極導(dǎo)電基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝蓋，所述發(fā)光功能層和陰極依次層疊于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上，所述封裝蓋將所述發(fā)光功能層和陰極封裝于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上，其特征在于，所述封裝蓋包括依次罩設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光功能層和陰極上的第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層；其中， 所述第一有機(jī)阻擋層的材料包括第一空穴傳輸材料、第一電子傳輸材料及氟化物，所述第一空穴傳輸材料為N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-聯(lián)苯二胺、N1N1-二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4,4' - 二胺、1，1-二((4-N，N' -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或1，3- 二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第一電子傳輸材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑；所述氟化物為氟化鋰、氟化鈰、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇； 所述第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金屬，所述碲化物為三碲化鋪、締化秘、締化鎘、三締化二銦、締化錫或締化鉛，所述第一氮化物為氮化娃、氮化招、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第一金屬為銀、鋁、鎳、金、銅或鉬； 所述第二有機(jī)阻擋層的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸材料，所述第二空穴傳輸材料為N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4,4' - 二胺、1，1-二((4-N，N, -二 (對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4，V，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或1，3_ 二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第二電子傳輸材料為4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1,3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8- 喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3-(4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2，4-三唑； 所述第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金屬，所述第二氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述合金氧化物為偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵或鋁酸釔；所述第二金屬為銀、鋁、鎳、金、銅或鉬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋為3~5個(gè)，所述3~5個(gè)封裝蓋依次罩設(shè)于所述發(fā)光功能層和陰極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一空穴傳輸材料與所述第一電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100 ;所述氟化物與所述第一電子傳輸材料的摩爾比為10:100~20:100。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無(wú)機(jī)阻擋層中，所述第一氮化物的質(zhì)量百分含量為10%~40%,所述第一金屬的質(zhì)量百分含量為10%~30%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二空穴傳輸材料與所述第二電子傳輸材料的摩爾比為40:100~60:100。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二無(wú)機(jī)阻擋層中，所述第二氮化物的質(zhì)量百分含量為10%~40%,所述第二金屬的質(zhì)量百分含量為10%~30%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機(jī)阻擋層和第二有機(jī)阻擋層的厚度為200納米~300納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無(wú)機(jī)阻擋層和第二無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為100納米~200納米。
9.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供陽(yáng)極導(dǎo)電基板，在所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上真空蒸鍍形成發(fā)光功能層； 在所述發(fā)光功能層上真空蒸鍍形成陰極； 真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層，所述第一有機(jī)阻擋層設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于所述發(fā)光功能層和陰極上，所述第一有機(jī)阻擋層的材料包括第一空穴傳輸材料、第一電子傳輸材料及氟化物，所述第一空穴傳輸材料為N, N' - 二苯基-N, N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4' - 二胺、1，1_ 二((4-N，N, -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4/，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或1，3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第一電子傳輸材料為4，7-二苯基鄰菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3- (4-聯(lián)苯基) -4苯基-5-叔丁基苯_1，2, 4- 二唑；所述氟化物為氟化鋰、氟化鋪、氟化續(xù)、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇； 磁控濺射制備第一無(wú)機(jī)阻擋層，所述第一無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于所述第一有機(jī)阻擋層上，所述第一無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金屬，所述締化物為三締化鋪、締化秘、締化鎘、三締化二銦、締化錫或締化鉛，所述第一氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第一金屬為銀、鋁、鎳、金、銅或鉬； 真空蒸鍍制備第二有機(jī)阻擋層，所述第二有機(jī)阻擋層設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于所述第一無(wú)機(jī)阻擋層上，所述第二有機(jī)阻擋層的材料包括第二空穴傳輸材料及第二電子傳輸材料，所述第二空穴傳輸材料為N，N, - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)_4，4'-聯(lián)苯二胺、N，N' -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基 _4，4' - 二胺、1，1_ 二((4-N，N, -二(對(duì)甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4/，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯，所述第二電子傳輸材料為4，7- 二苯基鄰菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁或3- (4-聯(lián)苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑；及 磁控濺射制備第二無(wú)機(jī)阻擋層，所述第二無(wú)機(jī)阻擋層設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上并罩設(shè)于所述第二有機(jī)阻擋層上，所述第一有機(jī)阻擋層、第一無(wú)機(jī)阻擋層、第二有機(jī)阻擋層及第二無(wú)機(jī)阻擋層依次罩設(shè)于在所述發(fā)光功能層和陰極上，形成設(shè)置于所述陽(yáng)極導(dǎo)電基板上的封裝蓋，封裝得到有機(jī)電致發(fā)光器件；其中，所述第二無(wú)機(jī)阻擋層的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金屬，所述第二氮化物為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭或氮化鈦，所述第二合金氧化物為偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵或鋁酸釔；所述第二金屬為銀、鋁、鎳、金、銅或鉬。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于， 所述真空蒸鍍制備第一有機(jī)阻擋層的步驟及真空蒸鍍制備第二有機(jī)阻擋層的步驟中，所述真空蒸鍍的真空度為I X 1-5Pa~I X 1-3Pa ；所述磁控濺射制備第一無(wú)機(jī)阻擋層的步驟及磁控濺射制備第二無(wú)機(jī)阻擋層的步驟中，本底的真空度為I X 1 -5Pa~I X 10?O
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK104078609SQ201310109591
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司