有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及制備方法，該器件包括依次層疊的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，電子注入層包括主體材料及摻雜于主體材料中的第一客體材料及第二客體材料，主體材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、4,7-二苯基-1,10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；第一客體材料為硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銣或硫酸銫；第二客體材料為氟化鋰、疊氮化鋰、氮化鋰、氟化銫、疊氮化銫或氮化銫。其壽命較長(zhǎng)。
【專利說(shuō)明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電致發(fā)光【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)具有一些獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):(I)OLED屬于擴(kuò)散型面光源，不需要像發(fā)光二極管(LED) —樣通過額外的導(dǎo)光系統(tǒng)來(lái)獲得大面積的白光光源；(2)由于有機(jī)發(fā)光材料的多樣性，OLED照明可根據(jù)需要設(shè)計(jì)所需顏色的光，目前無(wú)論是小分子0LED，還是聚合物有機(jī)發(fā)光二極管(PLED)都已獲得了包含白光光譜在內(nèi)的所有顏色的光；(3)OLED可在多種襯底如玻璃、陶瓷、金屬、塑料等材料上制作，這使得設(shè)計(jì)照明光源時(shí)更加自由；(4)采用制作OLED顯示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同時(shí)顯示信息；(5)0LED在照明系統(tǒng)中還可被用作可控色，允許使用者根據(jù)個(gè)人需要調(diào)節(jié)燈光氛圍。
[0003]然而，目前的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較低，難以滿足使用需求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0005]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層包括主體材料及摻雜于所述主體材料中的第一客體材料及第二客體材料，所述主體材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述第一客體材料為硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銣或硫酸銫；所述第二客體材料為氟化鋰、疊氮化鋰、氮化鋰、氟化銫、疊氮化銫或氮化銫。
[0006]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一客體材料占所述主體材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6?25%。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二客體材料占所述主體材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25?35%。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子注入層的厚度為15?45納米。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層由金屬氧化物摻雜于空穴傳輸材料中形成，所述金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩或三氧化錸；所述空穴傳輸材料為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺或I, 1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒；
[0010]所述空穴傳輸層由N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷形成；
[0011]所述發(fā)光層由發(fā)光客體材料摻雜于發(fā)光主體材料中形成，所述發(fā)光客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥或三[2_(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥；所述發(fā)光主體材料為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺)、9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯、(N，N，- 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺或I, 1- 二[4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒；
[0012]所述電子傳輸層由4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑或1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯形成；
[0013]所述陰極由銀、鋁或金形成。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬氧化物占所述空穴注入層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25?35% ；
[0015]所述發(fā)光客體材料占所述發(fā)光主體材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2?10%。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層的厚度為10?15納米，所述空穴傳輸層的厚度為30?50納米，所述發(fā)光層的厚度為10?30納米，所述電子傳輸層的厚度為10?60納米，所述陰極的厚度為50?200納米。
[0017]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0018]提供陽(yáng)極，在所述陽(yáng)極上真空蒸鍍形成空穴注入層；
[0019]在所述空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層；
[0020]在所述空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層；
[0021 ] 在所述發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層；
[0022]在所述電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，，所述電子注入層包括主體材料及摻雜于所述主體材料中的第一客體材料及第二客體材料，所述主體材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述第一客體材料為硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銣或硫酸銫；所述第二客體材料為氟化鋰、疊氮化鋰、氮化鋰、氟化銫、疊氮化銫或氮化銫；
[0023]在所述電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0024]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述真空蒸鍍的的真空度為IX 10_5Pa?IX 10_3Pa。
[0025]在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層的步驟中，所述真空蒸鍍的蒸發(fā)速度為0.1人?2A/s。
[0026]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的電子注入層由鋰鹽與銫鹽中的一種與硫酸鹽共同摻雜于電子注入材料中形成，能夠提高電子注入效率，使空穴和電子達(dá)到平衡，從而提高發(fā)光效率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法流程圖；
[0029]圖3為實(shí)施例1?6及對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率曲線圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0031]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100，包括依次層疊的陽(yáng)極10、空穴注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、電子傳輸層50、電子注入層60及陰極70。
[0032]陽(yáng)極10可以為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)。
[0033]銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)是指表面上層疊有銦錫氧化物薄膜、鋁鋅氧化物薄膜或銦鋅氧化物薄膜的玻璃，優(yōu)選地，銦錫氧化物薄膜、鋁鋅氧化物薄膜或銦鋅氧化物薄膜的厚度為100納米。
[0034]空穴注入層20由金屬氧化物摻雜于空穴傳輸材料中形成。
[0035]金屬氧化物為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鶴(W03)、五氧化二IIi(V2O5)或三氧化錸(ReO3);空穴傳輸材料為 N, N，- 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4, 4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。
[0036]優(yōu)選地，金屬氧化物占空穴注入層20的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25?35%。優(yōu)選地，空穴注入層20的厚度為10?15納米。
[0037]空穴傳輸層30由N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯_4，4’-二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或 1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)形成。
[0038]優(yōu)選地，空穴傳輸層30的厚度為30?50納米。
[0039]發(fā)光層40由發(fā)光客體材料摻雜于發(fā)光主體材料中形成。
[0040]發(fā)光客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡唳)銥(11'&口7)2(3030))或三[2-(對(duì)甲苯基)卩比唳]合銥(Ir(mppy)3);發(fā)光主體材料為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9, 9’-(I, 3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)、4, 4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、(N, N’ -二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基 _4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)、I, 1-二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)或9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)。
[0041]優(yōu)選地，發(fā)光客體材料占發(fā)光主體材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2?10%。
[0042]優(yōu)選地，發(fā)光層40的厚度為10?30納米。
[0043]電子傳輸層50由4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)或I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)形成。
[0044]優(yōu)選地，電子傳輸層50的厚度為10~60納米。
[0045]電子注入層60包括主體材料及摻雜于主體材料中的第一客體材料及第二客體材料。
[0046]主體材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉化?1^11)、4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)或I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
[0047]第一客體材料為硫酸鋰(Li2SO4)、硫酸鈉(Na2SO4)、硫酸鉀(K2SO4)、硫酸銣(Rb2SO4)或硫酸銫(Cs2SO4)。
[0048]第二客體材料為氟化鋰(LiF)、疊氮化鋰(LiN3)、氮化鋰(Li3N)、氟化銫(CsF)、疊氮化銫(CsN3)或氮化銫(Cs3N)。
[0049]優(yōu)選地，第一客體材料占主體材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6~25%。
[0050]優(yōu)選地，第二客體材料占主體材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25~35%。
[0051]優(yōu)選地，電子注入層60的厚度為15~45納米。
[0052]陰極70由金屬銀(Ag)、鋁(Al)或金(Au)形成。
[0053]優(yōu)選地，陰極70的厚度為50~200納米。
[0054]電致發(fā)光器件是載流子(電子或空穴)注入型電致發(fā)光器件，電子和空穴的注入、傳輸及其平衡，決定了電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。有機(jī)電致發(fā)光器件中，空穴遷移率比電子遷移率要大得多，因此，提高電子注入效率和電子傳輸能力，使空穴和電子達(dá)到平衡，對(duì)于發(fā)光效率至關(guān)重要。
[0055]有機(jī)電致發(fā)光器件100的電子注入層60由鋰鹽與銫鹽中的一種與硫酸鹽共同摻雜于電子注入材料中形成，有利于提高電子注入效率，從而使空穴和電子平衡，提高發(fā)光效率，在亮度為lOOOcd/cm2下，發(fā)光效率提高了 40%。
[0056]當(dāng)鋰鹽與銫鹽中的一種的摻雜濃度即質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25~35%，硫酸鹽的摻雜濃度即質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6~25%時(shí)，發(fā)光效率最高。
[0057]請(qǐng)參閱圖2，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0058]步驟SllO:提供陽(yáng)極，在陽(yáng)極上真空蒸鍍形成空穴注入層。
[0059]陽(yáng)極可以為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃，優(yōu)選為銦錫氧化物玻璃。
[0060]優(yōu)選的，陽(yáng)極的銦錫氧化物薄膜、鋁鋅氧化物薄膜或銦鋅氧化物薄膜的厚度為100納米。
[0061]采用真空蒸鍍?cè)陉?yáng)極上形成空穴注入層之前，首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙醇對(duì)陽(yáng)極進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，再用烘箱烘干，得到潔凈、干燥的陽(yáng)極。進(jìn)一步將陽(yáng)極進(jìn)行表面活性處理，以增加陽(yáng)極表面的含氧量，提高陽(yáng)極的功函數(shù)。進(jìn)行表面活化處理的步驟為采用紫外-臭氧(UV-ozone)對(duì)清洗干燥后的陽(yáng)極進(jìn)行處理30~50分鐘。
[0062]空穴注入層由金屬氧化物摻雜于空穴傳輸材料中形成。
[0063]金屬氧化物為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鶴(W03)、五氧化二IIi(V2O5)或三氧化錸(ReO3);空穴傳輸材料為 N, N，- 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4, 4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。
[0064]優(yōu)選地，金屬氧化物占空穴注入層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25~35%。優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10~15納米。
[0065]真空蒸鍍的真空度優(yōu)選為I X KT5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度為0.1 A~lA/s:；
[0066]步驟S120:在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層。
[0067]空穴傳輸層由N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’_ 聯(lián)苯 _4，4’- 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4, 4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)形成。
[0068]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30~50納米。
[0069]真空蒸鍍的真空度優(yōu)選為I X 1-5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度為0.lA~2A/So
[0070]步驟S130:在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層。
[0071 ] 發(fā)光層由發(fā)光客體材料摻雜于發(fā)光主體材料中形成。
[0072]發(fā)光客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡唳)銥(11'&口7)2(3030))及三[2-(對(duì)甲苯基)吡唳]合銥(Ir(mppy)3);發(fā)光主體材料為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9, 9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)、4, 4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、(N, N’ -二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基 _4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)、
I,1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)或9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)。
[0073]優(yōu)選地，發(fā)光客體材料占發(fā)光主體材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2~10%。
[0074]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為10~30納米。
[0075]真空蒸鍍的真空度I X 10_5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度0.1A~I人/s。
[0076]步驟S140:在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層。
[0077]電子傳輸層由4，7-二苯基-1，10-菲羅啉化?1^11)、4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)或I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)形成。
[0078]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為10~60納米。
[0079]真空蒸鍍的真空度I X KT5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度0.1人~2人/S。
[0080]步驟S150:在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層。
[0081]電子注入層包括主體材料及摻雜于主體材料中的第一客體材料及第二客體材料。
[0082]主體材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉化?1^11)、4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)或I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
[0083]第一客體材料為硫酸鋰(Li2SO4)、硫酸鈉(Na2SO4)、硫酸鉀(K2SO4)、硫酸銣(Rb2SO4)或硫酸銫(Cs2SO4)。
[0084]第二客體材料為氟化鋰(LiF)、疊氮化鋰(LiN3)、氮化鋰(Li3N)、氟化銫(CsF)、疊氮化銫(CsN3)或氮化銫(Cs3N)。
[0085]優(yōu)選地，第一客體材料占主體材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6~25%。
[0086]優(yōu)選地，第二客體材料占主體材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25~35%。
[0087]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為15~45納米。
[0088]真空蒸鍍的真空度I X KT5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度0.lA~2A/s。
[0089]步驟S160:在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0090]陰極由金屬銀(Ag)、鋁(Al)或金(Au)形成。
[0091]優(yōu)選地，陰極70的厚度為50~200納米。
[0092]真空蒸鍍的真空度I X KT5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度0.1人~5^/s
[0093]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法采用真空蒸鍍?cè)陉?yáng)極上形成依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極得到有機(jī)電致發(fā)光器件，制備工藝簡(jiǎn)單，易于大規(guī)模制備。
[0094]真空蒸鍍的真空度為I X 1-5Pa~I X 10?,制備空穴注入層及發(fā)光層的蒸發(fā)速度為0.lA~lA/s,制備空穴傳輸層、電子傳輸層及電子注入層的蒸發(fā)速度為0.lA~2A/s，
制備陰極的蒸發(fā)速度為0.1人~5人/S，選用合適的真空度，并根據(jù)不同的物質(zhì)采用不同的蒸發(fā)速度，有利于提高成膜質(zhì)量，從而得到性能穩(wěn)定的有機(jī)電致發(fā)光器件。尤其是，在真空度為lX10_5Pa~lX10_3Pa下，以0.1人~2A/_S的蒸發(fā)速度蒸鍍硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銣及硫酸銫中的一種、氟化鋰、疊氮化鋰、氮化鋰、氟化銫、疊氮化銫及氮化銫中的一種及
4,7_ 二苯基_1，10-菲羅琳、4，7_ 二苯基_1，10-鄰菲羅琳、4_聯(lián)苯酌.基一二(2-甲基-8-輕基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，形成致密、均勻的電子注入層，有利于提高有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0095]以下為具體實(shí)施例。
[0096]實(shí)施例1
[0097]結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03:NPB/NPB/Ir(ppy)3:TCTA/Bphen/Li2S04:LiF:Bphen/Ag 的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0098](I)以銦錫氧化物玻璃作為陽(yáng)極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙醇對(duì)陽(yáng)極進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，再用烘箱烘干，得到潔凈、干燥的陽(yáng)極。進(jìn)一步采用紫外-臭氧(UV-ozone)對(duì)清洗干燥后的陽(yáng)極進(jìn)行表面活化處理30分鐘；
[0099](2)在經(jīng)過表面活化處理的陽(yáng)極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S；空穴注入層由三氧化鑰摻雜于N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺中形成，表示為MoO3 = NPB ;其中，MoO3占空穴注入層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，空穴注入層的厚度為12.5納米；
[0100](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為lX10_5Pa，蒸發(fā)速度lA/s;空穴傳輸層由N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4, 4’ - 二胺形成，表不為NPB ;空穴傳輸層的厚度為40納米；
[0101](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為1父10_午&，蒸發(fā)速度0.5人/8;
發(fā)光層由三(2-苯基吡啶)合銥摻雜于4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺中形成，表示為Ir (ppy) 3: TCTA ;其中，Ir (ppy) 3占TCTA的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6% ;發(fā)光層的厚度為20納米；
[0102](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度lA/s;電子傳輸層由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉形成，表示為Bphen ；電子傳輸層的厚度為35納米；
[0103](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為lX10_5Pa，蒸發(fā)速度
1A/S；電子注入層由硫酸鋰和氟化鋰摻雜于4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉中形成，表示為L(zhǎng)i2SO4:LiF = Bphen ;其中，Li2SO4占Bphen的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%，LiF占Bphen的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30% ;電子注入層的厚度為35納米；
[0104](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為1父10_中&，蒸發(fā)速度31/5;陰極由金屬銀(Ag)形成,表示為Ag,陰極的厚度為125納米。
[0105]依次層疊的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極形成結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03:NPB/NPB/Ir (ppy) 3: TCTA/Bphen/Li2S04: LiF:Bphen/Ag 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0106]實(shí)施例2
[0107]結(jié)構(gòu)為ITO/TO3:TCTA/TCTA/Ir(ppy)2(acac):mCP/BCP/Na2S04: LiN3:BCP/A1 的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0108](I)以銦錫氧化物玻璃作為陽(yáng)極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙醇對(duì)陽(yáng)極進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，再用烘箱烘干，得到潔凈、干燥的陽(yáng)極。進(jìn)一步采用紫外-臭氧(UV-ozone)對(duì)清洗干燥后的陽(yáng)極進(jìn)行表面活化處理30分鐘；
[0109](2)在經(jīng)過表面活化處理的陽(yáng)極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S；空穴注入層由三氧化鎢摻雜于4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺中形成，表示為WO3 = TCTA ;其中，WO3占空穴注入層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%，空穴注入層的厚度為10納米；
[0110](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S:空穴傳輸層由4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺形成，表示為TCTA ；空穴傳輸層的厚度為30納米；
[0111](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為5 X 1-5Pa,蒸發(fā)速度0.1 A/s;
發(fā)光層由乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥摻雜于9，9’-(I, 3-苯基)二 -9H-咔唑中形成，表示為Ir (ppy)2 (acac):mCP ;其中，Ir (ppy) 2 (acac)占mCP的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2% ;發(fā)光層的厚度為10納米；
[0112](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為5X 1-5Pa,蒸發(fā)速度0.lA/s；電子傳輸層由4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉形成，表示為BCP ;電子傳輸層的厚度為10納米;
[0113](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度
0.1人/S;電子注入層由硫酸鈉和疊氮化鋰摻雜于4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉中形成，表示為Na2SO4:LiN3: BCP ;其中，Na2SO4占BCP的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%，LiN3占BCP的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25% ；電子注入層的厚度為45納米；
[0114](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度0.1A/S；陰極由金屬鋁(Al)形成，表示為Al，陰極的厚度為50納米。
[0115]依次層疊的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極形成結(jié)構(gòu)為 ITO/TO3:TCTA/TCTA/Ir (ppy)2 (acac):mCP/BCP/Na2S04: LiN3:BCP/A1 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0116]實(shí)施例3
[0117]結(jié)構(gòu)為IT0/V205:CBP/CBP/Ir(mppy)3:CBP/BAlq/K2S04:Li3N:BAlq/Au 的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0118](I)以銦錫氧化物玻璃作為陽(yáng)極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙醇對(duì)陽(yáng)極進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，再用烘箱烘干，得到潔凈、干燥的陽(yáng)極。進(jìn)一步采用紫外-臭氧(UV-ozone)對(duì)清洗干燥后的陽(yáng)極進(jìn)行表面活化處理30分鐘；
[0119](2)在經(jīng)過表面活化處理的陽(yáng)極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度IA/S;空穴注入層由五氧化二釩摻雜于4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯中形成，
表示為V2O5 = CBP ;其中，V2O5占空穴注入層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為35%，空穴注入層的厚度為15納米；
[0120](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度
2A/S;空穴傳輸層由4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯形成，表示為CBP ;空穴傳輸層的厚度為50納米；
[0121](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度lA/s;
發(fā)光層由三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥摻雜于4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯中形成，表示為Ir (mppy)3:CBP ;其中，Ir(Hippy)3占CBP的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10% ;發(fā)光層的厚度為30納米；
[0122](5 )在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度2A/S;電子傳輸層由4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁形成，表示為BAlq;電子傳輸層的厚度為60納米；
[0123](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/S；電子注入層由硫酸鉀和氮化鋰摻雜于4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁中形成，表示為K2SO4:Li3N:BAlq ;其中，K2SO4占BAlq的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%，Li3N占BAlq的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為35% ;電子注入層的厚度為15納米；
[0124](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度5A/S;陰極由金屬金(Au)形成，表示為Au，陰極的厚度為200納米。
[0125]依次層疊的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極形成結(jié)構(gòu)為 IT0/V205:CBP/CBP/1r (mppy)3:CBP/BAIq/K2S04:Li3N:BAlq/Au 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0126]實(shí)施例4
[0127]結(jié)構(gòu)為IT0/Re03:TPD/TPD/Ir(ppy)3:TPD/Alq3/Rb2S04:CsF:Alq3/Ag 的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0128](I)以銦錫氧化物玻璃作為陽(yáng)極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙醇對(duì)陽(yáng)極進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，再用烘箱烘干，得到潔凈、干燥的陽(yáng)極。進(jìn)一步采用紫外-臭氧(UV-ozone)對(duì)清洗干燥后的陽(yáng)極進(jìn)行表面活化處理30分鐘；
[0129](2)在經(jīng)過表面活化處理的陽(yáng)極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5人/S;空穴注入層由三氧化錸摻雜于N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺中形成，表示為ReO3 = Tro ;其中，ReO3占空穴注入層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，空穴注入層的厚度為13納米；
[0130](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度IA/S；空穴傳輸層由N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺形成，表示為TPD ;空穴傳輸層的厚度為40納米；
[0131](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為5父10_中&，蒸發(fā)速度0.51/8;
發(fā)光層由三(2-苯基吡啶)合銥摻雜于(N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺)中形成，表示為Ir (ppy)3: TH);其中，Ir (ppy) 3占TPD的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5% ;發(fā)光層的厚度為20納米；
[0132](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度I A/s;電子傳輸層由8-羥基喹啉鋁形成，表示為Alq3 ;電子傳輸層的厚度為30納米；
[0133](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度lA/s;電子注入層由硫酸銣和氟化銫摻雜于8-羥基喹啉鋁中形成，表示為Rb2SO4:CsF = Alq3 ;其中，Rb2SO4占Alq3的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，CsF占Alq3的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30% ;電子注入層的厚度為30納米；
[0134](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/S;陰極由金屬銀(Ag)形成,表示為Ag,陰極的厚度為100納米。
[0135]依次層疊的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極形成結(jié)構(gòu)為 ITCVReO3: TPD/TPD/Ir (ppy) 3: TPD/Alq3/Rb2S04: CsF:Alq3Ag 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0136]實(shí)施例5
[0137]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03:TAPC/TAPC/Ir (ppy)2 (acac): TAPC/TAZ/Cs2S04: CsN3: TAZ/A1 的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0138](I)以銦錫氧化物玻璃作為陽(yáng)極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙醇對(duì)陽(yáng)極進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，再用烘箱烘干，得到潔凈、干燥的陽(yáng)極。進(jìn)一步采用紫外-臭氧(UV-ozone)對(duì)清洗干燥后的陽(yáng)極進(jìn)行表面活化處理30分鐘；
[0139](2)在經(jīng)過表面活化處理的陽(yáng)極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度為
5父10-午&，蒸發(fā)速度0.2人/5;空穴注入層由三氧化鑰摻雜于1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中形成，表示為MoO3 = TAPC;其中，MoO3占空穴注入層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%，空穴注入層的厚度為10納米；
[0140](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度1A/S;空穴傳輸層由1，1_ 二 [4-[N，N, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷形成，表示為TAPC ;空穴傳輸層的厚度為40納米；
[0141](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度0.5人/5;
發(fā)光層由乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥摻雜于1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒中形成，表示為Ir (ppy)2 (acac):TAPC ;其中，Ir (ppy)2 (acac)占TAPC的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7% ;發(fā)光層的厚度為20納米；
[0142](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度I A/s;電子傳輸層由3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑形成，表示為TAZ ;電子傳輸層的厚度為50納米；
[0143](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度I A/s；電子注入層由硫酸銫和疊氮化銫摻雜于3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑中形成，表示為Cs2SO4: CsN3: TAZ ;其中，Cs2SO4占TAZ的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，CsN3占TAZ的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30% ;電子注入層的厚度為30納米；
[0144](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/S;陰極由金屬鋁(Al)形成，表示為Al，陰極的厚度為100納米。
[0145]依次層疊的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極形成結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03:TAPC/TAPC/Ir (ppy)2 (acac): TAPC/TAZ/Cs2S04: CsN3: TAZ/A1 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0146]實(shí)施例6
[0147]結(jié)構(gòu)為IT0/W03: NPB/NPB/Ir (mppy) 3:ADN/TPBI/Cs2S04: CsN3:TPBI/A1 的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0148](I)以銦錫氧化物玻璃作為陽(yáng)極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙醇對(duì)陽(yáng)極進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，再用烘箱烘干，得到潔凈、干燥的陽(yáng)極。進(jìn)一步采用紫外-臭氧(UV-ozone)對(duì)清洗干燥后的陽(yáng)極進(jìn)行表面活化處理30分鐘；
[0149](2)在經(jīng)過表面活化處理的陽(yáng)極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度為
I X 10?,蒸發(fā)速度0.3A/S；空穴注入層由三氧化鎢摻雜于N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺中形成，表示為WO3 = NPB ;其中，WO3占空穴注入層的質(zhì)量百分比為30%，空穴注入層的厚度為12納米；
[0150] (3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為lX10_3Pa，蒸發(fā)速度I A/S；空穴傳輸層由N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺形成，表示為NPB ;空穴傳輸層的厚度為40納米；
[0151](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為1父10_午&，蒸發(fā)速度0.5力3;
發(fā)光層由三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥摻雜于9，10-雙(1-萘基)蒽中形成，表示為Ir (mppy) 3: ADN ;其中，Ir (mppy) 3占ADN的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6% ;發(fā)光層的厚度為20納米；
[0152](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度lA/s;電子傳輸層由1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯形成，表示為TPBI ；電子傳輸層的厚度為30納米；
[0153](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為lX10_3Pa，蒸發(fā)速度IA/S；電子注入層由硫酸銫和疊氮化銫摻雜于1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中形成，表示為Cs2SO4:CsN3:TPBI ;其中，Cs2SO4占TPBI的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%, CsN3占TPBI的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30% ;電子注入層的厚度為30納米；
[0154](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為1\10_午&，蒸發(fā)速度2力3;陰極由金屬鋁(Al)形成，表示為Al，陰極的厚度為100納米。
[0155]依次層疊的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極形成結(jié)構(gòu)為 IT0/W03: NPB/NPB/Ir (mppy) 3: ADN/TPBI/Cs2SO4: CsN3: TPBI/A1 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0156]對(duì)比例I
[0157]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03:NPB/NPB/Ir (ppy)3:TCTA/Bphen/Cs3N:Bphen/Ag 的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0158](I)以銦錫氧化物玻璃作為陽(yáng)極，表示為ΙΤ0。首先用洗潔精、去離子水、丙酮和乙醇對(duì)陽(yáng)極進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次，再用烘箱烘干，得到潔凈、干燥的陽(yáng)極。進(jìn)一步采用紫外-臭氧(UV-ozone)對(duì)清洗干燥后的陽(yáng)極進(jìn)行表面活化處理30分鐘；
[0159](2)在經(jīng)過表面活化處理的陽(yáng)極表面真空蒸鍍形成空穴注入層，真空度為
I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S；空穴注入層由三氧化鑰摻雜于N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯_4，4’-二胺中形成，表示為MoO3 = NPB ;其中，MoO3占空穴注入層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，空穴注入層的厚度為12.5納米；
[0160](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，真空度為lX10_5Pa，蒸發(fā)速度I A/s；空穴傳輸層由N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4, 4’ - 二胺形成，表不為NPB ;空穴傳輸層的厚度為40納米；
[0161](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，真空度為1父10_中&，蒸發(fā)速度0.5人/3;
發(fā)光層由三(2-苯基吡啶)合銥摻雜于4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺中形成，表示為Ir (ppy) 3: TCTA ;其中，Ir (ppy) 3占TCTA的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6% ;發(fā)光層的厚度為20納米；
[0162](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度I A/s;電子傳輸層由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉形成，表示為Bphen ；電子傳輸層的厚度為35納米；
[0163](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，真空度為lX10_5Pa，蒸發(fā)速度lA/s;電子注入層由氮化銫摻雜于4，7-二苯基-1，10-菲羅啉中形成，表示為Cs3N = Bphen ；其中，Cs3N占Bphen的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30% ;電子注入層的厚度為35納米；
[0164](7 )在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度3A/S；陰極由金屬銀(Ag)形成,表示為Ag,陰極的厚度為125納米。
[0165]依次層疊的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極形成結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03: NPB/NPB/Ir (ppy) 3: TCTA/Bphen/Cs3N: Bphen/Ag 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0166]表1為實(shí)施例1~6及對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件在亮度為200.0~1800.0cd/Hl2下的發(fā)光效率。
[0167]圖3為實(shí)施例1~6及對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件在亮度為200.0~1800.0cd/Hl2下的發(fā)光效率。
[0168]表1實(shí)施例1~6及對(duì)比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率
[0169]

【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，其特征在于，所述電子注入層包括主體材料及摻雜于所述主體材料中的第一客體材料及第二客體材料，所述主體材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述第一客體材料為硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銣或硫酸銫；所述第二客體材料為氟化鋰、疊氮化鋰、氮化鋰、氟化銫、疊氮化銫或氮化銫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一客體材料占所述主體材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6~25%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二客體材料占所述主體材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25~35%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的厚度為15~45納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于， 所述空穴注入層由金屬氧化物摻雜于空穴傳輸材料中形成，所述金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩或三氧化錸；所述空穴傳輸材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺或 1，1-二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氣基]苯基]環(huán)己燒； 所述空穴傳輸層由N，N ’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’-二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷形成； 所述發(fā)光層由發(fā)光客體材料摻雜于發(fā)光主體材料中形成，所述發(fā)光客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥或三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥；所述發(fā)光主體材料為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺)、9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯、(N，N，- 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、1，1- 二[4-[N, N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷或9，10-雙(1-萘基)蒽； 所述電子傳輸層由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯形成； 所述陰極由銀、鋁或金形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于， 所述金屬氧化物占所述空穴注入層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25~35% ； 所述發(fā)光客體材料占所述發(fā)光主體材料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2~10%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的厚度為10~15納米，所述空穴傳輸層的厚度為30~50納米，所述發(fā)光層的厚度為10~30納米，所述電子傳輸層的厚度為10~60納米，所述陰極的厚度為50~200納米。
8.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟:提供陽(yáng)極，在所述陽(yáng)極上真空蒸鍍形成空穴注入層； 在所述空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層； 在所述空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層； 在所述發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層； 在所述電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，，所述電子注入層包括主體材料及摻雜于所述主體材料中的第一客體材料及第二客體材料，所述主體材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑或.1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述第一客體材料為硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銣或硫酸銫；所述第二客體材料為氟化鋰、疊氮化鋰、氮化鋰、氟化銫、疊氮化銫或氮化銫； 在所述電子注入層上真空蒸鍍形成陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述真空蒸鍍的的真空度為I X KT5Pa~I X l(T3Pa。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述電子傳輸層上真空蒸鍍形成 電子注入層的步驟中，所述真空蒸鍍的蒸發(fā)速度為0.1A-2A/S。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104051649SQ201310084322
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2013年3月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月15日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 馮小明 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司