疊層有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種疊層有機電致發(fā)光器件及其制備方法，該器件包括依次層疊的陽極、第一發(fā)光單元、電荷生成層、第二發(fā)光單元及陰極；電荷生成層包括依次層疊的由銫鹽摻雜于第一金屬氧化物中形成的n型層、由電子傳輸材料形成的中間層及由第二金屬氧化物形成的p型層；銫鹽為磷酸銫、碳酸銫、氟化銫或氯化銫，第一金屬氧化物和第二金屬氧化物為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩，電子傳輸材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]或2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯(lián)苯基)-1,3,4-惡二唑。該器件的發(fā)光效率較高。
【專利說明】疊層有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電致發(fā)光【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種疊層有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]1987年，美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報道了有機電致發(fā)光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發(fā)光器件(0LED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，1V下亮度達到lOOOcd/m2，其發(fā)光效率為1.511m/W、壽命大于100小時。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。為了提高發(fā)光亮度和發(fā)光效率，越來越多的研究是以疊層器件為主，這種結(jié)構(gòu)通常是用電荷產(chǎn)生層作為連接層把數(shù)個發(fā)光單元串聯(lián)起來，與單元器件相比，疊層結(jié)構(gòu)器件往往具有成倍的電流效率和發(fā)光亮度。
[0004]目前研究的比較多的是利用兩種或兩種以上具有空穴注入或電子注入的材料作為電荷生成層(如Cs:BCP/V205)，或者是η型和P型摻雜層作為電荷產(chǎn)生層(如η型(Alq3 = Li)和P型(NPB = FeCl3)),或者是Al-WO3-Au等順序連接多個發(fā)光單元而構(gòu)成,但是普遍透過率較低，發(fā)光效率都較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的疊層有機電致發(fā)光器件。
[0006]進一步，提供一種疊層有機電致發(fā)光器件的制備方法。
[0007]—種疊層有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、第一發(fā)光單兀、電荷生成層、第二發(fā)光單元及陰極，所述第一發(fā)光單元包括依次層疊于所述陽極上的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層；所述第二發(fā)光單元包括依次層疊于所述電荷產(chǎn)生層上的第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層及電子注入層；所述電荷生成層包括依次層疊于所述第一發(fā)光單元上的η型層、中間層及P型層，所述η型層由銫鹽摻雜于第一金屬氧化物中形成；所述中間層由電子傳輸材料形成；所述P型層由第二金屬氧化物形成；其中，所述銫鹽為磷酸銫、碳酸銫、氟化銫或氯化銫，所述第一金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩，所述電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、2，9- 二甲基_4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氣雜菲、2，2’ - (I, 3-苯基)二 [5- (4-叔丁基苯基)-1, 3, 4-惡二唑]或2- (4’ -叔丁苯基)-5- (4’ -聯(lián)苯基)-1，3，4-惡二唑；所述第二金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鶴或五氧化二fL。
[0008]在其中一個實施例中，所述銫鹽與所述第一金屬氧化物的質(zhì)量比為2?5:10。[0009]在其中一個實施例中，所述η型層的厚度為5納米?20納米。
[0010]在其中一個實施例中，所述中間層的厚度為I納米?10納米。
[0011]在其中一個實施例中，所述P型層的厚度為5納米?30納米。
[0012]在其中一個實施例中，
[0013]所述空穴注入層由三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩形成；
[0014]所述第一空穴傳輸層由1，1-二 [4-[Ν, N' -二(ρ_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ -(1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺形成；
[0015]所述第一發(fā)光層由4- ( 二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4Η-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁形成；
[0016]所述第一電子傳輸層由4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑形成。
[0017]在其中一個實施例中，所述空穴注入層的厚度為20納米?80納米；所述第一空穴傳輸層的厚度為20納米?60納米；所述第一發(fā)光層的厚度為5納米?40納米；所述第一電子傳輸層的厚度為40納米?200納米。
[0018]在其中一個實施例中，
[0019]所述第二空穴傳輸層由1，1-二 [4-[Ν, N' -二(ρ_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ -(1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺形成；
[0020]所述第二發(fā)光層由4- ( 二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4Η-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁形成；
[0021]所述第二電子傳輸層由4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑形成；
[0022]所述電子注入層由碳酸銫、氟化銫、疊氮化銫或氟化鋰形成。
[0023]在其中一個實施例中，所述第二空穴傳輸層的厚度為20納米?60納米；所述第二發(fā)光層的厚度為5納米?40納米；所述第二電子傳輸層的厚度為40納米?200納米；所述電子注入層的厚度為0.5納米?10納米。
[0024]一種疊層有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0025]采用真空蒸鍍在陽極上依次形成空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層從而在所述陽極上形成第一發(fā)光單兀；
[0026]采用真空蒸鍍在所述第一發(fā)光單元上形成η型層，所述η型層由銫鹽摻雜于第一金屬氧化物中形成；
[0027]采用真空蒸鍍在所述η型層上形成中間層，所述中間層由電子傳輸材料形成；
[0028]采用真空蒸鍍在所述中間層上形成P型層，所述P型層由第二金屬氧化物形成，所述η型層、中間層和P型層依次層疊形成電荷產(chǎn)生層；其中，所述銫鹽為磷酸銫、碳酸銫、氟化銫或氯化銫，所述第一金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩，所述電子傳輸材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、2，2’ - (I, 3_ 苯基)二 [5_(4_ 叔丁 基苯基)-1，3, 4-惡二唑]或 2_(4’ _ 叔丁 苯基)-5_(4’ -聯(lián)苯基)-1，3，4-惡二唑，所述第二金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩；
[0029]采用真空蒸鍍在所述P型層上依次形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層及電子注入層從而在所述P型層上形成第二發(fā)光單元 '及
[0030]采用真空蒸鍍在所述第二發(fā)光單元上形成陰極，得到疊層有機電致發(fā)光器件。
[0031]上述疊層有機電致發(fā)光器件的電荷產(chǎn)生層包括依次層疊的η型層、中間層和P型層，η型層由銫鹽摻雜于雙極性的第一金屬氧化物中形成，可以降低電子注入勢壘，提高電子注入效率和電子傳輸效率，從而提高激子復(fù)合幾率；中間層由結(jié)晶性電子傳輸材料形成，可以進一步提高電子的再生能力，使空穴與電子數(shù)量匹配，P型層由第二金屬氧化物形成，能夠提高空穴的注入與傳輸，從而使得疊層有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1為一實施方式的疊層有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2為一實施方式的疊層有機電致發(fā)光器件的制備方法流程圖；
[0034]圖3為實施例1與對比例I的疊層有機電致發(fā)光器件的電壓與電流效率關(guān)系示意圖。
【具體實施方式】
[0035]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0036]請參閱圖1，一實施方式的疊層有機電致發(fā)光器件100，包括依次層疊的陽極10、第一發(fā)光單元20、電荷生成層30、第二發(fā)光單元40及陰極50。
[0037]陽極10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(IZO)0
[0038]第一發(fā)光單元20包括依次層疊于陽極10上的空穴注入層21、第一空穴傳輸層22、第一發(fā)光層23及第一電子傳輸層24。
[0039]空穴注入層21由三氧化鑰(Μο03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)形成，優(yōu)選由三氧化鑰(MoO3)形成。
[0040]空穴注入層21的厚度為20納米?80納米，優(yōu)選為40納米。
[0041]第一空穴傳輸層22由1，1-二 [4-[Ν, N' -二(ρ_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N’ _(1_ 萘基)_Ν，Ν’ -二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)形成。優(yōu)選由1，1- 二 [4-[Ν, N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)形成。
[0042]第一空穴傳輸層22的厚度為20納米?60納米，優(yōu)選為25納米。
[0043]第一發(fā)光層23由4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)_1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)形成，優(yōu)選由4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)形成。
[0044]第一發(fā)光層23的厚度為5納米~40納米，優(yōu)選為10納米。
[0045]第一電子傳輸層24由4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBi)形成，優(yōu)選由N-芳基苯并咪唑(TPBi)形成。
[0046]第一電子傳輸層24的厚度為40納米~200納米，優(yōu)選為100納米。
[0047]電荷產(chǎn)生層30包括依次層疊于第一發(fā)光單元20上的η型層31、中間層32及ρ型層33。
[0048]η型層31由銫鹽摻雜于第一金屬氧化物中形成。
[0049]銫鹽為磷酸銫(Cs3P04)、碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)或氯化銫(CsCl )。
[0050]第一金屬氧化物為三氧化鑰(MoO3)、三氧化鶴(WO3)或五氧化二f凡(V2O5X
[0051]這幾種金屬氧化物為雙極性金屬氧化物，銫鹽摻雜于雙極性金屬氧化物中形成的η型層31能夠降低電子注入勢壘，從而提高注入效率，也可提高電子的傳輸速率，使激子復(fù)合幾率得到提升。
[0052]優(yōu)選地，銫鹽與第一金屬氧化物的質(zhì)量比為2~5:10。
[0053]優(yōu)選地，η型層31的厚度為5納米~20納米。
[0054]中間層32由電子傳輸材料形成。電子傳輸材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、2，2’-(1,3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)_1，3, 4-惡二唑](0XD-7)或 2- (4’ -叔丁苯基)_5~ (4’ -聯(lián)苯基)-1, 3, 4-惡_.唑(PBD)。
[0055]這幾種電子傳輸材料為結(jié)晶性電子傳輸材料，其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度低于100°C,這幾種材料形成結(jié)晶后可對光進行散射，提高出光效率。
[0056]優(yōu)選地，中間層32的厚度為I納米~10納米。
[0057]P型層33由第二金屬氧化物形成。第二金屬氧化物為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)。
[0058]在同一疊層有機電致發(fā)光器件中，第一金屬氧化物和第二金屬氧化物可以相同也可以不同。
[0059]優(yōu)選地，ρ型層33的厚度為5納米~30納米。
[0060]第二發(fā)光單元40包括依次層疊于P型層33上的第二空穴傳輸層41、第二發(fā)光層42、第二電子傳輸層43及電子注入層44。
[0061]第二空穴傳輸層41由1，1-二 [4-[N, N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N’ _(1_ 萘基)_Ν，Ν’ -二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)形成。優(yōu)選由1，1- 二 [4-[Ν, N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)形成。
[0062]第二空穴傳輸層41的厚度為20納米~60納米，優(yōu)選為25納米。
[0063]第二發(fā)光層42由4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)_1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)形成，優(yōu)選由4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)形成。
[0064]第二發(fā)光層42的厚度為5納米~40納米，優(yōu)選為10納米。[0065]第二電子傳輸層43由4，7-二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBi)形成，優(yōu)選由N-芳基苯并咪唑(TPBi)形成。
[0066]第二電子傳輸層43的厚度為40納米?200納米，優(yōu)選為100納米。
[0067]電子注入層44由碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮化銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)形成，優(yōu)選由碳酸銫(Cs2CO3)形成。
[0068]電子注入層44的厚度為0.5納米?10納米，優(yōu)選為3納米。
[0069]陰極50由銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)形成，優(yōu)選由銀(Ag)形成。
[0070]陰極50的厚度為60納米?300納米，優(yōu)選為150納米。
[0071]上述疊層有機電致發(fā)光器件100通過電荷產(chǎn)生層30連接第一發(fā)光單元20和第二發(fā)光單元40，電荷產(chǎn)生層30包括依次層疊的η型層31、中間層32和ρ型層33，η型層31可以降低電子注入勢壘，提高電子注入效率和電子傳輸效率，從而提高激子復(fù)合幾率；中間層32可以進一步提高電子的再生能力，使空穴與電子數(shù)量匹配，ρ型層33由第二金屬氧化物形成，能夠提高空穴的注入與傳輸，從而使得疊層有機電致發(fā)光器件100的發(fā)光效率較高。
[0072]請參閱圖2，一實施方式的疊層有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0073]步驟SllO:采用真空蒸鍍在陽極上依次形成空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層從而在陽極上形成第一發(fā)光單兀。
[0074]提供陽極。陽極為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)。
[0075]將陽極依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除陽極表面的有機污染物，然后干燥，備用。
[0076]采用真空蒸鍍在潔凈、干燥的陽極上依次形成空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層而在陽極上形成第一發(fā)光單兀。
[0077]其中，空穴注入層由三氧化鑰(MoO3 )、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)形成，優(yōu)選由三氧化鑰(MoO3)形成。
[0078]空穴注入層的厚度為20納米?80納米，優(yōu)選為40納米。
[0079]第一空穴傳輸層由1，1-二 [4-[Ν, N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N’ _ (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)形成。優(yōu)選由1，1- 二 [4-[Ν, N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)形成。
[0080]第一空穴傳輸層的厚度為20納米?60納米，優(yōu)選為25納米。
[0081]第一發(fā)光層由4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)形成，優(yōu)選由4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)形成。
[0082]第一發(fā)光層的厚度為5納米?40納米，優(yōu)選為10納米。
[0083]第一電子傳輸層由4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBi)形成，優(yōu)選由N-芳基苯并咪唑(TPBi)形成。
[0084]第一電子傳輸層的厚度為40納米?200納米，優(yōu)選為100納米。
[0085]真空蒸鍍的壓力優(yōu)選為5 X KT3Pa?2X 10_4Pa。[0086]步驟S120:采用真空蒸鍍在第一發(fā)光單元上形成η型層。
[0087]η型層由銫鹽摻雜于第一金屬氧化物中形成。
[0088]銫鹽為磷酸銫(Cs3P04)、碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)或氯化銫(CsCl )。
[0089]第一金屬氧化物為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鶴(WO3)或五氧化二Ii(V2O5)。
[0090]優(yōu)選地，銫鹽與第一金屬氧化物的質(zhì)量比為2~5:10。
[0091]優(yōu)選地，η型層的厚度為5納米~20納米。
[0092]真空蒸鍍的壓力優(yōu)選為5 X KT3Pa~2Χ 10_4Pa。
[0093]步驟S130:采用真空蒸鍍在η型層上形成中間層。
[0094]中間層由電子傳輸材料形成。電子傳輸材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、2，2’-(1,3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)_1，3, 4-惡二唑](0XD-7)或 2- (4’ -叔丁苯基)_5~ (4’ -聯(lián)苯基)-1, 3, 4-惡_.唑(PBD)。
[0095]優(yōu)選地，中間層的厚度為I納米~10納米。 [0096]真空蒸鍍的壓力優(yōu)選為5 X KT3Pa~2X 10_4Pa。
[0097]步驟S140:采用真空蒸鍍在中間層上形成P型層，P型層由第二金屬氧化物形成，η型層、中間層和P型層依次層疊形成電荷產(chǎn)生層。
[0098]ρ型層由第二金屬氧化物形成。第二金屬氧化物為三氧化鑰(Μο03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)。
[0099]在同一疊層有機電致發(fā)光器件中，第一金屬氧化物和第二金屬氧化物可以相同也可以不同。
[0100]優(yōu)選地，P型層的厚度為5納米~30納米。
[0101]真空蒸鍍的壓力優(yōu)選為5Χ KT3Pa~2X10_4Pa。
[0102]步驟S150:采用真空蒸鍍在ρ型層上依次形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層及電子注入層從而在P型層上形成第二發(fā)光單元。
[0103]第二發(fā)光單元包括依次層疊于ρ型層上的第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層及電子注入層。
[0104]第二空穴傳輸層由1，1-二 [4-[N, N' -二(p_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N’ _ (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)形成。優(yōu)選由1，1- 二 [4-[Ν, N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)形成。
[0105]第二空穴傳輸層的厚度為20納米~60納米，優(yōu)選為25納米。
[0106]第二發(fā)光層由4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)形成，優(yōu)選由4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)形成。
[0107]第二發(fā)光層的厚度為5納米~40納米，優(yōu)選為10納米。
[0108]第二電子傳輸層由4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBi)形成，優(yōu)選由N-芳基苯并咪唑(TPBi)形成。
[0109]第二電子傳輸層的厚度為40納米~200納米，優(yōu)選為100納米。[0110]電子注入層由碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮化銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)形成，優(yōu)選由碳酸銫(Cs2CO3)形成。
[0111]電子注入層的厚度為0.5納米?10納米，優(yōu)選為3納米。
[0112]真空蒸鍍的壓力優(yōu)選為5X KT3Pa?2X10_4Pa。
[0113]步驟S160:采用真空蒸鍍在第二發(fā)光單元上形成陰極，得到疊層有機電致發(fā)光器件。
[0114]陰極由銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)形成，優(yōu)選由銀(Ag)形成。
[0115]陰極的厚度為60納米?300納米，優(yōu)選為150納米。
[0116]真空蒸鍍的壓力優(yōu)選為5X KT3Pa?2X10_4Pa。
[0117]上述疊層有機電致發(fā)光器件的制備方法工藝簡單，易于大規(guī)模制備。
[0118]以下為具體實施例。
[0119]實施例1
[0120]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs3PO4:Mo03/PBD/W03/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2CO3Ag的疊層有機電致發(fā)光器件的制備
[0121](I)提供陽極，陽極為銦錫氧化物玻璃，表示為ΙΤ0。將陽極依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除陽極表面的有機污染物，然后干燥，備用；
[0122](2)采用真空蒸鍍在陽極的表面上依次形成的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層，真空蒸鍍的壓力為5X10_3Pa;空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層依次層疊形成層疊于陽極上的第一發(fā)光單元；其中，空穴注入層由三氧化鑰形成，厚度為40納米；第一空穴傳輸層由1，1_ 二 [4-[N，N, -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷，厚度為25納米；第一發(fā)光層由4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯形成，厚度為10納米；第一電子傳輸層由N-芳基苯并咪唑形成，厚度為100納米；第一發(fā)光單元表示為Mo03/TAPC/BCzVBi/TPBi ；
[0123](3 )采用真空蒸鍍在第一電子傳輸層的表面上依次形成η型層、中間層和ρ型層，η型層、中間層和P型層依次層疊形成電荷產(chǎn)生層，真空蒸鍍的壓力為5X10_3Pa。其中，η型層由磷酸銫摻雜于三氧化鑰中形成，表示為Cs3P04:Mo03，Cs3PO4與MoO3的質(zhì)量比為3:10，η型層的厚度為7納米；中間層由2- (4’ -叔丁苯基)-5- (4’ -聯(lián)苯基)-1，3，4-惡二唑形成，中間層的厚度為2納米；ρ型層由三氧化鎢形成，ρ型層的厚度為20納米，電荷產(chǎn)生層表示為 Cs3PO4:Mo03/PBD/W03 ；
[0124](4)采用真空蒸鍍在ρ型層的表面上依次層疊形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層，真空蒸鍍的壓力為5X KT3Pa ;第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層依次層疊形成層疊于電荷產(chǎn)生層上的第二發(fā)光單兀；其中，第二空穴傳輸層由1，1_ 二 [4-[N，N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷形成，厚度為25納米；第二發(fā)光層由4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯形成，厚度為10納米；第二電子傳輸層由N-芳基苯并咪唑形成，厚度為100納米；電子注入層由碳酸銫形成，電子注入層的厚度為3納米；第二發(fā)光單元表示為TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2C03 ；
[0125](5)采用真空蒸鍍在電子注入層的表面上形成陰極，真空蒸鍍的壓力為5X10_3Pa;陰極由銀形成，陰極的厚度為150納米。
[0126]依次的層疊陽極、第一發(fā)光單元、電荷發(fā)生層、第二發(fā)光單元和陰極形成的結(jié)構(gòu)為:
[0127]ITO/M0O3/TAPC/BCZ VB i /TPB i /Cs3PO4: Mo03/PBD/W03/TAPC/BCz VB i /TPB i /Cs2CO3Ag的疊層有機電致發(fā)光器件；其中，斜桿“/”表不層狀結(jié)構(gòu)，Cs3PO4 = MoO3中的冒號“:”表不摻雜混合，下同。
[0128]實施例2
[0129]結(jié)構(gòu)為AZ0/V205/TCTA/Alq3/TAZ/CsF:V205/Bphen/Mo03/NPB/Alq3/Bphen/CsN3/Pt的疊層有機電致發(fā)光器件的制備
[0130](I)提供陽極，陽極為鋁鋅氧化物玻璃，表示為ΙΤ0。將陽極依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除陽極表面的有機污染物，然后干燥，備用；
[0131](2)采用真空蒸鍍在陽極的表面上依次形成的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層，真空蒸鍍的壓力為2X10_4Pa;空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層依次層疊形成層疊于陽極上的第一發(fā)光單元；其中，空穴注入層由五氧化二釩形成，厚度為40納米；第一空穴傳輸層由1，1-二 [4-[N，f -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷，厚度為80納米；第一發(fā)光層由8-羥基喹啉鋁形成，厚度為5納米；第一電子傳輸層由1，2，4-三唑衍生物形成,厚度為40納米；第一發(fā)光單兀表不為V2O5/TCTA/Alq3/TAZ ；
[0132](3)采用真空蒸鍍在第一電子傳輸層的表面上依次形成η型層、中間層和P型層，η型層、中間層和ρ型層依次層疊形成電荷產(chǎn)生層，真空蒸鍍的壓力為2X10_4Pa。其中，η型層由氟化銫摻雜于五氧化二釩中形成，表示為CsF: V2O5, CsF與V2O5的質(zhì)量比為2:10，η型層的厚度為5納米；中 間層由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉形成，中間層的厚度為I納米；P型層由三氧化鑰形成，P型層的厚度為30納米，電荷產(chǎn)生層表示為CsF:V205/Bphen/MO03 ；
[0133](4)采用真空蒸鍍在ρ型層的表面上依次層疊形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層，真空蒸鍍的壓力為2X 10_4Pa;第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層依次層疊形成層疊于電荷產(chǎn)生層上的第二發(fā)光單兀；其中，第二空穴傳輸層由N，N’ - (1-萘基)_隊^ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺形成，厚度為20納米；第二發(fā)光層由8-羥基喹啉鋁形成，厚度為40納米；第二電子傳輸層由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉形成，厚度為200納米；電子注入層由疊氮化銫形成，電子注入層的厚度為0.5納米；第二發(fā)光單元表示為NPB/Alq3/Bphen/CsN3 ；
[0134](5)采用真空蒸鍍在電子注入層的表面上形成陰極，真空蒸鍍的壓力為2X10_4Pa;陰極由鉬形成，陰極的厚度為60納米。
[0135]依次的層疊陽極、第一發(fā)光單元、電荷發(fā)生層、第二發(fā)光單元和陰極形成的結(jié)構(gòu)為AZ0/V205/TCTA/Alq3/TAZ/CsF:V205/Bphen/Mo03/NPB/Alq3/Bphen//CsN3/Pt 的疊層有機電致發(fā)光器件。
[0136]實施例3
[0137]結(jié)構(gòu)為IT0/W03/TAPC/DCJTB/TAZ/Cs3P04:TO3/BCP/Mo03/NBP/DCJTB/TAZ/CsF/A1 的疊層有機電致發(fā)光器件的制備
[0138](I)提供陽極，陽極為銦錫氧化物玻璃，表示為ΙΤ0。將陽極依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除陽極表面的有機污染物，然后干燥，備用；
[0139](2)采用真空蒸鍍在陽極的表面上依次形成的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層，真空蒸鍍的壓力為3X10_4Pa;空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層依次層疊形成層疊于陽極上的第一發(fā)光單元；其中，空穴注入層由三氧化鎢形成，厚度為20納米；第一空穴傳輸層由1，1-二 [4-[N，N' -二 (ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷，厚度為30納米；第一發(fā)光層由4-(二腈甲基)-2- 丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃形成，厚度為10納米；第一電子傳輸層由1，2，4-三唑衍生物形成，厚度為200納米；第一發(fā)光單元表示為WO/TAPC/DCJTB/TAZ ；
[0140](3 )采用真空蒸鍍在第一電子傳輸層的表面上依次形成η型層、中間層和ρ型層，η型層、中間層和P型層依次層疊形成電荷產(chǎn)生層，真空蒸鍍的壓力為3X10_4Pa。其中，η型層由磷酸銫摻雜于三氧化鎢中形成，表示為Cs3PO4:W03，Cs3PO4與WO3的質(zhì)量比為5:10，η型層的厚度為20納米；中間層由2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲形成，中間層的厚度為5納米；ρ型層由三氧化鑰形成，ρ型層的厚度為5納米，電荷產(chǎn)生層表示為Cs3PO4 = WO3/BCP/Mo03；
[0141](4)采用真空蒸鍍在ρ型層的表面上依次層疊形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層，真空蒸鍍的壓力為3X 10_4Pa;第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層依次層疊形成層疊于電荷產(chǎn)生層上的第二發(fā)光單兀；其中，第二空穴傳輸層由N，N’ - (1-萘基)_隊^ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺形成，厚度為60納米；第二發(fā)光層由4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃形成，厚度為5納米；第二電子傳輸層由1，2，4-三唑衍生物形成，厚度為40納米；電子注入層由氟化銫形成，電子注入層的厚度為10納米；第二發(fā)光單元表示為NBP/DCJTB/TAZ/CsF ；
[0142](5)采用真空蒸鍍在電子注入層的表面上形成陰極，真空蒸鍍的壓力為3X10_4Pa;陰極由鋁形成，陰極的厚度為300納米。
[0143]依次的層疊陽極、第一發(fā)光單元、電荷發(fā)生層、第二發(fā)光單元和陰極形成的結(jié)構(gòu)為IT0/W03/TAPC/DC JTB/TAZ/Cs3P04: W03/BCP/Mo03/NBP/DCJTB/TAZ/CsF/A1 的疊層有機電致發(fā)光器件。
[0144]實施例4
[0145]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/NPB/ADN/Bphen/CsCl: Mo03/0XD_7/TO3/NBP/ADN/TAZ/LiF/Au 的疊層有機電致發(fā)光器件的制備[0146](I)提供陽極，陽極為銦錫氧化物玻璃，表示為ΙΤ0。將陽極依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除陽極表面的有機污染物，然后干燥，備用；
[0147](2)采用真空蒸鍍在陽極的表面上依次形成的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層，真空蒸鍍的壓力為4X 10_4Pa;空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層依次層疊形成層疊于陽極上的第一發(fā)光單元；其中，空穴注入層由三氧化鑰形成，厚度為30納米；第一空穴傳輸層由N，N’ - (1-萘基)-隊^-二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺，厚度為50納米；第一發(fā)光層由9，10- 二 - β -亞萘基蒽形成，厚度為8納米；第一電子傳輸層由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉形成，厚度為40納米；第一發(fā)光單元表示為 Mo03/NPB/ADN/Bphen ；
[0148](3 )采用真空蒸鍍在第一電子傳輸層的表面上依次形成η型層、中間層和ρ型層，η型層、中間層和P型層依次層疊形成電荷產(chǎn)生層，真空蒸鍍的壓力為4 X 1-4Pa0其中，η型層由氯化銫摻雜于三氧化鑰中形成，表示為CsCl:MoO3,CsCl占MoO3的質(zhì)量百分比為3.5:10，η型層的厚度為15納米；中間層由2，2’-(1，3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-惡二唑]形成，中間層的厚度為8納米；ρ型層由三氧化鎢形成，ρ型層的厚度為12納米，電荷產(chǎn)生層表示為 CsC1:Mo03/0XD-7/W03 ；
[0149](4)采用真空蒸鍍在ρ型層的表面上依次層疊形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層，真空蒸鍍的壓力為4X 10_4Pa;第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層依次層疊形成層疊于電荷產(chǎn)生層上的第二發(fā)光單兀；其中，第二空穴傳輸層由N，N’ - (1-萘基)_隊^ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺形成，厚度為50納米；第二發(fā)光層由9，10- 二 - β -亞萘基蒽形成，厚度為7納米；第二電子傳輸層由1，2，4-三唑衍生物形成，厚度為40納米；電子注入層由氟化鋰形成，電子注入層的厚度為0.7納米；第二發(fā)光單元表示為NBP/ADN/TAZ/LiF ；
[0150](5)采用真空蒸鍍在電子注入層的表面上形成陰極，真空蒸鍍的壓力為4X10_4Pa;陰極由金形成，陰極的厚度為180納米。
[0151]依次的層疊陽極、第一發(fā)光單元、電荷發(fā)生層、第二發(fā)光單元和陰極形成的結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/NPB/ADN/Bphen/CsCl:Mo03/0XD-7/W03/NBP/ADN/TAZ/LiF/Au 的疊層有機電致發(fā)光器件。
[0152]對比例I
[0153]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/TAPC/BCzVBi/TPBi/Al/W03/Au/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2C03/Ag 的疊層有機電致發(fā)光器件的制備
[0154](I)提供陽極，陽極為銦錫氧化物玻璃，表示為ΙΤ0。將陽極依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15分鐘，去除陽極表面的有機污染物，然后干燥，備用；
[0155](2)采用真空蒸鍍在陽極的表面上依次形成的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層，真空蒸鍍的壓力為5X10_3Pa;空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層依次層疊形成層疊于陽極上的第一發(fā)光單元；其中，空穴注入層由三氧化鑰形成，厚度為40納米；第一空穴傳輸層由1，1_ 二 [4-[N，N, -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷，厚度為25納米；第一發(fā)光層由4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯形成，厚度為10納米；第一電子傳輸層由N-芳基苯并咪唑形成，厚度為100納米；第一發(fā)光單元表示為Mo03/TAPC/BCzVBi/TPBi ；
[0156](3)采用真空蒸鍍在第一電子傳輸層的表面上依次形成鋁層、三氧化鎢層和金層，真空蒸鍍的壓力為5X 10_3Pa ;鋁層、三氧化鎢層和金層層疊形成電荷產(chǎn)生層，表示為Al/WO3Au,電荷產(chǎn)生層的厚度為29納米；
[0157](4)采用真空蒸鍍在電荷產(chǎn)生層的表面上依次層疊形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層，真空蒸鍍的壓力為5X KT3Pa ;第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層依次層疊形成層疊于電荷產(chǎn)生層上的第二發(fā)光單元；其中，第二空穴傳輸層由1，1_ 二 [4_[N，N' - 二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷形成，厚度為25納米；第二發(fā)光層由4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯形成，厚度為10納米；第二電子傳輸層由N-芳基苯并咪唑形成，厚度為100納米；電子注入層由碳酸銫形成，電子注入層的厚度為3納米；第二發(fā)光單元表示為TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2C03 ；
[0158] (5)采用真空蒸鍍在電子注入層的表面上形成陰極，真空蒸鍍的壓力為5X10_3Pa;陰極由銀形成，陰極的厚度為150納米。
[0159]依次的層疊陽極、第一發(fā)光單元、電荷發(fā)生層、第二發(fā)光單元和陰極形成的結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/TAPC/BCzVBi/TPBi/Al/W03/Au/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2CO3Ag 的疊層有機電致發(fā)光器件。
[0160]上述實施例1?4及對比例I的疊層有機電致發(fā)光器件采用高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)進行制備。
[0161]采用美國吉時利公司的Keithley2400測試實施例1和對比例I的疊層有機電致發(fā)光器件的電學(xué)性能，測試結(jié)構(gòu)如圖3所示，其中，曲線I為實施例1的疊層有機電致發(fā)光器件的電壓與電流效率的關(guān)系示意圖；曲線2為對比例I的疊層有機電致發(fā)光器件的電壓與電流效率的關(guān)系不意圖。
[0162]從圖3可看出，在不同亮度下，實施例1的疊層有機電致發(fā)光器件的流明效率都比對比例I的要大，實施例1最大的流明效率為7.51m/W，而對比例I的僅為4.21m/W，而且對比例I的流明效率隨著亮度的增大而快速下降，這說明，實施例1的疊層有機電致發(fā)光器件的電荷產(chǎn)生層可以進一步提高電子的再生能力，使空穴與電子數(shù)量匹配，提高空穴的注入與傳輸，極大的提高發(fā)光效率。
[0163]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【權(quán)利要求】
1.一種疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極、第一發(fā)光單兀、電荷生成層、第二發(fā)光單元及陰極，所述第一發(fā)光單元包括依次層疊于所述陽極上的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層；所述第二發(fā)光單兀包括依次層疊于所述電荷產(chǎn)生層上的第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層及電子注入層；所述電荷生成層包括依次層疊于所述第一發(fā)光單元上的η型層、中間層及P型層，所述η型層由銫鹽摻雜于第一金屬氧化物中形成；所述中間層由電子傳輸材料形成；所述P型層由第二金屬氧化物形成；其中，所述銫鹽為磷酸銫、碳酸銫、氟化銫或氯化銫，所述第一金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩，所述電子傳輸材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、2，2’-(1,3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1, 3，4-惡二唑]或2- (4’ -叔丁苯基)-5- (4’ -聯(lián)苯基)-1, 3，4-惡二唑；所述第二金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述銫鹽與所述第一金屬氧化物的質(zhì)量比為2~5:10。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述η型層的厚度為5納米~20納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述中間層的厚度為I納米~10納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述P型層的厚度為5納米~30納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于， 所述空穴注入層由三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩形成； 所述第一空穴傳輸層由1，1-二 [4-[Ν，Ν, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、.4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ _(1-萘基)-隊^ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺形成； 所述第一發(fā)光層由4-( 二腈甲基)-2- 丁基-6-(1，I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁形成； 所述第一電子傳輸層由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的厚度為20納米~80納米；所述第一空穴傳輸層的厚度為20納米~60納米；所述第一發(fā)光層的厚度為5納米~40納米；所述第一電子傳輸層的厚度為40納米~200納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于， 所述第二空穴傳輸層由1，1-二 [4-[Ν，Ν, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、.4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ _(1-萘基)-隊^ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺形成； 所述第二發(fā)光層由4-( 二腈甲基)-2- 丁基-6-(1，I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁形成；所述第二電子傳輸層由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑形成； 所述電子注入層由碳酸銫、氟化銫、疊氮化銫或氟化鋰形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的疊層有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二空穴傳輸層的厚度為20納米~60納米；所述第二發(fā)光層的厚度為5納米~40納米；所述第二電子傳輸層的厚度為40納米~200納米；所述電子注入層的厚度為0.5納米~10納米。
10.一種權(quán)利要求1所述的疊層有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 采用真空蒸鍍在陽極上依次形成空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層從而在所述陽極上形成第一發(fā)光單元； 采用真空蒸鍍在所述第一發(fā)光單元上形成η型層，所述η型層由銫鹽摻雜于第一金屬氧化物中形成； 采用真空蒸鍍在所述η型層上形成中間層，所述中間層由電子傳輸材料形成； 采用真空蒸鍍在所述中間層上形成P型層，所述P型層由第二金屬氧化物形成，所述η型層、中間層和P型層依次層疊形成電荷產(chǎn)生層；其中，所述銫鹽為磷酸銫、碳酸銫、氟化銫或氯化銫，所述第一金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩，所述電子傳輸材料為.4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、2，2’ -(1，3-苯基)二 [5- (4-叔丁基苯 基)-1, 3，4-惡二唑]或2- (4’ -叔丁苯基)-5- (4’ -聯(lián)苯基)-1, 3，4-惡二唑，所述第二金屬 氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩； 采用真空蒸鍍在所述P型層上依次形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層及電子注入層從而在所述P型層上形成第二發(fā)光單元 '及 采用真空蒸鍍在所述第二發(fā)光單元上形成陰極，得到疊層有機電致發(fā)光器件。
【文檔編號】H01L51/52GK104037349SQ201310071827
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2013年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月6日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 張振華 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司