具有多單元陣列的半導(dǎo)體發(fā)光器件相關(guān)申請的交叉引用本申請要求分別于2012年3月6日和2012年5月21日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2012-0022890號和第10-2012-0053550號的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用并入本文。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件，更具體地，涉及具有其中排列有多個(gè)發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光器件。

背景技術(shù)：
通常，在光輸出、發(fā)光效率和可靠性發(fā)明，半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED）是有用的光源。因此，已經(jīng)積極展開了對不僅在顯示裝置的背光單元而且在各種照明設(shè)備中用作高輸出高效率光源的LED的開發(fā)的研究。當(dāng)對半導(dǎo)體LED施加電流時(shí)由于在p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體之間的p-n結(jié)處產(chǎn)生電子-空穴復(fù)合而引起半導(dǎo)體LED發(fā)光。與傳統(tǒng)光源相比，這些LED能夠在低壓和低電流下持續(xù)發(fā)光，因此，其甚至可以以低功耗實(shí)現(xiàn)高效率。作為這種LED的示例，GaN基LED是已知技術(shù)。在GaN基LED中，由GaN基半導(dǎo)體形成的n型半導(dǎo)體層、有源層（或發(fā)光層）、p型半導(dǎo)體層按順序形成在由藍(lán)寶石、硅樹脂等形成的襯底上。通常，有源半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層的一部分通過刻蝕工藝被去除，使得n型半導(dǎo)體層的一部分向外暴露。透明電極層形成在p型半導(dǎo)體層的上表面上，并且電極焊盤形成在該透明電極層上。而且，另一個(gè)電極焊盤形成在n型半導(dǎo)體層的暴露部分上。當(dāng)電流施加到電極焊盤時(shí)，電流從一個(gè)電極焊盤通過p型半導(dǎo)體層、有源半導(dǎo)體層、和n型半導(dǎo)體層，流向形成在n型半導(dǎo)體層上的另一個(gè)電極焊盤。這里，在透明電極層與其下面形成的半導(dǎo)體層之間可能存在晶體結(jié)構(gòu)缺陷，并且這些缺陷會使在LED的各個(gè)層中的電流擴(kuò)散惡化。此外，由于在p型和n型電極之間的多個(gè)電流通路當(dāng)中存在導(dǎo)電電阻率值方面的差異，因此很難實(shí)現(xiàn)均勻電流擴(kuò)散。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種具有改進(jìn)的電流擴(kuò)散效果的半導(dǎo)體發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：襯底；多單元陣列，其包括布置在所述襯底的上表面上的多個(gè)發(fā)光單元，每個(gè)發(fā)光單元具有形成在所述襯底的上表面上的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層、和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，其形成在每個(gè)發(fā)光單元中并且具有相反極性；多個(gè)互連單元，其將形成在一個(gè)發(fā)光單元中的多個(gè)第一電極串聯(lián)連接到形成在相鄰發(fā)光單元中的多個(gè)第二電極；以及絕緣層，其形成在各發(fā)光單元的表面上以便防止所述多個(gè)互連單元與各發(fā)光單元的不期望區(qū)域進(jìn)行連接。該半導(dǎo)體發(fā)光器件還可以包括：第一連接單元，其連接到位于包括串聯(lián)連接的多個(gè)發(fā)光單元的所述多單元陣列的一端處的發(fā)光單元的各第一電極；以及第二連接單元，其連接到位于包括串聯(lián)連接的多個(gè)發(fā)光單元的所述多單元陣列的另一端處的發(fā)光單元的各第二電極。所述多個(gè)發(fā)光單元可以排列成多個(gè)列，每列具有兩個(gè)或更多的發(fā)光單元，并且所述互連單元可以包括第三連接單元，所述第三連接單元將位于各個(gè)列的一端處的各互連單元在行方向上彼此連接。所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極可以彼此面對地排列。所述發(fā)光單元中形成的第一電極的數(shù)量可以等于相鄰發(fā)光單元中形成的第二電極的數(shù)量。所述發(fā)光單元中形成的所述多個(gè)第一電極可以按規(guī)則間隔排列。所述發(fā)光單元中形成的所述多個(gè)第二電極可以按規(guī)則間隔排列。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：襯底；多單元陣列，其包括布置在所述襯底的上表面上的多個(gè)發(fā)光單元，每個(gè)發(fā)光單元具有形成在所述襯底的上表面上的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層、和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，其形成在每個(gè)發(fā)光單元中并且具有相反極性；多個(gè)第一連接單元，每個(gè)第一連接單元分別連接在每個(gè)發(fā)光單元中形成的所述多個(gè)第一電極；多個(gè)第二連接單元，每個(gè)第二連接單元分別連接在每個(gè)發(fā)光單元中形成的所述多個(gè)第二電極；多個(gè)互連單元，其串聯(lián)連接所述第一連接單元和所述第二連接單元；以及絕緣層，其形成在各發(fā)光單元的表面上以便防止所述多個(gè)互連單元與各發(fā)光單元的不期望區(qū)域進(jìn)行連接。所述多個(gè)發(fā)光單元可以排列成多個(gè)列，每列具有兩個(gè)或更多的發(fā)光單元，并且所述互連單元可以包括連接線，所述連接線將位于各個(gè)列的一端處的各互連單元在行方向上彼此連接。所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極可以彼此面對地排列。該半導(dǎo)體發(fā)光器件還可以包括：至少一個(gè)第一接合焊盤，其連接到一個(gè)第一連接單元，該第一連接單元連接位于包括串聯(lián)連接的多個(gè)發(fā)光單元的所述多單元陣列的一端處的發(fā)光單元的各第一電極；以及至少一個(gè)第二接合焊盤，其連接到一個(gè)第二連接單元，所述一個(gè)第二連接單元連接位于包括串聯(lián)連接的多個(gè)發(fā)光單元的所述多單元陣列的另一端處的發(fā)光單元的各第二電極。所述發(fā)光單元中形成的第一電極的數(shù)量可以等于相鄰發(fā)光單元中形成的第二電極的數(shù)量。所述發(fā)光單元中形成的所述多個(gè)第一電極可以按規(guī)則間隔排列。所述發(fā)光單元中形成的所述多個(gè)第二電極可以按規(guī)則間隔排列。所述多個(gè)發(fā)光單元可以按單行或單列排列。附圖說明通過以下與附圖結(jié)合進(jìn)行的詳細(xì)描述可以更清楚地理解本發(fā)明的上述和其他方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn)，附圖中：圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有多單元陣列的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖；圖2是在圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件中實(shí)現(xiàn)的多單元陣列的等效電路圖；圖3是示出在圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件中的各單元之間的連接的沿A-A'線截取的剖面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的具有多單元陣列的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖；圖5是示出在圖4的半導(dǎo)體發(fā)光器件中的各單元之間的連接的沿B-B'線截取的剖面圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的具有多單元陣列的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖；圖7是在圖6的半導(dǎo)體發(fā)光器件中實(shí)現(xiàn)的多單元陣列的等效電路圖；以及圖8是示出在圖7的半導(dǎo)體發(fā)光器件中的各單元之間的連接的沿D-D'線截取的剖面圖。具體實(shí)施方式將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同形式實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)理解為限于本文中闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開是徹底和全面的，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見各元件的形狀和尺寸可能被夸大，并且相同的附圖標(biāo)記自始至終用于指定相同或相似的元件。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有多單元陣列的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖，圖2是在圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件中實(shí)現(xiàn)的多單元陣列的等效電路圖。圖3是示出在圖1的半導(dǎo)體發(fā)光器件中的各單元之間的連接的沿A-A'線截取的剖面圖。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件10可以包括襯底11和在襯底11的上表面上以3×2陣列排列的多個(gè)發(fā)光單元C1至C6。術(shù)語“發(fā)光單元”指的是包括區(qū)別于不同單元的有源層在內(nèi)的多層半導(dǎo)體薄膜。如圖3所示，可以通過對多層半導(dǎo)體薄膜12進(jìn)行分割來獲得多個(gè)發(fā)光單元C1至C6，每個(gè)發(fā)光單元具有按順序形成在襯底11的上表面上的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層12a、有源層12c、和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層12b。本實(shí)施例中的單元分割工藝被示例為完全分割工藝（隔離工藝），其中將多層半導(dǎo)體薄膜12的各部分完全去除從而暴露襯底11的表面的。此外，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層12a可以具有通過部分分割工藝（臺面刻蝕工藝）暴露的部分。即，如圖1和圖3所示，每個(gè)發(fā)光單元C可以具有其中第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層12a通過臺面刻蝕工藝被部分地暴露的暴露部分。透明電極13可以形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層12b的上表面上。這里，透明電極13可以由諸如ITO、ZnO之類的透明導(dǎo)電材料形成。在每個(gè)發(fā)光單元中，第一電極14a和第二電極14b可以形成為分別連接到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層12a和透明電極13。根據(jù)本實(shí)施例，為了促進(jìn)電流擴(kuò)散，每個(gè)發(fā)光單元可以具有在縱向方向上排列的多個(gè)第一電極14a和多個(gè)第二電極14b。這里，形成在每個(gè)發(fā)光單元中的多個(gè)第一電極14a可以按規(guī)則間隔直線地排列。此外，形成在每個(gè)發(fā)光單元中的多個(gè)第二電極14b可以按規(guī)則間隔直線地排列。另外，形成在每個(gè)發(fā)光單元中的多個(gè)第一電極14a和多個(gè)第二電極14b可以彼此面對地排列。如圖2所示的等效電路圖那樣，本實(shí)施例中采用的各發(fā)光單元可以按直線方式彼此串聯(lián)連接。針對這樣的串聯(lián)連接，可以在相鄰發(fā)光單元之間形成多個(gè)互連單元16，使得多個(gè)互連單元16可以在相鄰發(fā)光單元的具有相反極性的各電極之間進(jìn)行連接。即，如圖1所示，多個(gè)互連單元16可以允許相鄰發(fā)光單元C1、C2、C3的具有相反極性的多個(gè)電極彼此互連，從而實(shí)現(xiàn)串聯(lián)連接。具體地，如圖1所示，使用多個(gè)互連單元16可以將發(fā)光單元C1的第一電極14a連接到相鄰發(fā)光單元C2的第二電極14b。而且，如圖所示，為了使電極連接容易，在各發(fā)光單元中形成的具有相反極性的各電極可以彼此面對地排列。而且，可以在發(fā)光單元的表面上形成絕緣層15，以便防止互連單元16與發(fā)光單元的不期望的部分進(jìn)行連接。如圖所示，絕緣層15可以用作幾乎完全覆蓋各個(gè)發(fā)光單元的鈍化層。然而，在圖1中沒有示出絕緣層15，以便清楚地示出發(fā)光單元中的多個(gè)電極、互連單元、以及透明電極之間的位置關(guān)系。位于其中各發(fā)光單元以直線方式彼此串聯(lián)連接的多單元陣列的兩端處的發(fā)光單元C6和C1可以分別擁有第一接合焊盤19a和第二接合焊盤19b，以便連接到具有對應(yīng)極性的電極。具體地，位于多單元陣列的兩端處的發(fā)光單元C6和C1的多個(gè)電極可以通過第一連接單元18a和第二連接單元18b分別連接到第一接合焊盤19a和第二接合焊盤19b。如圖1所示，可以將第一接合焊盤19a和第二接合焊盤19b分別定位為代替位于多單元陣列的兩端處的發(fā)光單元C6和C1中的至少一個(gè)第一電極和至少一個(gè)第二電極。雖然沒有示出，但在位于多單元陣列的兩端處的發(fā)光單元C6和C1中形成的第一電極和第二電極可以按彼此相同的數(shù)量被提供并且彼此面對地布置，并且第一接合焊盤19a和第二接合焊盤19b可以位于多單元陣列的與布置了第一電極和第二電極的行不同的另一個(gè)行中，使得可以使用第一連接單元18a和第二連接單元18b將第一接合焊盤19a和第二接合焊盤19b分別連接到第一電極和第二電極。這里，第一接合焊盤19a和第二接合焊盤19b可以由與第一連接單元18a和第二連接單元18b以及互連單元16的金屬不同的金屬來形成。例如，第一接合焊盤19a和第二接合焊盤19b可以由Cr/Au金屬層形成，而用于布線連接的第一連接單元18a和第二連接單元18b以及互連單元16可以由具有較高反射率和電導(dǎo)率的諸如Al、Ag等金屬形成。作為替代，第一接合焊盤19a和第二接合焊盤19b、第一連接單元18a和第二連接單元18b、以及互連單元16可以通過單個(gè)金屬圖案形成工藝來形成。即，第一接合焊盤19a和第二接合焊盤19b、第一連接單元18a和第二連接單元18b、以及互連單元16可以由相同金屬構(gòu)成。例如，為此可以使用Cr/Au。在多個(gè)發(fā)光單元C1至C6當(dāng)中位于多單元陣列的各個(gè)列的末端處的發(fā)光單元C3和C4可以通過第三連接單元18c彼此連接，第三連接單元18c在行方向上將發(fā)光單元C3的互連單元16連接到發(fā)光單元C4的互連單元16。以此方式，當(dāng)在各個(gè)發(fā)光單元中形成多個(gè)電極時(shí)，可以改進(jìn)電流擴(kuò)散效果。因此，可以提高發(fā)光器件的發(fā)光效率和可靠性。不像上述的在發(fā)光單元的多個(gè)電極和與其相鄰的發(fā)光單元的多個(gè)電極之間直接串聯(lián)連接那樣，半導(dǎo)體發(fā)光器件可以具有下述串聯(lián)連接：形成在一個(gè)發(fā)光單元中的具有相同極性的多個(gè)電極通過第一連接單元48a連接，形成在相鄰發(fā)光單元中的具有相反極性的多個(gè)電極通過第二連接單元48b連接，并且第一連接單元48a和第二連接單元48b通過互連單元46連接。將參照圖4和圖5來描述這樣的結(jié)構(gòu)。圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的具有多單元陣列的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖，并且圖5是示出在圖4的半導(dǎo)體發(fā)光器件中的各單元之間的連接的沿B-B'線截取的剖面圖。如圖4和圖5所示，在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件40中，可以通過分割多層半導(dǎo)體薄膜42來獲得多個(gè)發(fā)光單元C1至C6，每個(gè)發(fā)光單元具有按順序形成在襯底41的上表面上的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層42a、有源層42c、以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層42b。本實(shí)施例中使用的單元分割工藝可以按這樣的方式對多層半導(dǎo)體薄膜42進(jìn)行，即，使得通過臺面刻蝕工藝來暴露第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層42a。在本實(shí)施例中，第一電極44a和第二電極44b可以形成在每個(gè)發(fā)光單元中以分別連接到暴露的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層42a和透明電極43。此外，如圖4所示，可以形成第一連接單元48a和第二連接單元48b以使得在形成在各個(gè)發(fā)光單元中的多個(gè)電極當(dāng)中具有相同極性的電極能夠彼此連接。發(fā)光單元C1的第一連接單元48a可以通過互連單元46連接到相鄰發(fā)光單元C2的第二連接單元48b。互連單元46可以用于形成在相鄰發(fā)光單元C1、C2和C3中的具有相反極性的第一連接單元48a與第二連接單元48b之間的串聯(lián)連接，并且使得形成在各個(gè)發(fā)光單元中的多個(gè)電極能夠彼此互連。具體地，如圖4所示，可以使用互連單元46將發(fā)光單元C1的第一連接單元48a連接到相鄰發(fā)光單元C2的第二連接單元48b。而且，可以在發(fā)光單元的表面上形成絕緣層45，以便防止第一連接單元48a和第二連接單元48b以及互連單元46與發(fā)光單元的不期望區(qū)域連接。然而，在圖4中沒有示出絕緣層45，以便清楚地示出發(fā)光單元中的多個(gè)電極、互連單元、以及透明電極的位置關(guān)系。位于其中各發(fā)光單元以直線方式彼此串聯(lián)連接的多單元陣列的兩端處的發(fā)光單元C6和C1可以分別擁有第一接合焊盤49a和第二接合焊盤49b，以便連接到具有對應(yīng)極性的電極。具體地，位于多單元陣列的兩端處的發(fā)光單元C6和C1的多個(gè)電極可以通過第一連接單元48a和第二連接單元48b分別連接到第一接合焊盤49a和第二接合焊盤49b。如圖4所示，可以將第一接合焊盤49a和第二接合焊盤49b分別定位為代替位于多單元陣列的兩端處的發(fā)光單元C6和C1中的至少一個(gè)第一電極和至少一個(gè)第二電極。雖然沒有示出，但在位于多單元陣列的兩端處的發(fā)光單元C6和C1中形成的第一電極和第二電極可以按彼此相同的數(shù)量被提供并且彼此面對地布置，并且第一接合焊盤49a和第二接合焊盤49b可以位于多單元陣列的與布置了第一電極和第二電極的行不同的另一個(gè)行中，使得可以使用第一連接單元48a和第二連接單元48b將第一接合焊盤49a和第二接合焊盤49b分別連接到第一電極和第二電極。這里，第一接合焊盤49a和第二接合焊盤49b可以由與第一連接單元48a和第二連接單元48b以及互連單元46的金屬不同的金屬來形成。例如，第一接合焊盤49a和第二接合焊盤49b可以由Cr/Au金屬層形成，而用于布線連接的第一連接單元48a和第二連接單元48b以及互連單元46可以由具有較高反射率和電導(dǎo)率的諸如Al、Ag等金屬形成。作為替代，第一接合焊盤49a和第二接合焊盤49b、第一連接單元48a和第二連接單元48b、以及互連單元46可以通過單個(gè)金屬圖案形成工藝來形成。即，第一接合焊盤49a和第二接合焊盤49b、第一連接單元48a和第二連接單元48b、以及互連單元46可以由相同金屬形成。例如，為此可以使用Cr/Au。在多個(gè)發(fā)光單元C1至C6當(dāng)中位于多單元陣列的各個(gè)列的末端處的發(fā)光單元C3和C4可以通過連接線50彼此互連，連接線50將發(fā)光單元C3的互連單元46連接到發(fā)光單元C4的互連單元46。以此方式，當(dāng)在各個(gè)發(fā)光單元中形成多個(gè)電極時(shí)，可以改進(jìn)電流擴(kuò)散效果。因此，可以提高發(fā)光器件的發(fā)光效率和可靠性。圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的具有多單元陣列的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖，圖7是在圖6的半導(dǎo)體發(fā)光器件中實(shí)現(xiàn)的多單元陣列的等效電路圖。圖8是示出在圖7的半導(dǎo)體發(fā)光器件中的各單元之間的連接的沿D-D'線截取的剖面圖。除了發(fā)光單元的主軸的長度類似于襯底的長度而使得各單元可以按單行或單列方式排列之外，根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件60具有與根據(jù)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件10的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。如圖6所示，根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光器件60可以包括襯底61和按6×1陣列布置在襯底61的上表面上的多個(gè)發(fā)光單元C1至C6。如圖8所示，可以通過分割多層半導(dǎo)體薄膜62來獲得多個(gè)發(fā)光單元，每個(gè)發(fā)光單元具有按順序形成在襯底61的上表面上的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層62a、有源層62c、以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層62b。透明電極63可以形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層62b的上表面上。在每個(gè)發(fā)光單元中，第一電極64a和第二電極64b可以形成為分別與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層62a和透明電極63連接。如圖7所示的等效電路那樣，在本實(shí)施例中采用的發(fā)光單元可以按直線方式彼此串聯(lián)連接。具體地，如圖6所示，可以使用互連單元66將發(fā)光單元C1的第一電極64a連接到相鄰發(fā)光單元C2的第二電極64b。而且，可以在發(fā)光單元的表面上形成絕緣層65，以便防止互連單元66與發(fā)光單元的不期望區(qū)域連接。在圖6中沒有示出絕緣層65。位于多單元陣列的兩端處的發(fā)光單元C6和C1分別擁有第一接合焊盤69a和第二接合焊盤69b，以便與具有對應(yīng)極性的電極連接。具體地，位于多單元陣列的兩端處的發(fā)光單元C6和C1的多個(gè)電極可以分別通過第一連接單元68a和第二連接單元68b連接到第一接合焊盤69a和第二接合焊盤69b。如圖6所示，可以將第一接合焊盤69a和第二接合焊盤69b分別定位為代替位于多單元陣列的兩端處的發(fā)光單元C6和C1中的至少一個(gè)第一電極和至少一個(gè)第二電極。而且，如圖6所示，可以將第一接合焊盤69a和第二接合焊盤69b可以分別定位為代替位于發(fā)光單元C6中的多個(gè)第一電極的中心處的第一電極和位于發(fā)光單元C1中的多個(gè)第二電極的中心處的第二電極。如在本發(fā)明的該實(shí)施例中那樣，當(dāng)發(fā)光單元的主軸的長度類似于襯底的長度而使得各發(fā)光單元可以按單行或單列排列時(shí)，發(fā)光單元中的第一電極與第二電極之間的距離可以被最小化從而改進(jìn)發(fā)光器件的操作電壓。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，發(fā)光器件可以具有用于均勻電流擴(kuò)散的優(yōu)化電極結(jié)構(gòu)，使得其可以改進(jìn)光提取效率和可靠性。雖然根據(jù)各實(shí)施例示出和描述了本發(fā)明，但對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是可以在不背離由所附權(quán)利要求限定的發(fā)明的精神和范圍的情況下作出修改和變形。