半導(dǎo)體器件及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及顯示裝置。該半導(dǎo)體器件包括P型襯底、數(shù)字電路模塊及模擬電路模塊。該數(shù)字電路模塊接收并處理數(shù)字信號(hào)，其包括深摻雜N阱、第一P型半導(dǎo)體元件、第一N型半導(dǎo)體元件及P阱，該深摻雜N阱設(shè)置于該P(yáng)型襯底上，該第一P型半導(dǎo)體元件及P阱分別設(shè)置于該深摻雜N阱上，該第一N型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該P(yáng)阱上。該模擬電路模塊接收該數(shù)字電路輸出的數(shù)字信號(hào)并輸出模擬信號(hào)，其包括第二P型半導(dǎo)體元件、第二N型半導(dǎo)體元件及N阱，該第二N型半導(dǎo)體元件及N阱分別設(shè)置于該P(yáng)型襯底上，該第二P型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該N阱上。該半導(dǎo)體器件及顯示裝置可靠度較高。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體器件及顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體芯片在電子【技術(shù)領(lǐng)域】已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用。通常半導(dǎo)體器件包括襯底、設(shè)置于襯底上的數(shù)字電路模塊與模擬電路模塊，并且通常數(shù)字電路模塊與模擬電路模塊的半導(dǎo)體元件需要的耐壓值一般不同，如:數(shù)字電路模塊的半導(dǎo)體元件只需要大概3.3伏以上(或者5伏以上)的耐壓值，而模擬電路模塊的半導(dǎo)體元件則根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的不同而不同，有時(shí)候可能需要10伏以上的耐壓值。特別地，有時(shí)候有些模擬電路模塊因需求需要輸出正電壓與負(fù)電壓，此時(shí)，模擬電路模塊的襯底通常需要連接負(fù)電壓，但是由于數(shù)字電路模塊與模擬電路模塊都設(shè)置至在同一襯底上，當(dāng)襯底連接負(fù)電壓時(shí)，可能導(dǎo)致數(shù)字電路模塊的半導(dǎo)體元件需要承受負(fù)電壓至3.3伏(或5伏)這么大范圍的跨壓而導(dǎo)致數(shù)字電路模塊的半導(dǎo)體元件的損壞，降低半導(dǎo)體器件的可靠度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，提供一種可靠度較高的半導(dǎo)體器件實(shí)為必要。
[0004]有鑒于此，提供一種具有可靠度較高的半導(dǎo)體器件的顯示裝置實(shí)為必要。
[0005]一種半導(dǎo)體器件，其包括:P型襯底、數(shù)字電路模塊及模擬電路模塊。該數(shù)字電路模塊接收并處理數(shù)字信號(hào)，其包括深摻雜N阱、第一 P型半導(dǎo)體元件、第一 N型半導(dǎo)體元件及P阱，該深摻雜N阱設(shè)置于該P(yáng)型襯底上，該第一 P型半導(dǎo)體元件及P阱分別設(shè)置于該深摻雜N阱上，該第一 N型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該P(yáng)阱上。該模擬電路模塊接收該數(shù)字電路輸出的數(shù)字信號(hào)并輸出模擬信號(hào)，其包括第二 P型半導(dǎo)體元件、第二 N型半導(dǎo)體元件及N阱，該第二 N型半導(dǎo)體元件及N阱分別設(shè)置于該P(yáng)型襯底上，該第二 P型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該N阱上。
[0006]一種半導(dǎo)體器件，其包括襯底、數(shù)字電路模塊及模擬電路模塊。該數(shù)字電路模塊接收并處理數(shù)字信號(hào)，該數(shù)字電路模塊包括深摻雜N阱、第一 P型半導(dǎo)體元件、第一 N型半導(dǎo)體元件及P阱，該深摻雜N阱設(shè)置于該襯底上，該第一 P型半導(dǎo)體元件及P阱分別設(shè)置于該深摻雜N阱上，該第一 N型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該P(yáng)阱上，該模擬電路模塊接收該數(shù)字電路輸出的數(shù)字信號(hào)并輸出模擬信號(hào)，該模擬電路模塊包括第二 P型半導(dǎo)體元件及第二 N型半導(dǎo)體元件，該第二 N型半導(dǎo)體元件及第二 P型半導(dǎo)體元件分別設(shè)置于該襯底上。
[0007]一種顯示裝置，其包括:時(shí)序控制電路、顯示面板及連接于該時(shí)序控制電路與該顯示面板之間的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路。該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路包括P型襯底、數(shù)字電路模塊及模擬電路模塊。該數(shù)字電路模塊接收并處理時(shí)序控制電路輸出的數(shù)字信號(hào)，其包括深摻雜N阱、第一 P型半導(dǎo)體元件、第一 N型半導(dǎo)體元件及P阱，該深摻雜N阱設(shè)置于該P(yáng)型襯底上，該第一 P型半導(dǎo)體元件及P阱分別設(shè)置于該深摻雜N阱上，該第一 N型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該P(yáng)阱上。該模擬電路模塊接收該數(shù)字電路模塊輸出的數(shù)字信號(hào)并輸出灰階電壓信號(hào)至該顯示面板，其包括第二 P型半導(dǎo)體元件、第二 N型半導(dǎo)體元件及N阱，該第二 N型半導(dǎo)體元件及N阱分別設(shè)置于該P(yáng)型襯底上，該第二 P型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該N阱上。
[0008]一種顯示裝置，其包括時(shí)序控制電路、顯示面板及連接于該時(shí)序控制電路與該顯示面板之間的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路包括襯底、數(shù)字電路模塊及模擬電路模塊。該數(shù)字電路模塊接收并處理時(shí)序控制電路輸出的數(shù)字信號(hào)，該數(shù)字電路模塊包括深摻雜N阱、第一 P型半導(dǎo)體元件、第一 N型半導(dǎo)體元件及P阱，該深摻雜N阱設(shè)置于該襯底上，該第一 P型半導(dǎo)體元件及P阱分別設(shè)置于該深摻雜N阱上，該第一 N型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該P(yáng)阱上，該模擬電路模塊接收該數(shù)字電 路模塊輸出的數(shù)字信號(hào)并輸出灰階電壓信號(hào)至該顯示面板，該模擬電路模塊包括第二 P型半導(dǎo)體元件、第二 N型半導(dǎo)體元件，該第二 N型半導(dǎo)體元件及第二 P型半導(dǎo)體元件分別設(shè)置于該襯底。
[0009]相較于現(xiàn)有技術(shù)，由于數(shù)字電路模塊的第一 N型半導(dǎo)體元件通過(guò)P阱設(shè)置于深摻雜N阱上，進(jìn)而無(wú)論該P(yáng)型襯底連接哪種基準(zhǔn)電壓，都難于對(duì)該第一 N型半導(dǎo)體元件產(chǎn)生影響，從而避免該第一 N型半導(dǎo)體元件產(chǎn)生漏電或者損壞，該半導(dǎo)體器件的可靠度較高。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是本發(fā)明顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2是本發(fā)明半導(dǎo)體器件的剖視圖。
[0012]主要元件符號(hào)說(shuō)明_
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，其包括:p型襯底、數(shù)字電路模塊及模擬電路模塊，其特征在于:該數(shù)字電路模塊接收并處理數(shù)字信號(hào)，該數(shù)字電路模塊包括深摻雜N阱、第一 P型半導(dǎo)體元件、第一 N型半導(dǎo)體元件及P阱，該深摻雜N阱設(shè)置于該P(yáng)型襯底上，該第一 P型半導(dǎo)體元件及P阱分別設(shè)置于該深摻雜N阱上，該第一 N型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該P(yáng)阱上，該模擬電路模塊接收該數(shù)字電路輸出的數(shù)字信號(hào)并輸出模擬信號(hào)，該模擬電路模塊包括第二 P型半導(dǎo)體元件、第二 N型半導(dǎo)體元件及N阱，該第二 N型半導(dǎo)體元件及N阱分別設(shè)置于該P(yáng)型襯底上，該第二 P型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該N阱上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，該模擬電路模塊輸出的模擬信號(hào)包括正極性電壓信號(hào)及負(fù)極性電壓信號(hào)，定義該正極性電壓信號(hào)與負(fù)極性電壓信號(hào)的最大電壓差為A，其中第二 P型半導(dǎo)體元件及該第二 N型半導(dǎo)體元件的最大耐壓值大于等于A。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，該正極性電壓信號(hào)與負(fù)極性電壓信號(hào)的最大電壓差A(yù)等于13.5伏、6伏、16.5伏或18伏。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:該正極性電壓信號(hào)的電壓范圍為O至A，該負(fù)極性電壓信號(hào)的電壓范圍為O至A。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:該正極性電壓信號(hào)的電壓范圍為A/2至A，該負(fù)極性電壓信號(hào)的電壓范圍為O至A/2。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:該正極性電壓信號(hào)的電壓范圍為O至A/2，該負(fù)極性電壓信號(hào)的電壓范圍為-A/2至O。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:該數(shù)字電路模塊輸出的數(shù)字信號(hào)的高低點(diǎn)平差值為B，其中第一P型半導(dǎo)體元件及該第一N型半導(dǎo)體元件的最大耐壓值在大于等于B小于等于4伏的范圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:B等于1.2伏、1.8伏或3.3伏。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:該半導(dǎo)體器件為顯示裝置的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，其連接于時(shí)序控制電路與顯示面板之間，接收該時(shí)序控制電路輸出的數(shù)字的圖像信號(hào)并輸出模擬的灰階電壓信號(hào)至該顯示面板。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:該數(shù)字電路模塊與模擬電路模塊并列設(shè)置于該P(yáng)型襯底上，且該數(shù)字電路模塊與模擬電路模塊之間具有隔離區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于:數(shù)字電路模塊的第一P型半導(dǎo)體元件與第一 N型半導(dǎo)體元件之間具有隔離區(qū)；模擬電路模塊的第二 P型半導(dǎo)體元件與第二N型半導(dǎo)體元件之間具有隔離區(qū)。
12.—種半導(dǎo)體器件，其包括襯底、數(shù)字電路模塊及模擬電路模塊，其特征在于:該數(shù)字電路模塊接收并處理數(shù)字信號(hào)，該數(shù)字電路模塊包括深摻雜N阱、第一 P型半導(dǎo)體元件、第一 N型半導(dǎo)體元件及P阱，該深摻雜N阱設(shè)置于該襯底上，該第一 P型半導(dǎo)體元件及P阱分別設(shè)置于該深摻雜N阱上，該第一 N型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該P(yáng)阱上，該模擬電路模塊接收該數(shù)字電路輸出的數(shù)字信號(hào)并輸出模擬信號(hào)，該模擬電路模塊包括第二 P型半導(dǎo)體元件及第二 N型半導(dǎo)體元件，該第二 N型半導(dǎo)體元件及第二 P型半導(dǎo)體元件分別設(shè)置于該襯底上。
13.—種顯示裝置，其包括:時(shí)序控制電路、顯示面板及連接于該時(shí)序控制電路與該顯示面板之間的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路包括P型襯底、數(shù)字電路模塊及模擬電路模塊，其特征在于:該數(shù)字電路模塊接收并處理時(shí)序控制電路輸出的數(shù)字信號(hào)，該數(shù)字電路模塊包括深摻雜N阱、第一 P型半導(dǎo)體元件、第一 N型半導(dǎo)體元件及P阱，該深摻雜N阱設(shè)置于該P(yáng)型襯底上，該第一 P型半導(dǎo)體元件及P阱分別設(shè)置于該深摻雜N阱上，該第一 N型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該P(yáng)阱上，該模擬電路模塊接收該數(shù)字電路模塊輸出的數(shù)字信號(hào)并輸出灰階電壓信號(hào)至該顯示面板，該模擬電路模塊包括第二 P型半導(dǎo)體元件、第二 N型半導(dǎo)體元件及N阱，該第二 N型半導(dǎo)體元件及N阱分別設(shè)置于該P(yáng)型襯底上，該第二 P型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該N阱上。
14.一種顯示裝置，其包括時(shí)序控制電路、顯示面板及連接于該時(shí)序控制電路與該顯示面板之間的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路包括襯底、數(shù)字電路模塊及模擬電路模塊，該數(shù)字電路模塊接收并處理時(shí)序控制電路輸出的數(shù)字信號(hào)，其特征在于:該數(shù)字電路模塊包括深摻雜N阱、第一 P型半導(dǎo)體元件、第一 N型半導(dǎo)體元件及P阱，該深摻雜N阱設(shè)置于該襯底上，該第一 P型半導(dǎo)體元件及P阱分別設(shè)置于該深摻雜N阱上，該第一 N型半導(dǎo)體元件設(shè)置于該P(yáng)阱上，該模擬電路模塊接收該數(shù)字電路模塊輸出的數(shù)字信號(hào)并輸出灰階電壓信號(hào)至該顯示面板，該模擬電路模塊包括第二 P型半導(dǎo)體元件、第二 N型半導(dǎo)體元件，該第二 N型半導(dǎo)體元件及第二 P型半導(dǎo)體元件分別設(shè)置于該襯底。
【文檔編號(hào)】H01L27/02GK104009031SQ201310061605
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年2月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月27日
【發(fā)明者】謝文獻(xiàn), 林崑宗 申請(qǐng)人:天鈺科技股份有限公司