專利名稱：用于三軸磁傳感器的刻蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種用于三軸磁傳感器的刻蝕方法。
背景技術(shù)：
在三軸磁傳感器的制造過程中，需要執(zhí)行一種刻蝕工藝，其中將溝槽側(cè)壁上的磁性材料保留下來而去除其它部分上的磁性材料。
圖1至圖3示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于三軸磁傳感器的刻蝕方法的示意圖。
如圖1至圖3所示，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于三軸磁傳感器的刻蝕方法中，首先在襯底I上形成氧化物層2，隨后在氧化物層2中形成溝槽；此后在形成溝槽的氧化物層2上依次形成氮化硅層3、鎳鐵合金層4和氮化鉭層5，從而在溝槽中也形成氮化硅層3、鎳鐵合金層4和氮化鉭層5的疊層(如圖1所示)。
此后，在氮化鉭層5上形成深紫外光刻膠，并且形成深紫外光刻膠的圖案，從而留下與溝槽一側(cè)的側(cè)壁位置相對(duì)應(yīng)的深紫外光刻膠部分6 (如圖2所示)。
最后，利用深紫外光刻膠部分6對(duì)氮化鉭層5進(jìn)行刻蝕，從而留下覆蓋有深紫外光刻膠部分6的溝槽一側(cè)的側(cè)壁位置上的氮化鉭部分51 (如圖3所示)。
隨后，可去除深紫外光刻膠部分6。
但是，由于三軸磁傳感器中的溝槽深度很大，大約為3um，從而容易出現(xiàn)溝槽內(nèi)的深紫外光刻膠未完全顯影的情況，還可能出現(xiàn)期望留下光刻膠的溝槽側(cè)壁上沒有光刻膠的情況。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠針對(duì)三軸磁傳感器中的溝槽深度很大的溝槽進(jìn)行良好刻蝕從而留下側(cè)壁上的磁性材料的刻蝕方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種用于三軸磁傳感器的刻蝕方法，其包括:
第一步驟:在襯底上形成氧化物層，隨后在氧化物層中形成溝槽，此后在形成溝槽的氧化物層上依次形成氮化硅層、鎳鐵合金層和氮化鉭層，從而在溝槽中也形成氮化硅層、鎳鐵合金層和氮化鉭層的疊層；
第二步驟:在氮化鉭層上形成溝槽填充材料層，從而使得溝槽中完全填充有溝槽填充材料；
第三步驟:在溝槽填充材料層上形成深紫外光刻膠，并且形成深紫外光刻膠的圖案，從而留下與溝槽一側(cè)的側(cè)壁位置相對(duì)應(yīng)的深紫外光刻膠部分；
第四步驟:利用深紫外光刻膠部分作為掩膜對(duì)溝槽填充材料層進(jìn)行刻蝕，從而留下與深紫外光刻膠部分相對(duì)應(yīng)的溝槽填充材料部分；
第五步驟:利用深紫外光刻膠部分和溝槽填充材料部分作為掩膜對(duì)氮化鉭層進(jìn)行刻蝕，從而留下覆蓋有深紫外光刻膠部分的溝槽側(cè)壁上的氮化鉭部分。
優(yōu)選地，在所述第五步驟中，利用Cl2/02氣體組合執(zhí)行刻蝕。
優(yōu)選地，所述第五步驟中，Cl2ZO2氣體組合中的Cl2與O2的分子數(shù)比為1:1。
優(yōu)選地，所述溝槽的深度不小于3um。
優(yōu)選地，在溝槽底部中形成的溝槽填充材料層的厚度為3.6um。
優(yōu)選地，溝槽填充材料層為有機(jī)物。
優(yōu)選地，深紫外光刻膠部分的厚度為1.2um。


結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中:
圖1至圖3示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于三軸磁傳感器的刻蝕方法的示意圖。
圖4至圖7示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于三軸磁傳感器的刻蝕方法。
需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖4至圖7示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于三軸磁傳感器的刻蝕方法。
具體地說，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于三軸磁傳感器的刻蝕方法包括:
第一步驟:在襯底I上形成氧化物層2，隨后在氧化物層2中形成溝槽，此后在形成溝槽的氧化物層2上依次形成氮化硅層3、鎳鐵合金層4和氮化鉭層5，從而在溝槽中也形成氮化硅層3、鎳鐵合金層4和氮化鉭層5的疊層，如圖1所示。
例如，所述溝槽的深度不小于3um。
第二步驟:在氮化鉭層5上形成溝槽填充材料層7，從而使得溝槽中完全填充有溝槽填充材料，如圖4所示。
優(yōu)選地，在溝槽底部中形成的溝槽填充材料層7的厚度為3.6um ;這樣，如果所述溝槽的深度為3um，則非溝槽部分的氮化鉭層5上的溝槽填充材料層7的厚度為0.6um。
優(yōu)選地，溝槽填充材料層7為有機(jī)物。實(shí)際上，形成溝槽填充材料層7目的在于把深溝槽填平，而后便于光刻形成所需要的圖案。
第三步驟:在溝槽填充材料層7上形成深紫外光刻膠，并且形成深紫外光刻膠的圖案，從而留下與溝槽一側(cè)的側(cè)壁位置相對(duì)應(yīng)的深紫外光刻膠部分8，如圖5所示。
優(yōu)選地，深紫外光刻膠部分8的厚度為1.2um。
第四步驟:利用深紫外光刻膠部分8作為掩膜對(duì)溝槽填充材料層7進(jìn)行刻蝕，從而留下與深紫外光刻膠部分8相對(duì)應(yīng)的溝槽填充材料部分71，如圖6所示。
第五步驟:利用深紫外光刻膠部分8和溝槽填充材料部分71作為掩膜對(duì)氮化鉭層5進(jìn)行刻蝕，從而留下覆蓋有深紫外光刻膠部分8的溝槽側(cè)壁上的氮化鉭部分51，如圖7所/Jn ο
優(yōu)選地，在所述第五步驟中，利用Cl2/02氣體組合執(zhí)行刻蝕。進(jìn)一步優(yōu)選地，Cl2/O2氣體組合中的Cl2與O2的分子數(shù)比為1:1 ;由此可以實(shí)現(xiàn)刻蝕過程中溝槽填充材料部分71與深紫外光刻膠部分8的選擇比約為3:1，從而實(shí)現(xiàn)良好的刻蝕效果。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于三軸磁傳感器的刻蝕方法針對(duì)三軸磁傳感器中的溝槽深度很大的溝槽進(jìn)行良好刻蝕，從而留下側(cè)壁上的形狀完整的磁性材料。
此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于三軸磁傳感器的刻蝕方法，其特征在于包括: 第一步驟:在襯底上形成氧化物層，隨后在氧化物層中形成溝槽，此后在形成溝槽的氧化物層上依次形成氮化硅層、鎳鐵合金層和氮化鉭層，從而在溝槽中也形成氮化硅層、鎳鐵合金層和氮化鉭層的疊層； 第二步驟:在氮化鉭層上形成溝槽填充材料層，從而使得溝槽中完全填充有溝槽填充材料； 第三步驟:在溝槽填充材料層上形成深紫外光刻膠，并且形成深紫外光刻膠的圖案，從而留下與溝槽一側(cè)的側(cè)壁位置相對(duì)應(yīng)的深紫外光刻膠部分； 第四步驟:利用深紫外光刻膠部分作為掩膜對(duì)溝槽填充材料層進(jìn)行刻蝕，從而留下與深紫外光刻膠部分相對(duì)應(yīng)的溝槽填充材料部分； 第五步驟:利用深紫外光刻膠部分和溝槽填充材料部分作為掩膜對(duì)氮化鉭層進(jìn)行刻蝕，從而留下覆蓋有深紫外光刻膠部分的溝槽側(cè)壁上的氮化鉭部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于三軸磁傳感器的刻蝕方法，其特征在于，在所述第五步驟中，利用Cl2/02氣體組合執(zhí)行刻蝕。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于三軸磁傳感器的刻蝕方法，其特征在于，所述第五步驟中，Cl2Zo2氣體組合中的Cl2與O2的分子數(shù)比為1:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于三軸磁傳感器的刻蝕方法，其特征在于，所述溝槽的深度不小于3um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于三軸磁傳感器的刻蝕方法，其特征在于，在溝槽底部中形成的溝槽填充材料層的厚度為3.6um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于三軸磁傳感器的刻蝕方法，其特征在于，溝槽填充材料層為有機(jī)物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于三軸磁傳感器的刻蝕方法，其特征在于，深紫外光刻膠部分的厚度為1.2um。
全文摘要
一種用于三軸磁傳感器的刻蝕方法，包括在襯底上形成氧化物層，在氧化物層中形成溝槽，在氧化物層上依次形成氮化硅層、鎳鐵合金層和氮化鉭層，以在溝槽中也形成氮化硅層、鎳鐵合金層和氮化鉭層的疊層；在氮化鉭層上形成溝槽填充材料層，使得溝槽中完全填充有溝槽填充材料；在溝槽填充材料層上形成深紫外光刻膠，并且形成深紫外光刻膠的圖案，從而留下與溝槽一側(cè)的側(cè)壁位置相對(duì)應(yīng)的深紫外光刻膠部分；利用深紫外光刻膠部分作為掩膜對(duì)溝槽填充材料層進(jìn)行刻蝕，從而留下與深紫外光刻膠部分相對(duì)應(yīng)的溝槽填充材料部分；利用深紫外光刻膠部分和溝槽填充材料部分作為掩膜對(duì)氮化鉭層進(jìn)行刻蝕，從而留下覆蓋有深紫外光刻膠部分的溝槽側(cè)壁上的氮化鉭部分。
文檔編號(hào)H01L43/12GK103178206SQ20131006092
公開日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月26日
發(fā)明者熊磊, 奚裴, 張振興 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司