一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。在玻璃基底與陽極之間制備光取出層，光取出層的材質(zhì)包括二氧化鈦、聚四氟乙烯和鈉鹽。PTFE的粘結(jié)性較強，使玻璃與光取出層之間連接緊密，附著性增強，同時，使TiO2形成凝膠狀，顆粒分散均勻，與玻璃更好地接觸，極大地提高器件的出光效率。本發(fā)明制備方法簡單，易于控制和操作，并且原材料容易獲得。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光領域，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。【背景技術】
[0002]有機電致發(fā)光器件(OLED)是一種以有機材料為發(fā)光材料，能把施加的電能轉(zhuǎn)化為光能的能量轉(zhuǎn)化裝置。它具有超輕薄、自發(fā)光、響應快、低功耗等突出性能，在顯示、照明等領域有著極為廣泛的應用前景。
[0003]有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為三明治結(jié)構(gòu)，在陰極和導電陽極之間夾有一層或多層有機薄膜。在含多層結(jié)構(gòu)的器件中，兩極內(nèi)側(cè)主要包括發(fā)光層、注入層及傳輸層。有機電致發(fā)光器件是載流子注入型發(fā)光器件，在陽極和陰極加上工作電壓后，空穴從陽極，電子從陰極分別注入到工作器件的有機材料層中，兩種載流子在有機發(fā)光材料中形成空穴-電子對發(fā)光，然后光從電極發(fā)出。
[0004]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，一般都是以氧化銦錫透明導電薄膜(ITO)玻璃基底為出光面，這種結(jié)構(gòu)中，光的出射會先經(jīng)過ITO導電材料的吸收反射，再進行一次玻璃基底的吸收和反射，最后才能出射到空氣中，但是玻璃和ITO界面之間存在折射率差，會使光從ITO到達玻璃時發(fā)生全反射，造成出光的損失，從而導致整體出光性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述問題，本發(fā)明旨在提供一種具有較高出光效率的有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明還提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了 一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、光取出層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述光取出層的材質(zhì)包括二氧化鈦、聚四氟乙烯和鈉鹽。
[0007]玻璃基底為市售普通玻璃。
[0008]光取出層設置在玻璃基底上。
[0009]光取出層的材質(zhì)包括二氧化鈦(TiO2)、聚四氟乙烯(PTFE)和鈉鹽。
[0010]本發(fā)明使用的二氧化鈦為普通的金紅石類型二氧化鈦，經(jīng)過煅燒后變成銳鈦礦晶型結(jié)構(gòu)，孔隙率較高，比表面積較大，對光有較強的散射作用，是一種較好的電子傳輸材料。[0011 ] 優(yōu)選地，二氧化鈦粒徑為2(T200nm。
[0012]鈉鹽的折射率較低，約1.5左右，與普通玻璃的折射率相近，可消除折射率的差異減少光的全反射，而PTFE的粘結(jié)性較強，可作為粘結(jié)劑，使玻璃與光取出層之間連接緊密，附著性增強，同時，PTFE可使TiO2形成凝膠狀，使顆粒分散均勻，與玻璃更好地接觸，極大地提高器件的出光效率。
[0013]優(yōu)選地，鈉鹽為氯化鈉(NaCl)、碳酸鈉(Na2CO3)、溴化鈉(NaBr )或氟化鈉(NaF)。
[0014]優(yōu)選地，二氧化鈦、聚四氟乙烯和鈉鹽的質(zhì)量比為(廣8): (Π2): (2飛)。
[0015]優(yōu)選地，光取出層的厚度為I?20 μ m。[0016]優(yōu)選地，陽極的材質(zhì)為透明導電薄膜，選自銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)。更優(yōu)選地，陽極的材質(zhì)為ΙΤ0。
[0017]優(yōu)選地，陽極的厚度為8(T300nm。更優(yōu)選地，陽極的厚度為120nm。
[0018]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)0更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為W03。
[0019]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為2(T80nm。更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為60nm。
[0020]優(yōu)選地,空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N, N，- 二苯基-N，N，- 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為TCTA。
[0021]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為2(T60nm。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0022]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二( β -萘基)蒽(ADN)、4，4，-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)。更優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi0
[0023]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5~40nm。更優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為25nm。
[0024]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物或1，3，5-三(1-苯基 -1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
[0025]更優(yōu)選地，I，2，4-三唑衍生物為3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)。更優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ。
[0026]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為4(T250nm。更優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為80nm。
[0027]優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或氟化鋰(LiF)。更優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為LiF。
[0028]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為0.5~10nm。更優(yōu)選地，電子注入層的厚度為lnm。
[0029]優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為銀(Ag)、鋁(Al) JS(Pt)或金(Au)。更優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為銀。
[0030]優(yōu)選地，陰極的厚度為8(T250nm。更優(yōu)選地，陰極的厚度為150nm。
[0031]第二方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0032]提供清潔的玻璃基底；
[0033]在所述玻璃基底上制備光取出層，步驟為將二氧化鈦和鈉鹽加入聚四氟乙烯水溶液中，得到混合液，將所述混合液刮涂在所述玻璃基底上，然后烘干，得到光取出層；
[0034]再在所述光取出層上磁控濺射透明導電薄膜制備陽極，所述磁控濺射的條件為加速電壓300~800V，磁場50~200G，功率密度I~40W/cm2 ；
[0035]在所述陽極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層，所述熱阻蒸鍍條件為壓強5X10_5~2X10_3Pa，速度0.1~1ηπι/s ；
[0036]在所述電子注入層上熱阻蒸鍍制備陰極，所述熱阻蒸鍍條件為壓強5 X I(T5~2 X 10?,速度 I~IOnm/s。
[0037]通過對玻璃基底的清洗，除去玻璃基底表面的有機污染物。
[0038]具體地，玻璃基底的清潔操作為:將玻璃基底依次用蒸餾水、乙醇沖洗，然后放在異丙醇中浸泡過夜，去除玻璃表面的有機污染物，得到清潔的玻璃基底。[0039]玻璃基底為市售普通玻璃。
[0040]光取出層通過設置在玻璃基底上。
[0041]將二氧化鈦和鈉鹽加入聚四氟乙烯水溶液中，得到混合液，將該混合液刮涂在玻璃基底上，然后烘干得到光取出層。
[0042]優(yōu)選地，加入二氧化鈦質(zhì)量為聚四氟乙烯水溶液質(zhì)量的5~40%，加入的鈉鹽質(zhì)量為聚四氟乙烯水溶液質(zhì)量的10-30%。
[0043]優(yōu)選地，聚四氟乙烯水溶液的質(zhì)量分數(shù)為20飛0%。
[0044]本發(fā)明使用的二氧化鈦為普通的金紅石類型二氧化鈦，經(jīng)過煅燒后變成銳鈦礦晶型結(jié)構(gòu)，孔隙率較高，比表面積較大，對光有較強的散射作用，是一種較好的電子傳輸材料。
[0045]優(yōu)選地，二氧化鈦粒徑為2(T200nm。
[0046]鈉鹽的折射率較低，約1.5左右，與普通玻璃的折射率相近，可消除折射率的差異減少光的全反射，而PTFE的粘結(jié)性較強，可作為粘結(jié)劑，使玻璃與光取出層之間連接緊密，附著性增強，同時，PTFE水溶液可溶解鈉鹽，并且使TiO2形成凝膠狀，使顆粒分散均勻，與玻璃更好地接觸，極大地提高器件的出光效率。
[0047]優(yōu)選地，鈉鹽為氯化鈉(NaCl)、碳酸鈉(Na2CO3)、溴化鈉(NaBr )或氟化鈉(NaF)。
[0048]優(yōu)選地，烘干條件為溫度50~200° C，時間10_30min。 [0049]優(yōu)選地，光取出層的厚度為f 20 μ m。
[0050]陽極通過磁控濺射的方法設置在光取出層上。陽極的材質(zhì)為透明導電薄膜。
[0051]優(yōu)選地，陽極的材質(zhì)為透明導電薄膜，選自銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)。更優(yōu)選地，陽極的材質(zhì)為ΙΤ0。
[0052]優(yōu)選地，陽極的厚度為8(T300nm。更優(yōu)選地，陽極的厚度為120nm。
[0053]優(yōu)選地，磁控濺射的條件為加速電壓60(T700V，磁場10(Tl20G，功率密度25~30W/
2
cm ο
[0054]在陽極上，通過熱阻蒸鍍的方法依次設置空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0055]優(yōu)選地，熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層時的條件為壓強2 X Kr4~8 X l(T4Pa，速度0.2~0.5nm/s。
[0056]優(yōu)選地，熱阻蒸鍍陰極時的條件為壓強2X 10_，8X 10_4Pa，速度2飛nm/s。
[0057]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)0更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為W03。
[0058]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為2(T80nm。更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為60nm。
[0059]優(yōu)選地,空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N, N，- 二苯基-N，N，- 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯_4，4’-二胺(冊8)。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為TCTA。
[0060]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為2(T60nm。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0061]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二( β -萘基)蒽(ADN)、4，4，-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)。更優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi0[0062]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?40nm。更優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為25nm。
[0063]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
[0064]更優(yōu)選地，I，2，4-三唑衍生物為3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)。更優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ。
[0065]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為4(T250nm。更優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為80nm。
[0066]優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或氟化鋰(LiF)。更優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為LiF。
[0067]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為0.5?10nm。更優(yōu)選地，電子注入層的厚度為lnm。
[0068]優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為銀(Ag)、鋁(Al) JS(Pt)或金(Au)。更優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為銀。
[0069]優(yōu)選地，陰極的厚度為8(T250nm。更優(yōu)選地，陰極的厚度為150nm。
[0070]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0071](I) 二氧化鈦經(jīng)過煅燒后變成銳鈦礦晶型結(jié)構(gòu)，孔隙率較高，比表面積較大，對光有較強的散射作用。鈉鹽的折射率較低，約1.5左右，與普通玻璃的折射率相近，可消除折射率的差異減少光的全反射，而PTFE的粘結(jié)性較強，可作為粘結(jié)劑，使玻璃與光取出層之間連接緊密，附著性增強，同時，PTFE水溶液可溶解鈉鹽，并且使TiO2形成凝膠狀，使顆粒分散均勻，與玻璃更好地接觸，極大地提高器件的出光效率。
[0072](2 )本發(fā)明制備方法簡單，易于控制和操作，并且原材料容易獲得。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0073]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0074]圖1是本發(fā)明實施例1提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖；
[0075]圖2是本發(fā)明實施例1提供的有機電致發(fā)光器件與現(xiàn)有有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關系圖。
【具體實施方式】
[0076]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0077]實施例1
[0078]—種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0079]( I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0080](2)將粒徑為50nm的二氧化鈦、NaCl加入PTFE水溶液中，得到混合液，其中，TiO2占PTFE水溶液的質(zhì)量分數(shù)為35%，NaCl占PTFE水溶液的質(zhì)量分數(shù)為15% ;將該混合液充分混合后用玻璃棒刮涂在玻璃基板上，在100° C下烘干，得到厚度為IOym的光取出層。
[0081](3)通過磁控濺射ITO制備陽極，厚度為120nm，條件為加速電壓700V，磁場120G，功率密度25W/cm2 ；
[0082](4)然后在壓強為8X 10_4Pa的條件下，以0.2nm/s的蒸鍍速率在陽極上依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層，以2nm/s的蒸鍍速率在電子注入層表面熱阻蒸鍍制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0083]具體地，在本實施例中，空穴注入層的材質(zhì)為WO3，厚度為60nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為TCTA，厚度為40nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi，厚度為25nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ，厚度為80nm ;電子注入層的材質(zhì)為LiF,厚度為Inm ;陰極的材質(zhì)為銀,厚度為150nm。
[0084]以上步驟完成后，得到一種有機電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:玻璃/TiO2: PTFE: NaC I /1 TO/ff 03/TCTA/BCz VB i /TAZ/L i F/Ag ?
[0085]利用美國吉時利公司的Keithley2400測試電學性能，色度計(日本柯尼卡美能達公司，型號:CS-100A)測試亮度和色度，光纖光譜儀(美國海洋光學公司，型號:USB4000)測試電致發(fā)光光譜。
[0086]圖1是本實施例的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)包括依次層疊的玻璃基底101、光取出層102、陽極103、空穴注入層104、空穴傳輸層105、發(fā)光層106、電子傳輸層107、電子注入層108和陰極109。
[0087]圖2是本實施例 的有機電致發(fā)光器件與現(xiàn)有發(fā)光器件的亮度與流明效率的關系圖。其中，曲線I為本實施例的有機電致發(fā)光器件的亮度與電流效率的關系圖；曲線2為現(xiàn)有發(fā)光器件的亮度與電流效率的關系圖。
[0088]從圖2中可以看到，在不同亮度下，本實施例有機電致發(fā)光器件的流明效率都比現(xiàn)有發(fā)光器件的要大，最大的流明效率為6.41m/ff,而現(xiàn)有發(fā)光器件的僅為4.81m/ff,而且現(xiàn)有發(fā)光器件的流明效率隨著亮度的增大而快速下降，這說明，本發(fā)明在玻璃與陽極之間制備光取出層，對光有散射作用，消除折射率的差異減少光的全反射，這種光取出層通過折射率的調(diào)節(jié)以及散射的作用，可提高器件的出光效率。
[0089]實施例2
[0090]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0091](I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0092](2)將粒徑為20nm的二氧化鈦、Na2CO3加入PTFE水溶液中，得到混合液，其中，TiO2占PTFE水溶液的質(zhì)量分數(shù)為5%，Na2CO3占PTFE水溶液的質(zhì)量分數(shù)為10% ;將該混合液充分混合后用玻璃棒刮涂在玻璃基板上，在50° C下烘干，得到厚度為20 μ m的光取出層。
[0093](3)通過磁控濺射IZO制備陽極，厚度為80nm，條件為加速電壓300V，磁場50G，功率密度40W/cm2 ；
[0094](4)然后在壓強為2X 10_3Pa的條件下，以lnm/s的蒸鍍速率在陽極上依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層，以10nm/s的蒸鍍速率在電子注入層表面熱阻蒸鍍銀制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0095]具體地，在本實施例中，空穴注入層的材質(zhì)為MoO3，厚度為40nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為TCTA，厚度為45nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB，厚度為5nm ；電子傳輸層的材質(zhì)為TPBi，厚度為65nm ;電子注入層的材質(zhì)為Cs2CO3,厚度為IOnm ;陰極的材質(zhì)為Pt,厚度為80nm。
[0096]以上步驟完成后，得到一種有機電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:玻璃/TiO2: PTFE: Na2CO3/1 Z0/Mo03/TCTA/DC JTB/TPB i /Cs2C03/P t。
[0097]實施例3
[0098](I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0099](2)將粒徑為200nm的二氧化鈦、NaBr加入PTFE水溶液中，得到混合液，其中，TiO2占PTFE水溶液的質(zhì)量分數(shù)為40%，NaBr占PTFE水溶液的質(zhì)量分數(shù)為30% ;將該混合液充分混合后用玻璃棒刮涂在玻璃基板上，在200° C下烘干，得到厚度為I μ m的光取出層；
[0100](3)通過磁控濺射AZO制備陽極，厚度為300nm，條件為加速電壓800V，磁場200G，功率密度lW/cm2 ；
[0101](4)然后在壓強為5X10_5Pa的條件下，以0.lnm/s的蒸鍍速率在陽極上依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層，以lnm/s的蒸鍍速率在電子注入層表面熱阻蒸鍍制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0102]具體地，在本實施例中，空穴注入層的材質(zhì)為V2O5，厚度為20nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC,厚度為60nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為ADN,厚度為IOnm ；電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen,厚度為250nm ;電子注入層的材質(zhì)為CsF,厚度為0.5nm ;陰極的材質(zhì)為Al,厚度為lOOnm。
[0103]以上步驟完成后，得到一種有機電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:玻璃/TiO2:PTFE:NaBr/AZ0/V205/TAPC/ADN/Bphen/CsF/Al。
[0104]實施例4
[0105]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0106](I)將玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0107](2)將粒徑為IOOnm的二氧化鈦、NaF加入PTFE水溶液中，得到混合液，其中，TiO2占PTFE水溶液的質(zhì)量分數(shù)為35%，NaF占PTFE水溶液的質(zhì)量分數(shù)為12% ;將該混合液充分混合后用玻璃棒刮涂在玻璃基板上，在150° C下烘干，得到厚度為14 μ m的光取出層；
[0108](3)通過磁控濺射ITO制備陽極，厚度為180nm，條件為加速電壓600V，磁場100G，功率密度30W/cm2 ；
[0109](4)然后在壓強為2X 10_4Pa的條件下，以0.5nm/s的蒸鍍速率在陽極上依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層，以6nm/s的蒸鍍速率在電子注入層表面熱阻蒸鍍制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0110]具體地，在本實施例中，空穴注入層的材質(zhì)為MoO3，厚度為80nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB,厚度為20nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為Alq3,厚度為40nm ；電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen,厚度為40nm ;電子注入層的材質(zhì)為CsN3,厚度為3nm ;陰極的材質(zhì)為Au,厚度為250nm。
[0111]以上步驟完成后，得到一種有機電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:玻璃/TiO2: PTFE: NaF/IT0/Mo03/NPB/Alq3/Bphen/CsN3/Au。
[0112]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、光取出層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述光取出層的材質(zhì)包括二氧化鈦、聚四氟乙烯和鈉鹽。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述二氧化鈦、聚四氟乙烯和鈉鹽的質(zhì)量比為0-8): (4~12): (2~6)。
3.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鈉鹽為氯化鈉、碳酸鈉、溴化鈉或氟化鈉。
4.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述二氧化鈦粒徑為20~200nm。
5.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供清潔的玻璃基底； 在所述玻璃基底上制備光取出層，步驟為將二氧化鈦和鈉鹽加入聚四氟乙烯水溶液中，得到混合液，將所述混合液刮涂在所述玻璃基底上，然后烘干，得到光取出層； 再在所述光取出層上磁控濺射透明導電薄膜制備陽極，所述磁控濺射的條件為加速電壓300~800V，磁場50~200G，功率密度I~40W/cm2 ； 在所述陽極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層，所述熱阻蒸鍍條件為壓強2X10_3~5X10_5Pa，速度0.1-1nm/s ； 在所述電子注入層上熱阻蒸鍍制備陰極，所述熱阻蒸鍍條件為壓強2 X I(T3~5 X I(T5Pa,速度 I~10nm/s。
6.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述聚四氟乙烯水溶液的質(zhì)量分數(shù)為20~60%。
7.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，加入的二氧化鈦質(zhì)量為聚四氟乙烯水溶液質(zhì)量的5~40%。
8.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，加入的鈉鹽質(zhì)量為聚四氟乙烯水溶液質(zhì)量的10-30%。
9.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述鈉鹽為氯化鈉、碳酸鈉、溴化鈉或氟化鈉。
10.如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陽極的材質(zhì)為銦錫氧化物、招鋅氧化物或銦鋅氧化物。
【文檔編號】H01L51/56GK104009168SQ201310059716
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月26日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司