扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)和用于形成封裝結(jié)構(gòu)的方法，該方法可包括將管芯和通孔施加到具有粘合層的載體上方并且在載體上方和通孔周圍形成模制襯底，露出通孔和管芯上的安裝件的端部。通孔可位于具有分隔通孔的一個或多個介電層的通孔芯片中。通孔芯片可與載體單獨(dú)地形成。通孔芯片的介電層可將通孔與模制襯底隔開并包括與模制襯底不同的材料?？稍谀Ｖ埔r底上形成具有RDL接觸焊盤和導(dǎo)線的RDL。具有至少一個管芯的第二結(jié)構(gòu)可安裝在模制襯底的相對側(cè)，第二結(jié)構(gòu)上的管芯與至少一個RDL接觸焊盤電通信。
【專利說明】扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總的來說涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，現(xiàn)代電子設(shè)計的一個驅(qū)動因素是可在給定空間中容納的運(yùn)算能力和存儲量。公知的摩爾定律聲明，給定器件上的晶體管數(shù)量每18個月大致翻倍。為了將更多的處理能力壓縮到越來越小的封裝件中，晶體管尺寸減小到進(jìn)一步縮小晶體管尺寸的能力受材料和工藝的物理性能限制的點(diǎn)。設(shè)計者試圖通過將越來越大的子系統(tǒng)封裝到一個芯片中(片上芯片)或通過減小芯片之間的距離以及隨后的互連距離來克服晶體管尺寸的限制。
[0003]用于減小形成系統(tǒng)的各個芯片之間的距離的一種方法是堆疊芯片，其中電互連垂直延伸。這可以包含多個襯底層，芯片位于襯底的上表面和下表面上。一種用于將芯片施加于襯底的上面和下面的方法被稱為“倒裝芯片”封裝，其中，襯底具有被設(shè)置為穿過襯底以提供上表面和下表面之間的電連接的導(dǎo)電通孔。
[0004]此外，封裝疊加結(jié)構(gòu)可通過焊球柵格陣列(BGA)、接點(diǎn)柵格陣列(LGA)等安裝在另一載體、封裝件、PCB等上。在一些情況下，陣列中各個互連件間的間隔或接合間距可能與封裝疊加結(jié)構(gòu)中的管芯不匹配，或者可能需要與封裝疊加結(jié)構(gòu)中不同的連接配置。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種用于形成封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括:在載體上方施加管芯，管芯具有多個安裝件；在載體上提供一個或多個通孔；在載體上方和通孔周圍形成模制襯底；減少模制襯底與載體相對的第一側(cè)并在模制襯底與載體相對的第一側(cè)處露出所述一個或多個通孔；在模制襯底的第一側(cè)上形成再分布層(RDL)，RDL具有多個RDL接觸焊盤；以及在模制襯底與第一側(cè)相對的第二側(cè)處露出一個或多個通孔。
[0006]優(yōu)選地，模制襯底包括粘合層，管芯被施加至粘合層，并且模制襯底形成在粘合層上。
[0007]優(yōu)選地，在載體上提供一個或多個通孔包括將一個或多個通孔芯片施加于粘合層，每個通孔芯片都具有一個或多個通孔以及設(shè)置在通孔芯片中以隔開一個或多個通孔的至少一個介電層，在將通孔芯片施加于粘合層之前形成通孔芯片。
[0008]優(yōu)選地，減少模制襯底的第一側(cè)進(jìn)一步包括露出管芯上的多個安裝件。
[0009]優(yōu)選地，形成RDL進(jìn)一步包括形成接合間距大于管芯上的多個安裝件的接合間距的RDL接觸焊盤。
[0010]優(yōu)選地，該方法進(jìn)一步包括在模制襯底的第二側(cè)處安裝第二結(jié)構(gòu)，第二結(jié)構(gòu)具有設(shè)置在其上并與至少一個通孔電通信的至少一個管芯。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于形成封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括:提供載體，在載體的第一側(cè)上具有粘合層；將管芯施加于粘合層，管芯具有多個安裝件；在粘合層上提供通孔；在載體上方以及管芯和通孔周圍形成模制襯底；在模制襯底的第一側(cè)上形成再分布層(RDL)，RDL具有多個RDL接觸焊盤以及至少一條導(dǎo)線；將多個封裝安裝件施加于RDL接觸焊盤；以及在管芯上方和通孔上安裝第二結(jié)構(gòu)。
[0012]優(yōu)選地，提供通孔包括在粘合層上提供一個或多個通孔芯片，每個通孔芯片都包括至少一個通孔。
[0013]優(yōu)選地，提供一個或多個通孔芯片包括:在將一個或多個通孔芯片放置在粘合層上之前，形成獨(dú)立于載體和粘合層并遠(yuǎn)離載體和粘合層的所述一個或多個通孔芯片。
[0014]優(yōu)選地，一個或多個通孔芯片進(jìn)一步包括將通孔與模制襯底隔開的介電層，介電層包括與模制襯底不同的材料。
[0015]優(yōu)選地，該方法進(jìn)一步包括在粘合層上提供至少兩個通孔芯片，管芯設(shè)置在至少兩個通孔管芯之間。
[0016]優(yōu)選地，施加所述管芯包括在粘合層上提供至少兩個管芯，一個或多個通孔芯片中的至少一個設(shè)置在至少兩個管芯之間。
[0017]優(yōu)選地，第二結(jié)構(gòu)包括至少一個有源器件，并且至少一個有源器件通過至少一個通孔與多個RDL接觸焊盤中的至少一個電通信。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了一種封裝件，包括:模制襯底；管芯，具有至少一個安裝件，管芯至少部分地設(shè)置在模制襯底內(nèi)；至少一個通孔，設(shè)置在模制襯底內(nèi)并具有位于模制襯底的第一側(cè)處的第一端以及位于模制襯底與第一側(cè)相對的第二側(cè)處的第二端；以及第一再分布層(RDL)，形成在模制襯底的第一側(cè)上，RDL具有多個RDL接觸焊盤以及與RDL接觸焊盤電接觸的多條導(dǎo)線。
[0019]優(yōu)選地，通過模制襯底的第一側(cè)露出管芯的所述至少一個安裝件和至少一個通孔
的第一端。
[0020]優(yōu)選地，至少一個通孔的第一端和管芯的至少一個安裝件與模制襯底的第一側(cè)基本共面，并且至少一個通孔的第二端與模制襯底的第二側(cè)基本共面。
[0021]優(yōu)選地，模制襯底的厚度與管芯的高度近似相同。
[0022]優(yōu)選地，該封裝件進(jìn)一步包括具有至少一個有源器件并安裝在模制襯底的第二側(cè)處的第二結(jié)構(gòu)，有源器件與至少一個通孔電通信。
[0023]優(yōu)選地，至少一個通孔設(shè)置在至少一個通孔芯片內(nèi)，至少一個通孔芯片包括將通孔與模制襯底隔開的介電層。
[0024]優(yōu)選地，多個RDL接觸焊盤的接合間距大于管芯的至少一個安裝件的接合間距，并且多個RDL接觸焊盤中的至少一個與管芯的安裝件電接觸。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0025]為更好地理解本發(fā)明的實施例以及制造和使用本發(fā)明所涉及的技術(shù)，現(xiàn)在結(jié)合附圖作為參考進(jìn)行以下描述，其中:
[0026]圖1至圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的方法的中間步驟的截面圖；
[0027]圖8和圖9是示出根據(jù)本發(fā)明實施例制造的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的實施例的截面圖；以及
[0028]圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的方法的實施例中的步驟的流程圖；
[0029]除非另有指明，否則不同圖中對應(yīng)的數(shù)字和符號通常代表對應(yīng)部件。繪制附圖是為了說明各個實施例的相關(guān)內(nèi)容但無需按比例繪制。為了清楚，在可能的情況下省略個別附圖的非必要的參考標(biāo)號。
【具體實施方式】
[0030]以下詳細(xì)討論本實施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了許多可在各種具體環(huán)境中具體化的可應(yīng)用發(fā)明概念。所討論的具體實施例僅是公開主題的制造和使用的具體方式的說明，并不限制不同實施例的范圍。
[0031]實施例將參照具體環(huán)境進(jìn)行描述，S卩，制造并使用例如晶圓級封裝組件中有用的扇出結(jié)構(gòu)。然而，其它實施例還可應(yīng)用于其它電子部件，包括但不限于安裝存儲組件、顯示器、輸入組件、分立元件、電源或穩(wěn)壓器或任何其它部件。
[0032]圖10是示出用于制造扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的方法1000的實施例中的步驟的流程圖。結(jié)合圖1至圖7描述圖10，圖1至圖7示出了用于形成扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的方法1000的中間步驟。
[0033]首先，參照圖10，框1002示出了用于制造扇出晶圓級封裝的方法1000的實施例的第一步。如圖1所示，可提供載體112，并且可選地可提供粘合層110。載體112可被配置成為沉積隨后的非剛性層提供結(jié)構(gòu)剛性或基底。在一個實施例中，載體112可以是玻璃，但可以可選地是具有適當(dāng)構(gòu)形和結(jié)構(gòu)剛性的晶圓、半導(dǎo)體、金屬、合成物或其它材料。
[0034]在一些實施例中，粘合層110可施加于載體112。在一個實施例中，粘合層110可以是膠帶或管芯粘附膜(DAF)，或者可選地，可以是通過旋涂工藝等施加于載體112的膠或環(huán)氧樹脂。在一些實施例中，粘合層110可在隨后的步驟中用于將載體112與扇出組件(參見圖8，元件800)和相關(guān)的器件或?qū)臃蛛x。
[0035]在框1004中并且如圖1所示，可施加管芯102。管芯102的應(yīng)用不限于應(yīng)用單個管芯102，因為本發(fā)明可包括多于一個的管芯102。在一些實施例中，管芯102可具有一個或多個安裝件114，它們例如可以是接觸件、引腳、安裝墊、焊盤等用于提供與管芯102內(nèi)的電路(未示出)的電連接。管芯102可通過粘合層110或另一種合適的附接方法來附接或以其他方式安裝至載體112。管芯102可以使管芯102的頂面102a附接至載體112，其中安裝件114遠(yuǎn)離載體112。
[0036]在框1006中并且如圖1所示，可以附接或以其他方式制造一個或多個通孔106。在一個實施例中，通孔106可形成在可通過粘合層110或另一種合適的附接方法附接至載體112的通孔芯片104內(nèi)。在一個實施例中，通孔芯片104可以被拾放裝置替代。通孔芯片104可包括一個或多個介電層108和基本由導(dǎo)電材料組成的一個或多個通孔106。在一些實施例中，通孔106可以是銅，或在其它實施例中，通孔106可以是鋁、金、鈀、銀、它們的合金或另一種導(dǎo)電材料。此外，介電層可由與模制襯底202不同的材料形成，并且可將通孔106與模制襯底202隔開。
[0037]可在將通孔芯片104放置在載體112上之前形成通孔芯片104，或者通孔106可原位形成在載體上。例如，通孔芯片104可形成為較大結(jié)構(gòu)的一部分。例如，多個通孔106或多個通孔芯片104可形成在單個結(jié)構(gòu)中，然后切割為期望或預(yù)定的尺寸。例如，介電層可被蝕刻或以其他方式具有形成在其中的通孔開口，然后可通過沉積或噴鍍工藝來形成通孔106。可選地，在放置在載體112上之前，通孔106可被研磨、模制、沉積或形成有介電層108或模塑料。
[0038]此外，雖然所示實施例描述了具有兩個通孔芯片104的單個管芯102，在管芯102的每一側(cè)都有一個通孔芯片，但通孔芯片104和管芯102的數(shù)量和設(shè)置并不限于所示實施例。例如，多個管芯102可設(shè)置在載體112上，在管芯102周圍配置一個通孔芯片104或多于兩個的通孔芯片104。
[0039]在框1008中，可施加模塑料202a，以如圖2所示形成模制襯底202。模塑料202a可施加至載體112，并且可填充管芯102和通孔芯片104周圍的區(qū)域，并且填充管芯102的安裝件114和通孔106周圍的任何間隙。在一個實施例中，模制襯底202可由非導(dǎo)電材料形成，諸如環(huán)氧樹脂、樹脂、模制聚合物等。模塑料202a可以在基本處于液態(tài)的情況下被施力口，然后可通過諸如環(huán)氧樹脂或樹脂中的化學(xué)反應(yīng)被固化。在另一個實施例中，模塑料202a可以是紫外(UV)或熱固化聚合物，以能夠設(shè)置在管芯102和通孔芯片104周圍的凝膠或可延展固體的形式被施加。在使用UV或熱固化模塑料202a的實施例中，例如使用鄰接諸如晶圓或封裝件的模制區(qū)域邊界的模具來在適當(dāng)位置形成模制襯底202?？蛇x地，可以在施加模塑料202a之前施加剝離膜，這允許模具與模制襯底202或載體112分離。在模塑料202a被施加于載體112而在模塑料202a和載體112之間沒有粘合劑或其它障礙物的情況下，剝離膜可能是有利的。
[0040]在框1010中并且如圖3所示，可減少模制襯底202。在一些實施例中，模制襯底202可經(jīng)歷研磨步驟以從管芯102的安裝件114和通孔106去除過量的材料。在這種實施例中，模制襯底202可經(jīng)受化學(xué)機(jī)械拋光、純機(jī)械拋光、化學(xué)蝕刻或另一種合適的減少工藝。在一些實施例中，最終減少的模制襯底202可具有位于通孔106和管芯102的安裝件114的頂面處或下方的頂面202b。在一些實施例中，通孔106和管芯102的安裝件114的第一端可與模制襯底202的第一面202b基本共面。因此，通孔106和管芯102的安裝件114的第一端可以在減少的模制襯底202的拋光側(cè)或第一側(cè)202b處露出，使得在通孔106和管芯102的安裝件114上形成電接觸。在一些實施例中，研磨還可減少通孔106或管芯102的安裝件114的高度。
[0041]在框1012中，如圖4所示，可形成第一再分布層402 (RDL)。模制襯底202可具有設(shè)置在平坦化或減少的表面的一側(cè)202b上的RDL 402。在一些實施例中，RDL 402可具有設(shè)置在層間介電層(MD)408中并與RDL接觸焊盤404電接觸的一條或多條導(dǎo)線406。RDL402的導(dǎo)線406可進(jìn)一步與一個或多個管芯102的安裝件114或者一個或多個通孔106接觸。導(dǎo)線406可從一個或多個管芯102的安裝件114扇出，使得RDL接觸焊盤404可具有比管芯102的安裝件114更大的接合間距，并且這可以適合于球柵格陣列或其它封裝安裝系統(tǒng)。在一個實施例中，RDL 402可具有被配置為扇出并在管芯102的安裝件114和RDL接觸焊盤404之間提供電連接的導(dǎo)線406。在一些實施例中，RDL 402還可以具有將一個或多個通孔106連接至RDL接觸焊盤404的導(dǎo)線406。在一些實施例中，例如，導(dǎo)線406可將通孔106電連接至另一個通孔106、管芯102的安裝件114或者另一個管芯102或器件。
[0042]在框1014中并且如圖5所示，可施加封裝安裝件502，然后可測試管芯102或電路。在一個實施例中，例如，封裝安裝件502可施加于RDL接觸焊盤404作為包括球柵格陣列的焊球。在另一個實施例中，封裝安裝件可以是接點(diǎn)柵格陣列(LGA)、引腳陣列或另一種合適的封裝附接系統(tǒng)。
[0043]在框1016中，可以除去載體112并露出通孔106。圖6示出了除去載體112之后的封裝件?？扇コd體112以露出使用的粘合層110或者露出通孔和模制襯底。在一個實施例中，粘合層110可通過加熱、紫外線或溶解而被軟化或以其它方式被變軟，并且使載體112與模制襯底20分離。在其它實施例中，可通過研磨或拋光工藝去除載體112。
[0044]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的在模制襯底202的第二面202c露出通孔106的封裝件?？赏ㄟ^諸如研磨、化學(xué)機(jī)械拋光、加熱等機(jī)械地去除粘合層110，或者通過諸如溶解的其它方法去除粘合層110。在一些實施例中，可以在減少或平坦化通孔106的第二端和模制襯底202的第二面202c的工藝中去除粘合層110。還可以作為去除載體112的工藝的一部分來去除粘合層110。因此，通孔的第二端可與模制襯底202的第二面202c基本共面。此外，可通過模制襯底202的第二面露出管芯102的頂面102a。應(yīng)用于模制襯底202的第二面202c的平坦化工藝還可用于使模制襯底202達(dá)到期望或預(yù)定的厚度。例如，在一個實施例中，可減少模制襯底202以露出管芯102的頂面102a，使得模制襯底具有與包括管芯102的安裝件114的管芯102近似相同的厚度。
[0045]在框1018中，可安裝第二結(jié)構(gòu)802。圖8示出了根據(jù)本發(fā)明制造的扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)800的一個實施例，其中第二結(jié)構(gòu)802或管芯安裝在單個管芯102的上方。在一個實施例中，第二結(jié)構(gòu)802可安裝在第二結(jié)構(gòu)802的底面與管芯102的頂面102a分離的高度處。在一個實施例中，第二結(jié)構(gòu)802可具有第二襯底804，并且可應(yīng)用一個或多個結(jié)構(gòu)連接件808以將第二結(jié)構(gòu)802連接至通孔106。在一個實施例中，結(jié)構(gòu)連接件808可以是施加在第二結(jié)構(gòu)802底部上的焊盤的焊球。在另一個實施例中，結(jié)構(gòu)連接件808可以是焊膏、導(dǎo)電粘合劑等。
[0046]圖9示出了根據(jù)本發(fā)明制造的第二扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)900的另一個實施例。在一個實施例中，第二結(jié)構(gòu)902可以是例如具有引腳陣列的管芯，諸如寬I/O DRAM芯片。在這種實施例中，單個通孔芯片104可設(shè)置在模制襯底202中，兩個或多個管芯102設(shè)置在模制襯底202中，使得通孔芯片104設(shè)置在至少兩個管芯102之間。
[0047]因此，鑒于以上所述，用于形成扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的方法可包括將有源器件或管芯102施加到載體112上方，管芯102具有多個安裝件114，在載體112上提供一個或多個通孔106并且在載體112上方和通孔106周圍形成模制襯底202。可以減少與載體112相對的第一面202b上的模制襯底202以露出通孔106。在一些實施例中，還可通過模制襯底202的第一面202b露出管芯102上的安裝件114。通過模制襯底202的第一面202b露出的通孔106和管芯102的安裝件114的一端可與模制襯底202的第一面202b基本共面。粘合層110可以可選地設(shè)置在載體112上，并且管芯和通孔通過粘合層110附接至載體112。此外，模制襯底202可形成在粘合層110上。
[0048]具有通孔106和可選地隔開通孔106的一個或多個介電層108的通孔芯片104可用于提供載體102或粘合層110上的通孔106。在將一個或多個通孔芯片104放置在粘合層110上之前，通孔芯片104可單獨(dú)形成并遠(yuǎn)離于載體112和粘合層110。通孔芯片104中的介電層108可將通孔106與模制襯底202隔開，介電層108包括與模制襯底202不同的材料。在一個實施例中，模制襯底202可具有至少兩個通孔芯片104，管芯102設(shè)置在通孔芯片104之間。在另一個實施例中，模制襯底202可具有位于粘合層110上的至少兩個管芯102和設(shè)置在兩個管芯102之間的通孔芯片104。
[0049]具有多個RDL接觸焊盤404和導(dǎo)線406的RDL 402可形成在模制襯底202的第一面202b。RDL接觸焊盤404可具有比管芯102的安裝件114的接合間距大的接合間距，而且封裝安裝件502可設(shè)置在RDL接觸焊盤404上。
[0050]可以去除載體112并去除粘合層110?？赏ㄟ^模制襯底202與第一面202b相對的第二面露出一個或多個通孔106。第二結(jié)構(gòu)802可安裝在模制襯底202的第二面，第二結(jié)構(gòu)802具有設(shè)置在其上并與至少一個通孔106電通信的至少一個管芯102。在一個實施例中，第二結(jié)構(gòu)802上的管芯102通過至少一個通孔106與至少一個RDL接觸焊盤404電通信。
[0051]盡管已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的實施例及它們的優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)當(dāng)理解，在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明精神和范圍的情況下，本文可以進(jìn)行各種改變、替換和更改。本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易理解，可以使用各種材料和處理步驟順序?qū)嵤┥衔乃懻摰脑S多特征和功能。例如，管芯和通孔可通過任何合適的方法附接至載體以在施加模塑料202a的合適位置充分保持該結(jié)構(gòu)。作為另一個實例，本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易理解，可以以任何有利的順序執(zhí)行用于制造扇出晶圓級結(jié)構(gòu)的許多步驟而仍然在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0052]此外，本申請的范圍不旨在限于說明書中描述的工藝、機(jī)械裝置、制造、物質(zhì)組成、工具、方法和步驟的特定實施例。根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)容本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)容易理解，根據(jù)本發(fā)明使用與文中描述的對應(yīng)實施例執(zhí)行基本相同的功能或?qū)崿F(xiàn)基本相同結(jié)果的目前現(xiàn)有或即將開發(fā)的工藝、機(jī)械裝置、制造、物質(zhì)組成、工具、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求旨在包括在這種工藝機(jī)械裝置、制造、物質(zhì)組成、工具、方法或步驟的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于形成封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括: 在載體上方施加管芯，所述管芯具有多個安裝件； 在所述載體上提供一個或多個通孔； 在所述載體上方和所述通孔周圍形成模制襯底； 減少所述模制襯底與所述載體相對的第一側(cè)并在所述模制襯底與所述載體相對的第一側(cè)處露出所述一個或多個通孔； 在所述模制襯底的第一側(cè)上形成再分布層(RDL)，所述RDL具有多個RDL接觸焊盤；以及 在所述模制襯底與第一側(cè)相對的第二側(cè)處露出所述一個或多個通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模制襯底包括粘合層，所述管芯被施加至所述粘合層，并且所述模制襯底形成在所述粘合層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述載體上提供所述一個或多個通孔包括將所述一個或多個通孔芯片施加于所述粘合層，每個通孔芯片都具有一個或多個通孔以及設(shè)置在所述通孔芯片中以隔開所述一個或多個通孔的至少一個介電層，在將通孔芯片施加于所述粘合層之前形成所述通孔芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，減少所述模制襯底的所述第一側(cè)進(jìn)一步包括露出所述管芯上的所述多個安裝件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法`，其中，形成所述RDL進(jìn)一步包括形成接合間距大于所述管芯上的所述多個安裝件的接合間距的所述RDL接觸焊盤。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述模制襯底的所述第二側(cè)處安裝第二結(jié)構(gòu)，所述第二結(jié)構(gòu)具有設(shè)置在其上并與至少一個通孔電通信的至少一個管芯。
7.一種用于形成封裝結(jié)構(gòu)的方法，包括: 提供載體，在所述載體的第一側(cè)上具有粘合層； 將管芯施加于所述粘合層，所述管芯具有多個安裝件； 在所述粘合層上提供通孔； 在所述載體上方以及所述管芯和所述通孔周圍形成模制襯底； 在所述模制襯底的第一側(cè)上形成再分布層(RDL)，所述RDL具有多個RDL接觸焊盤以及至少一條導(dǎo)線； 將多個封裝安裝件施加于所述RDL接觸焊盤；以及 在所述管芯上方和所述通孔上安裝第二結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，提供所述通孔包括在所述粘合層上提供一個或多個通孔芯片，每個通孔芯片都包括至少一個通孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，提供所述一個或多個通孔芯片包括:在將所述一個或多個通孔芯片放置在所述粘合層上之前，形成獨(dú)立于所述載體和所述粘合層并遠(yuǎn)離所述載體和所述粘合層的所述一個或多個通孔芯片。
10.一種封裝件，包括: 模制襯底； 管芯，具有至少一個安裝件，所述管芯至少部分地設(shè)置在所述模制襯底內(nèi)； 至少一個通孔，設(shè)置在所述模制襯底內(nèi)并具有位于所述模制襯底的第一側(cè)處的第一端以及位于所述模制襯底與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)處的第二端；以及 第一再分布層(RDL)，形成在所述模制襯底的所述第一側(cè)上，所述RDL具有多個RDL接觸焊盤以及與所述RDL接`觸焊盤電接觸的多條導(dǎo)線。
【文檔編號】H01L21/48GK103779235SQ201310018216
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年1月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月19日
【發(fā)明者】林俊成 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司