專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體裝置及其制造方法、固態(tài)攝像裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開(kāi)涉及例如包括層疊多種類(lèi)型的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置、制造該半導(dǎo)體裝置的方法、固態(tài)攝像裝置及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近來(lái)，已經(jīng)提出諸如電荷耦合器件(CXD)或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器的固態(tài)攝像裝置，固態(tài)攝像裝置例如包括層疊的不同類(lèi)型的半導(dǎo)體芯片，如日本專(zhuān)利特開(kāi)第2010-245506號(hào)公報(bào)(JP2010-245506A)所述。在JP2010-245506A的固態(tài)攝像裝置中，兩種類(lèi)型的半導(dǎo)體芯片接合在一起，且然后提供在芯片上的連接焊盤(pán)通過(guò)貫通電極彼此電連接。具體而言，為芯片的每個(gè)焊盤(pán)提供貫通電極，并且通過(guò)所謂的鑲嵌工藝形成嵌入式互連，用于這樣的貫通電極之間的連接。

發(fā)明內(nèi)容
在芯片用如上所述的貫通電極彼此連接的情況下，因?yàn)槊總€(gè)芯片具有包括例如硅的半導(dǎo)體基板，所以作為導(dǎo)電材料的貫通電極形成為貫穿半導(dǎo)體基板。結(jié)果，難以確保該貫通電極和該半導(dǎo)體基板之間的絕緣。另外，貫通電極的高度(長(zhǎng)度)自身增加，導(dǎo)致配線電容的增加。因此，所希望的是實(shí)現(xiàn)在諸如半導(dǎo)體芯片或晶片的器件基板之間具有優(yōu)良電連接的半導(dǎo)體裝置。所希望的是提供 在不同的器件基板之間允許確保優(yōu)良電連接的半導(dǎo)體裝置、制造半導(dǎo)體裝置的方法、固態(tài)攝像裝置及電子設(shè)備。根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括:第一器件基板，包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線層，該第一配線層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?；第二器件基板，包括第二半?dǎo)體基板和第二配線層，該第二器件基板接合到該第一器件基板，并且該第二配線層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?；貫通電極，貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線層和該第二配線層彼此電連接；以及絕緣層，設(shè)置成與該貫通電極相對(duì)，并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體基板之一。根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括:將第一器件基板接合到第二器件基板，該第一器件基板包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線層，該第一配線層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?，該第二器件基板包括第二半?dǎo)體基板和第二配線層，并且該第二配線層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?；形成貫通電極，該貫通電極貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線層和該第二配線層彼此電連接；以及形成絕緣層，該絕緣層形成為與該貫通電極相對(duì)并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體基板之一。在根據(jù)本公開(kāi)上述各實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法中，第一器件基板和第二器件基板彼此接合，其中第一配線層和第二配線層通過(guò)貫通電極彼此電連接，并且該絕緣層提供為貫穿第一半導(dǎo)體基板和第二半導(dǎo)體基板之一。這容易確保該半導(dǎo)體基板和該貫通電極之間的絕緣。另外，減少該第一和第二配線層之間的配線距離，導(dǎo)致配線電容的減少。根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置提供有半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括:第一器件基板，包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線層，該第一配線層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希坏诙骷?，包括第二半?dǎo)體基板和第二配線層，該第二器件基板接合到該第一器件基板，并且該第二配線層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?；貫通電極，貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線層和該第二配線層彼此電連接；以及絕緣層，設(shè)置成與該貫通電極相對(duì)，并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體基板之一。根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的電子設(shè)備提供有固態(tài)攝像裝置。該固態(tài)攝像裝置提供具有半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括:第一器件基板，包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線層，該第一配線層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?；第二器件基板，包括第二半?dǎo)體基板和第二配線層，該第二器件基板接合到該第一器件基板，并且該第二配線層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?；貫通電極，貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線層和該第二配線層彼此電連接；以及絕緣層，設(shè)置成與該貫通電極相對(duì)，并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體基板之一。根據(jù)上述本公開(kāi)各實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，第一和第二半導(dǎo)體基板彼此接合，其中該第一和第二配 線層通過(guò)貫通電極彼此電連接，并且該絕緣層提供為貫穿該第一和第二半導(dǎo)體基板之一。結(jié)果，在確保該半導(dǎo)體基板和該貫通電極之間絕緣的同時(shí)，減小了該第一和第二配線層之間的配線電容。因此，確保了不同器件基板之間優(yōu)良的電連接。根據(jù)本公開(kāi)上述各實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置和電子設(shè)備均包括根據(jù)本公開(kāi)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。結(jié)果，在確保該半導(dǎo)體基板和該貫通電極之間絕緣的同時(shí)，減小了該第一和第二配線層之間的配線電容。因此，在不同器件基板之間建立了優(yōu)良的電連接。應(yīng)當(dāng)理解的是上述總體描述和下面的詳細(xì)描述二者都是示范性的，并且旨在對(duì)所要求的技術(shù)提供進(jìn)一步的說(shuō)明。


附圖被包括以提供對(duì)本公開(kāi)的進(jìn)一步理解，且結(jié)合在說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分。附圖示出了實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)一起用以說(shuō)明本技術(shù)的原理。圖1是示出根據(jù)本公開(kāi)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置示意性構(gòu)造的截面圖。圖2A和2B是用以描述制造圖1所示的半導(dǎo)體裝置的方法的截面圖。圖3是示出圖2A和2B后續(xù)步驟的截面圖。圖4A和4B是示出圖3后續(xù)步驟的截面圖。圖5A和5B是示出圖4A和4B后續(xù)步驟的截面圖。圖6是示出根據(jù)比較示例I的半導(dǎo)體裝置示意性構(gòu)造的截面7是示出根據(jù)比較示例2的半導(dǎo)體裝置示意性構(gòu)造的截面圖。圖8是示出根據(jù)本公開(kāi)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置示意性構(gòu)造的截面圖。圖9A和9B是用以描述制造圖8所示的半導(dǎo)體裝置的方法的截面圖。圖1OA和IOB是示出圖9A和9B后續(xù)步驟的截面圖。圖11是示出根據(jù)本公開(kāi)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置示意性構(gòu)造的截面圖。
圖12A和12B是用以描述制造圖11所示的半導(dǎo)體裝置的方法的截面圖。圖13是根據(jù)應(yīng)用示例I的固態(tài)攝像裝置的原理框圖。圖14是用以描述圖13所示的像素部和電路部的每個(gè)的布局的示意圖。圖15是示出根據(jù)應(yīng)用示例2的電子設(shè)備(照相機(jī))示意性構(gòu)造的框圖。
具體實(shí)施例方式在下文，將參照附圖詳細(xì)描述本公開(kāi)的一些實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意的是描述按以下順序給出。1.第一實(shí)施例(具有通過(guò)無(wú)電鍍(electroless plating)形成的貫通電極的半導(dǎo)體裝置的示例)。2.第二實(shí)施例(具有通過(guò)電鍍(時(shí)間控制)形成的貫通電極的半導(dǎo)體裝置的示例)。3.第三實(shí)施例(具有通過(guò)電鍍(鍍覆后蝕刻)形成的貫通電極的半導(dǎo)體裝置的示例)。4.應(yīng)用示例I (固態(tài)攝像裝置的示例)。5.應(yīng)用示例2 (電子 設(shè)備(照相機(jī))的示例)。[第一實(shí)施例][構(gòu)造]圖1示出了根據(jù)本公開(kāi)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體裝置1A)的截面構(gòu)造。例如應(yīng)用在以下描述的固態(tài)攝像裝置I中的半導(dǎo)體裝置IA包括彼此接合的兩種不同類(lèi)型的半導(dǎo)體芯片(第一芯片10和第二芯片20)。第一芯片10具有多個(gè)像素，例如每個(gè)像素包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換器件，并且第二芯片20具有周邊電路以驅(qū)動(dòng)像素，如稍后所詳細(xì)描述的。應(yīng)注意第一芯片10和第二芯片20分別對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)非限制性的一個(gè)實(shí)施例中的“第一器件基板”和“第二器件基板”。第一芯片10包括半導(dǎo)體基板12,在基板12的一個(gè)表面上包括多層配線層11，并且在其另一表面上包括器件形成層13，該器件形成層13具有以下將描述的像素部10A。同樣，第二芯片20包括半導(dǎo)體基板22,在基板22的一個(gè)表面上包括多層配線層21,并且例如在其另一表面上包括以下將描述的電路部130 (圖1中未不出)。例如,第一芯片10和第二芯片20例如用其間的粘合層14彼此接合，以使多層配線層11和21彼此面對(duì)。半導(dǎo)體基板12和22的每個(gè)例如由硅(Si)形成。然而，根據(jù)半導(dǎo)體裝置IA的應(yīng)用，半導(dǎo)體基板可由具有絕緣表面的玻璃、塑料或金屬板形成。多層配線層11和21的每個(gè)由多個(gè)配線層構(gòu)成，例如每個(gè)配線層包括銅(Cu)或鋁(Al)，其間分別提供有層間絕緣膜IIB和21B。層間絕緣膜IIB和21B分別由諸如硅化合物膜的層疊膜構(gòu)造，該硅化合物膜例如包括二氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)和氮氧化硅(SiON)0多層配線層11和21具有焊盤(pán)(分別是第一連接焊盤(pán)IlA和第二連接焊盤(pán)21A)，用于第一芯片10和第二芯片20之間的電連接。應(yīng)注意第一連接焊盤(pán)IIA和第二連接焊盤(pán)21A分別對(duì)應(yīng)于本公開(kāi)一個(gè)實(shí)施例的“第一配線層”和“第二配線層”的具體而非限定的示例。第一連接焊盤(pán)IlA和第二連接焊盤(pán)21A通過(guò)貫通電極15彼此電連接，該貫通電極15提供為貫穿第一芯片10且貫穿第二芯片20的部分或全部。具體地，通孔H提供為從第一芯片10的表面貫穿器件形成層13、半導(dǎo)體基板12和多層配線層11 (第一連接焊盤(pán)11A)直至第二連接焊盤(pán)2IA的表面。用導(dǎo)電膜填充在通孔H中的第一連接焊盤(pán)IIA和第二連接焊盤(pán)21A之間的區(qū)域，以形成貫通電極15。例如每個(gè)均包括銅或鋁的第一連接焊盤(pán)IlA和第二連接焊盤(pán)21A提供在彼此相對(duì)的位置處。第一連接焊盤(pán)IlA具有作為通孔H—部分的開(kāi)口 H1。用作為貫通電極15的導(dǎo)電膜填充開(kāi)口 Hl以連接到第二連接焊盤(pán)21A。貫通電極15例如由銅或鎳(Ni)形成。在第一實(shí)施例中，貫通電極15通過(guò)無(wú)電鍍形成，如以下將詳細(xì)描述的。例如，貫通電極15具有約3 μ m到15 μ m的高度(厚度，或配線距離)。應(yīng)注意半導(dǎo)體裝置IA可具有一個(gè)貫通電極15，或兩個(gè)或更多個(gè)貫通電極15。在第一實(shí)施例中，絕緣膜16在通孔H中進(jìn)一步設(shè)置在貫通電極15上。換言之，絕緣膜16提供為填充通孔H的上部(對(duì)應(yīng)于貫穿半導(dǎo)體基板12的區(qū)域)。

絕緣膜16由高耐熱絕緣材料形成，例如，諸如二氧化硅的氧化硅和氧氮化硅，或諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)和聚酰亞胺的光敏樹(shù)脂。絕緣膜16的表面與第一芯片10的表面(器件形成層13的表面)共面，并且保護(hù)膜17設(shè)置為覆蓋絕緣膜16和器件形成層13。保護(hù)膜17是單層膜，例如包括二氧化硅、氮化硅和氧化鋁中的一種，或者是包括它們中的兩種或多種的多層膜。[制造方法]例如半導(dǎo)體裝置IA通過(guò)以下方法制造。圖2A至5B以工藝順序示出了制造半導(dǎo)體裝置IA的方法。首先，如圖2A和2B所示，第一芯片10和第二芯片20設(shè)置成彼此相對(duì)以使多層配線層11和21彼此面對(duì)，并且以其間的粘合層14彼此接合。應(yīng)注意第一芯片10包括多層配線層11，其中在第一連接焊盤(pán)IlA中預(yù)先形成了開(kāi)口 H1。第一芯片10和第二芯片20例如可用表面活化處理代替粘合層14來(lái)彼此接合。然后，如圖3所示，形成通孔H。具體而言，例如，與第一連接焊盤(pán)IlA (具體而言，開(kāi)口 Hl)和第二連接焊盤(pán)21A的每個(gè)相對(duì)的區(qū)域的部分例如用光刻工藝通過(guò)干蝕刻被選擇性地移除。因此，器件形成層13、半導(dǎo)體基板12、多層配線層11、粘合層14和多層配線層21的層間絕緣膜21B的每個(gè)被部分地移除以暴露第一連接焊盤(pán)IlA的內(nèi)壁(開(kāi)口 Hl)和第二連接焊盤(pán)2IA的表面。然后，如圖4A所示，對(duì)在通孔H中暴露的表面，第二連接焊盤(pán)2IA的表面和第一連接焊盤(pán)IlA的開(kāi)口 Hl的內(nèi)壁的每個(gè)進(jìn)行置換處理(displacement treatment)(在其上形成置換涂層Al和A2)作為以下將描述的無(wú)電鍍的預(yù)處理。在此操作中，例如鋅(Zn)用于無(wú)電鍍鎳的置換處理，并且例如鈀(Pd)用于無(wú)電鍍銅的置換處理。然后，如圖4B所示，例如通過(guò)無(wú)電鍍鎳或銅在通孔H中淀積鍍覆的鎳或銅膜以形成貫通電極15，即將第一連接焊盤(pán)IlA電連接到第二連接焊盤(pán)21A。在此操作中，對(duì)于無(wú)電鍍鎳，甲醛基鍍覆溶液被施加以填充通孔H。對(duì)于無(wú)電鍍銅，磺酸基鍍覆溶液以同樣的方式使用。在此操作中，鍍膜從置換涂層Al和A2兩者淀積(生長(zhǎng))，且根據(jù)置換涂層Al和A2的每個(gè)的面積確定從每個(gè)置換涂層Al和A2的生長(zhǎng)速度。置換涂層Al和A2的面積比可因此根據(jù)例如通孔H的縱橫比適當(dāng)設(shè)置。這防止開(kāi)口 Hl在將第一連接焊盤(pán)IlA和第二連接焊盤(pán)21A彼此連接之前被封閉。例如，如果開(kāi)口 H具有大縱橫比(即寬度〈深度)，則置換涂層Al的面積可設(shè)置成大于置換涂層A2的面積。這促進(jìn)鍍層從置換涂層Al向上生長(zhǎng)。結(jié)果，第一連接焊盤(pán)IlA和第二連接焊盤(pán)21A在開(kāi)口 Hl封閉之前被彼此連接。然后，形成絕緣層16。具體而言，首先，如圖5A所示，在第一芯片10的整個(gè)表面之上形成上述絕緣材料，用這樣的方式在通孔H中填充貫通電極15上的區(qū)域。例如，通過(guò)旋涂形成旋涂玻璃(S0G)，并且在約600° C的溫度下固化以形成二氧化硅(SiO2)膜。作為選擇，例如，諸如苯并環(huán)丁烯(BCB )樹(shù)脂或聚酰亞胺的光敏樹(shù)脂可通過(guò)旋涂形成。此外，例如，可通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)或高密度等離子體CVD (HDP-CVD)工藝沉積上述硅化合物中的任一種。然后，如圖5B所示，例如，通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝拋光在器件形成層13上形成的絕緣膜材料以形成絕緣層16。最后，例如，通過(guò)CVD工藝或?yàn)R鍍工藝形成包括上述材料的保護(hù)膜17，以完成圖1所示的半導(dǎo)體裝置1A。[有益效果]在半導(dǎo)體裝置IA中，兩種不同類(lèi)型的半導(dǎo)體芯片(第一芯片10和第二芯片20)通過(guò)貫通電極15接合在一起并且彼此電連接，例如，獲得像素部IOA和電路部130垂直層疊的構(gòu)造的器件，如稍后描述的。另外，絕緣層16提供為貫穿半導(dǎo)體基板12，因此容易確保半導(dǎo)體基板12和貫通電極15之間的絕緣。此外，減小了第一配線層和第二配線層之間的配線距離,導(dǎo)致配線電容的減小。

現(xiàn)在描述根據(jù)第一實(shí)施例的比較示例的半導(dǎo)體裝置。圖6是示出根據(jù)比較示例I的半導(dǎo)體裝置的示意性構(gòu)造的截面圖。圖7是示出根據(jù)比較示例2的半導(dǎo)體裝置的示意性結(jié)構(gòu)的截面圖。在比較示例I中，如第一實(shí)施例中所述，不同類(lèi)型的芯片或者第一芯片100A和第二芯片100B彼此接合，并且分別提供在多層配線層101和104中的第一連接焊盤(pán)1011A和第二連接焊盤(pán)1011B彼此電連接。然而，在比較示例I中，第一連接焊盤(pán)1011A用兩個(gè)貫通電極107A和107B連接到第二連接焊盤(pán)1011B。貫通電極107A連接到第一芯片100A的第一連接焊盤(pán)1011A，并且貫通電極107B連接到第二芯片100B的第二連接焊盤(pán)IOllB0在比較示例2中，如第一實(shí)施例一樣，第一連接焊盤(pán)1011A用一個(gè)貫通電極109連接到第二連接焊盤(pán)1011B。在比較示例I和2中，貫通電極107AU07B和109的任何一個(gè)提供為貫穿半導(dǎo)體基板102。因此難以確保貫通電極和半導(dǎo)體基板102之間的絕緣。另外，比較示例I的構(gòu)造導(dǎo)致增加第一連接焊盤(pán)1011A和第二連接焊盤(pán)1011B之間的配線距離，也就是配線電容的增加。另外，有必要通過(guò)貫通電極107A和107B之間的鑲嵌工藝形成嵌入式配線，導(dǎo)致增加
工藝步驟的數(shù)量。相反，在第一實(shí)施例中，如上所述，當(dāng)?shù)谝贿B接焊盤(pán)IlA通過(guò)貫通電極15電連接到第二連接焊盤(pán)21A時(shí)，用絕緣層16填充貫穿半導(dǎo)體基板12的區(qū)域。這容易確保貫通電極15和半導(dǎo)體基板12之間的絕緣。另外，與比較示例I中的相比，第一連接焊盤(pán)IlA和第二連接焊盤(pán)2IA之間的距離小，允許配線電容的減少。另外，與比較示例I中的相比，貫通電極數(shù)少，并且避免了通過(guò)鑲嵌工藝形成配線，導(dǎo)致簡(jiǎn)單的制造工藝。此外，在比較示例I和2中，貫通電極107AU07B和109的任何一個(gè)貫穿硅半導(dǎo)體基板12。因此，如果在貫通電極和半導(dǎo)體基板之間有電勢(shì)差(例如，O到200V)，則在相對(duì)較低的電壓下在貫通電極和半導(dǎo)體基板之間發(fā)生電流泄漏。在第一實(shí)施例中，貫通電極15沒(méi)有貫穿半導(dǎo)體基板12，防止了這樣的缺點(diǎn)(所謂的耐受電壓退化或不充分的絕緣耐受電壓)。另外，在貫通電極15上形成絕緣層16以填充通孔H的上部。因此，保持貫通電極15的氣密性，并且即使貫通電極15隨后受到高溫工藝，貫通電極15也不會(huì)被損壞。如上文所述,在第一實(shí)施例中，第一芯片10和第二芯片20彼此接合,其中第一連接焊盤(pán)IlA和第二連接焊盤(pán)21A通過(guò)貫通電極15彼此電連接，并且用絕緣層16填充貫穿半導(dǎo)體基板12的區(qū)域。結(jié)果，在確保半導(dǎo)體基板12和貫通電極15之間絕緣的同時(shí)，減少了第一連接焊盤(pán)IlA和第二連接焊盤(pán)21A之間的配線電容。因此，確保了不同半導(dǎo)體芯片(器件基板)之間的優(yōu)良電連接。[第二實(shí)施例][構(gòu)造]圖8示出了根據(jù)本公開(kāi)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體裝置1B)的截面構(gòu)造。半導(dǎo)體裝置用于以下將描述的固態(tài)攝像裝置1，如第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置IA中所述。另夕卜，第一芯片10和第二芯片 20彼此接合，其中當(dāng)?shù)谝贿B接焊盤(pán)IlA通過(guò)貫通電極15電連接到第二連接焊盤(pán)21A時(shí)，用絕緣層16填充貫通電極15上貫穿半導(dǎo)體基板12的區(qū)域。此夕卜，保護(hù)膜17提供在第一芯片10的器件形成層13之上。應(yīng)注意與第一實(shí)施例中相似的部件用相同的標(biāo)號(hào)標(biāo)出，并且適當(dāng)省略其描述。然而，半導(dǎo)體裝置IB與第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的差異在于通過(guò)電鍍形成貫通電極15，并且種子金屬層A3 (金屬薄膜)提供在通孔H的內(nèi)壁表面和暴露在通孔H中的第二連接焊盤(pán)21A的表面之上。種子金屬層A3是作為電鍍種子層的薄膜層，并且例如由鉭(Ta)和銅的層疊膜、鈦(Ti)和銅的層疊膜或鈦鎢合金(TiW)和銅的層疊膜構(gòu)造。貫通電極15與第一實(shí)施例中的類(lèi)似，除了膜形成工藝外，并且例如也包括鎳和銅。種子金屬層A3例如具有約IOnm至35nm的厚度。[制造方法]半導(dǎo)體裝置IB例如通過(guò)以下方法制造。具體而言，首先，與第一實(shí)施例的方法相似，第一芯片10和第二芯片20彼此接合，然后通孔H形成在與第一連接焊盤(pán)IIA和第二連接焊盤(pán)21A的每個(gè)相對(duì)的位置處。然后，如圖9A所示，例如種子金屬層A3通過(guò)濺鍍工藝沉積在基板的整個(gè)表面之上。然后，如圖9B所示，進(jìn)行電鍍鎳或銅。在此操作中，在第二實(shí)施例中，第一連接焊盤(pán)IlA通過(guò)由電鍍淀積的鍍鎳或銅膜連接到第二連接焊盤(pán)21A，然后在鍍膜填充對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體基板12的區(qū)域之前(優(yōu)選地，緊接在第一連接焊盤(pán)IlA連接到第二連接焊盤(pán)21A之后)停止電鍍。這樣，通過(guò)電鍍條件(時(shí)間)的控制形成第二實(shí)施例中的貫通電極15。然后，形成絕緣層16。具體而言，首先，如圖1OA所述，用這樣的方法在第一芯片10的整個(gè)表面之上形成上述絕緣材料，以在通孔H中填充貫通電極15上的區(qū)域，如第一實(shí)施例所述。然后，如圖1OB所示，例如通過(guò)CMP工藝拋光移除形成在器件形成層13上的絕緣膜材料和種子金屬層A3以形成絕緣層16。最后，例如通過(guò)CVD工藝或?yàn)R鍍工藝形成包括上述材料的保護(hù)膜17，以完成圖8所示的半導(dǎo)體裝置1B。[有益效果]在第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置IB中，與第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置IA中一樣，第一芯片10和第二芯片20彼此接合，其中第一連接焊盤(pán)IlA和第二連接焊盤(pán)21A通過(guò)貫通電極15彼此電連接，并且絕緣層16提供在貫穿半導(dǎo)體基板12的區(qū)域中。結(jié)果，在確保半導(dǎo)體基板12和貫通電極15之間絕緣的同時(shí)，第一連接焊盤(pán)IlA和第二連接焊盤(pán)21A之間的配線電容減少。因此，實(shí)現(xiàn)如第一實(shí)施例中相同的有益效果。另外，即使通孔H具有大縱橫比(即深度 > 直徑)，也會(huì)抑制種子金屬層A3在臺(tái)階處的斷開(kāi)，避免由于這樣的在臺(tái)階處斷開(kāi)引起的劣質(zhì)鍍覆。此外，通過(guò)電鍍的時(shí)間控制防止鍍膜形成在第一芯片10的表面上，在形成保護(hù)膜17前可以消除對(duì)鍍膜進(jìn)行拋光工藝的必要性。[第三實(shí)施例][構(gòu)造]圖11示出了根據(jù)本公開(kāi)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體裝置1C)的截面構(gòu)造。在第三實(shí)施例中，與第一和第二實(shí)施例一樣，第一連接焊盤(pán)IlA通過(guò)貫通電極15電連接到第二連接焊盤(pán)21A，并且用第一芯片10和第二芯片20中的絕緣層16填充貫通電極15上貫穿半導(dǎo)體基板12的區(qū)域。此外，保護(hù)膜17提供在第一芯片10的器件形成層13之上。應(yīng)注意與第一實(shí)施例中相似的部件用相同的標(biāo)號(hào)標(biāo)出，并且適當(dāng)省略其描述。

另外，如在第二實(shí)施例中，通過(guò)電鍍形成貫通電極15，并且種子金屬層A3提供在通孔H的內(nèi)壁表面和暴露在通孔中的第二連接焊盤(pán)21A的表面之上。然而，第三實(shí)施例與第二實(shí)施例不同的是，種子金屬層A3僅形成在通孔H的內(nèi)壁表面中除對(duì)應(yīng)于與絕緣層16相對(duì)的區(qū)域之外的與貫通電極15相對(duì)的區(qū)域上。[制造方法]例如半導(dǎo)體裝置IC通過(guò)以下方法制造。具體而言，首先，與第一實(shí)施例的方法相似，第一芯片10和第二芯片20彼此接合，然后通孔H形成在與第一連接焊盤(pán)IIA和第二連接焊盤(pán)21A的每個(gè)相對(duì)的位置處。然后，與第二實(shí)施例的方法相似，種子金屬層A3在基板的整個(gè)表面之上形成，然后，如圖12所示，進(jìn)行電鍍鎳或銅。在此操作中，在第三實(shí)施例中，第一連接焊盤(pán)IIA通過(guò)由電鍍淀積的鍍鎳或銅膜連接到第二連接焊盤(pán)21A，然后進(jìn)一步繼續(xù)電鍍直至填滿通孔H。然后，如圖12B所示，例如通孔H中填充的鍍膜的上部(在第一連接焊盤(pán)IlA上形成絕緣層16的區(qū)域)用光刻工藝通過(guò)蝕刻被選擇性地移除。在此操作中，氫氟酸(HF)、過(guò)氧化氫(H2O2)和純水(H2O)的混合溶液可用作蝕刻劑。種子金屬層A3的部分也一起被移除。這樣，在第三實(shí)施例中，在電鍍工藝之后蝕刻鍍膜以形成貫通電極15。然后，用與第一和第二實(shí)施例的每個(gè)相似的方法依次形成絕緣層16和保護(hù)膜17，以完成圖11所示的半導(dǎo)體裝置1C。[有益效果]在第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置IC中，與第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置IA中一樣，第一連接焊盤(pán)IlA通過(guò)貫通電極15電連接到第二連接焊盤(pán)21A，并且絕緣層16提供在第一芯片10和第二芯片20中的貫通電極15上貫穿半導(dǎo)體基板12的區(qū)域中。結(jié)果，在確保半導(dǎo)體基板12和貫通電極15之間絕緣的同時(shí)，第一連接焊盤(pán)IlA和第二連接焊盤(pán)21A之間的配線電容減少。因此，實(shí)現(xiàn)與第一實(shí)施例中的相同有益效果。另外，與第二實(shí)施例一樣，即使通孔H具有大縱橫比，也可避免由于種子金屬層A3在臺(tái)階處斷開(kāi)引起的劣質(zhì)鍍覆。此外，避免由于貫通電極15的直徑變化引起的劣質(zhì)填充。[應(yīng)用示例I]圖13示出了固態(tài)攝像裝置(固態(tài)攝像裝置I)的整體構(gòu)造，其應(yīng)用第一至第三實(shí)施例中描述的半導(dǎo)體裝置IA至IC的任何一個(gè)。例如，固態(tài)攝像裝置I是CMOS圖像傳感器，其包括作為攝像區(qū)域的像素部IOA和電路部130，電路部130包括例如行掃描部131、水平選擇部133、列掃描部134和系統(tǒng)控制部132。在應(yīng)用示例I中，如圖14所示，例如像素部IOA提供在半導(dǎo)體裝置IA至IC的每個(gè)的第一芯片10 (器件形成層13)中，并且電路部130提供在其第二芯片20中。電路部130的系統(tǒng)控制部132 (未示出)可與像素部IOA—起提供在第一芯片10中。像素部IOA包括例如二維地設(shè)置成矩陣的多個(gè)單元像素P。例如，單元像素P連接到每個(gè)像素行的像素驅(qū)動(dòng)線Lread (詳細(xì)地，行選擇線和復(fù)位控制線)，并且連接到每個(gè)像素列的垂直信號(hào)線Lsig。每個(gè)像素驅(qū)動(dòng)線Lread傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)以從像素中讀取信號(hào)。像素驅(qū)動(dòng)線Lread的一個(gè)端部連接到對(duì)應(yīng)于行掃描部131的每行的輸出端。行掃描部131由諸如移位寄存器和地址譯碼器的部件構(gòu)造，例如，用作驅(qū)動(dòng)排成行的像素部IOA中的像素P的像素驅(qū)動(dòng)部分。從通過(guò)行掃描部131選擇性地掃描的像素行中的像素P輸出的每個(gè)信號(hào)通過(guò)每 個(gè)垂直信號(hào)線Lsig提供到水平選擇部133。水平選擇部133由諸如放大器的部件和提供給每個(gè)垂直信號(hào)線Lsig的水平選擇開(kāi)關(guān)構(gòu)造。列掃描部134由諸如移位寄存器和地址譯碼器的部件構(gòu)造，并且掃描以順序驅(qū)動(dòng)水平選擇部133的水平選擇開(kāi)關(guān)。通過(guò)由列掃描部134的這樣的選擇性掃描，通過(guò)每個(gè)垂直信號(hào)線Lsig傳輸?shù)拿總€(gè)像素的信號(hào)順序輸出到每個(gè)水平信號(hào)線19，然后通過(guò)水平信號(hào)線19傳輸?shù)酵獠繂卧Ｏ到y(tǒng)控制部132接收來(lái)自外部單元的時(shí)鐘、指示操作模式的數(shù)據(jù)和其他信號(hào)，并且輸出諸如固態(tài)攝像裝置I的內(nèi)部信息的數(shù)據(jù)。系統(tǒng)控制部132還包括產(chǎn)生各種定時(shí)信號(hào)的定時(shí)發(fā)生器，并且根據(jù)由定時(shí)發(fā)生器產(chǎn)生的各種定時(shí)信號(hào)進(jìn)行諸如行掃描部131、水平選擇部133和列掃描部134的電路部的驅(qū)動(dòng)控制。[應(yīng)用示例2]上述固態(tài)攝像裝置I可應(yīng)用于具有攝像功能的任何類(lèi)型的電子設(shè)備，例如諸如數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)和攝影機(jī)的照相系統(tǒng)，以及具有攝像功能的移動(dòng)電話。圖15示出了作為電子設(shè)備示例的電子設(shè)備2 (照相機(jī))的示意性構(gòu)造。例如電子設(shè)備2是可取靜態(tài)或動(dòng)態(tài)圖像的攝影機(jī)，并且具有固態(tài)攝像裝置1、光學(xué)系統(tǒng)(光學(xué)透鏡)、快門(mén)單元311、驅(qū)動(dòng)固態(tài)攝像裝置I和快門(mén)單元311的驅(qū)動(dòng)部313以及信號(hào)處理部312。光學(xué)系統(tǒng)310將來(lái)自于物體的圖像光(入射光)引入到固態(tài)攝像裝置I的像素部IOA0光學(xué)系統(tǒng)310可由多個(gè)光學(xué)透鏡構(gòu)造?？扉T(mén)單元311控制對(duì)固態(tài)攝像裝置I施加/阻擋光的周期。驅(qū)動(dòng)部313控制固態(tài)攝像裝置I的傳送操作和快門(mén)單元311的快門(mén)操作。信號(hào)處理部312從固態(tài)攝像裝置I中輸出的信號(hào)進(jìn)行各種類(lèi)型的信號(hào)處理。例如受到信號(hào)處理的圖像信號(hào)Dout儲(chǔ)存在諸如存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)中，或者輸出到顯示器上。盡管已經(jīng)以示例性實(shí)施例和應(yīng)用實(shí)施例描述了本技術(shù)，但公開(kāi)的內(nèi)容不受其限制，而是可以進(jìn)行各種修改和替換。例如，盡管已經(jīng)以兩個(gè)(兩種類(lèi)型)半導(dǎo)體芯片彼此接合的情況描述了示例性實(shí)施例和應(yīng)用示例，但三個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體芯片可彼此接合(層疊)。在這樣的情況下，貫通電極提供為將芯片的連接焊盤(pán)彼此電連接，并且絕緣層提供為貫穿表面?zhèn)鹊囊粋€(gè)半導(dǎo)體，實(shí)現(xiàn)本公開(kāi)示例性實(shí)施例的內(nèi)容的有益效果。盡管已經(jīng)以背側(cè)照明型的固態(tài)攝像裝置的構(gòu)造示例了示例性實(shí)施例和應(yīng)用示例，但本公開(kāi)的內(nèi)容也可應(yīng)用于前側(cè)照明型的固態(tài)攝像裝置。另外，根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體裝置和固態(tài)攝像裝置的每個(gè)可不包括上述示例性實(shí)施例和應(yīng)用示例的所有部件，或者可還包括其他層。從而，從本公開(kāi)的上述示例性實(shí)施例、修改和應(yīng)用示例至少能夠?qū)崿F(xiàn)以下構(gòu)造。(I) 一種半導(dǎo)體裝置，包括:第一器件基板，包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線層，該第一配線層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?；第二器件基板，包括第二半?dǎo)體基板和第二配線層，該第二器件基板接合到該第一器件基板，并且該第二配線層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希回炌姌O，貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線層和該第二配線層彼此電連接；以及

絕緣層，設(shè)置成與該貫通電極相對(duì)，并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體
基板之一。(2)根據(jù)(I)所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一器件基板層疊在該第二器件基板上，該貫通電極填充在通孔中該第一配線層和該第二配線層之間的區(qū)域，該通孔從該第一器件基板的表面依次貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第一配線層直至該第二配線層的表面，并且該絕緣層填充在該通孔中該貫通電極上的區(qū)域。(3)根據(jù)(2)所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一配線層具有構(gòu)成該通孔的一部分的開(kāi)□。(4)根據(jù)(2)或(3)所述的半導(dǎo)體裝置，其中該通孔的內(nèi)壁全部由金屬薄膜覆蓋。(5)根據(jù)(2)或(3)所述的半導(dǎo)體裝置，其中對(duì)于該通孔的內(nèi)壁，僅與該貫通電極相對(duì)的區(qū)域由金屬薄膜覆蓋。(6)根據(jù)(I)至(5)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中該貫通電極包括銅和鎳之
一(7)根據(jù)(I)至(6)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中該絕緣層包括氧化硅膜和光敏樹(shù)脂之一。(8)根據(jù)(2)至(7)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，還包括提供在該第一器件基板上的保護(hù)膜。(9) 一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括:將第一器件基板接合到第二器件基板，該第一器件基板包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線層，該第一配線層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?，該第二器件基板包括第二半?dǎo)體基板和第二配線層，并且該第二配線層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?；形成貫通電極，該貫通電極貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線層和該第二配線層彼此電連接；以及形成絕緣層，該絕緣層形成為與該貫通電極相對(duì)并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體基板之一。(10)根據(jù)(9)所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，還包括在將該第一器件基板接合到該第二器件基板之后形成通孔，該通孔從該第一器件基板的表面依次貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第一配線層直至該第二配線層的表面，其中形成該貫通電極包括在形成的通孔中填充該第一配線層和該第二配線層之間的區(qū)域，并且形成該絕緣層包括在形成該貫通電極之后，填充該通孔中該貫通電極上的區(qū)域。(11)根據(jù)(9)或(10)所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該貫通電極包括進(jìn)行無(wú)電鍍以形成該貫通電極。(12)根據(jù)(10)或(11)所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該絕緣層包括:在形成該貫通電極且在該 通孔中填充該貫通電極上的區(qū)域之后，在該第一器件基板之上形成絕緣材料膜；以及在形成該絕緣材料膜之后，拋光該絕緣材料膜。(13)根據(jù)(9)或(10)所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該貫通電極包括進(jìn)行電鍍以形成該貫通電極。(14)根據(jù)(13)所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該貫通電極包括在由淀積在該通孔中的鍍膜將該第一配線層和該第二配線層彼此連接之后且在該通孔被該鍍膜填滿之前停止進(jìn)行電鍍。(15)根據(jù)(13)所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該貫通電極包括在該通孔中淀積該鍍膜之后，選擇性地移除該鍍膜的第一配線層上的區(qū)域。(16)根據(jù)(9)至(15)中任一項(xiàng)所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中該貫通電極包括銅和鎳之一。(17)根據(jù)(9)至(16)中任一項(xiàng)所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中該絕緣層包括氧化硅膜和光敏樹(shù)脂之一。(18) 一種具有半導(dǎo)體裝置的固態(tài)攝像裝置，該半導(dǎo)體裝置包括:第一器件基板，包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線層，該第一配線層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?；第二器件基板，包括第二半?dǎo)體層和第二配線層，該第二器件基板接合到該第一器件基板，并且該第二配線層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?；貫通電極，貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線層和該第二配線層彼此電連接；以及絕緣層，設(shè)置成與該貫通電極相對(duì)，并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體
基板之一。
(19 )根據(jù)(18 )所述的固態(tài)攝像裝置，其中該第一器件基板包括像素部，該像素部包括作為像素的光電轉(zhuǎn)換器件，并且該第二器件基板包括驅(qū)動(dòng)像素部的電路部。(20)—種具有固態(tài)攝像裝置的電子設(shè)備，該固態(tài)攝像裝置提供有半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括:第一器件基板，包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線層，該第一配線層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?；第二器件基板，包括第二半?dǎo)體基板和第二配線層，該第二器件基板接合到該第一器件基板，并且該第二配線層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希回炌姌O，貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線層和該第二配線層彼此電連接；以及絕緣層，設(shè)置成與該貫通電極相對(duì)，并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體
基板之一。本公開(kāi)包含2012年I月1 8日提交日本專(zhuān)利局的日本優(yōu)先權(quán)專(zhuān)利申請(qǐng)JP2012-008278中公開(kāi)的相關(guān)主題，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在權(quán)利要求或其等同方案的范圍內(nèi)，根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其他因素，可以進(jìn)行各種修改、結(jié)合、部分結(jié)合和替換。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 第一器件基板，包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線層，該第一配線層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希? 第二器件基板，包括第二半導(dǎo)體基板和第二配線層，該第二器件基板接合到該第一器件基板，并且該第二配線層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希? 貫通電極，貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線層和該第二配線層彼此電連接；以及 絕緣層，設(shè)置成與該貫通電極相對(duì)，并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體基板之一。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中 該第一器件基板層疊在該第二器件基板上， 該貫通電極填充在通孔中該第一配線層和該第二配線層之間的區(qū)域，該通孔從該第一器件基板的表面依次貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第一配線層直至該第二配線層的表面，并且 該絕緣層填充在該通孔中該貫通電極上的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一配線層具有構(gòu)成該通孔的一部分的開(kāi)口。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中該通孔的內(nèi)壁全部由金屬薄膜覆蓋。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中對(duì)于該通孔的內(nèi)壁，僅與該貫通電極相對(duì)的區(qū)域由金屬薄膜覆蓋。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該貫通電極包括銅和鎳之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該絕緣層包括氧化硅膜和光敏樹(shù)脂之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，還包括提供在該第一器件基板上的保護(hù)膜。
9.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括: 將第一器件基板接合到第二器件基板，該第一器件基板包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線層，該第一配線層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希摰诙骷灏ǖ诙雽?dǎo)體基板和第二配線層，并且該第二配線層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希? 形成貫通電極，該貫通電極貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線層和該第二配線層彼此電連接；以及 形成絕緣層，該絕緣層形成為與該貫通電極相對(duì)并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體基板之一。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，還包括在將該第一器件基板接合到該第二器件基板之后形成通孔，該通孔從該第一器件基板的表面依次貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第一配線層直至該第二配線層的表面， 其中形成該貫通電極包括在形成的通孔中填充該第一配線層和該第二配線層之間的區(qū)域，并且 形成該絕緣層包括在形成該貫通電極之后，填充該通孔中該貫通電極上的區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該貫通電極包括進(jìn)行無(wú)電鍍以形成該貫通電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該絕緣層包括: 在形成該貫通電極且在該通孔中填充該貫通電極上的區(qū)域之后，在該第一器件基板之上形成絕緣材料膜；以及 在形成該絕緣材料膜之后，拋光該絕緣材料膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該貫通電極包括進(jìn)行電鍍以形成該貫通電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該貫通電極包括在由淀積在該通孔中的鍍膜將該第一配線層和該第二配線層彼此連接之后且在該通孔被該鍍膜填滿之前停止進(jìn)行電鍍。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中形成該貫通電極包括在該通孔中淀積鍍膜之后，選擇性地移除該鍍膜的在第一配線層上的區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中該貫通電極包括銅和鎳之一。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中該絕緣層包括氧化硅膜和光敏樹(shù)脂之一。
18.一種具有半導(dǎo)體裝置的固態(tài)攝像裝置，該半導(dǎo)體裝置包括: 第一器件基板，包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線層，該第一配線層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希? 第二器件基板，包 括第二半導(dǎo)體層和第二配線層，該第二器件基板接合到該第一器件基板，并且該第二配線層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希? 貫通電極，貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線層和該第二配線層彼此電連接；以及 絕緣層，設(shè)置成與該貫通電極相對(duì)，并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體基板之一 O
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的固態(tài)攝像裝置，其中 該第一器件基板包括像素部，該像素部包括作為像素的光電轉(zhuǎn)換器件，并且 該第二器件基板包括驅(qū)動(dòng)該像素部的電路部。
20.一種具有固態(tài)攝像裝置的電子設(shè)備，該固態(tài)攝像裝置提供有半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括: 第一器件基板，包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線層，該第一配線層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希? 第二器件基板，包括第二半導(dǎo)體基板和第二配線層，該第二器件基板接合到該第一器件基板，并且該第二配線層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希? 貫通電極，貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線層和該第二配線層彼此電連接；以及 絕緣層，設(shè)置成與該貫通電極相對(duì)，并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體基板之一 O
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法、固態(tài)攝像裝置及電子設(shè)備。該半導(dǎo)體裝置包括第一器件基板，包括第一半導(dǎo)體基板和第一配線層，該第一配線層提供在該第一半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬希坏诙骷?，包括第二半?dǎo)體基板和第二配線層，該第二器件基板接合到該第一器件基板，并且該第二配線層提供在該第二半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面?zhèn)壬?；貫通電極，貫穿該第一器件基板和該第二器件基板的部分或全部，并且將該第一配線層和該第二配線層彼此電連接；以及絕緣層，設(shè)置成與該貫通電極相對(duì)，并且貫穿該第一半導(dǎo)體基板和該第二半導(dǎo)體基板之一。
文檔編號(hào)H01L27/146GK103219344SQ201310010898
公開(kāi)日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月18日
發(fā)明者脅山悟, 尾崎裕司 申請(qǐng)人:索尼公司