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一種x波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器的制作方法

文檔序號(hào):6786905閱讀:354來源:國知局
專利名稱:一種x波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微波器件技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種X波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器。
背景技術(shù)
微波環(huán)行器屬于多端口微波無源器件,是微波收發(fā)系統(tǒng)的重要組成部分。隨著微波系統(tǒng)向小型化和高集成度方向發(fā)展,微帶鐵氧體環(huán)行器成為當(dāng)前微波環(huán)行器的主流產(chǎn)品,在通信系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,工作頻率主要位于S、C、X、Ku等波段。X波段(8 12GHz)微帶鐵氧體環(huán)形器在雷達(dá)系統(tǒng)中具有重要作用,可以和微帶介質(zhì)腔穩(wěn)頻振蕩器及微帶混頻器共同組成X波段多普勒雷達(dá)的集成前端,具有小型、輕便等優(yōu)點(diǎn),更適合用于便攜設(shè)備和飛行器。對(duì)于X波段微帶鐵氧體環(huán)行器,在設(shè)計(jì)上通常采用雙Y結(jié)電路實(shí)現(xiàn)阻抗內(nèi)補(bǔ)償以拓 展器件帶寬,同時(shí)采用多節(jié)傳輸線匹配以減小匹配電路尺寸,實(shí)現(xiàn)小型化。在高頻段工作的微帶鐵氧體環(huán)形器(>5GHz),由于傳輸?shù)碾姶挪闇?zhǔn)TEM波及受到微帶結(jié)構(gòu)和尺寸等的影響,普遍存在輻射損耗強(qiáng)和存在高次波型等問題;此外,基片的高飽和磁化強(qiáng)度增加了磁化難度,容易產(chǎn)生磁化不均勻現(xiàn)象。在對(duì)X波段微帶鐵氧體環(huán)行器進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),除了考慮諧振結(jié)構(gòu)和匹配電路外,還應(yīng)該重視鐵氧體基片的結(jié)構(gòu)和性能,這對(duì)高性能器件的研制和發(fā)展具有重要意義。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種X波段微帶鐵氧體環(huán)行器,基片采用具有不同飽和磁化強(qiáng)度的旋磁材料構(gòu)成疊層片式結(jié)構(gòu),形成梯度飽和磁化強(qiáng)度,在8 12GHz范圍內(nèi),通過優(yōu)化設(shè)計(jì),可以獲得聞隔尚度、聞反射、低損耗等優(yōu)良性能。本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種X波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器,如圖1和圖2所示,包括金屬接地層1、鐵氧體基片族2、圓盤結(jié)3、小Y臂4、大Y臂5。圓盤結(jié)3、小Y臂4及大Y臂5構(gòu)成環(huán)行器的內(nèi)導(dǎo)體電路。為了對(duì)鐵氧體基片族2進(jìn)行磁化,可以在內(nèi)導(dǎo)體電路的上面依次安裝陶瓷墊片和永磁體。上述方案中,所述鐵氧體基片族2由多張分立的旋磁鐵氧體單元片通過疊層工藝構(gòu)成,單元片的電磁性能可以獨(dú)立調(diào)節(jié),便于構(gòu)建不同梯度的性能參數(shù)。上述方案中,所述鐵氧體基片族2包含的旋磁鐵氧體單元片的平面形狀可以根據(jù)環(huán)行器的具體要求設(shè)置為矩形、六邊形、圓形及其它形狀,厚度則由環(huán)行器的具體要求和工藝條件決定。上述方案中,所述小Y臂4為三支單節(jié)開路微帶線,支節(jié)之間的夾角為120°,以圓盤結(jié)3的圓心為中心形成對(duì)稱分布。上述方案中,所述大Y臂5為三支三節(jié)高低阻抗匹配微帶線,中間的匹配節(jié)采用圓弧形狀,靠近端口的匹配節(jié)可以根據(jù)端口位置進(jìn)行適當(dāng)彎折,支節(jié)之間的夾角為120°,與小Y臂支節(jié)微帶線形成60°夾角,以圓盤結(jié)3的圓心為中心形成對(duì)稱分布。上述方案中,所述小Y臂4、大Y臂5與圓盤結(jié)3共同構(gòu)成雙Y結(jié)結(jié)構(gòu),厚度由器件工作頻率的趨膚深度決定。本發(fā)明在雙Y結(jié)微帶鐵氧體環(huán)行器的基礎(chǔ)之上,改變鐵氧體基片的結(jié)構(gòu)形式,采用疊層片式結(jié)構(gòu),構(gòu)建梯度電磁參數(shù),有利于改善器件的阻抗匹配,降低損耗,提高隔離度。器件的插入損耗可以降低到O.1dB以下,隔離度提高到50dB以上,駐波比降低到1. 05以下,同時(shí),器件的阻抗匹配電路尺寸較小,有利于與微波電路進(jìn)行集成,適應(yīng)了微帶鐵氧體環(huán)行器的小型化發(fā)展要求。


圖1是本發(fā)明所述一種X波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明所述一種X波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器的平面圖。
圖3是本發(fā)明所述一種X波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器的側(cè)視圖。圖4是本發(fā)明所述一種X波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器的散射參數(shù)與頻率之間的關(guān)系。圖5是本發(fā)明所述一種X波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器的駐波比與頻率之間的關(guān)系。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和一種實(shí)施方式,對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明,不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施方式
僅限于此。一種X波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器,如圖1和圖2所示,包括金屬接地層1、鐵氧體基片族2、圓盤結(jié)3、小Y臂4、大Y臂5。圓盤結(jié)3的半徑為1.1mm ;小Y臂4的支節(jié)長度為O. 8mm,寬度為O. 7mm ;大Y臂第一匹配節(jié)(靠近圓盤結(jié)3)的長度和寬度為O. 6mm和
O.5mm,中間匹配節(jié)為圓弧,內(nèi)、外弧的半徑差為1. Omm,寬度為1. 4mm ;第三匹配節(jié)(靠近端口)的長度和寬度為1.1mm和O. 7_。所述鐵氧體基片族2,如圖3所示,由六張長度、寬度、厚度分別為6.6、5. 6、0.1mm的分立矩形旋磁鐵氧體單元片通過疊層工藝構(gòu)成,單元片從上至下依次為2-1至2-6,其飽和磁化強(qiáng)度依次為2400、2400、2400、2800、2800、2800Gs,相對(duì)介電常數(shù)為15. 5,損耗角正切為2X 10_4,鐵磁共振線寬為200e。所述環(huán)行器在X波段(8 12GHz)范圍內(nèi)的最高隔離度為58dB,最高反射45dB,最大插入損耗為O. 02dB,最大駐波比為1. 02,帶寬達(dá)到1.4GHz (Sll>20dB, S21>20dB),器件的散射參數(shù)和駐波比分別如圖4和如圖5所示。所述環(huán)行器的鐵氧體基片族可以采用流延工藝和疊片成型工藝制作,導(dǎo)體電路可以采用目前已經(jīng)非常成熟的微帶工藝技術(shù)進(jìn)行制作。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的詳細(xì)說明。改變旋磁鐵氧體單元片2-1至2-6的飽和磁化強(qiáng)度梯度,適當(dāng)調(diào)整內(nèi)導(dǎo)體電路尺寸,同樣可以獲得高性能器件。如,將旋磁鐵氧體單元片2-1至2-6的飽和磁化強(qiáng)度構(gòu)建為2400、2800、3200、3200、2800、2400Gs,則可以獲得高反射、低損耗器件,最高反射達(dá)到52dB,最大插入損耗為O. OldB,同時(shí)可以獲得的最高隔離度達(dá)到34dB。在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出多種類似的實(shí)施方式,都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明由所提交的權(quán)利要求書確定的專利保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種X波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器,包括金屬接地層1、鐵氧體基片族2、圓盤結(jié)3、小Y臂4、大Y臂5 ;鐵氧體基片族2由多張分立的旋磁鐵氧體單元片構(gòu)成;圓盤結(jié)3、 小Y臂4及大Y臂5構(gòu)成環(huán)行器的內(nèi)導(dǎo)體電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器,其特征在于,所述鐵氧體基片族2包含的旋磁鐵氧體單元片的數(shù)目可以調(diào)節(jié),每張單元片的電磁性能可以獨(dú)立調(diào)節(jié),便于構(gòu)建不同梯度的性能參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器,其特征在于,所述鐵氧體基片族2包含的旋磁鐵氧體單元片的平面形狀可以根據(jù)環(huán)行器的具體要求設(shè)置為矩形、六邊形、圓形及其它形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器,其特征在于,改變鐵氧體基片族2包含旋磁鐵氧體單元片的電磁性能,適當(dāng)調(diào)整內(nèi)導(dǎo)體電路尺寸,可以獲得高隔離度、低損耗、低駐波比的高性能器件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種X波段疊層片式微帶鐵氧體環(huán)行器,屬于微波鐵氧體器件領(lǐng)域。該環(huán)行器包括金屬接地層、鐵氧體基片族、圓盤結(jié)、小Y臂、大Y臂。本發(fā)明在雙Y結(jié)結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)之上,改變鐵氧體基片的結(jié)構(gòu)形式,采用疊層片式結(jié)構(gòu),構(gòu)建梯度電磁參數(shù),達(dá)到了改善阻抗匹配、降低損耗及提高隔離度等目的。器件的插入損耗可以降低到0.1dB以下,隔離度提高到50dB以上,駐波比降低到1.05以下,同時(shí),器件的阻抗匹配電路尺寸較小,有利于與微波電路進(jìn)行集成,適應(yīng)了微帶鐵氧體環(huán)行器的小型化發(fā)展要求。
文檔編號(hào)H01P1/387GK103022609SQ20131000010
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2013年1月1日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月1日
發(fā)明者彭龍 申請(qǐng)人:彭龍
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