用于esd保護(hù)的半導(dǎo)體器件的制作方法
【專利摘要】一種用于靜電放電保護(hù)的半導(dǎo)體器件，包括：基底和形成在所述基底中的第一阱和第二阱。所述第一阱與第二阱并排設(shè)置，且在一個(gè)界面接觸。第一阱和第二阱分別具有第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型。第一重?fù)诫s區(qū)和第二重?fù)诫s區(qū)形成于所述第一阱中。第三重?fù)诫s區(qū)和第四重?fù)诫s區(qū)形成于所述第二阱中。所述第一，第二，第三和第四重?fù)诫s區(qū)分別具有第一，第二，第二和第一導(dǎo)電類型。所述第一重?fù)诫s區(qū)和第二重?fù)诫s區(qū)的位置是沿著平行于界面的方向上相互錯(cuò)開(kāi)的。
【專利說(shuō)明】用于￡30保護(hù)的半導(dǎo)體器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)涉及一種用于靜電放電(￡30)保護(hù)的半導(dǎo)體器件。

【背景技術(shù)】
[0002]靜電放電(￡30)是日常生活中經(jīng)常發(fā)生的一種自然現(xiàn)象。靜電放電可以在很短的時(shí)間周期內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)很大的電流。例如，人體模型￠181)的靜電放電通常發(fā)生在幾百納秒的時(shí)間內(nèi)，并伴隨著幾安培的峰值電流。其他模型，例如機(jī)器模型、充電裝置模型的靜電放電能在更短的時(shí)間內(nèi)發(fā)生，并伴隨著更大的電流。
[0003]當(dāng)靜電放電產(chǎn)生的大電流短時(shí)間流過(guò)一個(gè)集成電路時(shí)，這可能導(dǎo)致產(chǎn)生比該集成電路可以承受的高得多的功率消耗，最終導(dǎo)致集成電路損壞，電流失效。事實(shí)上，￡80已經(jīng)成為集成電路的生產(chǎn)和使用過(guò)程中導(dǎo)致其失效的主要因素。
[0004]在實(shí)踐中，有兩種途徑被深入研究以減少或防止由230引起的損壞:環(huán)境和電路本身。對(duì)于環(huán)境方面來(lái)說(shuō)，該方法主要涉及降低靜電產(chǎn)生和及時(shí)除去產(chǎn)生的靜電，例如使用不容易產(chǎn)生靜電的材料，增加環(huán)境濕度，或使操作者及設(shè)備接地等。從電路方面來(lái)說(shuō)，該方法主要涉及增強(qiáng)電路的230抵抗力，例如通過(guò)使用￡30保護(hù)器件或電路來(lái)保護(hù)內(nèi)部電路避免受到230的傷害。
[0005]關(guān)于230保護(hù)器件，一般來(lái)說(shuō)￡30保護(hù)器件的觸發(fā)電壓應(yīng)該低于被保護(hù)器件的電壓。230保護(hù)器件應(yīng)當(dāng)具備釋放電流的能力。除此之外，￡30保護(hù)器件的直流擊穿電壓應(yīng)比電源電壓更高。230保護(hù)器件必須滿足這樣的條件，以便不影響受保護(hù)的裝置的操作。為了避免閂鎖即)問(wèn)題，230保護(hù)器件的保持電壓應(yīng)比電源電壓更高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種用于靜電放電保護(hù)的半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括:基底；第一阱，形成在所述基底中，所述第一阱具有第一導(dǎo)電類型；第二阱，形成在所述基底中，所述第二阱具有與所述第一導(dǎo)電類型不同的第二導(dǎo)電類型，所述第一阱與第二阱并排設(shè)置，且在一個(gè)界面接觸；第一重?fù)诫s區(qū)，具有所述第一導(dǎo)電類型并形成于所述第一阱中，所述第一重?fù)诫s區(qū)設(shè)置在距所述界面第一距離的位置；第二重?fù)诫s區(qū)，具有所述第二導(dǎo)電類型并形成于所述第一阱中，所述第二重?fù)诫s區(qū)設(shè)置在距所述界面第二距離的位置；第三重?fù)诫s區(qū)，具有所述第二導(dǎo)電類型并形成于所述第二阱中，所述第三重?fù)诫s區(qū)設(shè)置在距所述界面第三距離的位置；第四重?fù)诫s區(qū)，具有所述第一導(dǎo)電類型并形成于所述第二阱中，所述第四重?fù)诫s區(qū)設(shè)置在距所述界面第四距離的位置，所述第四距離與所述第三距離不同；其中，所述第一重?fù)诫s區(qū)和第二重?fù)诫s區(qū)的位置是沿著平行于界面的方向上相互錯(cuò)開(kāi)的。
[0007]本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)在下面的附圖和描述中提出。本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將從說(shuō)明書、附圖以及權(quán)利要求書變得明顯。這些特征和優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)所附的權(quán)利要求特別指出的要素和組合實(shí)現(xiàn)。
[0008]但是應(yīng)當(dāng)理解的是，前面的一般性描述和以下的詳細(xì)描述都只是示例性和解釋性的，并不限制本發(fā)明。
[0009]包含在說(shuō)明書中并與說(shuō)明書構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分的附圖示出了幾個(gè)實(shí)施例，并一起用于解釋本發(fā)明的原理。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1八為一實(shí)施例的平面示意圖，顯示了 3(?結(jié)構(gòu)的布局。
[0011]圖18為圖1八中3(?結(jié)構(gòu)的放大示意圖。
[0012]圖2八和圖28為沿圖1八中線和88’線的剖視圖。
[0013]圖3顯示了圖1八中3(?結(jié)構(gòu)的等效電路。
[0014]圖4為一實(shí)施例的平面示意圖，顯示了 3(?結(jié)構(gòu)的布局。
[0015]圖5為一實(shí)施例的平面示意圖，顯示了 3(?結(jié)構(gòu)的布局。
[0016]圖6為一實(shí)施例的平面示意圖，顯示了 3(?結(jié)構(gòu)的布局。
[0017]圖7為一實(shí)施例的平面示意圖，顯示了 3(?結(jié)構(gòu)的布局。

【具體實(shí)施方式】
[0018]以下實(shí)施例公開(kāi)了一種用于靜電放電保護(hù)的娃控整流器(8111(3011-⑶I11:1*0116(1
80? 結(jié)構(gòu)。
[0019]在下文中，本專利的各實(shí)施例將參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。在說(shuō)明書的不同示例以及附圖中使用相同的附圖標(biāo)記可以指示相似或相同的項(xiàng)目。
[0020]硅控整流器(3(?)是一種用來(lái)進(jìn)行靜電放電保護(hù)的的器件。如本文所述，30？包括彼此相鄰的一個(gè)~阱和一個(gè)？阱，及一個(gè)形成在~阱中的？型$+)重?fù)诫s區(qū)和一個(gè)形成在？阱中的~型⑶+)重?fù)诫s區(qū)。因此，30？的基本結(jié)構(gòu)包括一個(gè)剛?~結(jié)構(gòu)，其中？+區(qū)4阱及？阱形成了一個(gè)晶體管，而~阱，？阱和礦區(qū)形成一個(gè)晶體管。
[0021]使用時(shí)，3(?通常與需要保護(hù)的電路并聯(lián)連接。當(dāng)￡30發(fā)生時(shí)，將產(chǎn)生過(guò)剩的電荷，這將增加施加在3(?上的電壓。當(dāng)施加到3(?上的電壓變得比3(?的觸發(fā)電壓更高時(shí)，在由~阱和？阱形成的冊(cè)結(jié)上可能會(huì)發(fā)生雪崩擊穿。產(chǎn)生的電流將會(huì)導(dǎo)通晶體管和晶體管中的一個(gè)。晶體管和見(jiàn)^晶體管兩個(gè)都會(huì)達(dá)到飽和。其結(jié)果是，30？進(jìn)入低電阻狀態(tài)，并開(kāi)始承受由靜電放電產(chǎn)生的電荷的主要部分。因此，該被保護(hù)電路只承受靜電電荷的一小部分，從而避免了被損壞。當(dāng)30？進(jìn)入低電阻狀態(tài)且230電荷由30？承受時(shí)，施加到3(?上的電壓減小。當(dāng)施加到3(?上的電壓變得比3(?的保持電壓小時(shí)，3(?關(guān)閉。
[0022]圖1八為平面示意圖，顯示了一實(shí)施例的3(?結(jié)構(gòu)100的布局。圖18為圖1八中3(?結(jié)構(gòu)100的放大示意圖。圖2八和圖28為沿圖1八中線和88’線的3(?結(jié)構(gòu)100的剖視圖。3(?結(jié)構(gòu)100包括形成在基底106中一個(gè)?阱102和一個(gè)？阱104。?阱102與？阱104并排設(shè)置，且在一個(gè)界面110接觸。
[0023]在一些實(shí)施例中4阱102和？阱104可通過(guò)例如注入或擴(kuò)散，往基板106中分別摻雜~型雜質(zhì)和？型雜質(zhì)來(lái)形成。在一些實(shí)施例中，基底106可為~型基底。？阱104可通過(guò)往~型基底106中的一部分摻雜？型雜質(zhì)而形成，而~型基底106未被？型雜質(zhì)摻雜的其他部分則被用作~阱102。
[0024]在其他的實(shí)施例中，基底106可為？型基底。~阱102可通過(guò)往？型基底106中的一部分摻雜~型雜質(zhì)而形成，而？型基底106未被~型雜質(zhì)摻雜的其他部分則被用作？阱104。
[0025]在一些實(shí)施例中，基板106(無(wú)論是？型或~型)均可以是硅襯底或硅-絕緣體(81110011-011-111811181:01-, 801)襯底。用于形成X型講102的X型雜質(zhì)，以及當(dāng)基板106為~型時(shí)摻雜于基板106內(nèi)的雜質(zhì)，包括磷，砷或銻。用于形成？阱104的？型雜質(zhì)，以及當(dāng)基板106為？型時(shí)摻雜于基板106內(nèi)的雜質(zhì)，包括硼或鋁。~阱102的摻雜濃度
001106111:！'&1:1011)為約 1 X 10^0111 3 至約 IX 10^0111 3 ；？講的慘雜濃度約 IX 10^0111 3 至約1 X 10170111 3。
[0026]如圖1八所示，X阱102內(nèi)形成有X型重?fù)诫s區(qū)⑶+區(qū))122和？型重?fù)诫s區(qū)$+區(qū)〉124。相似的，？阱104內(nèi)形成有？型重?fù)诫s區(qū)浐區(qū))142及~型重?fù)诫s區(qū)⑶+區(qū)”44。重?fù)诫s區(qū)122、124、142及144具有較高的摻雜量(摻雜濃度)，例如，比~阱102和？阱104的摻雜量高兩個(gè)數(shù)量級(jí)。在礦區(qū)122和144被摻雜有~型雜質(zhì)，如磷，砷或銻。在？+^124和142被摻雜有？型雜質(zhì)，如硼或鋁。在一些實(shí)施例中，礦區(qū)122卞區(qū)124卞區(qū)142、礦區(qū)144中每一個(gè)的摻雜濃度為約1 X 10190^3至約5父102%1—3。這些重?fù)诫s區(qū)的濃度可以相同也可以不同。
[0027]如圖1八所示，位于X阱102中的礦區(qū)1224+區(qū)124的位置是沿著垂直于界面110的方向上相互錯(cuò)開(kāi)的(8^1狀61~6山，即沿圖1八中X軸方向是相互錯(cuò)開(kāi)的。換句話說(shuō)，如放大圖18所示，礦區(qū)122的左邊緣1222與？+區(qū)124的左邊緣1242是不對(duì)齊的。類似的，礦區(qū)122的右邊緣1224與？+區(qū)124的右邊緣1244是不對(duì)齊的。礦區(qū)122和9+區(qū)124的位置是沿著平行于界面110的方向上也相互錯(cuò)開(kāi)的，即沿圖1八中V軸方向是相互錯(cuò)開(kāi)的。換句話說(shuō)，如放大圖18所示，礦區(qū)122的上邊緣1226與？+區(qū)124的上邊緣1246是不對(duì)齊的。類似的，礦區(qū)122的上邊緣1228與？+區(qū)124的上邊緣1248是不對(duì)齊的。如圖1八所示，？阱104中的？+區(qū)142和礦區(qū)144的位置是沿著X軸和X軸的方向上相互錯(cuò)開(kāi)的。
[0028]在一些實(shí)施例中，礦區(qū)122和？+區(qū)124既不在X軸方向上重疊，又不在V軸方向上重疊。類似的，？+區(qū)142和礦區(qū)144既不在X軸方向上重疊，又不在V軸方向上重疊。本申請(qǐng)中，兩個(gè)區(qū)域“重疊卯1=8) ”并不意味著一個(gè)區(qū)域被物理地形成在另一個(gè)區(qū)域上。相反的，“兩個(gè)區(qū)域在X軸方向上重疊”意味著一個(gè)區(qū)域的左邊緣或右邊緣中的至少一個(gè)沿X軸方向位于一個(gè)區(qū)域的左邊緣和右邊緣之間。因此，兩個(gè)區(qū)域“在X軸方向上不重疊”意味著一個(gè)區(qū)域的無(wú)論是左邊緣還是右邊緣沿X軸方向都不位于一個(gè)區(qū)域的左邊緣和右邊緣之間。例如，如圖18，9+區(qū)124的右邊緣1244在X軸方向上在礦區(qū)122的左邊緣1222的左邊。沿X軸方向來(lái)說(shuō)，在本實(shí)施例中，？+區(qū)124的上邊緣1246沿V軸方向與礦區(qū)122的下邊緣1228對(duì)齊。
[0029]礦區(qū)122和9+區(qū)124的相對(duì)位置也可不與圖1八和圖18 —致。例如，在一些實(shí)施例中，？+區(qū)124的右邊緣1244在X軸方向上可與礦區(qū)122的左邊緣1222對(duì)齊。作為另一個(gè)例子，在一些實(shí)施例中，9+區(qū)124的上邊緣1246沿V軸方向可以比礦區(qū)122的下邊緣1228更高或更低。作為再一個(gè)例子，保持124不變且所有其它尺寸相同，如果？+區(qū)124的上邊緣1246沿X軸方向比礦區(qū)122的下邊緣1228更高(因此9+區(qū)124的下邊緣1248的位置比圖1八和18所示要高)，30？結(jié)構(gòu)的30？效果被抑制，并且30？結(jié)構(gòu)的二極管效應(yīng)被增強(qiáng)。也即，3(?結(jié)構(gòu)的￡30等級(jí)，即該3(?結(jié)構(gòu)仍然可以安全地釋放靜電的最高電壓，比圖1八和圖18所示的情況降低了，3(?結(jié)構(gòu)的保持電壓變高了。另一方面，保持124不變且所有其它尺寸相同，如果？+區(qū)124的上邊緣1246沿V軸方向比礦區(qū)122的下邊緣1228更低(因此？+區(qū)124的下邊緣1248的位置比圖1八和18所示要低)，3(?結(jié)構(gòu)的3(?效果被增強(qiáng)，且觸發(fā)電壓和保持電壓相對(duì)1八和圖18所示的情況降低了。
[0030]相似的相對(duì)位置關(guān)系同樣適用于？阱104內(nèi)的？+區(qū)142和礦區(qū)144。然而，在？阱104中的重?fù)诫s區(qū)142和144的位置并不需要與~阱102中的重?fù)诫s區(qū)122和124的位置鏡像對(duì)應(yīng)。換句話說(shuō)，022和042可以不同，且024與044可以不同。
[0031]如圖1八所示，礦區(qū)122、區(qū)124、9+區(qū)142和礦區(qū)144具有沿V軸方向延伸的長(zhǎng)條形形狀。然而，根據(jù)其他實(shí)施例，重?fù)诫s區(qū)122，124，142和144可以具有其它形狀，例如正方形形狀，或沿X方向上延伸的長(zhǎng)條形形狀。
[0032]本申請(qǐng)中，一個(gè)區(qū)域沿X軸方向的尺寸被稱為該區(qū)域的寬度，且一個(gè)區(qū)域沿V軸方向的尺寸被稱為該區(qū)域的長(zhǎng)度。在一些實(shí)施例中，礦區(qū)122的寬度122、區(qū)124的寬度1244+區(qū)142的寬度142、和礦區(qū)144的寬度144可為約0.1 ^ 111至約10 9 111。這些寬度可以相同也可以不同。礦區(qū)122的長(zhǎng)度1224+區(qū)124的長(zhǎng)度1244+區(qū)142的長(zhǎng)度142、和礦區(qū)144的長(zhǎng)度144可為約10 4 111至約100^111。這些長(zhǎng)度可以相同也可以不同。
[0033]如圖1八所示，礦區(qū)122被設(shè)置在距離界面110022的位置#區(qū)124被設(shè)置在距離界面110024的位置；區(qū)142被設(shè)置在距離界面110042的位置；且礦區(qū)144被設(shè)置在距離界面110044的位置。在一些實(shí)施例中，距離022、024、042及044可分別為約411111至執(zhí) 10 仁 4 仁 III 31^1 80 1-1 4 1-1 III 10 仁 III 及約 4 1-1 III 80 仁 III。
[0034]圖3顯示了根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的30？結(jié)構(gòu)100的等效電路。如圖3所示，801？結(jié)構(gòu)100的等效電路包括一個(gè)冊(cè)~晶體管302，？?jī)?cè)晶體管304，^阱電阻器306和？阱電阻器308。晶體管302的基極與？?jī)?cè)晶體管304的集電極相連。？?jī)?cè)晶體管304的基極與
晶體管302的集電極相連。
[0035]請(qǐng)參閱圖1八4阱102作為晶體管302的集電極；？阱104作為晶體管302的基極；？阱104中的礦區(qū)域144作為冊(cè)?晶體管302的發(fā)射極。?阱102中的礦區(qū)122作為晶體管302的集電極的歐姆接觸層。類似地，？阱104，~阱102和~阱102中的
區(qū)124分別作為？?jī)?cè)晶體管304的集電極、基極和發(fā)射極。此外，？阱104中的？+區(qū)124作為晶體管304的集電極的歐姆接觸層。
[0036]801？結(jié)構(gòu)100的特性主要取決于冊(cè)~晶體管302和？?jī)?cè)晶體管304的特性。在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，調(diào)整長(zhǎng)度144和距離044可能會(huì)影響冊(cè)X晶體管302的特性，調(diào)整長(zhǎng)度[24和距離024可能會(huì)影響？?jī)?cè)晶體管304的特性。通過(guò)改變冊(cè)?晶體管302和？?jī)?cè)晶體管304的特性，在3(?結(jié)構(gòu)100的特性可以變化。例如，增加的距離044可以增加3(?結(jié)構(gòu)100的保持電壓。改變長(zhǎng)度144可能影響冊(cè)~晶體管302的導(dǎo)通電壓，從而影響到3(?結(jié)構(gòu)100的觸發(fā)電壓。3(?結(jié)構(gòu)100沿V軸方向的總長(zhǎng)度，即從礦區(qū)122的上邊緣1226到
區(qū)124的下邊緣1248的沿X軸方向的距離，也可影響3(?結(jié)構(gòu)100的特性。當(dāng)3(?結(jié)構(gòu)100沿V軸方向的總長(zhǎng)度增加時(shí)，3(?結(jié)構(gòu)100的總電流導(dǎo)通的區(qū)域增加。因此，￡80電流能夠在更大的區(qū)域擴(kuò)散。因此，30？結(jié)構(gòu)100可以承受更高的電流和更高電壓。其結(jié)果是，在801？結(jié)構(gòu)100的280級(jí)別增加。
[0037]通過(guò)采用本發(fā)明的實(shí)施例一致的一個(gè)布局，晶體管302和？?jī)?cè)晶體管304的特性可以單獨(dú)調(diào)節(jié)，且3(?結(jié)構(gòu)的合適的觸發(fā)電壓和保持電壓能夠被同時(shí)設(shè)置。因此，801？結(jié)構(gòu)100的230性能可以設(shè)置而不增加占地面積。
[0038]圖1八顯示了本申請(qǐng)的一個(gè)示例性布局。其他布局也能夠具有與圖1八類似的優(yōu)點(diǎn)。在一些實(shí)施例中，任何一個(gè)或更多的重?fù)诫s區(qū)122、124、142及144可以作為兩個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的部分(86職16110被提供。例如，如圖4所示的3(?結(jié)構(gòu)400中4阱102中的礦區(qū)包括兩個(gè)部分122-1和122-2，且？阱104中的9+區(qū)包括兩個(gè)部分142-1和142-2。兩個(gè)部分122-1和122-2的總長(zhǎng)度可大于圖1所示的長(zhǎng)度122。類似的，兩個(gè)部分142-1和142-2的總長(zhǎng)度可大于圖1所示的長(zhǎng)度142。
[0039]如圖4所示4阱102中的兩個(gè)部分122-1和122-2中的每一個(gè)是沿X軸方向和V軸方向相對(duì)？+區(qū)124是交錯(cuò)的。在一些實(shí)施例中，~阱102中的兩個(gè)部分122-1和122-2中的每一個(gè)無(wú)論是在X軸方向還是在V軸方向都不與？+區(qū)124重疊。在一些實(shí)施例中，部分122-1的下邊緣可沿V軸方向與？+區(qū)124的上邊緣對(duì)齊，且部分122-2的上邊緣可沿V軸方向與V區(qū)124的下邊緣對(duì)齊。礦區(qū)部分122-1和122-2及？+區(qū)124的相對(duì)設(shè)置也可不必與圖4所示精確相同。例如，在一些實(shí)施例中，9+區(qū)124的右邊緣沿X軸可與礦區(qū)部分122-1和122-2的左邊緣對(duì)齊。作為另一個(gè)例子，在一些實(shí)施例中，？+區(qū)124的上邊緣沿V軸可比礦區(qū)部分122-1的下邊緣更高或更低。類似的相對(duì)位置同樣適用于礦區(qū)144和？阱104中的兩個(gè)部分142-1和142-2。然而，與圖1八相似的，？+區(qū)的部分142-1和142-2和？阱104中的礦區(qū)域144的位置并不需要與奸區(qū)的部分122-1和122-2和~阱102中的9+區(qū)124的位置鏡像對(duì)稱。
[0040]作為另一個(gè)例子，在圖5所示的3(?結(jié)構(gòu)500中，在兩個(gè)X阱102和？阱104的所有重?fù)诫s區(qū)具有多個(gè)部分。3(?結(jié)構(gòu)500中的一個(gè)重?fù)诫s區(qū)域中的部分的總長(zhǎng)度可以比可控硅結(jié)構(gòu)100的相應(yīng)的重?fù)诫s區(qū)域中的長(zhǎng)度大。因此，30？結(jié)構(gòu)500可被認(rèn)為是多個(gè)30？結(jié)構(gòu)100的整合，因此具有更高的￡30級(jí)別。
[0041]本發(fā)明的實(shí)施例中，一個(gè)常規(guī)的布局可以用于在這兩個(gè)阱中的一個(gè)重?fù)诫s區(qū)，從而簡(jiǎn)化了整個(gè)布局設(shè)計(jì)，同時(shí)在同一時(shí)間實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。例如，在圖6所示的3(?結(jié)構(gòu)600中，一個(gè)常規(guī)的布局用于X阱102中的重?fù)诫s區(qū)域，即X阱102中的礦區(qū)622和9+區(qū)624平行設(shè)置并沿X軸方向完全重疊(即礦區(qū)622的上、下邊緣分別V區(qū)624的上、下邊緣對(duì)齊)。然而，在？阱104中的9+和礦區(qū)被布置成與本發(fā)明的實(shí)施例一致。
[0042]類似的，如圖7中的3(?結(jié)構(gòu)700所示，一個(gè)常規(guī)的布局用于？阱104中的重?fù)诫s區(qū)域，即9+區(qū)742和礦區(qū)744平行設(shè)置并沿X軸方向完全重疊。然而，在~阱102中的9+和礦區(qū)被布置成與本發(fā)明的實(shí)施例一致。
[0043]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，用于靜電放電保護(hù)，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括: 基底； 第一阱，形成在所述基底中，所述第一阱具有第一導(dǎo)電類型； 第二阱，形成在所述基底中，所述第二阱具有與所述第一導(dǎo)電類型不同的第二導(dǎo)電類型，所述第一阱與第二阱并排設(shè)置，且在一個(gè)界面接觸； 第一重?fù)诫s區(qū)，具有所述第一導(dǎo)電類型并形成于所述第一阱中，所述第一重?fù)诫s區(qū)設(shè)置在距所述界面第一距離的位置； 第二重?fù)诫s區(qū)，具有所述第二導(dǎo)電類型并形成于所述第一阱中，所述第二重?fù)诫s區(qū)設(shè)置在距所述界面第二距離的位置； 第三重?fù)诫s區(qū)，具有所述第二導(dǎo)電類型并形成于所述第二阱中，所述第三重?fù)诫s區(qū)設(shè)置在距所述界面第三距離的位置； 第四重?fù)诫s區(qū)，具有所述第一導(dǎo)電類型并形成于所述第二阱中，所述第四重?fù)诫s區(qū)設(shè)置在距所述界面第四距離的位置，所述第四距離與所述第三距離不同； 其中，所述第一重?fù)诫s區(qū)和第二重?fù)诫s區(qū)的位置是沿著平行于界面的方向上相互錯(cuò)開(kāi)的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一距離小于所述第二距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一距離為4μ m?10 μ m ;所述第二距離為4 μ m?80 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第三距離為4μ m?10 μ m ;所述第四距離為4 μ m?80 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一重?fù)诫s區(qū)和所述第三重?fù)诫s區(qū)二者中至少一個(gè)包括兩個(gè)分離的部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二重?fù)诫s區(qū)和所述第四重?fù)诫s區(qū)二者中至少一個(gè)包括兩個(gè)分離的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一、二、三及四重?fù)诫s區(qū)為長(zhǎng)條形，且沿平行于所述界面的方向延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，平行于所述界面的方向?yàn)榈谝环较?，所述第一重?fù)诫s區(qū)和所述第二重?fù)诫s區(qū)既不在第一方向上重疊，又不在與所述第一方向垂直的第二方向上重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第三重?fù)诫s區(qū)和所述第四重?fù)诫s區(qū)既不在第一方向上重疊，又不在所述第二方向上重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基底包括半導(dǎo)體基底。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體基底包括硅基底。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一阱摻雜有磷，砷或銻中的至少一種；所述第二阱摻雜有硼或鋁中的至少一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一阱的摻雜量為I X 115Cm 3 至 I X 117Cm 3 ;第二講的慘雜量 I X 116Cm 3 至 I X 117Cm 3。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一重?fù)诫s區(qū)的摻雜量為I X 1019cm—3至5X 102°cm—3 ;所述第二重?fù)诫s區(qū)的摻雜量為I X 1019cm—3至5X 102°cm—3 ;所述第三重?fù)诫s區(qū)的摻雜量為lX1019cm—3至5X102°cm—3;所述第四重?fù)诫s區(qū)的摻雜量為I X 119Cm 3 至 5 X 120Cm 3。
【文檔編號(hào)】H01L23/60GK104335346SQ201280073470
【公開(kāi)日】2015年2月4日 申請(qǐng)日期:2012年10月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月22日
【發(fā)明者】林中瑀, 代萌, 胡勇海 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司