技術特征：
1.一光電裝置，包括具有納米線形式(1，7)的發(fā)光裝置，所述納米線具有核/殼型結構并形成于襯底(11)上方，其特征在于，所述納米線包括有源區(qū)(12，72)，所述有源區(qū)包括至少兩種具有不同發(fā)射波長的量子阱以及分布在所述有源區(qū)內至少兩個不同的區(qū)域(120，121；720，721，722)，所述納米線(1，7)上的所述有源區(qū)(12，72)中設有第一區(qū)域(120，720)，所述第一區(qū)域是至少部分包圍所述納米線的芯部(10，70)的外圍部分，并且是垂直部分，并且還包含有徑向量子阱，所述有源區(qū)上第二區(qū)域(121，721)是位于所述納米線芯部端面的一上端部分，并且是水平部分，并設置有軸向量子阱，其中，所述光電裝置還包括位于襯底上方的第一電連接區(qū)(15)和所述發(fā)光裝置上方的第二電連接區(qū)(16，51；17，81)，所述第二電連接區(qū)這樣設置是為了，當發(fā)光裝置至少分成兩組進行分布，所述電連接是通過連續(xù)導電層加以實現(xiàn)的，為了所述有源區(qū)不同區(qū)域內至少兩組中任意一組發(fā)光裝置，并且控制電源以獲得多波長光的發(fā)射。2.如權利要求1所述的光電裝置，其特征在于，所述有源區(qū)(72)包括一第三區(qū)域(722)，所述第三區(qū)域位于所述第一區(qū)域和第二區(qū)域之間。3.如權利要求1或2所述的光電裝置，其特征在于，所述第二電連接區(qū)域向外延伸并覆蓋所述納米線有源區(qū)的中至少一部分第一區(qū)域。4.如權利要求1或2所述的光電裝置，其特征在于，所述光電裝置包括多個并聯(lián)連接的部分(40至48)，在所述部分的內部的所述發(fā)光裝置并聯(lián)連接，對于相鄰兩個部分，在有源區(qū)不同區(qū)域內產生第二電連接區(qū)域的電連接。5.如權利要求1或2所述的光電裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置的所述有源區(qū)包括兩個不同的區(qū)域，第二組的發(fā)光裝置(3)是由一種電絕緣材料(34)所包圍，除了正對所述襯底的上表面(330)，并且所述第二電連接區(qū)域完全包圍第二組的發(fā)光裝置并且在第一組的發(fā)光裝置(2)外圍上形成，所述第一組和所述第二組直接接觸，并且對應于有源區(qū)域的第一區(qū)域超出一高度h，從而使這些發(fā)光裝置(2)的上端部暴露在外。6.如權利要求5所述的光電裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置包括一含有第三區(qū)域的有源區(qū)，一第三組的發(fā)光裝置(7b)上超出的高度h被電絕緣材料所包圍，所述第二電連接區(qū)域形成于第三區(qū)域內發(fā)光裝置(7b)的外圍，其超出一高度h1大于高度h，從而使所述發(fā)光裝置的上端部分部分地暴露在外。7.如權利要求1或2所述的光電裝置，其特征在于，對至少某些發(fā)光裝置，設置所述第二電連接區(qū)域，從而使有源區(qū)至少兩個區(qū)域形成電連接。8.如權利要求7所述的光電裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置分布在至少兩個電氣獨立組(60,61)中，并且控制電源從而使所述有源區(qū)的不同區(qū)域內至少兩組的其中之一得到電力供應。9.如權利要求1或2所述的光電裝置，其特征在于，所述納米線的所述有源區(qū)由氮化銦鎵或者氮化鎵構成。