電容耦合扁平導體連接器的制造方法
【專利摘要】一種電容耦合扁平導體連接器，設有凸出式連接器本體和凹入式連接器本體。對準插頭與凸出式連接器本體相聯接，對準插頭的尺寸設定成用以支承內部導體的預定長度。對準插座與凹入式連接器本體相聯接，對準插座的尺寸設定成用以接納對準插頭的連接器端部，以安置相對于介電間隔件的相對兩側相互平行的內部導體和內部導體跡線的重疊部分。外部導體介電間隔件隔離在凸出式和凹入式連接器之間的外部導體信號路徑的接觸元件，該外部導體介電間隔件可以是陶瓷涂層。
【專利說明】電容耦合扁平導體連接器
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電纜連接器。更具體地說，本發(fā)明涉及一種具有改進被動互調失真(PIM)電氣性能和機械互連特性的扁平內部導體同軸連接器。
【背景技術】
[0002]同軸電纜連接器例如用在一些通信系統中，這些通信系統要求高水平的精度和可靠性。
[0003]在系統安裝期間，轉動力可能施加到已安裝的連接器上，例如當已連結的同軸電纜朝向下個互連點被導向、被操縱就位、及/或為了與電纜支架和/或保持吊架對準而被彎曲時。同軸電纜和同軸連接器相對于彼此的轉動可能損壞連接器、電纜及/或電纜/連接器互連的完整性。此外，在安裝之后，隨時間推移而施加到互連部分上的扭曲、彎曲及/或振動，會使連接器對電纜連接退化，并且/或者會引入PM。
[0004]PIM是電氣干擾/信號傳輸退化的一種形式,該電氣干擾/信號傳輸退化可能發(fā)生得比對稱互連小，并且/或者當電氣-機械互連隨時間推移而移動或退化時，例如歸因于機械應力、振動、熱循環(huán)、氧化形成及/或材料退化。PM是一個重要的互連質量特性，因為來自單個低質量互連的P頂會使整個RF系統的電氣性能退化。
[0005]現有同軸電纜典型地具有同軸構造，使圓形外部導體由介電支架(如聚乙烯泡沫等)與圓形內部導體均勻地間隔開。介電支架的電氣性能和在內部和外部導體之間的間隔限定同軸電纜的特征阻抗。在內部和外部導體之間的間隔的圓周均勻性防止阻抗不連續(xù)性被引入到同軸電纜中，這種引入否則會使電氣性能退化。
[0006]帶狀線是夾持在并聯地互連的接地平面之間的扁平導體。帶狀線具有的優(yōu)點是，它是非分散的，并且可以用來傳輸高頻RF信號。帶狀線可以使用印刷電路板技術等，低成本地產生。然而，按較長長度/較大尺寸制造帶狀線將會是昂貴的。此外，在不利用固體堆疊式印刷電路型帶狀線結構的場合，導體夾持與同軸電纜相比一般不是自支承和/或自對準的，并且因而可能要求顯著的附加支承/加強結構。
[0007]在RF電纜工業(yè)內的競爭已經將注意力集中在減少材料和降低制造成本、電氣特性均勻性、缺陷減少、及整體地改進的制造質量控制上。

【發(fā)明內容】

[0008]因此，本發(fā)明的目的是，提供一種克服在這樣的現有技術中的缺陷的同軸電纜和制造方法。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]并入在本說明書中并且構成其一部分的附圖表明本發(fā)明的實施例，并且與以上給出的本發(fā)明的概要描述、和下面給出的實施例的詳細描述一起，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0010]圖1是一種例示性電纜的示意性等軸測圖，該例示性電纜具有向后剝離的導體、介電間隔件及外部護套的各層。
[0011]圖2是圖1的電纜的示意性端視圖。
[0012]圖3是示意性等軸測圖，表明圖1的電纜的彎曲半徑。
[0013]圖4是一種可選擇電纜的示意性等軸測圖，該可選擇電纜具有向后剝離的導體、介電間隔件及外部護套的各層。
[0014]圖5是一種可選擇實施例電纜的示意性端視圖，該可選擇實施例電纜利用變化的外部導體間隔來修改在電纜內的操作電流分布。
[0015]圖6是一種例示性電纜和連接器的示意性等軸測圖，凸出式和凹入式連接器本體奉禹合在一起。
[0016]圖7是圖6的電纜和連接器的示意性等軸測圖，凸出式和凹入式連接器本體為了插入而對準。
[0017]圖8是圖7的電纜和連接器的示意性等角可選擇角圖。
[0018]圖9是圖6的電纜和連接器從電纜端部看到的示意性端視圖。
[0019]圖10是圖6的電纜和連接器的示意性側視圖。
[0020]圖11是沿圖9的線A-A得到的示意性橫截面圖。
[0021]圖12是沿圖10的線C-C得到的示意性橫截面圖。
[0022]圖13是對準插頭的示意性等角斜視俯視圖。
[0023]圖14是對準插頭的示意性等角斜視仰視圖。
[0024]圖15是對準插座的示意性等角斜視端視圖。
[0025]圖16是對準插頭的示意性等軸測圖，該對準插頭安置在對準插座內。
[0026]圖17是圖16的對準插頭和對準插座的示意性等軸測圖，以分解圖表示對準插頭的底部，該對準插頭具有內部導體，該內部導體安置在導體基座內。
[0027]圖18是利用低帶對準插頭的電纜和連接器互連的示意性側視圖。
[0028]圖19是利用中帶對準插頭的電纜和連接器互連的示意性側視圖。
[0029]圖20是利用高帶對準插頭的電纜和連接器互連的示意性側視圖。
[0030]圖21是為了插入而對準的另一個實施例的示意性等軸測圖，示意性地示出外部導體介電間隔件。
[0031]圖22是為了插入而對準的另一個實施例的示意性等軸測圖，示意性地示出外部導體介電間隔件和鎖環(huán)介電間隔件。
[0032]圖23是在互連位置中圖22的實施例的示意性部分剖視側視圖。
【具體實施方式】
[0033]本發(fā)明人已經認識到，同心圓形橫截面設計幾何形狀的現有技術中的已接受的同軸電纜設計示例導致不必要地大的同軸電纜，這些同軸電纜具有減小的彎曲半徑、過多金屬材料成本及/或顯著的附加制造工藝要求。
[0034]本發(fā)明人還已經認識到，扁平內部導體的應用，與常規(guī)圓形內部導體構造相比，能夠實現用來從內部導體連接器界面互連中減少和/或消除P頂的精確可調諧電容耦合。此夕卜，也在外部導體連接器界面的互連之間的外部導體介電間隔件的應用可導致充分地電容耦合的連接界面，該連接界面可以完全消除來自連接器界面的PM產生的可能性。[0035]一種例示性帶狀線RF傳輸電纜I在圖1-3中示出。如在圖1中最清楚地表示的那樣，電纜I的內部導體5是整體扁平金屬帶條，該內部導體5在一對內部導體邊緣3之間延伸。外部導體25的頂部段10和底部段15可以對準成與內部導體5相平行，具有的寬度與內部導體寬度大致相等。頂部和底部段10、15在每一側過渡成凸形邊緣段20。因而，內部導體5的周緣完全地密封在包括頂部段10、底部段15及邊緣段20的外部導體25內。
[0036]可以選擇邊緣段20的尺寸/曲率，例如為了制造容易。優(yōu)選地，邊緣段20和從頂部和底部段10、15到其的任何過渡是基本光滑的，而沒有尖銳的角或邊緣。如在圖2中最清楚地表示的那樣，邊緣段20相對于內部導體5的每一側可以設置成具有圓弧半徑R的圓弧，該圓弧半徑R與在頂部和底部段10、15與內部導體5之間的間隔等效，導致在內部導體5的周緣上的任何點與在外部導體25的最近點之間的大致相等間隔，使外部導體材料需要最小化。
[0037]在內部導體5與外部導體25之間的希望間隔可以按高精度級經具有介電性質的均勻尺寸間隔件結構的應用-該均勻尺寸間隔件結構稱作介電層30、和然后用外部導體25圍繞介電層30而得到。由此，電纜I可以按基本上沒有限制的連續(xù)長度而設置，在沿電纜I的任何點處都具有均勻橫截面。
[0038]內部導體5金屬帶條可以形成為固體軋制金屬材料，如銅、鋁、鋼等。為了另外的強度和/或成本效率，內部導體5可以設置成用銅鍍敷的鋁或用銅鍍敷的鋼。
[0039]可選擇地，內部導體5可以設置成基片40，如聚合物和/或纖維帶條，該聚合物和/或纖維帶條被金屬鍍敷或被金屬化，例如如圖4所示。本領域的技術人員將認識到，這樣的可選擇內部導體構造可以實現進一步的金屬材料減少和/或增強強度特性，實現外部導體強度特性的對應降低。
[0040]介電層30可以繞內部導體5的外表面施加成塑料介電材料的連續(xù)壁。另外，可以將固體或泡沫化的高和/或低密度聚乙烯的膨脹混合物施加成介電層30。
[0041]外部導體25是電氣連續(xù)的，完全圍繞介電層30的周緣，以消除干擾電信號的輻射和/或進入。外部導體25可以是固體材料，如繞介電層作為連續(xù)部分通過縫焊等密封的鋁或銅材料?？蛇x擇地，也可以利用螺旋包裹和/或重疊折疊構造，這些螺旋包裹和/或重疊折疊構造利用例如金屬箔和/或編織型外部導體25。諸如聚乙烯、聚氯乙烯、聚氨酯及/或橡膠之類的聚合物材料的保護護套35可以施加到外部導體的外徑上。
[0042]具有頂部和底部段的帶狀線型RF電纜結構的電氣建模表明，通過沿電纜I的RF信號的傳輸而產生的電場和相對于電纜I的橫截面的對應電流密度，沿在內部導體5的任一側處的內部導體邊緣3比在內部導體的中部段7處大，該頂部和底部段具有與內部導體的寬度相似的寬度(如圖1-4所示)。
[0043]為介電層30選擇的材料，除提供用來為了衰減減小而調諧介電層橫截面介電輪廓的變化介電常數之外，也可以選擇成用以增強生成電纜I的結構特性。
[0044]可選擇地和/或另外地，電場強度和相應的電流密度也可以通過調整在外部導體25與內部導體5的中部段7之間的距離而平衡。例如，如圖5所示，外部導體25可以設置成與每個內部導體邊緣3間隔開得比與內部導體5的中部段7遠，產生大致砂漏形的橫截面。在外部導體25與內部導體5的中部段7之間的距離可以小于在內部導體邊緣3與外部導體25之間(在邊緣段20處)的距離的例如0.7。[0045]用來終止扁平內部導體帶狀線RF傳輸電纜I的電容耦合扁平導體連接器43在圖6-12中示出。通過在連接界面處施加電容耦合，可以消除相對于內部導體5的產生PIM的可能性。
[0046]如在圖11和12中最清楚地表示的那樣，在電纜端部41處插入并且穿過其延伸以接近連接器端部42的外部導體25安置在凸出式連接器本體50的孔45內，例如經分子鍵合方式與凸出式連接器本體50相聯接，該分子鍵合通過激光、摩擦或超聲波焊接在外部導體25與凸出式連接器本體50之間的接合的周緣而得到，例如如在美國專利申請公開文本N0.2012-0129391中描述的那樣，該公開文本的標題為“具有分子鍵合互連的連接器和同軸電纜”，在2012年5月24日出版，由此通過參考全部包括。
[0047]本領域的技術人員將認識到，電纜端部41和連接器端部42這里應用為用于連接器的和這里描述的連接器的離散元件的相應端部的標識符，以根據它們沿在凸出式和凹入式連接器本體50、65中的每一個的連接器端部42和電纜端部41之間的連接器的縱向軸線的對準，標識相同和它們的相應互連表面。當由連接器界面互連時，凸出式連接器本體50的連接器端部42與凹入式連接器本體65的連接器端部42相聯接。
[0048]這里所利用的“分子鍵合”定義為互連，在該互連中，在兩個元件之間的鍵合界面利用來自鍵合在一起的兩個元件的每一個的材料的交換、互相混雜、融合等。來自兩個元件的每一個的材料的交換、互相混雜、融合等產生界面層，在該處，共同混雜材料組合成復合材料，該復合材料包括來自鍵合在一起的兩個元件的每一個的材料。
[0049]本領域的技術人員將認識到，分子鍵合可以通過足以熔化待鍵合在一起的兩個元件的每一個的鍵合表面的熱量的施加而產生，從而界面層變得熔化，并且兩個熔融表面彼此交換材料。然后，兩個元件相對于彼此保持靜止，直到熔融界面層冷卻到足以固化。
[0050]所生成的互連跨過界面層是連續(xù)的，消除了互連質量和/或退化問題，如材料蠕變、氧化、原電池腐蝕、水分滲入及/或互連表面移動。
[0051]內部導體5穿過孔45延伸,用于與相匹配的導體55電容I禹合,如與在印刷電路板60上的內部導體跡線電容耦合，該印刷電路板60由凹入式連接器本體65支承。因為內部導體5和相匹配的導體55是大致扁平的，所以在內部導體5與相匹配的導體55之間的電容耦合是在兩個平面表面之間。由此，通過調整在各電容耦合表面之間的重疊和/或偏移，可以得到為得到希望的電容耦合水平的對準和間隔。
[0052]如在圖7和8中最清楚地表示的那樣，在內部導體5與相匹配的導體55之間的偏移可以通過在它們之間的介電間隔件70的插入而選擇，該介電間隔件70例如粘合到相匹配的導體55上。介電間隔件70可以是具有希望厚度、強度及/或耐磨特性的任何介電材料，如用氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯陶瓷材料。這樣的材料是可買到的，例如呈具有薄到0.002"的高精度厚度的板片。
[0053]在內部導體5和相匹配的導體55相對于寬度彼此上下保持平行和對準的場合，在各電容耦合表面之間的表面面積由在兩者之間采取的縱向重疊量而確定。關于設置成常數的偏移(所選擇的介電間隔件70的厚度)，可以調整重疊，以對于待沿電纜I傳輸的RF信號的希望頻帶而調諧電容耦合。
[0054]內部導體5和相匹配的導體55的精確對準可以由對準插頭75和對準插座77而促進，該對準插頭75例如如圖13和14所示與凸出式連接器本體50相聯接，該對準插座77例如如圖15所示與凹入式連接器本體65相聯接，該對準插頭75和對準插座77沿在對準插頭75的連接器端部42上的斜坡表面79縱向地彼此接合，該對準插頭75抵靠對準插座77的傾斜凹槽81而安置。由此，對準插頭75進入對準插座77中的縱向前進，將內部導體5和相匹配的導體55向彼此橫向驅動，直到它們抵靠彼此到底，并且由介電間隔件分離，例如如圖11和12所示。
[0055]在對準插頭75與對準插座77之間的對準可以通過將斜坡表面79和傾斜凹槽81施加到對準插頭75和對準插座77的兩側上而進一步加強，如在圖16中最清楚地表示的那樣。對準插頭75可以通過采用支承花鍵83而加強，該支承花鍵83與斜坡表面79正交地延伸。此外，支承花鍵83可以構造成另一個斜坡元件，隨著對準插頭75和對準插座77接近它們的完全接合位置，該另一個斜坡元件接合對準插座79的中心部分85，如在圖11和16中最清楚地表示的那樣。
[0056]如在圖14和17中最清楚地表示的那樣，在對準插頭75內的內部導體5的配合可以通過采用導體基座87而被進一步控制，該導體基座87形成為在對準插頭75上的溝槽，溝槽設有與在內部導體5與相匹配的導體55之間的希望重疊相對應的特定長度。
[0057]導體基座87也可以用作用于電纜端部制備的導向件。通過抵靠凸出式連接器本體50的對準插頭75的試驗配合，使內部導體5越過導體基座87延伸，導體基座87的連接器端部42表明沿內部導體5用于內部導體5到導體基座87中的正確配合的要求修整點，并由此表明為得到希望重疊必要的內部導體5的長度。
[0058]接近導體基座87的連接器端部42所采用的橫向溝槽89，如在圖14中最清楚地表示的那樣，通過提供用來將內部導體5的末端遠離相匹配的導體55而折疊的空腔，如圖11和12所示，使這個部分相對于折疊基本上不起作用，從而減少對于內部導體5進行精確修整切割的要求。因為橫向溝槽89的位置可以在對準插頭75的制造期間以高精度形成，例如通過注射模制，所以即使施加低精度修整切割，也能得到內部導體5以希望的長度與相匹配的導體55相重疊，因為內部導體5的過大范圍然后遠離介電間隔件70折疊到橫向溝槽89中。此外，內部導體5到橫向溝槽89中的彎曲，產生光滑的引導內部導體邊緣，以當具有內部導體5的對準插頭75跨過介電間隔件70插入到對準插座77中時，減小對于介電間隔件70的損壞的可能性。
[0059]如在圖11中最清楚地表示的那樣，對準插頭75可以經連結特征91與凸出式連接器本體50可除去地相聯接，該連結特征91設置在與對準插頭75的縱向軸線正交的安裝正面93中，安裝正面93設有內部導體切口 95，該內部導體切口 95的尺寸設定成用以在其中接納內部導體5。連結特征可以是例如至少一個突起97,所述至少一個突起97與凸出式連接器本體50的相應聯接孔眼99相匹配。通過抵靠對準插座77的外徑而模壓凹入式連接器本體65的環(huán)形模壓凹槽109的側壁，對準插座77可以與凹入式連接器本體65永久地相聯接，例如如圖11和12所示。
[0060]本領域的技術人員將認識到，因為重疊可以由導體基座87的尺寸限定，所以通過在多個對準插頭75之間的選擇，可以對于不同頻帶迅速精確地調諧電容耦合，各對準插頭75中的每一個設有變化縱向長度的導體基座87，例如如圖18-20所示。
[0061]如在圖7和8中最清楚地表示的那樣，在凸出式連接器本體50與凹入式連接器本體65之間的聯接布置牢固地將對準插頭75和對準插座77保持在一起。該聯接可以應用在快速連接構造中，例如如在美國專利申請公開文本N0.2012-0129375中描述的那樣，該公開文本的標題為“帶拉片的連接器界面”，在2012年5月24日出版，由此通過參考全部包括，其中，凸出式連接器本體50的連接器端部42設有凸出式外部導體耦合表面100，該凸出式外部導體耦合表面100這里設置成在連接器端部42處的基座表面101的錐形外徑?；砻?01的尺寸設定成用以抵靠凹入式外部導體耦合表面102安置，該凹入式外部導體耦合表面102這里設置成凹入式連接器本體65的環(huán)形凹槽103，環(huán)形凹槽103通到連接器端部42。凸出式連接器本體50設有鎖環(huán)105，該鎖環(huán)105適于接合凹入式連接器本體65的基礎拉片107，以抵靠環(huán)形凹槽103而保持基座表面101。
[0062]為了形成整個電容耦合互連界面，外部導體介電間隔件111可以施加到界面的外部導體互連部分上。外部導體介電間隔件111可以相對于外部導體25，通過用介電涂層涂敷凸出式連接器本體50的連接器端部42 (基座表面101)或凹入式連接器本體65 (環(huán)形凹槽103的接觸部分)的連接表面而施加，例如如圖21和22所示。在應用帶拉片的連接器界面的場合，可以施加外部導體介電間隔件111，該外部導體介電間隔件111覆蓋基礎拉片107。由此，當將凸出式連接器本體50固定在對應凹入式連接器本體65內時，形成整個電容耦合互連界面。就是說，在跨過連接界面的內部導體5或外部導體25的電氣路徑之間沒有直接電池電流(galvanic)互連。
[0063]外部導體介電間隔件111可以設置成例如陶瓷或聚合物介電材料。具有適當耐壓縮和耐熱特性的介電涂層的一個例子是陶瓷涂層，
[0064]該介電涂層可以按高精度在非常薄的厚度下涂敷。陶瓷涂層可以經一定范圍的沉積過程，如物理蒸氣沉積(PVD)等，直接涂敷到希望表面上。陶瓷涂層具有高硬度特性的進一步優(yōu)點，由此保護涂敷表面免于在互連之前損壞，并且/或者阻止由在互連時存在的壓縮力造成的厚度變化。涂敷極薄介電涂層(例如薄達0.5微米)的能力，可以減小分離導體表面的表面面積要求，使連接界面的整體尺寸能夠減小。
[0065]可選擇地，電容耦合可以應用于具有常規(guī)螺紋鎖環(huán)構造的連接界面。例如，如圖22和23所示，標準DIN連接器界面的外部導體元件的變化在基座表面101與環(huán)形凹槽103之間施加可伸縮匹配，其中，將外部導體介電間隔件111施加到凸出式外部導體基座表面100上，該凸出式外部導體基座表面100這里設置成在凸出式連接器本體50的連接器端部42的內徑和凹入式連接器本體65的環(huán)形凹槽103的內側壁上的基座表面101。
[0066]鎖環(huán)105已經表明成由介電材料形成，例如由纖維-加強聚合物形成。因此，鎖環(huán)105在凸出式連接器本體50與凹入式連接器本體65之間不產生原電池電氣-機械耦合。在希望金屬材料鎖環(huán)105的另外磨損和/或強度特性的場合，例如在鎖環(huán)105是常規(guī)帶螺紋鎖環(huán)(該常規(guī)帶螺紋鎖環(huán)與凹入式連接器本體65的螺紋113聯接，以將凸出式和凹入式連接器本體50、65拉在一起并且保證它們在互連位置中)的場合，鎖環(huán)介電間隔件115 (見圖22)可以施加在鎖環(huán)105和凸出式連接器本體50的安置表面之間，以將鎖環(huán)105與凸出式連接器本體50電氣隔離，例如如圖22和23所示。
[0067]本領域的技術人員將認識到，電纜I和電容耦合連接器43提供優(yōu)于常規(guī)圓形橫截面同軸電纜和連接器實施例的多個優(yōu)點。扁平內部導體5構造實現到平面元件的直接過渡，如到在印刷電路板和/或天線上的跡線的直接過渡。電容耦合連接器43可以消除關于內部和外部導體5、25的PM，并且為了關于不同頻帶范圍的操作經對準插頭75的簡單更換而容易地組裝。
[0068]零件的表格
[0069]
【權利要求】
1.一種電容耦合扁平導體連接器，其用于與凹入式連接器本體和對準插座互連，該凹入式連接器本體在連接器端部處設有凹入式外部導體耦合表面，該對準插座與所述凹入式連接器本體相聯接；所述連接器包括: 凸出式連接器本體，其設有孔和凸出式外部導體I禹合表面，該凸出式外部導體I禹合表面設置在所述凸出式連接器本體的連接器端部處； 外部導體介電間隔件，其尺寸設定成用以覆蓋所述凸出式外部導體耦合表面； 對準插頭，其與所述凸出式連接器本體相聯接；所述對準插頭的尺寸設定成用以對安置在所述孔內的內部導體的預定長度進行支承； 所述凸出式外部導體耦合表面的尺寸設定成用以抵靠所述凹入式外部導體耦合表面而安置，由所述外部導體介電間隔件間隔開； 所述對準插座的尺寸設定成用以接納所述對準插頭的連接器端部，以靠著介電間隔件的相對兩側安置相互平行的所述內部導體和相匹配的導體的重疊部分。
2.如權利要求1所述的連接器，其中，所述凸出式外部導體耦合表面在所述連接器端部處設有錐形外徑基座表面； 所述基座表面的尺寸設定成用以抵靠所述凹入式外部導體耦合表面的環(huán)形凹槽而安置。
3.如權利要求2 所述的連接器，還包括鎖環(huán)，該鎖環(huán)適于接合所述凹入式連接器本體的基礎拉片，以抵靠所述環(huán)形凹槽保持所述基座表面。
4.如權利要求1所述的連接器，其中，所述凸出式外部導體耦合表面設有基座表面，該基座表面設置在接近所述連接器端部的所述凸出式連接器本體的內徑上；該基座表面的尺寸設定成用以抵靠所述凹入式外部導體耦合表面的環(huán)形凹槽的內側壁而安置。
5.如權利要求4所述的連接器，還包括鎖環(huán)，該鎖環(huán)適于接合所述凹入式連接器本體的螺紋，以抵靠所述環(huán)形凹槽保持所述基座表面。
6.如權利要求1所述的連接器，其中，所述外部導體按分子鍵合方式與所述凸出式連接器本體相聯接。
7.如權利要求1所述的連接器，還包括在所述對準插頭上的斜坡表面，該斜坡表面抵靠所述對準插座的傾斜凹槽而安置，借此所述對準插頭到所述對準插座中的縱向前進將所述內部導體和內部導體跡線向彼此橫向驅動。
8.如權利要求7所述的連接器，其中，所述斜坡表面和傾斜凹槽設置在所述對準插頭和對準插座的第一側和第二側上。
9.如權利要求1所述的連接器，在所述對準插頭的底部上還包括導體基座；所述導體基座的尺寸設定成用以接納所述內部導體的預定長度。
10.如權利要求9所述的連接器，在所述導體基座中還包括橫向溝槽，該橫向溝槽接近所述導體基座的連接器端部。
11.如權利要求1所述的連接器，在所述對準插頭上還包括支承花鍵；所述支承花鍵與所述導體基座正交地延伸。
12.如權利要求1所述的連接器，其中，所述對準插頭經至少一個突起與所述凸出式連接器本體相聯接，所述至少一個突起與所述凸出式連接器本體的相應聯接孔眼相匹配。
13.如權利要求1所述的連接器，其中，所述對準插頭具有與所述對準插頭的縱向軸線正交的安裝正面，所述安裝正面設有內部導體切口，該內部導體切口的尺寸設定成用以在其中接納所述內部導體。
14.如權利要求1所述的連接器，其中，所述鎖環(huán)是介電材料。
15.如權利要求1所述的連接器，其中，所述鎖環(huán)借助于鎖環(huán)介電間隔件而與所述凸出式連接器本體電氣隔離。
16.一種電容耦合扁平導體連接器，其用于與凹入式連接器本體互連，該凹入式連接器本體在連接器端部處設有凹入式外部導體耦合表面；所述連接器包括: 凸出式連接器本體，其設有孔和凸出式外部導體I禹合表面，該凸出式外部導體I禹合表面設置在所述凸出式連接器本體的連接器端部處； 外部導體介電間隔件，其尺寸設定成用以覆蓋所述凸出式外部導體耦合表面； 所述凸出式外部導體耦合表面的尺寸設定成用以抵靠所述凹入式外部導體耦合表面而安置，由所述外部導體介電間隔件間隔開； 所述凸出式連接器本體和所述凹入式連接器本體的對準元件支承內部導體和相匹配的導體，所述內部導體和相匹配的導體相互平行并且沿縱向相互重疊，并且由介電間隔件分離。
17.如權利要求16所述的連接器，其中，所述對準元件是對準插座和對準插頭，該對準插座與所述凹入式連接器本體相聯接，該對準插頭與所述凸出式連接器本體相聯接； 所述對準插頭的尺寸設定成用以支承安置在所述孔內的所述內部導體的預定長度； 所述對準插座的尺寸設定成用以接納所述對準插頭的連接器端部，以安置所述內部導體相對于所述相匹配的導體的重疊部分。
18.一種用來制造如權利要求1所述的連接器的方法，包括如下步驟: 將所述外部導體介電間隔件形成為在所述凸出式外部導體耦合表面上的陶瓷材料層。
19.如權利要求18所述的方法，其中，所述陶瓷材料通過物理蒸汽沉積而施加在安置表面上。
20.一種用來制造如權利要求1所述的連接器的方法，包括如下步驟: 將所述外部導體介電間隔件形成為在所述凹入式外部導體耦合表面上的陶瓷材料層。
【文檔編號】H01R9/05GK103907246SQ201280053468
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2012年11月10日 優(yōu)先權日:2011年11月11日
【發(fā)明者】K·范斯韋林根, F·哈瓦斯, J·佩因特, J·弗雷明 申請人:安德魯有限責任公司