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光學(xué)器件、特別是用于計(jì)算式攝像機(jī)的模塊的晶片級(jí)制造方法

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光學(xué)器件、特別是用于計(jì)算式攝像機(jī)的模塊的晶片級(jí)制造方法
【專利摘要】器件(50)包括光學(xué)構(gòu)件(60)和隔離構(gòu)件(70),所述光學(xué)構(gòu)件包括N≥2組無(wú)源光學(xué)部件(65),每組無(wú)源光學(xué)部件(65)包括一個(gè)或多個(gè)無(wú)源光學(xué)部件。隔離構(gòu)件(70)包括N個(gè)光通道(77),所述N個(gè)光通道中的每一個(gè)與所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的一組相關(guān)聯(lián)。所述N個(gè)光通道(77)的全部都具有至少基本上相同的幾何長(zhǎng)度(g),并且所述N個(gè)光通道中的第一個(gè)的光路長(zhǎng)度不同于所述N個(gè)光通道中的至少一個(gè)第二個(gè)的光路長(zhǎng)度。還描述了用于制造此類器件的方法。本發(fā)明能夠允許以高產(chǎn)率來(lái)批量生產(chǎn)高精度器件(50)。
【專利說(shuō)明】光學(xué)器件、特別是用于計(jì)算式攝像機(jī)的模塊的晶片級(jí)制造
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光學(xué)、更具體而言微光學(xué)領(lǐng)域。特別地,其涉及諸如光學(xué)系統(tǒng)、光電模塊和攝像機(jī)之類的光學(xué)器件的晶片級(jí)制造。其涉及根據(jù)本權(quán)利要求的開(kāi)放性條款的方法和設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]根據(jù)公開(kāi)為WO 2011/156928 A2 (2011年6月10日提交)的國(guó)際專利申請(qǐng),可了解能夠在晶片級(jí)制造的攝像機(jī)和用于攝像機(jī)的光學(xué)模塊。其中,相當(dāng)詳細(xì)地公開(kāi)了攝像機(jī)和用于攝像機(jī)的光學(xué)模塊以及用于制造它們的方法。因此,該專利申請(qǐng)WO 2011/156928 A2據(jù)此通過(guò)弓I用結(jié)合到本專利申請(qǐng)中。
[0003]術(shù)語(yǔ)定義
“有源光學(xué)部件”:光感測(cè)或發(fā)光部件。例如,光電二極管、圖像傳感器、LED、0LED、激光
-H-* I I
心/T O
[0004]“無(wú)源光學(xué)部件”:通過(guò)折射和/或衍射和/或反射對(duì)光進(jìn)行重定向的光學(xué)部件,諸如透鏡、棱鏡、反射鏡或光學(xué)系統(tǒng),其中,光學(xué)系統(tǒng)是此類光學(xué)部件的集合,可能還包括諸如孔徑光闌、圖像屏幕、保持器之類的機(jī)械元件。
[0005]“光電模塊”:其中包括至少一個(gè)有源和至少一個(gè)無(wú)源光學(xué)部件的部件。
[0006]“復(fù)制(replication)”:一種技術(shù),借助于該技術(shù),給定結(jié)構(gòu)或其相反(negative)被復(fù)現(xiàn)。例如,蝕刻、壓紋、壓印、鑄造、成型。
[0007]“晶片”:基本上盤(pán)狀或板狀項(xiàng)目(item),其在一個(gè)方向(z方向或豎向(vertical)方向)上的延伸相對(duì)于其在其他兩個(gè)方向(X和y方向或橫向(lateral)方向)上的延伸是小的。通常,在(非空白)晶片上,其中布置或在提供有多個(gè)類似結(jié)構(gòu)或項(xiàng)目,通常是在矩形格柵(grid)上。晶片可具有開(kāi)口或孔,并且晶片甚至可在其橫向區(qū)域的主要部分中沒(méi)有材料。雖然在許多背景下,將晶片理解成主要地由半導(dǎo)體材料制成,但在本專利申請(qǐng)中,這顯然并不是限制。因此,晶片可主要由例如半導(dǎo)體材料、聚合物材料、包括金屬和聚合物或聚合物和玻璃材料的復(fù)合材料制成。特別地,結(jié)合所呈現(xiàn)的發(fā)明,諸如熱或UV可固化聚合物之類的可硬化材料是感興趣的晶片材料。
[0008]“橫向”:參考“晶片”
“豎向”:參考“晶片”
“光”:更一般地電磁輻射;更具體而言電磁譜的紅外、可見(jiàn)光或紫外部分的電磁輻射。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的一個(gè)目的是提供制造器件,特別是諸如光學(xué)系統(tǒng)、光電模塊和攝像機(jī)之類的光學(xué)器件,的備選方式,并且特別地提供制造器件,特別是諸如光學(xué)系統(tǒng)、光電模塊和攝像機(jī)之類的光學(xué)器件,的改進(jìn)方式。此外,將提供相應(yīng)器件,特別是諸如光學(xué)系統(tǒng)、光電模塊和攝像機(jī)之類的光學(xué)器件以及諸如晶片和晶片堆(stack)之類的相關(guān)器件和設(shè)備。[0010]本發(fā)明的另一目的是提高諸如光學(xué)系統(tǒng)、光電模塊和攝像機(jī)之類的光學(xué)器件的制造中的制造廣率。
[0011]本發(fā)明的另一目的是實(shí)現(xiàn)諸如光學(xué)系統(tǒng)、光電模塊和攝像機(jī)之類的光學(xué)器件的改善的質(zhì)量,特別是當(dāng)在晶片規(guī)模(wafer scale)制造這些時(shí)。
[0012]其他目的從以下的描述和實(shí)施例顯現(xiàn)出來(lái)。
[0013]這些目的中的至少一個(gè)至少部分地通過(guò)根據(jù)本專利權(quán)利要求所述的設(shè)備和方法和/或通過(guò)以下描述的設(shè)備和方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0014]本發(fā)明特別地涉及攝像機(jī)和用于攝像機(jī)的模塊(特別是光電模塊)以及涉及其組成部分并且涉及在這些中的任何一個(gè)的制造期間所使用的晶片和晶片堆;并且其還特別地涉及制造攝像機(jī)和/或用于攝像機(jī)的模塊(特別是光電模塊)和/或其組成部分和/或晶片和/或晶片堆的方法。所述制造通常涉及晶片規(guī)模制造步驟。
[0015]在器件(特別是光學(xué)器件)的制造期間,例如僅僅由于工藝步驟中的一個(gè)或多個(gè)中的或多或少不可避免的變化或不準(zhǔn)確性,可發(fā)生制造不規(guī)則性(irregularity)或制造偏差。例如,當(dāng)器件包括至少一個(gè)透鏡元件時(shí),實(shí)際上晶片(稱為光學(xué)晶片)上的許多此類透鏡元件具有(略微)變化的焦距,盡管標(biāo)稱上具有相同的焦距。
[0016]已經(jīng)發(fā)現(xiàn)可能至少部分地在晶片級(jí)校正或補(bǔ)償制造不規(guī)則性,因此實(shí)現(xiàn)器件的提高的產(chǎn)率和/或改善的光學(xué)性質(zhì)。
[0017]提出一在晶片級(jí)一補(bǔ)償此類制造不規(guī)則性的隔離晶片(spacer wafer)。此類隔離晶片通常包括許多(M ^ 2,M是整數(shù))隔離構(gòu)件,并且特別地建議所述許多隔離構(gòu)件中的每一個(gè)具有N > 2個(gè)光通道(N是整數(shù)),所述光通道具有至少基本上相同的幾何長(zhǎng)度(對(duì)于經(jīng)由那里傳播的光而言),但它們中的至少兩個(gè)呈現(xiàn)相互不同的光路(optical path)長(zhǎng)度。特別地其中所述光通道跨隔離構(gòu)件豎向地延伸。并且特別地,所述幾何長(zhǎng)度是沿著豎向方向的長(zhǎng)度和/或所述幾何長(zhǎng)度是跨隔離構(gòu)件的長(zhǎng)度。
[0018]通常,所述N個(gè)光通道是以陣列形式布置的。
[0019]特別地,以下實(shí)施例能夠至少在本發(fā)明的特定視野或方面表示本發(fā)明的特性: 器件:
所述器件包括光學(xué)構(gòu)件和隔離構(gòu)件,所述光學(xué)構(gòu)件包括N ^ 2組無(wú)源光學(xué)部件,每組包括一個(gè)或多個(gè)無(wú)源光學(xué)部件,所述隔離構(gòu)件包括N個(gè)光通道,所述N個(gè)光通道中的每一個(gè)與所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的一組相關(guān)聯(lián)。所述N個(gè)光通道的全部都具有至少基本上相同的幾何長(zhǎng)度,并且所述N個(gè)光通道中的第一個(gè)的光路長(zhǎng)度不同于所述N個(gè)光通道中的至少一個(gè)第二個(gè)的光路長(zhǎng)度。
[0020]在一個(gè)實(shí)施例中,所述隔離構(gòu)件被以這樣的方式結(jié)構(gòu)化,即所述N個(gè)光通道的全部都具有至少基本上相同的幾何長(zhǎng)度,并且所述N個(gè)光通道中的第一個(gè)的光路長(zhǎng)度不同于所述N個(gè)光通道中的至少一個(gè)第二個(gè)的光路長(zhǎng)度,特別地其中所述隔離構(gòu)件是以所述方式成形的。
[0021]在可與前述實(shí)施例組合的一個(gè)實(shí)施例中,對(duì)于所述N個(gè)光通道中的每個(gè),所述光路長(zhǎng)度具有與各相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件的制造不規(guī)則性(特別是各相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件的無(wú)源光學(xué)部件組中的無(wú)源光學(xué)部件的制造不規(guī)則性)有關(guān)的值和/或根據(jù)所述制造不規(guī)則性而被選擇。
[0022]在參考上一個(gè)所述實(shí)施例的一個(gè)實(shí)施例中,所述光學(xué)構(gòu)件包括至少一個(gè)透鏡元件,所述制造不規(guī)則性包括所述至少一個(gè)透鏡元件的特性量值與標(biāo)稱值的偏差。特別地,所述標(biāo)稱值能夠是所述至少一個(gè)透鏡元件的焦距。
[0023]在可與前述實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合的器件的一個(gè)實(shí)施例中,所述N個(gè)光通道中的至少一個(gè)包括所述隔離構(gòu)件中的盲孔(blind hole)。特別地,能夠?qū)⑺鲋辽僖粋€(gè)盲孔設(shè)置成有助于實(shí)現(xiàn)所述N個(gè)光通道中的所述至少第一一個(gè)與光通道中的至少第二一個(gè)之間的所述光路長(zhǎng)度差。特別地,能夠設(shè)置成對(duì)于這些至少兩個(gè)光通道中的每一個(gè)而言,各盲孔的長(zhǎng)度與各光通道的光路長(zhǎng)度有關(guān),更特別地其中,所述至少兩個(gè)盲孔中的所述第一個(gè)的長(zhǎng)度不同于所述至少兩個(gè)盲孔中的所述第二個(gè)的長(zhǎng)度。
[0024]在可與前述實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合的一個(gè)實(shí)施例中,所述隔離構(gòu)件包括由相互不同的材料制成的第一層和第二層,特別地其中,所述第二層由聚合物材料制成和/或所述第一層由不同的聚合物材料或玻璃制成。所述層能夠特別地形成大體上橫向延伸界面(在該處它們被相互結(jié)合)。它們可特別地是基本上塊狀或板狀的。還能夠?qū)⑺鰧右暈楦?br> 尚層O
[0025]能特別設(shè)置成所述光通道中的每一個(gè)中的所述第二層的豎向延伸與各相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件的制造不規(guī)則性有關(guān)或根據(jù)所述制造不規(guī)則性而被選擇。并且可進(jìn)一步設(shè)置成所述第一層的豎向延伸對(duì)于所述區(qū)域中的每一個(gè)是基本相同的。
[0026]在可與前述實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合的一個(gè)實(shí)施例中,所述隔離構(gòu)件包括圍繞所述N個(gè)光通道中的每一個(gè)的通道壁(橫向地),其中,在所述N個(gè)光通道的一個(gè)或多個(gè)中,特別是在所述N個(gè)光通道的每一個(gè)中,存在透明材料。存在于所述N個(gè)光通道中的第一個(gè)中的所述透明材料的量不同于存在于所述N個(gè)光通道中的第二一個(gè)中的所述透明材料的量。那些量能夠是針對(duì)所尋求的制造不規(guī)則性的補(bǔ)償而選擇的。能夠設(shè)置成通道壁是非透明的,并且特別地它們由非透明材料制成??赡艿氖峭ㄟ^(guò)復(fù)制來(lái)制造晶片,所述晶片包括圍繞開(kāi)口的許多此類通道壁;這樣的晶片能夠比如成形為像具有棱柱形或管狀開(kāi)口的平篩(flat sieve)。此外能夠設(shè)置成所述透明材料是已硬化的可硬化材料。這樣,其能夠以液體形式被填充到通道中并且然后硬化。存在于所述N個(gè)光通道中的一個(gè)中的透明材料特別地可完全沿著豎向限定范圍而填充各通道,特別地其中所述豎向限定范圍在所述各通道的末端處結(jié)束。
[0027]在可與前述實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合的一個(gè)實(shí)施例中,所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的每一個(gè)具有特性量值,所述特性量值標(biāo)稱地對(duì)于全部的所述N組無(wú)源光學(xué)部件而言是相同的。所述特性量值可例如是焦距。并且可設(shè)置成所述光路長(zhǎng)度的所述差被提供為用于至少部分地補(bǔ)償所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的兩組或更多組之間的所述特性量值的不期望有的差。所述不期望有的差可特別地由制造不規(guī)則性引起。這在使用復(fù)制來(lái)制造所述無(wú)源光學(xué)部件時(shí)可特別有用。在復(fù)制工藝中,很可能發(fā)生可重復(fù)的制造不規(guī)則性,即其在重復(fù)執(zhí)行復(fù)制工藝時(shí)相同地或接近于相同地發(fā)生。
[0028]在可與前述實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合的一個(gè)實(shí)施例中,使用復(fù)制來(lái)制造所述光學(xué)構(gòu)件,特別地其中對(duì)于所述N組中的至少一組(更特別地對(duì)于所述N組中的每組),使用復(fù)制來(lái)制造所述一個(gè)或多個(gè)無(wú)源光學(xué)部件中的至少一個(gè)。更具體地,能夠設(shè)置成對(duì)于所述N組中的每組,所述一個(gè)或多個(gè)無(wú)源光學(xué)部件全部都通過(guò)使用復(fù)制被制造。
[0029]在可與前述實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合的一個(gè)實(shí)施例中,所述器件包括被稱為檢測(cè)構(gòu)件的構(gòu)件,所述檢測(cè)構(gòu)件包括N個(gè)有源光學(xué)部件,所述N個(gè)有源光學(xué)構(gòu)件中的每個(gè)與所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的一組相關(guān)聯(lián),特別地其中所述N個(gè)有源光學(xué)部件中的每個(gè)是光感測(cè)部件。所述隔離構(gòu)件特別地能夠布置在所述檢測(cè)構(gòu)件與所述光學(xué)構(gòu)件之間。這樣的器件特別地能夠是用于捕捉N個(gè)子圖像的器件,每個(gè)子圖像各借助于所述N個(gè)有源光學(xué)部件中的一個(gè)被捕捉。并且通常,所述子圖像是要被處理以產(chǎn)生全圖像的子圖像。為此目的,所述器件可包括可操作地連接到所述N個(gè)有源光學(xué)部件中的每個(gè)的微處理器。所述微處理器能夠特別地被配置成用于處理所述N個(gè)子圖像,更具體地用于根據(jù)所述N個(gè)子圖像生成全圖像。所述微處理器可例如被包括在所述檢測(cè)構(gòu)件中。
[0030] 儀器,在第一方面:
在第一方面,所述儀器包括如在本專利申請(qǐng)中所描述的許多器件。特別地,所述儀器可包括至少一個(gè)晶片,所述至少一個(gè)晶片包括如在本專利申請(qǐng)中所述的2個(gè)器件。這樣的儀器特別地可以是晶片或晶片堆。
[0031 ] 儀器,在第二方面:
在第二方面,所述儀器包括被稱為隔離晶片的晶片,所述隔離晶片包括M > 2個(gè)隔離構(gòu)件,所述隔離構(gòu)件中的每個(gè)包括N ^ 2個(gè)光通道,其中,對(duì)于所述隔離構(gòu)件中的每個(gè)適用:各N個(gè)光通道全部都具有至少基本上相同的幾何長(zhǎng)度,并且各N個(gè)光通道中的第一個(gè)的光路長(zhǎng)度不同于所述各N個(gè)光通道中的至少一個(gè)第二個(gè)的光路長(zhǎng)度,其中,M是整數(shù)且N是整數(shù)。這樣的儀器特別地可以是晶片或晶片堆。
[0032]在所述儀器的一個(gè)實(shí)施例中,所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的第一一個(gè)的所述幾何長(zhǎng)度不同于所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的至少 第二一個(gè)的所述幾何長(zhǎng)度。備選地,所述幾何長(zhǎng)度對(duì)于全部的所述M個(gè)隔離構(gòu)件而言能夠是(至少標(biāo)稱地)相等的。
[0033]在可與前述實(shí)施例組合的一個(gè)實(shí)施例中,所述隔離晶片包括由相互不同的材料制成的第一層和第二層,特別地其中所述第一層的豎向延伸(或厚度)對(duì)于每個(gè)所述區(qū)域是基本上相同的。特別地,所述層可以是基本上板狀的。還可將它們視為晶片。
[0034]在可與前述實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合的一個(gè)實(shí)施例中,所述儀器包括被稱為光學(xué)晶片的晶片,所述光學(xué)晶片包括每個(gè)均包含N組無(wú)源光學(xué)部件的M個(gè)光學(xué)構(gòu)件,所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的每組包括一個(gè)或多個(gè)無(wú)源光學(xué)部件。特別地,所述隔離晶片和所述光學(xué)晶片可被包括在晶片堆中和/或所述M個(gè)光學(xué)構(gòu)件中的每個(gè)與所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的不同一個(gè)相關(guān)聯(lián)。
[0035]本發(fā)明包括具有根據(jù)本發(fā)明的相應(yīng)器件的特征的儀器,并且反之亦然,還包括具有根據(jù)本發(fā)明的相應(yīng)儀器的特征的器件。
[0036]所述器件的優(yōu)點(diǎn)基本上對(duì)應(yīng)于相應(yīng)儀器的優(yōu)點(diǎn),并且反之亦然,所述儀器的優(yōu)點(diǎn)基本上對(duì)應(yīng)于相應(yīng)器件的優(yōu)點(diǎn)。
[0037]此外,還可能的是將所述儀器的第一和第二方面組合。
[0038]方法,在第一特定視野中:
在第一特定視野中,如在本專利申請(qǐng)中所述的用于制造器件的方法包括提供包括M ^ 2個(gè)所述隔離構(gòu)件的隔離晶片的步驟,其中M是整數(shù)。特別地,所述方法包括制造所述隔離晶片的步驟。該晶片級(jí)制造尤其能夠很好地適合于制造所述器件且可允許以高產(chǎn)率制造成緊密度容限(在尺寸上和在光學(xué)上)。[0039]在一個(gè)實(shí)施例中,所述方法包括使用切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔和/或激光燒蝕來(lái)制造所述隔離晶片的步驟,特別地其中借助于所述切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔和/或激光燒蝕來(lái)在所述隔離晶片中創(chuàng)建多個(gè)盲孔,更特別地其中所述多個(gè)盲孔并不全部具有相同的長(zhǎng)度。這能夠是在具有所有光通道的相同幾何路徑長(zhǎng)度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)各種不同光路長(zhǎng)度的高效的方式。
[0040]在可與前述實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合的一個(gè)實(shí)施例中,所述方法包括制造所述隔離晶片,所述制造所述隔離晶片包括步驟
一提供晶片;
一局部地減小所述晶片的豎向延伸;
其中,所述局部地減小所述晶片的豎向延伸包括執(zhí)行第一處理步驟和在所述第一處理步驟之后執(zhí)行不同于所述第一處理步驟的第二處理步驟。更特別地,能夠設(shè)置成所述第一處理步驟與所述第二處理步驟的不同之處在于以下各項(xiàng)中的至少一項(xiàng)-所應(yīng)用的處理技術(shù);
-在各處理步驟中所使用的工具;
—在各處理步驟中所使用的至少一個(gè)處理參數(shù)。
[0041]還能夠設(shè)置成與所述第二處理步驟相比以更高速率從所述許多區(qū)域中的所述多個(gè)去除材料來(lái)執(zhí)行所述第一處理步驟。
[0042]在參考上一個(gè)所述的實(shí)施例的一個(gè)實(shí)施例中,對(duì)隔離構(gòu)件的所有光通道同時(shí)地執(zhí)行所述第一處理步驟,并且對(duì)隔離構(gòu)件的不同光通道單獨(dú)地執(zhí)行所述第二處理步驟。
[0043]在可與前述實(shí)施例組合的一個(gè)實(shí)施例中,所述方法包括步驟
-提供具有許多孔的晶片,一個(gè)孔用于每一個(gè)所述光通道,特別地其中所述孔是通
孔;
—將液體狀態(tài)的可硬化材料填充到所述孔中;
-將所述孔中的所述可硬化材料硬化;
其中,所述可硬化材料是透明的,至少在硬化時(shí)是透明的。
[0044]在可與前述實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合的一個(gè)實(shí)施例中,隔離晶片包括由相互不同的材料制成的第一層和第二層,特別地其中所述方法包括從所述第二層去除材料,更特別地其中所述第二層由聚合物材料制成。材料的去除更特別地能夠用來(lái)調(diào)整光通道中的光路長(zhǎng)度。此外能夠設(shè)置成不從所述第一層去除材料,特別是并不用于調(diào)整光通道的光路長(zhǎng)度。所述第一和第二層可形成兩個(gè)相互粘附的板。
[0045]本發(fā)明包括具有根據(jù)本發(fā)明的相應(yīng)器件或儀器的特征的方法,并且反之亦然,還包括具有根據(jù)本發(fā)明的相應(yīng)方法的特征的器件和儀器。
[0046]所述方法的優(yōu)點(diǎn)基本上分別對(duì)應(yīng)于相應(yīng)器件和儀器的優(yōu)點(diǎn),并且反之亦然,所述器件和儀器的優(yōu)點(diǎn)基本上分別對(duì)應(yīng)于相應(yīng)方法的優(yōu)點(diǎn)。
[0047]方法,在第二特定視野中:
在第二特定視野中,所述方法是用于制造器件的方法,特別地其中所述器件是攝像機(jī)或用于攝像機(jī)的光電模塊,所述方法包括步驟
-提供,特別是制造, 包括2個(gè)隔離構(gòu)件的隔離晶片,其中M是整數(shù),所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的每個(gè)包括N ≥2個(gè)光通道,N是整數(shù); -提供,特別是制造,包括M個(gè)光學(xué)構(gòu)件的光學(xué)晶片,所述M個(gè)光學(xué)構(gòu)件中的每個(gè)包括N組無(wú)源光學(xué)部件,每組包括一個(gè)或多個(gè)無(wú)源光學(xué)部件;
-提供,特別是制造,包括M個(gè)檢測(cè)構(gòu)件的檢測(cè)晶片,所述M個(gè)檢測(cè)構(gòu)件中的每個(gè)各包括N個(gè)有源光學(xué)部件;
其中,所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的每個(gè)與所述光學(xué)構(gòu)件中的不同的一個(gè)相關(guān)聯(lián)且與所述檢測(cè)構(gòu)件中的不同的一個(gè)相關(guān)聯(lián),以及
其中,對(duì)于所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的每個(gè),相應(yīng)的N個(gè)隔離構(gòu)件中的每個(gè)與相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件的N組有源光學(xué)部件中的不同的一組相關(guān)聯(lián)且與相關(guān)聯(lián)檢測(cè)構(gòu)件的N個(gè)有源光學(xué)部件中的不同的一個(gè)相關(guān)聯(lián),以及
其中,對(duì)于所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的至少一個(gè),更特別地對(duì)于多個(gè)及相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件和相關(guān)聯(lián)檢測(cè)構(gòu)件,適用
-各隔離構(gòu)件的N個(gè)光通道的全部都提供至少基本上相同的幾何路徑長(zhǎng)度用于從相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件的相關(guān)聯(lián)無(wú)源光學(xué)部件組通過(guò)各光通道到相關(guān)聯(lián)檢測(cè)構(gòu)件的相關(guān)聯(lián)有源光學(xué)部件的光傳播,以及
-用于從各光學(xué)構(gòu)件的N組無(wú)源光學(xué)部件中的第一組通過(guò)相關(guān)聯(lián)光通道到相關(guān)聯(lián)有源光學(xué)部件的光傳播的光路長(zhǎng)度不同于用于從所述各光學(xué)構(gòu)件的所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的第二組通過(guò)各相關(guān)聯(lián)光通道到各相關(guān)聯(lián)有源光學(xué)部件的光傳播的光路長(zhǎng)度。
[0048]在一個(gè)實(shí)施例中,所述方法包括使用復(fù)制步驟來(lái)制造所述隔離晶片的步驟,特別地其中在所述復(fù)制步驟中使用的復(fù)制母版(master)被設(shè)計(jì)成用于實(shí)現(xiàn)光通道的所述光路長(zhǎng)度差,并且可選地,其中,這樣獲得的已被設(shè)計(jì)成用于實(shí)現(xiàn)光通道的所述不同光路長(zhǎng)度的隔離構(gòu)件經(jīng)受進(jìn)一步處理步驟以便實(shí)現(xiàn)這樣獲得的經(jīng)進(jìn)一步經(jīng)處理的隔離構(gòu)件的光通道的光路長(zhǎng)度的增加的精度。特別地能夠設(shè)置成所述進(jìn)一步處理步驟包括向所述隔離構(gòu)件添加材料和/或從所述隔離構(gòu)件去除材料,更特別地其中,所述進(jìn)一步處理步驟包括切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔和/或激光燒蝕步驟。能夠設(shè)置成借助于所述切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔和/或激光燒蝕來(lái)增加所述隔離晶片中的一個(gè)或多個(gè)盲孔的長(zhǎng)度。
[0049]在可與前述實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)組合的一個(gè)實(shí)施例中,所述方法包括制造所述隔離晶片,所述制造所述隔離晶片包括步驟
一提供晶片;
一局部地減小所述晶片的豎向延伸;
其中,所述局部地減小所述晶片的豎向延伸包括執(zhí)行第一處理步驟和在所述第一處理步驟之后執(zhí)行不同于所述第一處理步驟的第二處理步驟。
[0050]本發(fā)明包括具有根據(jù)本發(fā)明的相應(yīng)器件或儀器的特征的方法,并且反之亦然,還包括具有根據(jù)本發(fā)明的相應(yīng)方法的特征的器件和儀器。
[0051]所述方法的優(yōu)點(diǎn)基本上分別地對(duì)應(yīng)于相應(yīng)器件和儀器的優(yōu)點(diǎn),并且反之亦然,所述器件和儀器的優(yōu)點(diǎn)基本上分別地對(duì)應(yīng)于相應(yīng)方法的優(yōu)點(diǎn)。
[0052]此外,還可能的是將所述第一和第二視野中的方法組合。
[0053]更多實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)從權(quán)利要求和附圖顯現(xiàn)出來(lái)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0054]下面將借助于示例和所包括的附圖來(lái)更詳細(xì)地描述本發(fā)明。所述附圖以強(qiáng)烈圖式化方式示出:
圖1以截面圖形式的器件的分解圖;
圖2能夠根據(jù)許多子圖像獲得全圖像的圖示;
圖3以截面圖形式的具有透鏡形狀的隔離構(gòu)件;
圖4以截面圖形式的具有透鏡形狀的隔離構(gòu)件;
圖5以截面圖形式的具有非透明圍繞的光通道的隔離構(gòu)件;
圖6以截面圖形式的具有未分離的光通道的隔離構(gòu)件;
圖7以截面圖形式的隔離構(gòu)件;
圖8以截面圖形式的隔離構(gòu)件;
圖9以截面圖形式的隔離構(gòu)件;
圖10以截面圖形式的包括包含不止一個(gè)單體部分(unitary part)的隔離構(gòu)件的晶片堆的詳圖;
圖11以截面圖形式的第一處理步驟之后的圖10的晶片堆的詳圖;
圖12以截面圖形式的第二處理步驟之后的圖10和11的晶片堆的詳圖;
圖13以截面圖形式的包括包含不止一個(gè)單體部分的經(jīng)兩次處理的隔離構(gòu)件的晶片堆的詳圖;
圖14以截面圖形式的包括作為光通道的通孔的非透明材料的構(gòu)件;
圖15以截面圖形式的在光通道中填充了透明材料的圖14的構(gòu)件;
圖16以截面圖形式的在光通道中填充了不同量的透明材料的圖14的構(gòu)件。
[0055]所描述的實(shí)施例意圖作為示例并且將不會(huì)限制本發(fā)明。
【具體實(shí)施方式】
[0056]圖1是以截面圖形式示出的本發(fā)明的方面的示意圖。其以分解圖形式示出三個(gè)構(gòu)件,即光學(xué)構(gòu)件60、隔離構(gòu)件70和檢測(cè)構(gòu)件80,它們?nèi)咭黄鹦纬善骷?0,更具體而言光電模塊50。
[0057]光學(xué)構(gòu)件60包括數(shù)個(gè)無(wú)源光學(xué)部件65,特別地透鏡65。無(wú)源光學(xué)部件65已指定標(biāo)稱焦距,特別地全部具有相同的標(biāo)稱焦距。但是一通常出于制造原因一無(wú)源光學(xué)部件65的焦距(更特別地:前焦距)偏離它們相應(yīng)的標(biāo)稱焦距,如在圖1中被標(biāo)記為f的箭頭所示。
[0058]檢測(cè)構(gòu)件80特別地能夠是包括諸如圖像傳感器85之類的有源光學(xué)部件85的半導(dǎo)體芯片。
[0059]隔離構(gòu)件70有助于確保構(gòu)件60與構(gòu)件80之間的預(yù)定義距離(參考圖1中的標(biāo)記“g”)。但是此外,其還有助于至少部分地校正以上所描述的與標(biāo)稱焦距的偏差。隔離構(gòu)件70包括數(shù)個(gè)光通道77,每個(gè)無(wú)源光學(xué)部件65對(duì)應(yīng)一個(gè)光通道77。每個(gè)光通道77包括盲孔75和一部分透明材料76。
[0060]隔離構(gòu)件70的材料的折射率不同于(通常大于)通常在盲孔75中存在的真空或空氣的折射率。因此,通過(guò)根據(jù)相關(guān)聯(lián)無(wú)源光學(xué)部件65的焦距與相應(yīng)的標(biāo)稱焦距的偏差來(lái)調(diào)整盲孔75的長(zhǎng)度,能夠至少在一定程度上補(bǔ)償偏差。幾何長(zhǎng)度g對(duì)于每個(gè)光通道77(至少標(biāo)稱地)是相同的;其對(duì)應(yīng)于隔離構(gòu)件70的(最大或總的)豎向延伸。
[0061 ] 因此,盲孔的長(zhǎng)度對(duì)于不同偏差的無(wú)源光學(xué)部件65是不同的。
[0062]這樣,能夠?qū)崿F(xiàn)的是使用具有其不同焦距的不同無(wú)源光學(xué)部件65進(jìn)行的成像導(dǎo)致(標(biāo)稱地)期望的成像。并且因此,構(gòu)件80的每個(gè)有源光學(xué)部件85,例如諸如圖像傳感器85之類的檢測(cè)元件85,能夠記錄期望的圖像:在沒(méi)有單獨(dú)選擇或調(diào)整盲孔的情況下,所記錄的圖像將偏離期望的圖像或與之不同,通常達(dá)到取決于各無(wú)源光學(xué)部件65的制造不規(guī)則性的量的程度。特別地,每個(gè)有源光學(xué)部件85記錄一個(gè)子圖像,例如一個(gè)全光(plenoptic)攝像機(jī)子圖像或一個(gè)陣列攝像機(jī)子圖像或?qū)τ谝粋€(gè)顏色或波長(zhǎng)范圍的一個(gè)子圖像,其中,在那種情況下,并不是所有有源光學(xué)部件85都記錄用于同一顏色或波長(zhǎng)范圍的子圖像。
[0063]能夠處理由不同有源光學(xué)部件85拍攝的子圖像以便根據(jù)它們導(dǎo)出全(最終)圖像。
[0064]圖2示出能夠根據(jù)許多這樣的子圖像88獲得全圖像90。
[0065]還存在實(shí)現(xiàn)不同光通道77之間的光路長(zhǎng)度的變化的其他可能性,盡管不同光通道77具有相同的幾何路徑長(zhǎng)度g,參見(jiàn)例如本專利權(quán)利要求。例如,能夠在光路中(例如在盲孔中)產(chǎn)生諸如透鏡形狀之類的形狀。圖3和4以截面圖形式示出帶有具有彎曲(透鏡狀)底部78的盲孔的隔離構(gòu)件70。換言之,在光通道中形成透鏡元件。在圖3中,還示出光通道可包括通孔(參考圖3中的最右通道)。在圖4中,還示出能夠從隔離構(gòu)件70的兩側(cè)去除材料,即從光學(xué)構(gòu)件通常將定位于的對(duì)象側(cè)(通常在示出隔離構(gòu)件的所有附圖中,意圖朝向附圖頁(yè)面的頂部,類似于在圖1中那樣)以及在檢測(cè)構(gòu)件通常將定位于的檢測(cè)器側(cè)(通常在示出隔離構(gòu)件的所有附圖中,意圖朝向附圖頁(yè)面的底部,類似于在圖1中那樣)。一般地,在本專利申請(qǐng)的附圖中的一個(gè)中所示出的隔離構(gòu)件可被用作類似在圖1中所示出的一個(gè)那樣的器件中的隔離構(gòu)件,替換在那里所示出的隔離構(gòu)件。
[0066]光通道77可相互分離,特別是光學(xué)地相互分離。例如,隔離構(gòu)件的一部分可由不透明材料制成,特別地使得每個(gè)光通道77至少部分地被不透明材料圍繞。圖5以截面圖形式示出具有不透明地圍繞的光通道77的隔離構(gòu)件70。每個(gè)光通道77的外部部分由不透明材料(例如由諸如可固化環(huán)氧樹(shù)脂之類的已硬化的可硬化材料)制成,而內(nèi)部部分填充有透明材料,例如再次地諸如可固化環(huán)氧樹(shù)脂之類的已硬化的可硬化材料,其中,所述填充在橫向上完全(即在所示情況下,隔離構(gòu)件70中的各通孔)但(一般地對(duì)于光通道中的至少一個(gè))在豎向上僅部分地填充各光通道。通過(guò)光通道的橫向截面能夠是例如圓形或矩形的(具有尖銳或具有圓形拐角)。
[0067]但還可能的是設(shè)置成光通道77中的至少一個(gè)鄰近于隔離構(gòu)件的至少一個(gè)其他光通道或者甚至與隔離構(gòu)件的至少一個(gè)其他光通道部分地重疊。圖6以截面圖形式示出具有未分離光通道的隔離構(gòu)件70。
[0068]光學(xué)地分離的光通道(參考例如圖5)的可能優(yōu)點(diǎn)是抑制光通道之間的串話的可能性。未分離的光通道的可能優(yōu)點(diǎn)是相應(yīng)器件能夠(橫向地)較小、無(wú)源光學(xué)部件(參考圖1)能夠相互更接近并且檢測(cè)構(gòu)件(參考圖1)能夠相互更接近。
[0069]圖7以截面圖形式示出另一隔離構(gòu)件70。這要例示人們還能夠向盲孔中填充液體材料。并且還可使此填入材料硬化。能夠選擇填入材料的量,使得實(shí)現(xiàn)所尋求的制造不規(guī)則性的補(bǔ)償。[0070]圖8以截面圖形式示出另一隔離構(gòu)件70。這要例示人們能夠例如借助于復(fù)制來(lái)制備已實(shí)現(xiàn)用于光學(xué)構(gòu)件的制造不規(guī)則性的補(bǔ)償?shù)木?或構(gòu)件)。并且此外,其例示另外可能的是然后向盲孔中填充液體材料以用于對(duì)補(bǔ)償進(jìn)行微調(diào)。
[0071]圖9以截面圖形式示出另一隔離構(gòu)件70。這要在一方面例示可能的是執(zhí)行(同時(shí)地)應(yīng)用到隔離構(gòu)件70的所有通道的校正/調(diào)整,并且另一方面隔離構(gòu)件70的檢測(cè)器側(cè)不一定必須呈現(xiàn)為(describe)單個(gè)平面(還參考圖4)。但是能夠有利的是設(shè)置成隔離構(gòu)件70的檢測(cè)器側(cè)呈現(xiàn)為單個(gè)平面(如在本專利申請(qǐng)的大多數(shù)附圖中所示的),因?yàn)樵谀欠N情況下,隔離構(gòu)件能夠容易地被結(jié)合到檢測(cè)構(gòu)件(參考圖1),而不需要提供附加界面(在空氣與諸如隔離構(gòu)件或檢測(cè)構(gòu)件的材料這樣的較高折射率材料之間),這再次地能夠?qū)е螺^少的反射損耗和較高的成像質(zhì)量。
[0072]器件50 (參考圖1)的一般功能是由無(wú)源光學(xué)部件65將從對(duì)象側(cè)(在圖1中的構(gòu)件60之上)撞擊的光通過(guò)光通道77成像到構(gòu)件80的有源光學(xué)部件85上。
[0073]器件50能夠用在例如通信設(shè)備中和/或在諸如陣列攝像機(jī)之類的攝像機(jī)中。
[0074]提出以晶片的形式來(lái)制造構(gòu)件60、70、80中的任何一個(gè),特別地全部,所述晶片每個(gè)包括許多的相應(yīng)構(gòu)件。這能夠使得器件50的制造非常高效,包括簡(jiǎn)化實(shí)現(xiàn)為了補(bǔ)償制造不規(guī)則性而提出的單獨(dú)調(diào)整。
[0075]例如,確定每個(gè)無(wú)源光學(xué)部件65的焦距,并且根據(jù)其結(jié)果,創(chuàng)建(例如,通過(guò)鉆孔和/或激光燒蝕)具有適當(dāng)長(zhǎng)度的盲孔(參考例如能夠相應(yīng)地解釋的圖1、3、4、6、9);或者使用已經(jīng)考慮一通過(guò)使用適當(dāng)?shù)膹?fù)制母版一要被補(bǔ)償?shù)闹圃觳灰?guī)則性來(lái)產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母綦x晶片(參考例如能夠相應(yīng)地解釋的圖1、3、6、9 )。
[0076]還可能的是通過(guò)如下方法將這兩種方法組合,即使用已經(jīng)在一定程度上補(bǔ)償制造不規(guī)則性的適當(dāng)隔離晶片,例如通過(guò)使盲孔具有相應(yīng)長(zhǎng)度,并且然后應(yīng)用進(jìn)一步的校正,t匕如通過(guò)改變通過(guò)光通道的光路長(zhǎng)度,借助于這樣的補(bǔ)償,尚未實(shí)現(xiàn)對(duì)各制造不規(guī)則性的充分補(bǔ)償(參考例如能夠相應(yīng)地解釋的圖3、4、8、9)。這些進(jìn)一步校正能夠例如通過(guò)鉆孔和/或機(jī)械加工和/或切割和/或激光燒蝕來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0077]圖10至12示出本發(fā)明的其他可能方面和實(shí)施例。圖10至12以截面圖形式示出晶片堆100,晶片堆100包括光學(xué)晶片OW以及被與之附連的隔離晶片堆200,光學(xué)晶片OW包括無(wú)源光學(xué)部件65,無(wú)源光學(xué)部件65的至少一部分具有制造不規(guī)則性,比如偏離標(biāo)稱值的焦距。光學(xué)晶片OW包括許多光學(xué)構(gòu)件60,并且隔離晶片堆200包括許多隔離構(gòu)件,其中,在晶片堆100中,每個(gè)光學(xué)構(gòu)件與隔離構(gòu)件中的不同的一個(gè)相關(guān)聯(lián)并且對(duì)準(zhǔn)。在圖10至12中未示出檢測(cè)構(gòu)件和檢測(cè)晶片。
[0078]隔離晶片堆200包括隔離晶片SWl和隔離晶片SW2。隔離晶片SWl由不透明材料制成,并且因此能夠大大有助于將光通道77在光學(xué)上相互隔離。此外能夠?qū)⒏綦x晶片SWl設(shè)置成用于確保光學(xué)晶片OW與隔離晶片SW2之間的期望(豎向)距離。晶片堆200的一個(gè)特性是隔離晶片SW2包括不同(但透明)材料的兩個(gè)層ml、m2。例如,層ml由玻璃制成而層m2由聚合物材料制成,或者層ml由聚合物材料制成而層m2由玻璃制成。更一般地,能夠設(shè)置成將面對(duì)光學(xué)晶片OW的層(ml)設(shè)置成用于提供機(jī)械穩(wěn)定性,而另一層(m2)(更特別地,用以制成它的材料)在機(jī)械上不如層ml (的材料)那么穩(wěn)定。并且/或者,能夠設(shè)置成考慮從隔離晶片SW2去除材料的方法或工藝,層m2的材料比層ml的材料更容易去除。然而,要注意的是通常還能夠省去層ml。
[0079]此外通??赡艿氖菍觤l和m2分別視為不同然而相互結(jié)合的隔離晶片。
[0080]更特別地,如圖11和12中所示,可能的是設(shè)置成用于補(bǔ)償光學(xué)晶片OW的制造不規(guī)則性的材料的去除僅在層m2中發(fā)生。
[0081]此外,圖10至12并且更特別地圖11和12示出可能用兩個(gè)(或者一般地:兩個(gè)或更多個(gè))處理步驟來(lái)執(zhí)行從隔離晶片或從隔離晶片堆200 (或者更具體地從層m2)去除材料。去除材料能夠允許改變光通道77中的光路長(zhǎng)度。在那種情況下,圖11示出由從向圖10的隔離晶片堆200應(yīng)用第一處理步驟而產(chǎn)生的晶片堆,而圖12示出由向圖11的隔離晶片堆200應(yīng)用第二處理步驟而產(chǎn)生的晶片堆100。兩個(gè)連續(xù)應(yīng)用的處理步驟能夠是不同的處理步驟,例如如果借助于打磨(milling)來(lái)執(zhí)行兩個(gè)處理步驟,則在第一處理步驟中,可使用不同的打磨工具,并且可能還可應(yīng)用比在第二處理步驟中更快的進(jìn)給速率(feed rate)。并且還可能的是將處理步驟中的不同處理技術(shù)組合,例如首先的激光燒蝕以及然后的打磨,或者反之亦然。
[0082]第二處理步驟特別地可以是微調(diào)步驟(用于優(yōu)化補(bǔ)償效果)。
[0083]并且甚至進(jìn)一步地,可將圖11和12視為例示諸如具有2X2通道陣列的四通道器件之類的多通道器件的情況下的可能進(jìn)行方式(參考圖11和12)。如圖11中所示,可能的是針對(duì)一個(gè)器件,即針對(duì)一個(gè)隔離構(gòu)件,單獨(dú)地執(zhí)行第一處理步驟,但是針對(duì)每個(gè)光通道77單獨(dú)地執(zhí)行第二處理步驟(參考圖12)。因此,在分離步驟之后(參考圖12中的粗虛線),通常將獲得具有不同的高度(豎向延伸)并且因此其光通道的不同幾何長(zhǎng)度gl、g2、g3的隔離構(gòu)件,然而所述不同的幾何長(zhǎng)度對(duì)于一個(gè)隔離構(gòu)件的所有光通道而言是相等的,但是能夠針對(duì)每個(gè)通道單獨(dú)地(在第二處理步驟中)進(jìn)行對(duì)于例如焦距的校正。
[0084]在類似于圖10至12中之一的實(shí)施例中,檢測(cè)構(gòu)件到隔離構(gòu)件的結(jié)合通常將必須在隔離晶片200的分離之后進(jìn)行,該分離步驟可在將晶片堆100分離期間完成。
[0085]圖13以截面圖形式示出包括不止一個(gè)單體部分(SW1、ml、m2)的經(jīng)兩次處理的隔離構(gòu)件。事實(shí)上,圖13非常對(duì)應(yīng)于圖12,但隔離晶片SW2被水平地(橫向地)鏡像,并且另夕卜,相對(duì)于圖12中所示的而言,減小了其中材料在第二處理步驟中被去除的(橫向限定的)面積。
[0086]在類似于圖13中所示的實(shí)施例情況中,將獲得關(guān)于無(wú)源光學(xué)部件65或者特別地由屬于同一個(gè)光通道的無(wú)源光學(xué)部件所組成的無(wú)源光學(xué)部件組的制造不規(guī)則性的數(shù)據(jù)?;诖祟悢?shù)據(jù),隔離晶片SW2的層m2會(huì)經(jīng)受第一處理步驟(類似于圖11中所示的)。特別地,該第一處理步驟將同時(shí)地被應(yīng)用到隔離構(gòu)件的所有光通道(并且通常使用同一個(gè)工具),但是單獨(dú)地用于不同的隔離構(gòu)件。
[0087]然后,可能基于關(guān)于無(wú)源光學(xué)部件65的制造不規(guī)則性的更多數(shù)據(jù)(可能從光學(xué)晶片0W、隔離晶片SWl和隔離晶片SW2的初步組裝獲得),應(yīng)用第二處理步驟,其中單獨(dú)地專注于每個(gè)光通道。
[0088]然后,將隔離晶片SWl和SW2與光學(xué)晶片OW結(jié)合在一起以便形成晶片堆100。這可在一個(gè)或多個(gè)步驟中實(shí)現(xiàn)。還可能的是將包括許多檢測(cè)構(gòu)件(參考圖1)的檢測(cè)晶片被結(jié)合到已經(jīng)在這里的隔離晶片SW2 -或者這在其后完成。最后,應(yīng)用其中例如通過(guò)分割(dicing)或激光切割來(lái)獲得分離器件的分離步驟。這樣獲得的器件能夠是例如計(jì)算式攝像機(jī)或用于計(jì)算式攝像機(jī)的模塊或者陣列攝像機(jī)或用于陣列攝像機(jī)的模塊。
[0089]圖14至16以截面圖形式示出具有非透明(橫向地)包圍光通道77的隔離構(gòu)件。圖5的實(shí)施例與之類似,并且事實(shí)上,圖14至16允許示出獲得如圖5中所示的隔離晶片的方式。
[0090]圖14以截面圖形式示出包括作為光通道的通孔的非透明材料的構(gòu)件;圖15以截面圖形式示出圖14的構(gòu)件,但在光通道中填充了透明材料;并且圖16以截面圖形式示出圖14的構(gòu)件,其中在光通道中填充了不同量的透明材料。
[0091]為了獲得類似于圖5和16中所示的隔離構(gòu)件70,可提供包括許多通孔(參考圖14)的晶片。能夠例如使用復(fù)制工藝?yán)缱鳛閱误w部分來(lái)獲得這樣的晶片。然后,液體可硬化材料被填充到通孔中并且然后被硬化,例如被固化。在此期間,能夠?qū)⑺鼍胖迷诨咨?,比如在諸如硅樹(shù)脂墊上,以便避免液體材料從通孔流出。在硬化之后,被填充材料是透明的。可能,可對(duì)這樣獲得的晶片應(yīng)用拋光步驟,以便在檢測(cè)器側(cè)具有高質(zhì)量光學(xué)表面。
[0092]在獲得類似于圖5和16中所示的隔離構(gòu)件70的第一方式中,針對(duì)每個(gè)光通道單獨(dú)地選擇填入孔中的液體材料的量,以便完成對(duì)光路長(zhǎng)度的期望調(diào)整。在第二方式中,填入材料的量對(duì)于隔離構(gòu)件的所有通孔(即對(duì)于所有光通道)(至少標(biāo)稱地)是相等的,其中,其能夠?qū)τ诟綦x晶片的所有通孔(即對(duì)于所有光通道)(至少標(biāo)稱地)是相等的(參考圖15)。在硬化之后,然后執(zhí)行處理步驟,以便針對(duì)光通道單獨(dú)地添加更多的(或相同的)液體可硬化材料和/或以便針對(duì)光通道單獨(dú)地去除所述液體可硬化材料的一部分。然而,在前述第一方式中也能夠應(yīng)用這樣的微調(diào)步驟。
[0093]為了填入液體材料,例如可使用分配器(dispenser)(例如從用于底部填充倒裝芯片等的電子設(shè)備制造中已知的)。為了去除材料,可使用機(jī)械加工或打磨或鉆孔或激光燒蝕。
[0094]如根據(jù)上文將變得清楚的,本發(fā)明可允許以非常高的產(chǎn)率在晶片規(guī)模上批量生產(chǎn)高精度光學(xué)器件。特別地,如果在制造光學(xué)晶片和/或光學(xué)構(gòu)件和/或無(wú)源光學(xué)部件期間(或?yàn)榇?使用復(fù)制,特別是當(dāng)將復(fù)制步驟用于同時(shí)地(或在單個(gè)工藝中)制造許多光學(xué)構(gòu)件和/或無(wú)源光學(xué)部件時(shí),可發(fā)生可重復(fù)的制造不規(guī)則性,這借助于本發(fā)明能夠被很好地補(bǔ)償。其中,為了實(shí)現(xiàn)所述補(bǔ)償,例如為了產(chǎn)生補(bǔ)償隔離晶片或補(bǔ)償隔離構(gòu)件,可應(yīng)用也可不應(yīng)用復(fù)制。
【權(quán)利要求】
1.一種包括光學(xué)構(gòu)件和隔離構(gòu)件的器件,所述光學(xué)構(gòu)件包括NS 2組無(wú)源光學(xué)部件,每組無(wú)源光學(xué)部件包括一個(gè)或多個(gè)無(wú)源光學(xué)部件,所述隔離構(gòu)件包括N個(gè)光通道,所述N個(gè)光通道中的每一個(gè)與所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的一組相關(guān)聯(lián),其中,所述N個(gè)光通道的全部都具有至少基本上相同的幾何長(zhǎng)度,并且其中所述N個(gè)光通道中的第一個(gè)的光路長(zhǎng)度不同于所述N個(gè)光通道中的至少一個(gè)第二個(gè)的光路長(zhǎng)度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件,其中,所述隔離構(gòu)件相對(duì)于所述光學(xué)構(gòu)件被固定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的器件,其中,所述隔離構(gòu)件被以這樣的方式結(jié)構(gòu)化,即所述N個(gè)光通道的全部都具有至少基本上相同的幾何長(zhǎng)度,并且所述N個(gè)光通道中的第一個(gè)的光路長(zhǎng)度不同于所述N個(gè)光通道中的至少一個(gè)第二個(gè)的光路長(zhǎng)度,特別地其中,所述隔離構(gòu)件被以所述方式成形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的一項(xiàng)所述的器件,其中,對(duì)于所述N個(gè)光通道中的每一個(gè),所述光路長(zhǎng)度具有與各相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件的制造不規(guī)則性,特別是各相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件的無(wú)源光學(xué)部件組的無(wú)源光學(xué)部件的制造不規(guī)則性,有關(guān)的值和/或根據(jù)所述制造不規(guī)則性而被選擇。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件,所述光學(xué)構(gòu)件包括至少一個(gè)透鏡元件,所述制造不規(guī)則性包括所述至少一個(gè)透鏡元件的特性量值與標(biāo)稱值的偏差。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件,所述標(biāo)稱值是所述至少一個(gè)透鏡元件的焦距。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述N個(gè)光通道中的每一個(gè)和其各相關(guān)聯(lián)的無(wú)源光學(xué)部件組被相對(duì)于彼此布置成使得從對(duì)象側(cè)撞擊在一組無(wú)源光學(xué)部件上的光能夠通過(guò)各相關(guān)聯(lián)光通道橫穿所述隔離構(gòu)件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述光通道相互分離,特別地在光學(xué)上相互分離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述N個(gè)光通道中的至少一個(gè)包括在所述隔離構(gòu)件中的開(kāi)口。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述N個(gè)光通道中的至少一個(gè)不是所述隔離構(gòu)件中的通孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述N個(gè)光通道中的至少一個(gè)包括所述隔離構(gòu)件中的盲孔,特別地其中所述至少一個(gè)盲孔被設(shè)置成有助于實(shí)現(xiàn)所述N個(gè)光通道中的所述至少一個(gè)與光通道中的至少一個(gè)第二個(gè)之間的所述光路長(zhǎng)度差。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述N個(gè)光通道中的至少兩個(gè)包括所述隔離構(gòu)件中的盲孔,特別地其中,對(duì)于所述N個(gè)光通道中的所述至少兩個(gè)中的每一個(gè),各盲孔的長(zhǎng)度與各光通道的光路長(zhǎng)度有關(guān),更特別地其中,所述至少兩個(gè)盲孔中的第一個(gè)的長(zhǎng)度不同于所述至少兩個(gè)盲孔中的第二個(gè)的長(zhǎng)度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述N個(gè)光通道中的至少一個(gè)包括非氣體透明材料的一部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述N個(gè)光通道中的每一個(gè)包括非氣體透明材料的一部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述N個(gè)光通道中的至少一個(gè)包括固體透明材料的一部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中的一項(xiàng)所述的器件,其中,在所述N個(gè)光通道中的至少一個(gè)中,至少一個(gè)透鏡元件被形成,特別地其中,所述至少一個(gè)透鏡元件被設(shè)置成有助于實(shí)現(xiàn)所述N個(gè)光通道中的所述至少一個(gè)與光通道中的至少一個(gè)第二個(gè)之間的所述光路長(zhǎng)度差。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件,其中,所述至少一個(gè)透鏡元件在所述N個(gè)光通道中的所述至少一個(gè)中的盲孔中形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述隔離構(gòu)件包括由相互不同的材料制成的第一層和第二層,特別地其中,所述第二層由聚合物材料制成和/或所述第一層由玻璃或由不同的聚合物材料制成。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的器件,其中,所述光通道中的每一個(gè)中的所述第二層的豎向延伸與各相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件的制造不規(guī)則性有關(guān)或者根據(jù)所述制造不規(guī)則性而被選擇。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至19中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述隔離構(gòu)件包括圍繞所述N個(gè)光通道中的每一個(gè)的通道壁,其中在所述N個(gè)光通道中的一個(gè)或多個(gè)中,特別是在所述N個(gè)光通道中的每一個(gè)中,存在透明材料,其中存在于所述N個(gè)光通道中的第一個(gè)中的所述透明材料的量不同于存在于所述N個(gè)光通道中的至少第二一個(gè)中的所述透明材料的量。
21.根據(jù)權(quán)利要求1至20中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的每一組具有特性量值,所述特性量值標(biāo)稱地對(duì)于所述N組無(wú)源光學(xué)部件的全部都是相同的。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的器件,其中,所述特性量值是焦距。
23.根據(jù)權(quán)利要求20或權(quán)利要求22所述的器件,其中,所述光路長(zhǎng)度的所述差被設(shè)置成用于至少部分地補(bǔ)償所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的兩組或更多組之間的所述特性量值的不期望有的差。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件,其中,所述不期望有的差由制造不規(guī)則性引起。
25.根據(jù)權(quán)利要求1至24中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述光學(xué)構(gòu)件是通過(guò)使用復(fù)制而被制造,特別地其中,對(duì)于所述N組中的至少一組,所述一個(gè)或多個(gè)無(wú)源光學(xué)部件中的至少一個(gè)通過(guò)使用復(fù)制而被制造。
26.根據(jù)權(quán)利要求1至25中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述隔離構(gòu)件是使用復(fù)制步驟制造的,特別地其中,在所述復(fù)制步驟中使用的復(fù)制母版被設(shè)計(jì)成用于實(shí)現(xiàn)光通道的所述不同光路長(zhǎng)度,并且可選地,其中這樣獲得的已經(jīng)被設(shè)計(jì)成用于實(shí)現(xiàn)光通道的所述不同光路長(zhǎng)度的隔離構(gòu)件經(jīng)受進(jìn)一步處理步驟以便實(shí)現(xiàn)這樣獲得的經(jīng)進(jìn)一步處理的隔離構(gòu)件的光通道的光路長(zhǎng)度的增加的精度,特別地其中,所述進(jìn)一步處理步驟包括向所述隔離構(gòu)件添加材料和/或從所述隔離構(gòu)件去除材料。
27.根據(jù)權(quán)利要求1至26中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述隔離構(gòu)件的至少一部分由透明材料,特別是固體透明材料,組成。
28.根據(jù)權(quán)利要求1至27中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述隔離構(gòu)件的至少一部分由不透明材料,特別是固體不透明材料,組成。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的器件,其中,所述不透明材料的至少一部分被布置在所述光通道之間,特別地圍繞所述N個(gè)光通道中的每一個(gè)。
30.根據(jù)權(quán)利要求1至29中的一項(xiàng)所述的器件,包括被稱為檢測(cè)構(gòu)件的構(gòu)件,所述檢測(cè)構(gòu)件包括N個(gè)有源光學(xué)部件,所 述N個(gè)有源光學(xué)部件中的每一個(gè)與所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的一組相關(guān)聯(lián),特別地其中,所述N個(gè)有源光學(xué)部件中的每一個(gè)是光感測(cè)部件。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的器件,其中,所述隔離構(gòu)件被布置在所述檢測(cè)構(gòu)件與所述光學(xué)構(gòu)件之間。
32.根據(jù)權(quán)利要求30或權(quán)利要求31所述的器件,其中,所述N個(gè)有源光學(xué)部件中的每一個(gè)被以這樣的方式相對(duì)于其各自相關(guān)聯(lián)的無(wú)源光學(xué)部件組布置,即從被稱為對(duì)象側(cè)的一側(cè)撞擊在一組無(wú)源光學(xué)部件上的光通過(guò)所述隔離構(gòu)件,特別是通過(guò)各相關(guān)聯(lián)光通道,被導(dǎo)引到各相關(guān)聯(lián)有源光學(xué)部件。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的器件,其中,所述對(duì)象側(cè)是與所述檢測(cè)構(gòu)件被布置在的光學(xué)構(gòu)件的那一側(cè)相對(duì)的所述光學(xué)構(gòu)件的那一側(cè)。
34.根據(jù)權(quán)利要求30至33中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述光學(xué)構(gòu)件和所述隔離構(gòu)件和所述檢測(cè)構(gòu)件相對(duì)于彼此被固定。
35.根據(jù)權(quán)利要求30至34中的一項(xiàng)所述的器件,其中,用于從所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的一組通過(guò)各相關(guān)聯(lián)光通道至各相關(guān)聯(lián)有源光學(xué)部件的光傳播的幾何路徑長(zhǎng)度對(duì)于所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的每一組是至少基本上相同的,并且其中,用于從所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的第一組通過(guò)各相關(guān)聯(lián)光通道到各相關(guān)聯(lián)有源光學(xué)部件的光傳播的光路長(zhǎng)度不同于用于從所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的第二組通過(guò)各相關(guān)聯(lián)光通道到各相關(guān)聯(lián)有源光學(xué)部件的光傳播的光路長(zhǎng)度。
36.根據(jù)權(quán)利要求30至35中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述N個(gè)有源光學(xué)部件中的每一個(gè)包括光檢測(cè)或光感測(cè)元件的二維布置,特別是光檢測(cè)或光感測(cè)元件的二維陣列。
37.根據(jù)權(quán)利要求30至36中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述N個(gè)有源光學(xué)部件中的每一個(gè)包括由圖像檢測(cè)器、圖像傳感器、像素陣列、基于半導(dǎo)體的多像素感光敏傳感器組成的組中的至少一個(gè)。
38.根據(jù)權(quán)利要求30至37中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述隔離構(gòu)件被結(jié)構(gòu)化和布置成確保所述光學(xué)構(gòu)件與所述檢測(cè)構(gòu)件之間的所限定的、特別是恒定的距離。
39.根據(jù)權(quán)利要求30至38中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述隔離構(gòu)件被結(jié)構(gòu)化和布置成確保所述光學(xué)構(gòu)件相對(duì)于所述檢測(cè)構(gòu)件至少基本上平行對(duì)準(zhǔn)。
40.根據(jù)權(quán)利要求30至39中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述N組無(wú)源光學(xué)部件被全部布置在第一平面中,并且所述N個(gè)有源光學(xué)部件被全部布置在第二平面中,并且其中,所述隔離構(gòu)件被結(jié)構(gòu)化和布置成確保所述第一和第二平面的至少基本上平行對(duì)準(zhǔn),特別是其中,所述幾何路徑長(zhǎng)度由所述第一和第二平面之間的距離限定。
41.根據(jù)權(quán)利要求30至40中的一項(xiàng)所述的器件,包括被操作地連接到所述N個(gè)有源光學(xué)部件中的每一個(gè)的微處理器。
42.根據(jù)權(quán)利要求30至41中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述器件是用于捕捉N個(gè)子圖像的器件,每個(gè)子圖像各借助于所述N個(gè)有源光學(xué)部件中的一個(gè)而被捕捉,特別地其中,所述子圖像是要被處理以產(chǎn)生全圖像的子圖像。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的器件,包括被操作地連接到所述N個(gè)有源光學(xué)部件中的每一個(gè)的微處理器,其中,所述微處理器被配置成用于處理所述N個(gè)子圖像,特別是用于根據(jù)所述N個(gè)子圖像來(lái)生成全圖像。
44.根據(jù)權(quán)利要求42或權(quán)利要求43所述的器件,包括用于建立到處理器件的操作連接以便處理所述N個(gè)子圖像的接口,特別地其中,所述器件包括被結(jié)構(gòu)化和布置成用于經(jīng)由所述接口來(lái)傳送所述N個(gè)子圖像的控制單元,更特別地其中,所述處理器件被配置成用于處理所述N個(gè)子圖像以便根據(jù)所述N個(gè)子圖像來(lái)生成全圖像。
45.根據(jù)權(quán)利要求42至44中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述子圖像是由以下各項(xiàng)組成的組中的至少一個(gè): -以不同顏色和/或用不同波長(zhǎng)范圍的光拍攝的子圖像; -用已以不同角度進(jìn)入器件的光拍攝的子圖像; -用不同設(shè)置拍攝的子圖像; -用不同攝像機(jī)設(shè)置拍攝的子圖像; -用不同光學(xué)設(shè)置拍攝的子圖像; -用不同聚焦設(shè)置拍攝的子圖像; -用不同變焦設(shè)置拍攝的子圖像; -用不同感光度拍攝的子圖像; -用不同圖像分辨率拍攝的子圖像。
46.根據(jù)權(quán)利要求1至45中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述器件是光電模塊。
47.根據(jù)權(quán)利要求1至 46中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述器件是供在攝像機(jī)中或通信設(shè)備中使用的光電模塊。
48.根據(jù)權(quán)利要求1至49中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述器件是供在手持式通信設(shè)備中使用的光電模塊。
49.根據(jù)權(quán)利要求1至48中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述器件是供在多孔徑攝像機(jī)中和/或陣列攝像機(jī)中使用的光電模塊。
50.根據(jù)權(quán)利要求1至46中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述器件是攝像機(jī)。
51.根據(jù)權(quán)利要求1至46中的一項(xiàng)所述的器件,其中,所述器件是由多孔徑攝像機(jī)、全視攝像機(jī)、陣列攝像機(jī)、計(jì)算式攝像機(jī)組成的組中的至少一個(gè)。
52.一種包括許多根據(jù)權(quán)利要求1至49中的一項(xiàng)所述的器件的儀器,特別地,其中所述儀器包括至少一個(gè)晶片,所述晶片包括M > 2個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1至49中的一項(xiàng)所述的器件。
53.一種包括被稱為隔離晶片的晶片的儀器,所述隔離晶片包括M > 2個(gè)隔離構(gòu)件,所述隔離構(gòu)件中的每一個(gè)包括N>2個(gè)光通道,其中,對(duì)于所述隔離構(gòu)件中的每一個(gè)適用:各N個(gè)光通道的全部都具有至少基本上相同的幾何長(zhǎng)度,并且各N個(gè)光通道中的第一個(gè)的光路長(zhǎng)度不同于所述各N個(gè)光通道中的至少一個(gè)第二個(gè)的光路長(zhǎng)度,其中,M是整數(shù)且N是整數(shù)。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的儀器,其中,所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的第一一個(gè)的所述幾何長(zhǎng)度不同于所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的至少第二一個(gè)的所述幾何長(zhǎng)度。
55.根據(jù)權(quán)利要求53或權(quán)利要求54所述的儀器,所述隔離晶片包括由相互不同的材料制成的第一層和第二層,特別地其中,所述第二層由聚合物材料制成和/或所述第一層由玻璃或由不同的聚合物材料制成。
56.根據(jù)權(quán)利要求53至55中的一項(xiàng)所述的儀器,包括被稱為光學(xué)晶片的晶片,所述光學(xué)晶片包括M個(gè)光學(xué)構(gòu)件,所述光學(xué)構(gòu)件每個(gè)包括N組無(wú)源光學(xué)部件,所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的每一組包括一個(gè)或多個(gè)無(wú)源光學(xué)部件,特別地其中,所述隔離晶片和所述光學(xué)晶片被包括在晶片堆中和/或其中所述M個(gè)光學(xué)構(gòu)件中的每一個(gè)與所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的不同的一個(gè)相關(guān)聯(lián)。
57.根據(jù)權(quán)利要56所述的儀器,其中,所述隔離晶片是使用復(fù)制步驟制造的,特別地其中,在所述復(fù)制步驟中所使用的復(fù)制母版被設(shè)計(jì)成用于實(shí)現(xiàn)光通道的所述不同光路長(zhǎng)度,并且可選地,其中,這樣獲得的已被設(shè)計(jì)成用于實(shí)現(xiàn)光通道的所述不同光路長(zhǎng)度的隔離晶片經(jīng)受進(jìn)一步處理步驟以便實(shí)現(xiàn)這樣獲得的經(jīng)進(jìn)一步處理的隔離晶片的光通道的光路長(zhǎng)度的增加的精度,特別地其中,所述進(jìn)一步處理步驟包括向所述隔離晶片添加材料和/或從所述隔離晶片去除材料。
58.根據(jù)權(quán)利要去56或權(quán)利要求57所述的儀器,其中,所述MXN個(gè)光通道中的每一個(gè)與所述MXN組無(wú)源光學(xué)部件中的不同的一組相關(guān)聯(lián)。
59.根據(jù)權(quán)利要求53至58中的一項(xiàng)所述的儀器,包括被稱為檢測(cè)晶片的晶片,所述檢測(cè)晶片包括M個(gè)檢測(cè)構(gòu)件,所述檢測(cè)構(gòu)件每個(gè)包括N個(gè)有源光學(xué)部件,特別地其中,所述MXN個(gè)有源光學(xué)部件中的每一個(gè)是光檢測(cè)部件,特別地其中,所述隔離晶片和所述檢測(cè)晶片被包括在晶片堆中。
60.根據(jù)權(quán)利要求59所述的儀器,其中,所述M個(gè)檢測(cè)構(gòu)件中的每一個(gè)與所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的不同的一個(gè)相關(guān)聯(lián)。
61.根據(jù)權(quán)利要求59或權(quán)利要求60所述的儀器,其中,所述MXN個(gè)光通道中的每一個(gè)與所述MXN個(gè)有源光學(xué)部件中的不同的一個(gè)相關(guān)聯(lián)。
62.一種用于制造器件的方法,特別地其中,所述器件是攝像機(jī)或用于攝像機(jī)的光電模塊,所述方法包括步驟: -提供、特別是制造包括M32個(gè)隔離構(gòu)件的隔離晶片,其中,M是整數(shù),所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的每一個(gè)包括N ^ 2個(gè)光通道,N是整數(shù); -提供、特別是制造包括M個(gè)光學(xué)構(gòu)件的光學(xué)晶片,所述M個(gè)光學(xué)構(gòu)件中的每一個(gè)包括N組無(wú)源光學(xué)部件,每組無(wú)源光學(xué)部件包括一個(gè)或多個(gè)無(wú)源光學(xué)部件; -提供、特別是制造包括M個(gè)檢測(cè)構(gòu)件的檢測(cè)晶片,所述M個(gè)檢測(cè)構(gòu)件中的每一個(gè)各包括N個(gè)有源光學(xué)部件; 其中,所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的每一個(gè)與所述光學(xué)構(gòu)件中的不同的一個(gè)相關(guān)聯(lián)且與所述檢測(cè)構(gòu)件中的不同的一個(gè)相關(guān)聯(lián),以及 其中,對(duì)于所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的每一個(gè),各N個(gè)隔離構(gòu)件中的每一個(gè)與相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件的N組有源光學(xué)部件中的不同的一組相關(guān)聯(lián)且與相關(guān)聯(lián)檢測(cè)構(gòu)件的N個(gè)有源光學(xué)部件中的不同的一個(gè)相關(guān)聯(lián),以及 其中,對(duì)于相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件和相關(guān)聯(lián)檢測(cè)構(gòu)件和所述M個(gè)隔離構(gòu)件中的至少一個(gè)更特別地多個(gè),適用: -各隔離構(gòu)件的N個(gè)光通道的全部都提供至少基本上相同的幾何路徑長(zhǎng)度用于從相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件的相關(guān)聯(lián)無(wú)源光學(xué)部件組通過(guò)各光通道至相關(guān)聯(lián)檢測(cè)構(gòu)件的相關(guān)聯(lián)有源光學(xué)部件的光傳播,以及 -用于從各光學(xué)構(gòu)件的N組無(wú)源光學(xué)部件中的第一組通過(guò)相關(guān)聯(lián)光通道至相關(guān)聯(lián)有源光學(xué)部件的光傳播的光路長(zhǎng)度不同于用于從所述各光學(xué)構(gòu)件的所述N組無(wú)源光學(xué)部件中的第二組通過(guò)各相關(guān)聯(lián)光通道至各相關(guān)聯(lián)有源光學(xué)部件的光傳播的光路長(zhǎng)度。
63.根據(jù)權(quán)利要求62所述的方法,包括形成包括所述光學(xué)晶片、所述檢測(cè)晶片以及布置在所述光學(xué)晶片與所述檢測(cè)晶片之間的所述隔離晶片的晶片堆。
64.根據(jù)權(quán)利要求63所述的方法,包括將所述晶片堆分離成許多模塊,每個(gè)包括所述隔離構(gòu)件中的一個(gè)、所述光學(xué)構(gòu)件中的一個(gè)和所述檢測(cè)構(gòu)件中的一個(gè),特別地每個(gè)包括所述隔離構(gòu)件中的剛好一個(gè)、所述光學(xué)構(gòu)件中的剛好一個(gè)和所述檢測(cè)構(gòu)件中的剛好一個(gè)。
65.根據(jù)權(quán)利要求63或權(quán)利要求64所述的方法,其中,對(duì)于所述MXN個(gè)光通道中的每一個(gè),所述光路長(zhǎng)度具有與各相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件的制造不規(guī)則性,特別是各相關(guān)聯(lián)光學(xué)構(gòu)件的無(wú)源光學(xué)部件組的無(wú)源光學(xué)部件的制造不規(guī)則性,有關(guān)的值和/或根據(jù)所述制造不規(guī)則性而被選擇。
66.根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法,包括確定所述制造不規(guī)則性,特別是測(cè)量所述制造不規(guī)則性。
67.根據(jù)權(quán)利要求65或權(quán)利要求66所述的方法,包括針對(duì)多個(gè)所述MXN個(gè)光通道創(chuàng)建形成各光通道的一部分的盲孔,特別地其中,所述盲孔的長(zhǎng)度與所述制造不規(guī)則性有關(guān)或是根據(jù)所述制造不規(guī)則性而被選擇。
68.根據(jù)權(quán)利要求65至67中的一項(xiàng)所述的方法,包括使用復(fù)制步驟來(lái)制造所述隔離晶片,特別地其中,在所述復(fù)制步驟中使用的復(fù)制母版被設(shè)計(jì)成用于至少部分地補(bǔ)償所述制造不規(guī)則性,并且可選地,其中這樣獲得的已被設(shè)計(jì)成用于至少部分地補(bǔ)償所述制造不規(guī)則性的隔離晶片經(jīng)受進(jìn)一步處理步驟以便增加借助于這樣獲得的經(jīng)進(jìn)一步處理的隔離晶片而能實(shí)現(xiàn)的補(bǔ)償?shù)牧?,特別地其中,所述進(jìn)一步處理步驟包括向所述隔離晶片添加材料和/或從所述隔離晶片去除材料,更特別地其中,所述進(jìn)一步處理步驟包括切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔和/或激光燒蝕步驟,特別地其中,借助于所述切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔和/或激 光燒蝕來(lái)增加所述隔離晶片中的一個(gè)或多個(gè)盲孔的長(zhǎng)度。
69.根據(jù)權(quán)利要求62至68中的一項(xiàng)所述的方法,包括使用復(fù)制步驟來(lái)制造所述隔離晶片的步驟,特別地其中,在所述復(fù)制步驟中使用的復(fù)制母版被設(shè)計(jì)成用于實(shí)現(xiàn)光通道的所述不同光路長(zhǎng)度,并且可選地其中,這樣獲得的已被設(shè)計(jì)成用于實(shí)現(xiàn)光通道的所述不同光路長(zhǎng)度的隔離構(gòu)件經(jīng)受進(jìn)一步處理步驟以便實(shí)現(xiàn)這樣獲得的經(jīng)進(jìn)一步處理的隔離構(gòu)件的光通道的光路長(zhǎng)度的增加的精度,特別地其中,所述進(jìn)一步處理步驟包括向所述隔離構(gòu)件添加材料和/或從所述隔離構(gòu)件去除材料,更特別地其中,所述進(jìn)一步處理步驟包括切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔和/或激光燒蝕步驟,特別地借助于所述切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔來(lái)增加所述隔離晶片中的一個(gè)或多個(gè)盲孔的長(zhǎng)度。
70.根據(jù)權(quán)利要求62至69中的一項(xiàng)所述的方法,包括制造所述隔離晶片,所述制造所述隔離晶片包括步驟: -提供具有許多孔的晶片,一個(gè)孔用于每一個(gè)所述光通道,特別是其中,所述孔是通孔; -向所述孔中填充液態(tài)可硬化材料; -使所述孔中的所述可硬化材料硬化; 其中,所述可硬化材料是透明的,至少在硬化時(shí)是透明的。
71.根據(jù)權(quán)利要求70所述的方法,其中,被填入所述孔中的第--個(gè)中的所述材料的量不同于被填入所述孔中的第二一個(gè)中的所述材料的量。
72.根據(jù)權(quán)利要求70或權(quán)利要求71所述的方法,所述制造所述隔離晶片包括在所述光通道中的至少一個(gè)中去除所述可硬化材料的一部分,特別地借助于所述切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔和/或激光燒蝕來(lái)完成該去除步驟。
73.根據(jù)權(quán)利要求62至72中的一項(xiàng)所述的方法,其中,所述隔離晶片包括由相互不同的材料制成的第一層和第二層,特別地其中,所述方法包括通過(guò)從所述第二層去除材料來(lái)調(diào)整所述光路長(zhǎng)度,更特別地其中,所述第二層由聚合物材料制成。
74.根據(jù)權(quán)利要求62至73中的一項(xiàng)所述的方法,包括制造所述隔離晶片,所述制造所述隔離晶片包括步驟: 一提供晶片; 一局部地減小所述晶片的豎向延伸; 其中,所述局部地減小所述晶片的豎向延伸包括執(zhí)行第一處理步驟和在所述第一處理步驟之后執(zhí)行不同于所述第一處理步驟的第二處理步驟, 特別地其中,所述第一處理步驟與所述第二處理步驟的不同之處在于以下各項(xiàng)中的至少一項(xiàng) -所應(yīng)用的處理技術(shù); -在各處理步驟中所使用的工具; —在各處理步驟中所使用的至少一個(gè)處理參數(shù)。
75.根據(jù)權(quán)利要求74所述的方法,其中,與所述第二處理步驟相比,以較高速率從所述多個(gè)所述許多區(qū)域中去除材料來(lái)執(zhí)行所述第一處理步驟。
76.根據(jù)權(quán)利要求74或權(quán)利要求75所述的方法,其中,對(duì)隔離構(gòu)件的所有光通道同時(shí)地執(zhí)行所述第一處理步驟,并且其中,對(duì)隔離構(gòu)件的不同光通道單獨(dú)地執(zhí)行所述第二處理步驟。
77.一種用于制造根據(jù)權(quán)利要求1至51中的一項(xiàng)所述的器件的方法,包括提供包含M >2個(gè)所述隔離構(gòu)件的隔離晶片的步驟,其中,M是整數(shù),特別地包括制造所述隔離晶片的步驟。
78.根據(jù)權(quán)利要求77所述的方法,包括提供包含M個(gè)所述光學(xué)構(gòu)件的光學(xué)晶片的步驟,特別地包括制造所述光學(xué)晶片的步驟。
79.根據(jù)權(quán)利要求77或權(quán)利要求78所述的方法,包括形成包括所述隔離晶片的晶片堆的步驟。
80.根據(jù)權(quán)利要求79所述的方法,包括將所述晶片堆分離成M個(gè)模塊的步驟,特別地其中,所述模塊中的每一個(gè)包括所述隔離構(gòu)件中的剛好一個(gè)。
81.根據(jù)權(quán)利要求77至80中的一項(xiàng)所述的方法,包括使用復(fù)制步驟來(lái)制造所述隔離晶片的步驟,特別地其中,在所述復(fù)制步驟中使用的復(fù)制母版被設(shè)計(jì)成用于實(shí)現(xiàn)光通道的所述不同光路長(zhǎng)度, 并且可選地其中,這樣獲得的已被設(shè)計(jì)成用于實(shí)現(xiàn)光通道的所述不同光路長(zhǎng)度的的隔離晶片經(jīng)受進(jìn)一步處理步驟以便實(shí)現(xiàn)這樣獲得的經(jīng)進(jìn)一步處理的隔離晶片的光通道的光路長(zhǎng)度的增加的精度,特別地其中,所述進(jìn)一步處理步驟包括向所述隔離晶片添加材料和/或從所述隔離晶片去除材料,更特別地其中,所述進(jìn)一步處理步驟包括切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔和/或激光燒蝕步驟,特別地借助于所述切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔來(lái)增加所述隔離晶片中的一個(gè)或多個(gè)盲孔的長(zhǎng)度。
82.根據(jù)權(quán)利要求77至81中的一項(xiàng)所述的方法,包括使用切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔和/或激光燒蝕來(lái)制造所述隔離晶片的步驟,特別地其中,借助于所述切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔和/或激光燒蝕來(lái)在所述隔離晶片中創(chuàng)建多個(gè)盲孔,更特別地其中,所述多個(gè)盲孔并不全部具有相同長(zhǎng)度。
83.根據(jù)權(quán)利要求77至82中的一項(xiàng)所述的方法,包括步驟: -提供具有多個(gè)孔的晶片,一個(gè)孔用于每一個(gè)所述光通道,特別是其中,所述孔是通孔; -向所述孔中填充液態(tài)可硬化材料; -使所述孔中的所述可硬化材料硬化; 其中,所述可硬化材料是透明的,至少在硬化時(shí)是透明的。
84.根據(jù)權(quán)利要求83所述的方法,其中,被填入所述孔中的第--個(gè)中的所述材料的量不同于被填入所述孔中的第二一個(gè)中的所述材料的量。
85.根據(jù)權(quán)利要求83或權(quán)利要求84所述的方法,包括在所述光通道中的至少一個(gè)中去除所述可硬化材料的一部分,特別地借助于所述切割和/或機(jī)械加工和/或鉆孔和/或激光燒蝕來(lái)完成該去除步驟。
86.根據(jù)權(quán)利要求77至85中的一項(xiàng)所述的方法,其中,所述隔離晶片包括由相互不同的材料制成的第一層和 第二層,特別地其中,所述方法包括從所述第二層去除材料,更特別地其中所述第二層由聚合物材料制成。
87.根據(jù)權(quán)利要求77至86中的一項(xiàng)所述的方法,包括制造所述隔離晶片,所述制造所述隔離晶片包括步驟: 一提供晶片; 一局部地減小所述晶片的豎向延伸; 其中,所述局部地減小所述晶片的豎向延伸包括執(zhí)行第一處理步驟和在所述第一處理步驟之后執(zhí)行不同于所述第一處理步驟的第二處理步驟, 特別地其中,所述第一處理步驟與所述第二處理步驟的不同之處在于以下各項(xiàng)中的至少一項(xiàng) -所應(yīng)用的處理技術(shù); -在各處理步驟中所使用的工具; —在各處理步驟中所使用的至少一個(gè)處理參數(shù)。
88.根據(jù)權(quán)利要求87所述的方法,其中,與所述第二處理步驟相比,以較高速率從所述多個(gè)所述許多區(qū)域去除材料來(lái)執(zhí)行所述第一處理步驟。
89.根據(jù)權(quán)利要求87或權(quán)利要求88所述的方法,其中,對(duì)隔離構(gòu)件的所有光通道同時(shí)地執(zhí)行所述第一處理步驟,并且其中 ,對(duì)隔離構(gòu)件的不同光通道單獨(dú)地執(zhí)行所述第二處理步驟。
【文檔編號(hào)】H01L27/146GK103890949SQ201280052516
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年8月24日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月25日
【發(fā)明者】H.魯?shù)侣? M.馬魯克, A.比伊特施, P.羅恩特根, S.海姆加特納 申請(qǐng)人:七邊形微光學(xué)私人有限公司
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