元器件內(nèi)置樹脂基板的制作方法
【專利摘要】元器件內(nèi)置樹脂基板(101)包括以埋入到樹脂結(jié)構(gòu)體內(nèi)的方式進(jìn)行配置的多個(gè)內(nèi)置元器件(3)。多個(gè)內(nèi)置元器件(3)包含第1內(nèi)置元器件(31)和第2內(nèi)置元器件(32)。從層疊方向觀察時(shí)，從第1內(nèi)置元器件(31)到最為接近的端面(5)為止的距離即第1距離(D1)比從第2內(nèi)置元器件(32)到最為接近的端面(5)為止的距離即第2距離(D2)要短。第1內(nèi)置元器件(31)在離第1內(nèi)置元器件(31)最近的端面(5)上投影時(shí)的沿著端面(5)的長度乘以第1內(nèi)置元器件(31)的厚度所得到的第1投影面積比第2內(nèi)置元器件(32)在離第2內(nèi)置元器件(32)最近的端面(5)上投影時(shí)的沿著端面(5)的長度乘以第2內(nèi)置元器件(32)的厚度所得到的第2投影面積要小。
【專利說明】元器件內(nèi)置樹脂基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及元器件內(nèi)置樹脂基板。
【背景技術(shù)】
[0002]圖23中示出了基于現(xiàn)有技術(shù)的元器件內(nèi)置樹脂基板的一個(gè)示例。在該示例中,在元器件內(nèi)置樹脂基板901的內(nèi)部，作為絕緣層的樹脂層2環(huán)繞內(nèi)置元器件3的外周。元器件內(nèi)置樹脂基板901在內(nèi)部包含多個(gè)通孔導(dǎo)體6和多個(gè)導(dǎo)體圖案7。如圖24所示，內(nèi)置元器件3呈近似長方體，在兩個(gè)端部分別具有電極3a、3b。如圖23所示，內(nèi)置元器件3的電極3a、3b分別與通孔導(dǎo)體6n相連接。
[0003]日本專利特開2006-73763號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)中記載了基于現(xiàn)有技術(shù)的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法的一個(gè)示例。在專利文獻(xiàn)I記載的發(fā)明中，將形成有用于插入芯片狀的內(nèi)置元器件的通孔的樹脂膜進(jìn)行層疊，并將內(nèi)置元器件插入由通孔相連而成的凹部內(nèi)。在該凹部的內(nèi)表面形成有6個(gè)突起，將彼此相對的突起的前端相互之間的間隔Wt設(shè)定得比內(nèi)置元器件的外形尺寸W2要小。在將內(nèi)置元器件插入凹部內(nèi)時(shí)，一邊擠壓這些突起的前端一邊將內(nèi)置元器件壓入。在專利文獻(xiàn)I記載的發(fā)明中，將內(nèi)置元器件壓入凹部內(nèi)之后，經(jīng)過預(yù)粘接工序，進(jìn)一步進(jìn)行對該層疊體一邊加熱一邊進(jìn)行加壓的工序，從而對樹脂膜進(jìn)行壓接，其結(jié)果是，能獲得多層基板。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2006-73763號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0005]在專利文獻(xiàn)I中，在用于收容內(nèi)置元器件的凹部的內(nèi)表面設(shè)有突起，但為了無論有無這樣的突起，都能將內(nèi)置元器件可靠地配置在凹部中，一般而言，將凹部設(shè)置為具有比內(nèi)置元器件的外形大一圈的余量的尺寸。在圖25中示出了將內(nèi)置元器件配置在這樣的凹部內(nèi)的狀態(tài)的剖視圖，圖26示出了其俯視圖。在凹部中配置有內(nèi)置元器件3。由于凹部比內(nèi)置元器件3要大，因此，產(chǎn)生環(huán)繞內(nèi)置元器件3外周的空隙9。
[0006]通過進(jìn)行對層疊體一邊加熱一邊進(jìn)行加壓的工序即壓接工序，在層疊體的內(nèi)部會(huì)發(fā)生稱為“樹脂流”或“樹脂流動(dòng)”的現(xiàn)象。這表示作為樹脂片材的材料的樹脂在從外部施加的壓力的影響下發(fā)生變形而在層疊體內(nèi)部進(jìn)行流動(dòng)?？梢灶A(yù)料到，由于該樹脂流，樹脂會(huì)流入到空隙內(nèi)，使得空隙被完全填埋。
[0007]然而，在內(nèi)置于元器件內(nèi)置樹脂基板中的內(nèi)置元器件的數(shù)量增加的情況下，根據(jù)配置的位置的不同，有時(shí)會(huì)因所流入的樹脂的量不足而產(chǎn)生未充分填埋空隙的情況。
[0008]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種元器件內(nèi)置樹脂基板，在壓接工序中能充分填埋內(nèi)置元器件周圍的空隙，能提高內(nèi)置元器件與樹脂層的連接可靠性。 解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0009]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板通過將多個(gè)樹脂層相互層疊而得以形成，并包括:樹脂結(jié)構(gòu)體，該樹脂結(jié)構(gòu)體具有環(huán)繞外周的端面；以及多個(gè)內(nèi)置元器件，該多個(gè)內(nèi)置元器件埋入到上述樹脂結(jié)構(gòu)體內(nèi)來進(jìn)行配置。上述多個(gè)內(nèi)置元器件包含第I內(nèi)置元器件和第2內(nèi)置元器件，從層疊方向觀察時(shí)，從上述第I內(nèi)置元器件到離上述第I內(nèi)置元器件最近的上述端面為止的距離即第I距離比從上述第2內(nèi)置元器件到離上述第2內(nèi)置元器件最近的上述端面為止的距離即第2距離要短。從層疊方向觀察時(shí)上述第I內(nèi)置元器件在離上述第I內(nèi)置元器件最近的上述端面上投影時(shí)的沿著上述端面的長度乘以上述第I內(nèi)置元器件的厚度所得到的第I投影面積比從層疊方向觀察時(shí)上述第2內(nèi)置元器件在離上述第2內(nèi)置元器件最近的端面上投影時(shí)的沿著上述端面的長度乘以上述第2內(nèi)置元器件的厚度所得到的第2投影面積要小。
發(fā)明效果
[0010]根據(jù)本發(fā)明，從端面觀察時(shí)看上去面積較小的第I內(nèi)置元器件配置在接近端面的位置上，從端面觀察時(shí)看上去面積較大的第2內(nèi)置元器件配置在遠(yuǎn)離端面的位置上，因此，能得到一種元器件內(nèi)置樹脂基板，不易發(fā)生因流入空隙的樹脂的量不足而無法充分填埋空隙的情況，在壓接工序中，能充分填埋內(nèi)置元器件周圍的空隙，并提高內(nèi)置元器件與樹脂層的連接可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是基于本發(fā)明的實(shí)施方式I中的元器件內(nèi)置樹脂基板的立體圖。
圖2是基于本發(fā)明的實(shí)施方式I中的元器件內(nèi)置樹脂基板的透視俯視圖。
圖3是配置在靠近端面的位置的內(nèi)置元器件周邊的樹脂流的情形的說明圖。
圖4是表示內(nèi)置元器件與投影長度的關(guān)系的第I說明圖。
圖5是表示內(nèi)置元器件與投影長度的關(guān)系的第2說明圖。
圖6是表示內(nèi)置元器件與投影長度的關(guān)系的第3說明圖。
圖7是基于本發(fā)明的實(shí)施方式2中的元器件內(nèi)置樹脂基板的透視俯視圖。
圖8是基于本發(fā)明的實(shí)施方式3中的元器件內(nèi)置樹脂基板的具體示例的透視俯視圖。 圖9是對于在基準(zhǔn)內(nèi)置元器件與其它內(nèi)置元器件之間產(chǎn)生的偏移的說明圖。
圖10是對于內(nèi)置元器件的電極的偏移的說明圖。
圖11是基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法的流程圖。
圖12是基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法的第I工序的說明圖。
圖13是基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法的第2工序的說明圖。
圖14是基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法的第3工序的說明圖。
圖15是基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法的第4工序的說明圖。
圖16是基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法的第5工序的說明圖。
圖17是基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法的第6工序的說明圖。
圖18是基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法的第7工序的說明圖。
圖19是基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法的第8工序的說明圖。
圖20是基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法的第9工序的說明圖。 圖21是基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法的第10工序的說明圖。
圖22是通過基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法所獲得的元器件內(nèi)置樹脂基板的剖視圖。
圖23是基于現(xiàn)有技術(shù)的元器件內(nèi)置樹脂基板的剖視圖。
圖24是基于現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)置元器件的立體圖。
圖25是在基于現(xiàn)有技術(shù)的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造中途階段將內(nèi)置元器件配置在形成于樹脂層的層疊體的凹部中的狀態(tài)的剖視圖。
圖26是在基于現(xiàn)有技術(shù)的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造中途階段、將內(nèi)置元器件配置在形成于樹脂層的層疊體的凹部中的狀態(tài)的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012](實(shí)施方式I)
參照圖1、圖2對基于本發(fā)明的實(shí)施方式I的元器件內(nèi)置樹脂基板進(jìn)行說明。在圖1中，內(nèi)置元器件3隱藏在樹脂結(jié)構(gòu)體I的內(nèi)部，因此，均用虛線來畫出內(nèi)置元器件3。樹脂結(jié)構(gòu)體I可以是已經(jīng)一體化的結(jié)構(gòu)，但原來是將多個(gè)樹脂層相互進(jìn)行層疊而得以形成的。在圖2中，為了說明內(nèi)置元器件3的位置關(guān)系，從層疊方向觀察來透視表示元器件內(nèi)置樹脂基板101。因此，在圖2中，用實(shí)線來畫出隱藏在樹脂結(jié)構(gòu)體I內(nèi)部的內(nèi)置元器件3。在圖1、圖2中，省略了配置在樹脂結(jié)構(gòu)體I的表面或內(nèi)部的導(dǎo)體圖案及通孔導(dǎo)體。在以下的透視俯視圖中也相同。
[0013]如圖1所示，本實(shí)施方式中的元器件內(nèi)置樹脂基板101通過將多個(gè)樹脂層相互層疊而得以形成，并包括:樹脂結(jié)構(gòu)體1，該樹脂結(jié)構(gòu)體I具有環(huán)繞外周的端面5 ;以及多個(gè)內(nèi)置元器件3，該多個(gè)內(nèi)置元器件3埋入到所述樹脂結(jié)構(gòu)體I內(nèi)來進(jìn)行配置。如圖2所示，多個(gè)內(nèi)置元器件3包含第I內(nèi)置元器件31和第2內(nèi)置元器件32。從層疊方向觀察時(shí)，從第I內(nèi)置元器件31到離第I內(nèi)置元器件31最近的端面5為止的距離即第I距離Dl比從第2內(nèi)置元器件32到離第2內(nèi)置元器件32最近的端面5為止的距離即第2距離D2要短。
[0014]從層疊方向觀察時(shí)，將第I內(nèi)置元器件31在離第I內(nèi)置元器件31最近的端面5上投影時(shí)的沿著端面5的長度設(shè)為第I投影長度LI，將第I內(nèi)置元器件31的厚度設(shè)為Tl。將第I投影長度LI乘以厚度Tl所得到的結(jié)果設(shè)為第I投影面積SI。另一方面，從層疊方向觀察時(shí)，將第2內(nèi)置元器件32在離第2內(nèi)置元器件32最近的端面5上投影時(shí)的沿著端面5的長度設(shè)為第2投影長度L2，將第2內(nèi)置元器件32的厚度設(shè)為T2。將第2投影長度L2乘以厚度T2所得到的結(jié)果設(shè)為第2投影面積S2。第I投影面積SI比第2投影面積S2要小。
[0015]換言之，可以說在本實(shí)施方式中的元器件內(nèi)置樹脂基板101中，從端面5觀察時(shí)，看上去面積較小的內(nèi)置元器件配置在接近端面5的位置即“外側(cè)”，從端面5觀察時(shí)，看上去面積較大的內(nèi)置元器件配置在遠(yuǎn)離端面5的位置即“內(nèi)側(cè)”。
[0016]另外，在圖2中，用粗線表示將內(nèi)置元器件投影在最為接近的端面上的情形。第I投影長度LI及第2投影長度L2相當(dāng)于這些粗線的長度。
[0017]在元器件內(nèi)置樹脂基板內(nèi)側(cè)的部位，由于周圍存在足夠的樹脂，因此，空隙容易被壓接時(shí)的樹脂流填埋，與此不同的是，在元器件內(nèi)置樹脂基板外側(cè)的部位，周圍的樹脂的量是有限的。因此，即使在壓接時(shí)產(chǎn)生樹脂流，也會(huì)容易發(fā)生因流入空隙的樹脂的量不足而無法填埋空隙這樣的事情。尤其是，在從端面觀察時(shí)看上去面積較大的內(nèi)置元器件的情況下，如圖3所示，樹脂必須環(huán)繞的距離變長，容易發(fā)生無法充分填埋空隙這樣的情況。然而，根據(jù)本實(shí)施方式，從端面觀察時(shí)看上去面積較小的內(nèi)置元器件即第I內(nèi)置元器件31配置在接近端面的位置上，從端面觀察時(shí)看上去面積較大的內(nèi)置元器件即第2內(nèi)置元器件32配置在遠(yuǎn)離端面的位置上，因此，不易發(fā)生因流入空隙的樹脂的量不足而無法充分填埋空隙的情況。即，能成為一種在壓接工序中能充分填埋內(nèi)置元器件周圍的空隙的元器件內(nèi)置樹脂基板。在本實(shí)施方式中，能充分填埋周圍的空隙，因此，能提高內(nèi)置元器件與樹脂層的連接可靠性。由此，也能期待對內(nèi)置元器件周圍的樹脂剝離進(jìn)行抑制。
[0018]而且，為了可靠起見，對“投影長度”的思考方法進(jìn)行說明。內(nèi)置元器件也可以是以任一邊都不與最近的端面平行的姿態(tài)進(jìn)行配置的情況。在此情況下，如圖4所示，將內(nèi)置元器件3垂直投影到端面5上所得到的投影部分的長度成為投影長度L。例如，即使內(nèi)置元器件3為細(xì)長的形狀，根據(jù)與端面5的位置關(guān)系的不同，有時(shí)也會(huì)如圖5所示，投影長度L較短。
[0019]而且，到此為止以內(nèi)置元器件呈長方形為前提進(jìn)行了說明，但在考慮本發(fā)明時(shí)，內(nèi)置元器件并不限于長方形。內(nèi)置元器件可以是任意的形狀。例如，如圖6所示，即使內(nèi)置元器件3為不規(guī)則的形狀，只要用投影到最近的端面5上時(shí)的長度L來考慮即可。
[0020]如圖4?圖6所示，到端面為止的距離D表示內(nèi)置元器件的外形中離端面最近的點(diǎn)到端面為止的距離。
[0021](實(shí)施方式2)
在實(shí)施方式I中，關(guān)注兩個(gè)內(nèi)置元器件進(jìn)行了說明，但在基于本發(fā)明的實(shí)施方式2中，關(guān)注三個(gè)內(nèi)置元器件進(jìn)行說明。
[0022]如圖7所示，本實(shí)施方式中的元器件內(nèi)置樹脂基板102滿足實(shí)施方式I中所說明的條件，還另外滿足以下的條件。即，在元器件內(nèi)置樹脂基板102中，多個(gè)內(nèi)置元器件3包含第3內(nèi)置元器件33。從層疊方向觀察時(shí)，從第3內(nèi)置元器件33到離第3內(nèi)置元器件33最近的端面5為止的距離即第3距離D3比第2距離D2要長。從層疊方向觀察時(shí)，將第3內(nèi)置元器件33在離第3內(nèi)置元器件33最近的端面5上投影時(shí)的沿著端面5的長度設(shè)為第3投影長度L3，將第3內(nèi)置元器件33的厚度設(shè)為T3。將第3投影長度L3乘以厚度T3所得到的結(jié)果設(shè)為第3投影面積S3。第3投影面積S3比第2投影面積S2要大。
[0023]換言之，可以說在本實(shí)施方式中的元器件內(nèi)置樹脂基板102中，越是離端面5近的位置即“外側(cè)”，越是配置從端面5觀察時(shí)看上去面積較小的內(nèi)置元器件，越是遠(yuǎn)離端面5的位置即“內(nèi)側(cè)”，越是配置從端面5觀察時(shí)看上去面積較大的內(nèi)置元器件。
[0024]在本實(shí)施方式中，對于多個(gè)內(nèi)置元器件3，根據(jù)分別從最近的端面觀察時(shí)的面積的大小，按照上述的法則來配置內(nèi)置元器件，因此，不易發(fā)生因流入空隙的樹脂的量不足而無法充分填埋空隙這樣的事情。即，能成為一種在壓接工序中能充分填埋內(nèi)置元器件周圍的空隙的元器件內(nèi)置樹脂基板。
[0025](實(shí)施方式3)
參照圖8對基于本發(fā)明的實(shí)施方式3的元器件內(nèi)置樹脂基板進(jìn)行說明。本實(shí)施方式中的元器件內(nèi)置樹脂基板103包括實(shí)施方式I的結(jié)構(gòu)。而且，在元器件內(nèi)置樹脂基板103中，從層疊方向觀察時(shí)，多個(gè)內(nèi)置元器件3分別具有長方形的外形，從層疊方向觀察時(shí)，在所述長方形的端部具有長方形的電極，該長方形的電極具有長邊41及短邊42以與所述長方形的輪廓線重合。在將從多個(gè)內(nèi)置元器件3中任意選擇出來的某一個(gè)內(nèi)置元器件3作為基準(zhǔn)內(nèi)置元器件36時(shí)，相對于基準(zhǔn)內(nèi)置元器件36最為接近的其它內(nèi)置元器件37配置在以下位置，即，在該位置處，從與電極的短邊42重合的基準(zhǔn)內(nèi)置元器件36的邊的兩端朝基準(zhǔn)內(nèi)置元器件36的外側(cè)分別畫出與短邊42垂直的直線時(shí)，使內(nèi)置元器件37的至少一部分包含在夾在這兩根直線46和47之間的區(qū)域內(nèi)。
[0026]在內(nèi)置元器件包括從層疊方向觀察時(shí)呈長方形的電極的情況下，內(nèi)置元器件在壓接時(shí)因該內(nèi)置元器件周圍產(chǎn)生的樹脂流而發(fā)生偏移，其結(jié)果是，存在電極的位置發(fā)生偏移而導(dǎo)致電極接觸不良的可能性。尤其是，如圖9所示，若將某一內(nèi)置元器件3定義為基準(zhǔn)內(nèi)置元器件36，則在基準(zhǔn)內(nèi)置元器件36接近其它內(nèi)置元器件37的地方，基準(zhǔn)內(nèi)置元器件36具有容易偏向接近其它內(nèi)置元器件37的朝向90的趨勢。如圖10所示，在內(nèi)置元器件3所具有的電極3e從層疊方向觀察時(shí)呈長方形的情況下，電極3e相對于沿著與長邊41平行的方向91的偏移的允許范圍較大，但相對于沿著與短邊42平行的方向92的偏移的允許范圍較小。這是由于，與內(nèi)置元器件3所具有的電極3e的形狀相對應(yīng)的形狀的連接電極在與內(nèi)置元器件3相接觸的面上通過導(dǎo)體圖案和通孔導(dǎo)體而得以形成，并用于與電極3e相連接。在從層疊方向觀察時(shí)電極3e呈長方形的情況下，通常，從層疊方向觀察時(shí)連接電極也同樣呈長方形的形狀。
[0027]然而，在本實(shí)施方式中，將與基準(zhǔn)內(nèi)置元器件36最為接近的其它內(nèi)置元器件37配置在以下位置，即，在該位置處，從與基準(zhǔn)內(nèi)置元器件36的電極3e的短邊42重合的基準(zhǔn)內(nèi)置元器件36的邊的兩端朝基準(zhǔn)內(nèi)置元器件36的外側(cè)分別畫出與短邊42垂直的直線時(shí)，使內(nèi)置元器件37的至少一部分包含在夾在這兩根直線46和47之間的區(qū)域內(nèi)，因此，即使發(fā)生因樹脂流引起的元器件偏移，該發(fā)生偏移的方向容易成為與長邊平行的方向，可以說是經(jīng)得起元器件偏移的配置。
[0028](制造方法)
對于基于本發(fā)明的元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法，參照附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。圖11示出了該元器件內(nèi)置樹脂基板的制造方法的流程圖。
[0029]首先，作為工序SI，準(zhǔn)備圖12所示的帶導(dǎo)體箔的樹脂片材12。帶導(dǎo)體箔的樹脂片材12是在樹脂層2的單面附著有導(dǎo)體箔17的結(jié)構(gòu)的片材。樹脂層2例如由熱塑性樹脂即LCP (液晶聚合物)構(gòu)成。作為樹脂膜2的材料，除了 LCP以外，也可以是PEEK (聚醚醚酮)、PEI (聚醚酰亞胺)、PPS (聚苯硫醚)、PI (聚酰亞胺)等。導(dǎo)體箔17例如是由Cu構(gòu)成的厚度為18 μ m的箔。另外，導(dǎo)體箔17的材料除了 Cu以外可以是Ag、Al、SUS、N1、Au，也可以是從這些金屬中選擇的兩種以上的不同的金屬的合金。在本實(shí)施方式中，導(dǎo)體箔17的厚度為18 μ m,但導(dǎo)體箔17的厚度也可以是3 μ m以上40 μ m以下的程度。導(dǎo)體箔17只要是能形成電路的厚度即可。
[0030]在工序SI中，所謂的“準(zhǔn)備多個(gè)樹脂片材”既可以是準(zhǔn)備多片帶導(dǎo)體箔的樹脂片材12，也可以準(zhǔn)備在一片帶導(dǎo)體箔的樹脂片材12中設(shè)定了之后要一個(gè)一個(gè)切出作為多個(gè)樹脂片材的區(qū)域的樹脂片材12。
[0031]接下來，如圖13所示，通過對帶導(dǎo)體箔的樹脂片材12的樹脂層2 —側(cè)的表面照射二氧化碳激光，形成貫通樹脂層2的通孔11。通孔11貫通樹脂層2，但未貫通導(dǎo)體箔17。然后，除去通孔11的污跡(未圖示)。此處，為了形成通孔11使用了二氧化碳激光，但也可以使用其它種類的激光。此外，為了形成通孔11，也可以采用照射激光以外的方法。
[0032]接下來，如圖14所示，利用絲網(wǎng)印刷等方法在帶導(dǎo)體箔的樹脂片材12的導(dǎo)體箔17的表面印刷與所希望的電路圖案相對應(yīng)的抗蝕劑圖案13。
[0033]接下來，將抗蝕劑圖案13作為掩模進(jìn)行蝕刻，如圖15所示，除去導(dǎo)體箔17中未被抗蝕劑圖案13覆蓋的部分。將導(dǎo)體箔17中在該蝕刻之后所殘留的部分稱為“導(dǎo)體圖案7”。然后，如圖16所示，除去抗蝕劑圖案13。由此，在樹脂層2的一個(gè)表面上能獲得所希望的導(dǎo)體圖案7。
[0034]接下來，如圖17所示，利用糊料填埋孔等將導(dǎo)電性糊料填充到通孔11內(nèi)。從圖16中的下側(cè)的面進(jìn)行糊料填埋孔。在圖16及圖17中，為了便于說明，以通孔11朝下方的姿勢進(jìn)行了表示，但實(shí)際上，也可以適當(dāng)改變姿勢進(jìn)行糊料填埋孔。進(jìn)行填充的導(dǎo)電性糊料可以如上所述以銀為主要成分，但也可以取而代之，例如，以銅為主要成分。該導(dǎo)電性糊料優(yōu)選為適當(dāng)含有如下那樣的金屬粉，該金屬粉在之后對進(jìn)行了層疊的樹脂層進(jìn)行熱壓接時(shí)的溫度(以下稱為“熱壓接溫度”)下與作為導(dǎo)體圖案7的材料的金屬之間形成合金層。該導(dǎo)電性糊料含有銅即Cu作為用于發(fā)揮導(dǎo)電性的主要成分，因此，該導(dǎo)電性糊料除了主要成分以外，優(yōu)選為含有Ag、Cu、Ni中的至少一種、以及Sn、B1、Zn中的至少一種。由此形成通孔導(dǎo)體6。
[0035]接下來，作為工序S2，如圖18所示，利用沖孔加工，在樹脂層2上形成面積比內(nèi)置元器件3的投影面積要大的通孔14。在預(yù)定要進(jìn)行層疊的多個(gè)樹脂層2中，可以是形成有通孔14的樹脂層2和未形成有通孔14的樹脂層2。在多個(gè)樹脂層2中，分別根據(jù)設(shè)計(jì)，僅在要形成通孔14的樹脂層2中形成通孔14。在圖18中，作為一個(gè)示例，表示為形成有四個(gè)通孔14，但這僅是一個(gè)示例，通孔14的數(shù)量并不限于四個(gè)。
[0036]作為工序S3，如圖19所示，將多個(gè)樹脂層2進(jìn)行層疊來形成基板。在基板的最下層，以樹脂層2的形成有導(dǎo)體圖案7的一側(cè)的面朝下的狀態(tài)配置樹脂層2，以將導(dǎo)體圖案7配置在基板的下表面。由此，配置在基板的下表面的導(dǎo)體圖案7成為外部電極18。在基板的下表面附近，使用未形成通孔14的樹脂層2。
[0037]將未形成通孔14的樹脂層2配置一層、或者層疊二層以上，然后，層疊形成有通孔14的樹脂層2。在圖19所示的示例中，配置了二層未形成通孔14的樹脂層2，然后，重疊二層形成有通孔14的樹脂層2。通過將二層以上的通孔14進(jìn)行組合，形成作為空洞的元器件收容部15。其中，根據(jù)內(nèi)置元器件3的尺寸的不同，形成有通孔14的樹脂層2的數(shù)量也可能出現(xiàn)僅為一層的情況。元器件收容部15是具有能收容元器件3的深度的凹部。
[0038]如圖19所示，在層疊樹脂層2直到形成了元器件收容部15的時(shí)刻，以比熱壓接溫度要低的溫度進(jìn)行預(yù)壓接。預(yù)壓接的溫度例如為150°C以上200°C以下。通過進(jìn)行預(yù)壓接，使得到該時(shí)刻為止所層疊的樹脂層2相連，元器件收容部15形成為穩(wěn)定的凹部。
[0039]作為工序S4，如圖20所示，將內(nèi)置元器件3配置在元器件收容部15內(nèi)。在此處所示的示例中，內(nèi)置元器件3為長方體，如圖24所示，內(nèi)置元器件3在長邊方向的兩端具有電極3a、3b，但內(nèi)置元器件3的形狀和結(jié)構(gòu)并不限于此。
[0040]接下來，如圖21所示，在內(nèi)置元器件3的上側(cè)進(jìn)一步配置樹脂層2。該樹脂層2不具有通孔14。形成在位于基板的最上層的樹脂層2上的導(dǎo)體圖案7成為用于安裝其它IC元器件等的外部電極19。在圖21所示的示例中，與圖20相比，僅覆蓋了一層樹脂層2，但并不限于一層，也可以覆蓋二層以上。
[0041]接下來，作為工序S5，將該層疊體進(jìn)行正式壓接。在正式壓接的工序中，對已經(jīng)預(yù)壓接的層疊體以及在預(yù)壓接之后所層疊的樹脂層2全部統(tǒng)一進(jìn)行熱壓接。正式壓接的溫度例如為250°C以上300°C以下。上述的“熱壓接溫度”表示該正式壓接的溫度。通過正式壓接，在厚度方向上相鄰的樹脂層2彼此相互壓接而形成一體的絕緣基材。在樹脂層2的材料為熱塑性樹脂的情況下，樹脂層2的材料通過熱壓接而軟化，從而進(jìn)行流動(dòng)。因此，空隙9被周邊的樹脂層2的流動(dòng)化的材料所填埋。在完成正式壓接之后，優(yōu)選為利用N1、Au等對形成在元器件內(nèi)置樹脂基板的上表面及下表面的外部電極18、19的表面實(shí)施鍍敷處理。
[0042]由此，能獲得圖22所示的元器件內(nèi)置樹脂基板101。圖22是剖視圖，因此，看上去四個(gè)內(nèi)置元器件3單純地進(jìn)行排列，但在利用俯視圖觀察時(shí)，則按照圖2所示的位置關(guān)系進(jìn)行排列。
[0043]對于到現(xiàn)在為止的實(shí)施方式所說明的元器件內(nèi)置樹脂基板102、103也能利用同樣的制造方法得到。
[0044]另外，此次公開的上述實(shí)施方式在所有方面均為例示而并非限制。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求的范圍來表示，而并非由上述說明來表示，此外，本發(fā)明的范圍還包括與權(quán)利要求的范圍等同的意思及范圍內(nèi)的所有變更。
工業(yè)上的實(shí)用性
[0045]本發(fā)明能利用于元器件內(nèi)置樹脂基板。
標(biāo)號(hào)說明
[0046]I樹脂結(jié)構(gòu)體、2樹脂層、3內(nèi)置元器件、3a、3b、3e電極、5端面、6、6n通孔導(dǎo)體、7導(dǎo)體圖案、9空隙、11通孔、12帶導(dǎo)體箔的樹脂片材、13抗蝕劑圖案、14通孔、15元器件收容部、17導(dǎo)體箔、18、19外部電極、31第I內(nèi)置兀器件、32第2內(nèi)置兀器件、33第3內(nèi)置兀器件、36基準(zhǔn)內(nèi)置元器件、37其它內(nèi)置元器件、41長邊、42短邊、46、47直線、90朝向、91、92方向、101、102、103元器件內(nèi)置樹脂基板、901 (現(xiàn)有的)元器件內(nèi)置樹脂基板。
【權(quán)利要求】
1.一種元器件內(nèi)置樹脂基板，其特征在于，包括: 樹脂結(jié)構(gòu)體，該樹脂結(jié)構(gòu)體通過將多個(gè)樹脂層彼此進(jìn)行層疊而得以形成，并具有環(huán)繞外周的端面；以及 多個(gè)內(nèi)置元器件，該多個(gè)內(nèi)置元器件以埋入到所述樹脂結(jié)構(gòu)體內(nèi)的方式進(jìn)行配置， 所述多個(gè)內(nèi)置元器件包含第I內(nèi)置元器件和第2內(nèi)置元器件， 從層疊方向觀察時(shí)，從所述第I內(nèi)置元器件到離所述第I內(nèi)置元器件最近的所述端面為止的距離即第I距離比從所述第2內(nèi)置元器件到離所述第2內(nèi)置元器件最近的所述端面為止的距離即第2距離D2要短， 從層疊方向觀察時(shí)所述第I內(nèi)置元器件在離所述第I內(nèi)置元器件最近的所述端面上投影時(shí)的沿著所述端面的長度乘以所述第I內(nèi)置元器件的厚度所得到第I投影面積，比從層疊方向觀察時(shí)所述第2內(nèi)置元器件在離所述第2內(nèi)置元器件最近的所述端面上投影時(shí)的沿著所述端面的長度乘以所述第2內(nèi)置元器件的厚度所得到第2投影面積要小。
2.如權(quán)利要求1所述的元器件內(nèi)置樹脂基板，其特征在于，所述多個(gè)內(nèi)置元器件包含第3內(nèi)置元器件， 從層疊方向觀察時(shí)，從所述第3內(nèi)置元器件到離所述第3內(nèi)置元器件最近的所述端面為止的距離即第3距離比所述第2距離要長， 從層疊方向觀察時(shí)，所述第3內(nèi)置元器件在離所述第3內(nèi)置元器件最近的所述端面上投影時(shí)的沿著所述端面的長度乘以所述第3內(nèi)置元器件的厚度所得到第3投影面積比所述第2投影面積要大。
3.如權(quán)利要求1所述的元器件內(nèi)置樹脂基板，其特征在于，從層疊方向觀察時(shí)，所述多個(gè)內(nèi)置元器件分別具有長方形的外形，且具有長方形的電極，該長方形的電極具有從層疊方向觀察時(shí)在所述長方形的端部與所述長方形的輪廓線重合的長邊及短邊，在將從所述多個(gè)內(nèi)置元器件中任意選擇的某一個(gè)內(nèi)置元器件作為基準(zhǔn)內(nèi)置元器件時(shí)，將離所述基準(zhǔn)內(nèi)置元器件最近的其它內(nèi)置元器件配置在如下的位置上，即，在該位置處，在從與所述電極的所述短邊重合的所述基準(zhǔn)內(nèi)置元器件的邊的兩端朝所述基準(zhǔn)內(nèi)置元器件的外側(cè)分別畫出與所述短邊垂直的直線時(shí)，使所述其他內(nèi)置元器件的至少一部分包含在夾在這兩根直線之間的區(qū)域內(nèi)。
【文檔編號(hào)】H01L23/12GK103891424SQ201280051295
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年9月12日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月21日
【發(fā)明者】大坪喜人 申請人:株式會(huì)社村田制作所