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用于饋通的電導(dǎo)線的制作方法

文檔序號(hào):7252571閱讀:141來(lái)源:國(guó)知局
用于饋通的電導(dǎo)線的制作方法
【專利摘要】一種用于將導(dǎo)線附接到氣密饋通的導(dǎo)線框架包括叉形部件和多個(gè)導(dǎo)線。導(dǎo)線中的每個(gè)具有從叉形部件沿大體相互平行的方向延伸的長(zhǎng)形主體,且每個(gè)導(dǎo)線包括在與叉形部件相反的其末端上的凹口或靠近所述末端的孔中的至少一個(gè)。
【專利說(shuō)明】用于饋通的電導(dǎo)線
[0001]發(fā)明背景
[0002]本文公開(kāi)的技術(shù)一般地關(guān)于用作電介面以連接屏障相反側(cè)上的電路部分的饋通的領(lǐng)域。更具體來(lái)說(shuō),本文公開(kāi)的技術(shù)關(guān)于供在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)兼?zhèn)渖锵嗳萸疑锓€(wěn)定的可植入醫(yī)療設(shè)備使用的氣密饋通。
發(fā)明概要
[0003]一個(gè)例示性實(shí)施方案關(guān)于一種用于將導(dǎo)線附接到氣密饋通的導(dǎo)線框架,其包括叉形部件和多個(gè)導(dǎo)線。導(dǎo)線中的每個(gè)具有從叉形部件沿大體相互平行的方向延伸的長(zhǎng)形主體,且每個(gè)導(dǎo)線包括在與叉形部件相反的其末端上的凹口或靠近所述末端的孔中的至少一個(gè)。
[0004]另一例示性實(shí)施方案關(guān)于一種互連導(dǎo)線和饋通的方法。所述方法包括使用激光器將導(dǎo)線連結(jié)到饋通上的襯墊。所述饋通包括陶瓷絕緣體和通孔,且所述襯墊電連接到所述通孔。所述導(dǎo)線包括在其末端上的凹口、靠近所述末端的孔和靠近所述末端的突出中的至少一個(gè)。
[0005]又另一例示性實(shí)施方案關(guān)于可植入醫(yī)療設(shè)備,其包括氣密、生物穩(wěn)定饋通和插入機(jī)構(gòu)。饋通包括絕緣體、延伸穿過(guò)所述絕緣體的通孔和在所述絕緣體的外部且電稱接到所述通孔的襯墊。所述插入機(jī)構(gòu)電耦接到所述襯墊且被構(gòu)造以接收與其連結(jié)的導(dǎo)線。
[0006]附圖簡(jiǎn)述
[0007]圖1是根據(jù)例示性實(shí)施方案的植入病患的醫(yī)療設(shè)備的示意圖。
[0008]圖2是根據(jù)例不性實(shí)施方案的植入病患的另一種醫(yī)療設(shè)備的不意圖。
[0009]圖3是根據(jù)例示性實(shí)施方案的包括饋通的醫(yī)療設(shè)備的一部分的透視圖。
[0010]圖4是根據(jù)另一例示性實(shí)施方案的醫(yī)療設(shè)備的組件的頂視圖。
[0011]圖5是圖4的醫(yī)療設(shè)備部分的透視圖。
[0012]圖6是沿如圖5中所示的線6-6獲取的圖4的醫(yī)療設(shè)備部分的截面視圖。
[0013]圖7是沿如圖6中所示的區(qū)域7獲取的圖4的醫(yī)療設(shè)備部分的截面視圖。
[0014]圖8是根據(jù)又另一例示性實(shí)施方案的醫(yī)療設(shè)備的一部分的透視圖。
[0015]圖9是沿如圖8中所示的線9-9獲取的圖8的醫(yī)療設(shè)備部分的截面視圖。
[0016]圖10是根據(jù)例示性實(shí)施方案的套圈的頂視圖。
[0017]圖11是圖10的套圈的底視圖。
[0018]圖12是根據(jù)例示性實(shí)施方案的組裝臺(tái)的透視圖。
[0019]圖13是根據(jù)例示性實(shí)施方案的在粘結(jié)前的導(dǎo)線框架和饋通的透視。
[0020]圖14是根據(jù)例示性實(shí)施方案的粘結(jié)到整合到套圈中的饋通的導(dǎo)線框架的透視圖。
[0021]圖15是根據(jù)例示性實(shí)施方案的熔接到饋通的襯墊的導(dǎo)線的頂視圖。
[0022]圖16是根據(jù)例示性實(shí)施方案的熔接到饋通的襯墊的導(dǎo)線的透視圖。
[0023]圖17是根據(jù)例示性實(shí)施方案的導(dǎo)線框架的透視圖。[0024]圖18是圖17的導(dǎo)線框架的頂視圖。
[0025]圖19是圖17的導(dǎo)線框架的側(cè)視圖。
[0026]圖20是根據(jù)另一例示性實(shí)施方案的導(dǎo)線框架的透視圖。
[0027]圖21是圖20的導(dǎo)線框架的頂視圖。
[0028]圖22是圖20的導(dǎo)線框架的側(cè)視圖。
[0029]圖23是根據(jù)又另一例示性實(shí)施方案的導(dǎo)線框架的透視圖。
[0030]圖24是圖23的導(dǎo)線框架的頂視圖。
[0031]圖25是圖23的導(dǎo)線框架的側(cè)視圖。
[0032]圖26是根據(jù)仍另一例示性實(shí)施方案的導(dǎo)線框架的透視圖。
[0033]圖27是圖26的導(dǎo)線框架的頂視圖。
[0034]圖28是圖26的導(dǎo)線框架的側(cè)視圖。
[0035]圖29是根據(jù)另一例示性實(shí)施方案的導(dǎo)線框架的透視圖。
[0036]圖30是圖29的導(dǎo)線框架的頂視圖。
[0037]圖31是圖29的導(dǎo)線框架的側(cè)視圖。
[0038]圖32是根據(jù)還有另一例示性實(shí)施方案的導(dǎo)線框架的透視圖。
[0039]圖33是圖32的導(dǎo)線框架的頂視圖。
[0040]圖34是圖32的導(dǎo)線框架的側(cè)視圖。
[0041]圖35是根據(jù)例示性實(shí)施方案的饋通的分解視圖。
[0042]圖36是圖35的饋通的透視圖。
[0043]圖37是圖35的饋通的頂視圖。
[0044]圖38是圖35的饋通的側(cè)視圖。
[0045]圖39是圖35的饋通的端視圖。
[0046]圖40是根據(jù)例示性實(shí)施方案的饋通的一部分的側(cè)視圖。
[0047]圖41是圖40的饋通的端視圖。
[0048]圖42是根據(jù)另一例示性實(shí)施方案的饋通的分解視圖。
[0049]圖43是圖42的饋通的透視圖。
[0050]圖44是圖42的饋通的頂視圖。
[0051]圖45是圖42的饋通的側(cè)視圖。
[0052]圖46是圖42的饋通的端視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0053]在轉(zhuǎn)到詳細(xì)圖示各個(gè)例示性實(shí)施方案的圖之前,應(yīng)理解本申請(qǐng)不限制于描述中所提及或圖中圖示的細(xì)節(jié)或方法。還應(yīng)理解術(shù)語(yǔ)只是出于描述的目的而且不應(yīng)被視作限制性。
[0054]參考圖1,可植入醫(yī)療設(shè)備110,如起搏器或除顫器,包括基部112(例如,脈沖發(fā)生器,主體)和導(dǎo)線114。設(shè)備110可以植入人類(lèi)病患116或其它物種中。在一些實(shí)施方案中,設(shè)備110被構(gòu)造成以電脈沖的形式提供治療性治療,所述電脈沖在一些實(shí)施方案中可以是約700伏特的量級(jí)。在預(yù)期實(shí)施方案中,設(shè)備110或其變形可以用于治療或監(jiān)測(cè)大范圍的病癥,如疼痛、失禁、失聰、行動(dòng)障礙,包括癲癇和帕金森病,睡眠呼吸暫停、心律不全和各種其它生理、心理和情緒病癥和障礙。
[0055]在基部112內(nèi),設(shè)備110可包括當(dāng)濕潤(rùn)時(shí)可能無(wú)法生物相容或無(wú)法工作的組件,如控制電路和能量?jī)?chǔ)存設(shè)備(例如,一個(gè)或多個(gè)電池、電容器等)。然而,根據(jù)例示性實(shí)施方案,基部112被氣密密封而且形成有生物相容且生物穩(wěn)定材料(例如,鈦、生物相容涂層)的外部,其將基部112的內(nèi)部從基部112外側(cè)的病患116的體液隔離。在一些實(shí)施方案中,基部112還包括氣密饋通118 (例如,貫穿連接、介面、連接體、耦接),其形成自或包括生物相容且生物穩(wěn)定材料的外部。饋通118促進(jìn)從基部112的內(nèi)部通過(guò)基部112到達(dá)基部112的外部的電傳輸,且反之亦然。
[0056]舉例來(lái)說(shuō),在可植入醫(yī)療設(shè)備110的使用期間,儲(chǔ)存在基部112內(nèi)的電容器中的電荷可以電脈沖的形式放電。電脈沖經(jīng)由饋通118被傳遞穿過(guò)基部112的壁。隨后電脈沖被導(dǎo)線114的近端120中的至少一個(gè)接收并經(jīng)由導(dǎo)電路徑通過(guò)導(dǎo)線114中的至少一個(gè)傳輸?shù)娇晌挥趯?dǎo)線114遠(yuǎn)端的電極122??蓪㈦姌O122耦接到病患116的心臟124或其它部分以改善心跳模式、刺激心跳、感測(cè)心跳、加速康復(fù)或用于其它原因。
[0057]在一些實(shí)施方案中,活動(dòng)經(jīng)由電極122感測(cè)并通過(guò)導(dǎo)線114經(jīng)由饋通118傳遞到基部112中的控制電路。感測(cè)的活動(dòng)可被控制電路用作反饋以管理設(shè)備110的運(yùn)作和/或優(yōu)化傳遞給病患的療法。在還有其它實(shí)施方案中,饋通118還可以用于促進(jìn)將電力傳遞到在基部112內(nèi)的能量?jī)?chǔ)存設(shè)備,如用于再充電或測(cè)試。在其它實(shí)施方案中,可使用其它能量?jī)?chǔ)存設(shè)備,如使用一個(gè)或多個(gè)電池和電容器的組合來(lái)進(jìn)行能量?jī)?chǔ)存的混合系統(tǒng)。根據(jù)例示性實(shí)施方案,可經(jīng)由饋通118將兩個(gè)或多個(gè)導(dǎo)線耦接到基部112的內(nèi)部。在其它實(shí)施方案中,可使用單個(gè)導(dǎo)線(見(jiàn)如圖2中所示的一般性設(shè)備210)。
[0058]參考圖2,可植入醫(yī)療設(shè)備210 (例如,電刺激器、監(jiān)測(cè)回路記錄儀、神經(jīng)刺激器或其它類(lèi)型的可植入醫(yī)療設(shè)備)被構(gòu)造以影響病患212的神經(jīng)系統(tǒng)和/或器官。例如,可將設(shè)備210植入病患212的腹部214、胸肌區(qū)、上臀或其它區(qū)域的皮下囊袋中,且設(shè)備210可被編程以提供與特定療法相關(guān)的刺激信號(hào)(例如,電脈沖、頻率、電壓)。在使用期間,與導(dǎo)線216整合的電接觸件被放置在所需的刺激部位,如脊柱218或大腦的一部分。還通過(guò)與基部220的外表面整合的饋通222將導(dǎo)線216連接到設(shè)備210的基部220。在一些預(yù)期實(shí)施方案中,饋通可直接向安裝在可植入醫(yī)療設(shè)備(例如,所謂的無(wú)導(dǎo)線設(shè)備)上的電極傳輸療法和/或發(fā)送信號(hào)。
[0059]根據(jù)例示性實(shí)施方案,饋通222以及在基部220的外部的其余部分被設(shè)計(jì)成氣密密封、生物相容且生物穩(wěn)定以防止體液泄漏到基部220的內(nèi)部,以及防止在可植入醫(yī)療設(shè)備210的植入期間從基部220的內(nèi)部到體內(nèi)的泄漏。根據(jù)例示性實(shí)施方案,饋通222被氣密密封,且當(dāng)植入體內(nèi)時(shí)保持氣密密封,展示長(zhǎng)達(dá)幾年,如至少一年、五年、十年、二十年或更長(zhǎng)時(shí)間量級(jí)的長(zhǎng)期生物穩(wěn)定性。
[0060]可使用標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試,如針對(duì)氣密性和染料滲透的體外高度加速浸潤(rùn)測(cè)試,以提供當(dāng)在延長(zhǎng)時(shí)間植入時(shí)饋通118、饋通222保持氣密密封和生物穩(wěn)定的能力的可靠指標(biāo)??赏ㄟ^(guò)在受控制的溫度(例如,1201:、1501:、2001:或更高)和壓力(例如,1.5atm、3.5atm)下以延長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間(例如,48小時(shí)、72小時(shí)、96小時(shí)、一個(gè)月或更長(zhǎng))浸潤(rùn)在模擬體液后,發(fā)生大體無(wú)染料滲透通過(guò)饋通和大體無(wú)通過(guò)饋通的氣密密封損失,同時(shí)維持通過(guò)饋通222的高導(dǎo)電率而證明(即,通過(guò)無(wú)染料滲透、無(wú)氦泄漏等證實(shí))長(zhǎng)期氣密性和/或生物穩(wěn)定性。其它標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試,如氦泄漏測(cè)試和3點(diǎn)彎曲強(qiáng)度測(cè)試也可以證實(shí)長(zhǎng)期生物穩(wěn)定性,如可通過(guò)極小的強(qiáng)度下降和保持低氦泄漏速率(通常小于I X 10_8atm-cc He/秒(例如,小于5 X 10_9atm-ccHe/秒))指示。
[0061]雖然本文關(guān)于特定可植入醫(yī)療設(shè)備加以描述,但應(yīng)理解本文公開(kāi)的概念可以與大范圍的可植入醫(yī)療設(shè)備結(jié)合使用,如起搏器、可植入復(fù)律器-除顫器、傳感器、心肌收縮力調(diào)節(jié)器、復(fù)律器、投藥設(shè)備、診斷記錄儀、耳蝸移植物和其它設(shè)備。根據(jù)還有其它預(yù)期實(shí)施方案,除可植入醫(yī)療設(shè)備以外的設(shè)備也可以從本文公開(kāi)的概念受益。
[0062]現(xiàn)參考圖3,可植入醫(yī)療設(shè)備(例如見(jiàn)如圖1至圖2中所示的可植入醫(yī)療設(shè)備110和可植入醫(yī)療設(shè)備210)的壁310或包封結(jié)構(gòu)包括饋通312。饋通312被拴扣到壁310的一部分314,如在壁310的凹陷316中的被構(gòu)造成接收饋通312的套圈。壁310可與另一個(gè)或一些壁整合以形成在可植入醫(yī)療設(shè)備的基部(例如見(jiàn)如圖1至圖2中所示的基部112和基部220)的生物相容、氣密密封外部。在其它實(shí)施方案中,套圈不包括凹陷。在還有其它實(shí)施方案中,饋通可直接整合到壁中,不需要使用套圈。
[0063]根據(jù)例示性實(shí)施方案,饋通312主要由一般不導(dǎo)電的材料318,如絕緣體或介電材料形成。饋通還包括一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)管320 (例如,導(dǎo)電部件、豎直互連通道(通孔)、路徑、通路),其一般導(dǎo)電且延伸穿過(guò)一般不導(dǎo)電的饋通312的材料318。在一些預(yù)期實(shí)施方案中,導(dǎo)管320與材料318整合但不延伸穿過(guò)材料318,而是沿材料318的表面,或在導(dǎo)管320與材料318的表面之間的中介材料的表面上延伸。如此一來(lái),電信號(hào)便可沿水平方向在導(dǎo)電導(dǎo)管(例如,通孔)或外部襯墊之間傳導(dǎo),或另外連接相互側(cè)向安置的內(nèi)部和/或外部點(diǎn)。
[0064]參考圖4至圖5,可植入醫(yī)療設(shè)備1110的組件包括饋通1112 (例如,共燒陶瓷、單成巖)、釬焊用的填充材料環(huán)1114和套圈1116。在可植入醫(yī)療設(shè)備1110的組裝期間,將饋通1112插入套圈1116的凹陷1118 (例如,開(kāi)口)中,隨后將環(huán)1114熔化并釬焊在饋通1112與套圈1116之間。在一些實(shí)施方案中,環(huán)1114是金環(huán),且套圈1116是由鈦形成。在一些實(shí)施方案中,由于相關(guān)的生物相容性質(zhì)和相對(duì)熔化溫度的原因,使用金和鈦。在一些實(shí)施方案中,用金屬,如鈮、鈦、鑰或其它生物相容材料(例如,通過(guò)各種可能方法,如物理氣相沉積、濺射、電子束蒸發(fā)、電鍍、化學(xué)氣相沉積)涂覆陶瓷絕緣體的側(cè)壁,以促進(jìn)絕緣體與套圈之間的連結(jié)。金屬涂層可促進(jìn)預(yù)成型金環(huán)的粘著和釬焊以連結(jié)絕緣體與套圈。在其它預(yù)期實(shí)施方案中,環(huán)和套圈是由不同材料或材料組合形成。
[0065]參考圖6至圖7,饋通1112包括在饋通1112的頂表面與底表面之間延伸穿過(guò)絕緣體1122的導(dǎo)電導(dǎo)管1120 (例如,通孔)。在一些實(shí)施方案中,導(dǎo)電導(dǎo)管1120中的至少一個(gè)部分地延伸穿過(guò)絕緣體1122,并耦接到側(cè)向延伸到饋通1112側(cè)面的水平導(dǎo)管1124 (圖7)。在其它實(shí)施方案中,導(dǎo)管可完全延伸穿過(guò)饋通,如從頂部延伸到底部且仍水平連接到另一主體。在圖7中,水平導(dǎo)管1124延伸到釬焊在套圈1116與饋通1112之間的環(huán)1114。因此,水平導(dǎo)管1124可以用作饋通1112的地平面。在一些實(shí)施方案中,導(dǎo)電導(dǎo)管1120(包括水平導(dǎo)管1124)包括鉬。在一些這種實(shí)施方案中,將水平導(dǎo)管1124印刷到未燒過(guò)(例如,綠色)的陶瓷材料層上,且與其它導(dǎo)電導(dǎo)管1120和絕緣體1124共燒。
[0066]參考圖8至圖9,共燒饋通1212包括具有導(dǎo)電導(dǎo)管1216的大體矩形絕緣體1214。已用生物相容材料環(huán)1220將饋通1212釬焊到可植入醫(yī)療設(shè)備1210的套圈1218中。認(rèn)為矩形絕緣體1214的棱柱形狀(圖8)改善釬焊接點(diǎn)穩(wěn)定性,如下文中更詳細(xì)論述。根據(jù)例示性實(shí)施方案,對(duì)比于如圖7中所示的具有突出部分1126的套圈1116,套圈1218無(wú)突出部分,其中絕緣體不受套圈1218的下側(cè)上的凸緣或伸出支撐。套圈1218的無(wú)突出部分設(shè)計(jì)意在通過(guò)增大導(dǎo)電導(dǎo)管1216與套圈1218之間的短路路徑長(zhǎng)度改善饋通1212的導(dǎo)電導(dǎo)管1216的電隔離,還意在改善外部互連通道(例如,耦接到饋通1212的導(dǎo)線)。
[0067]參考圖10至圖11,用于可植入醫(yī)療設(shè)備的套圈2610被構(gòu)造以接收饋通。套圈2610部分地?zé)o突出部分,具有被定位以在圍繞套圈2610的內(nèi)周2614的分隔位置接收饋通的下側(cè)或頂側(cè)的翼片2612或其它伸出。翼片的大小、形狀和數(shù)量在同一套圈中變化且在不同實(shí)施方案中可從圖10至圖11中的翼片2612的幾何形狀變化。在一些實(shí)施方案中,翼片的長(zhǎng)度L1比相關(guān)側(cè)的長(zhǎng)度L2的十分之一小,或比相關(guān)末端的長(zhǎng)度L3的四分之一小。
[0068]在一些實(shí)施方案中,翼片2612被定位在套圈2610上,從相關(guān)饋通上的襯墊分隔的位置,以在襯墊與套圈2610之間提供強(qiáng)介電擊穿。雖然在圖10至圖11中示出為在套圈2610的各個(gè)內(nèi)側(cè)的中心,但在其它預(yù)期實(shí)施方案中,翼片可從角、從單純兩側(cè)、從同一側(cè)的兩個(gè)或更多個(gè)位置等延伸。
[0069]參考圖12,用于將導(dǎo)線1512 (例如,線導(dǎo)線、帶;見(jiàn)圖13)熔接到饋通1514的工作臺(tái)1510包括用于固定饋通1514的支撐1516和機(jī)器1518 (例如,機(jī)械臂)。根據(jù)例示性實(shí)施方案,為了將導(dǎo)線1512附接到饋通1514上的襯墊1520,機(jī)器1518被構(gòu)造以實(shí)施激光熔接。在替代實(shí)施方案中,機(jī)器1518被構(gòu)造以實(shí)施平行間隙熔接、或另一種熔接形式,如下文所論述。
[0070]在操作期間,導(dǎo)線1512被熔接到襯墊1520,所述襯墊上覆且電耦接到被整合在饋通1512的絕緣體1522 (圖13)內(nèi)的導(dǎo)電通孔(見(jiàn),例如,如圖6中所示的導(dǎo)電導(dǎo)管1120)。根據(jù)例示性實(shí)施方案,熔接機(jī)器包括工作元件1524,如激光器或引導(dǎo)電流往返并穿過(guò)導(dǎo)線1512的一部分的電極。機(jī)器1518的工作元件1524將導(dǎo)線1512的一部分與下伏的襯墊1520熔化在一起,從而將導(dǎo)線1512熔接到襯墊1520。雖然圖12示出具有單個(gè)工作元件1524的機(jī)器1518,但在其它實(shí)施方案中,可使用較大的機(jī)器或機(jī)器組。在還有其它預(yù)期實(shí)施方案中,人員可手動(dòng)將導(dǎo)線熔接到饋通。
[0071]根據(jù)例示性實(shí)施方案,導(dǎo)線1512是由被構(gòu)造以與可植入醫(yī)療設(shè)備整合的生物相容材料形成。在一些這種實(shí)施方案中,導(dǎo)線1512是鈮。在其它實(shí)施方案中,導(dǎo)線1512是鎳合金,如包括鎳和鈷的合金或包括鎳、鈷和鉻的合金(例如,約35%鎳、35%鈷、20%鉻和10%鑰;1440°C熔點(diǎn);12.811111/(111*°0熱膨脹系數(shù))。在還有其它實(shí)施方案中,可使用其它生物相容材料,如鉬、鉬-銥合金、鈦、鉭、鈮、金、鈮、鈀、鎳及其氧化物和合金。
[0072]已發(fā)現(xiàn)當(dāng)對(duì)比于其它生物相容導(dǎo)線材料時(shí),鎳合金,如包括鎳、鈷和鉻的合金可具有相對(duì)低的熔點(diǎn)且展示大體良好的生物穩(wěn)定性。還發(fā)現(xiàn)由于鉬的生物相容性和鉬與一般可用作饋通的絕緣體材料的氧化鋁具有同等的熱膨脹系數(shù)的原因,鉬可用于饋通襯墊和通孔材料。
[0073]參考圖13至圖16,導(dǎo)線框架1526在圖13中被定位在饋通1514上,將各個(gè)導(dǎo)線1512定位在襯墊1520上,其中每個(gè)襯墊1520關(guān)聯(lián)與饋通1514的絕緣體1522整合的下伏通孔(見(jiàn),例如,如圖6中所示的導(dǎo)電導(dǎo)管1120)。在一些實(shí)施方案中,饋通1514被固定(例如,束縛)在固定裝置1530的凹陷1528中且導(dǎo)線框架1526中的穿孔1532被釘?shù)焦潭ㄑb置1530以使導(dǎo)線1512與饋通1514的襯墊1520對(duì)齊。隨后可使用機(jī)器1518 (例如,熔接機(jī)、連結(jié)機(jī)、激光熔接機(jī)、電阻型熔接機(jī))將各個(gè)導(dǎo)線1512熔接到各個(gè)下伏襯墊1520,如圖14至圖16中所示。如圖14中所示,由包括鎳、鈷和鉻的合金形成的導(dǎo)線1512已被激光熔接到饋通1514,且饋通1514與套圈1534整合。如圖15至圖16中所示,鈮導(dǎo)線1612已被激光熔接到饋通1614的襯墊1620。
[0074]根據(jù)例示性實(shí)施方案,導(dǎo)線框架1526 (圖13)的導(dǎo)線1512被裁切以用相對(duì)低的電阻傳導(dǎo)足夠量的電力,同時(shí)被裁切成足夠小以使不致填充大量體積或給可植入醫(yī)療設(shè)備提供巨大重量。在一些實(shí)施方案中,導(dǎo)線1512具有小于10密耳、小于5密耳或約4密耳的厚度。在一些實(shí)施方案中,導(dǎo)線1512具有小于30密耳、小于25密耳、小于12密耳或約24、
20、16或12密耳的寬度。
[0075]出于上下文的目的,使用由鈮或包括鎳、鈷和鉻的合金(按照平行間隙熔接或激光熔接)形成的導(dǎo)線或帶制備一組饋通樣品。在激光熔接和平行間隙熔接后,視檢所有樣品并測(cè)試熔接強(qiáng)度。在導(dǎo)線和帶材料中的合金展示一致性能,在顯示充足強(qiáng)度下不給襯墊-絕緣體介面造成過(guò)程相關(guān)破壞??偠灾?,使用通過(guò)激光熔接或平行間隙熔接連結(jié)到襯墊表面的由合金或鈮形成的導(dǎo)體的結(jié)果是在顯示充足強(qiáng)度下不給襯墊-絕緣體介面造成過(guò)程相關(guān)破壞。
[0076]在預(yù)期實(shí)施方案中,可使用各種不同的連結(jié)技術(shù)以形成導(dǎo)線到饋通介面(如高溫共燒陶瓷饋通的鉬襯墊)的高強(qiáng)度、浸潤(rùn)穩(wěn)定、導(dǎo)電接點(diǎn)。用于提供生物相容、生物穩(wěn)定、可靠接點(diǎn)的連結(jié)技術(shù)包括使用熱源的那些技術(shù),如平行間隙熔接、激光熔接或使用激光的其它連結(jié)(例如,激光釬焊、激光焊接、激光化學(xué)反應(yīng)、膠合物激光軟化)、反間隙熔接、步間隙熔接、擴(kuò)散粘結(jié)(壓力和溫度)、在烤爐中釬焊或焊接、通過(guò)電阻加熱進(jìn)行釬焊或焊接、用激光進(jìn)行釬焊或焊接、超聲波粘結(jié)、熔/球/帶熔接、反應(yīng)熔接、燒結(jié)和多層堆疊的放熱反應(yīng)。用于建立電接觸的機(jī)械連結(jié)技術(shù)可包括刮擦、壓力接觸和插針和插座。
[0077]在預(yù)期實(shí)施方案中(大體見(jiàn)圖35至圖46),插入機(jī)構(gòu)(如薄膜、厚膜或諸如塊體的元件)、導(dǎo)線框架或與金釬焊或鉬燒結(jié)共燒襯墊連結(jié)的另一個(gè)共燒部分(或其它合金,如Pt-1r的堆疊,或耐火、生物穩(wěn)定、生物相容金屬,如鉬、鉬-銥合金、鈦、鉭、鈮、金和它們的合金和它們的氧化物的納米化粒子)的堆疊可連結(jié)到饋通的介面,如共燒饋通襯墊或襯墊陣列的鉬襯墊。隨后利用各種不同的連結(jié)技術(shù)將導(dǎo)電導(dǎo)線(如鉬、鉬-銥合金、鈦、鉭、鈮、金和它們的合金和它們的氧化物)熔接到插入機(jī)構(gòu)以形成插入機(jī)構(gòu)到饋通的介面(如高溫共燒陶瓷饋通的鉬襯墊)的高強(qiáng)度、浸潤(rùn)穩(wěn)定、導(dǎo)電接點(diǎn)。用于提供從襯墊到插入機(jī)構(gòu)的生物相容、生物穩(wěn)定、可靠接點(diǎn)的連結(jié)技術(shù)包括使用熱源的那些技術(shù)、擴(kuò)散粘結(jié)(壓力和溫度)、在烤爐中釬焊或焊接、通過(guò)電阻加熱進(jìn)行釬焊或焊接、用激光進(jìn)行的釬焊或焊接或使用激光的其它連結(jié)、超聲波粘結(jié)、反應(yīng)熔接和多層堆疊的放熱反應(yīng)。
[0078]在預(yù)期實(shí)施方案中,可使用組合連結(jié)技術(shù)的混合方法來(lái)形成導(dǎo)線到饋通的介面(如高溫共燒陶瓷饋通的鉬襯墊)的高強(qiáng)度、浸潤(rùn)穩(wěn)定、導(dǎo)電接點(diǎn)。用于提供生物相容、生物穩(wěn)定、可靠接點(diǎn)的主要連結(jié)技術(shù)包括使用熱源的那些技術(shù),如平行間隙熔接、激光熔接或使用激光的其它連結(jié)、反間隙熔接、步間隙熔接、擴(kuò)散粘結(jié)(壓力和溫度)、在烤爐中釬焊或焊接、通過(guò)電阻加熱進(jìn)行釬焊或焊接、使用激光進(jìn)行釬焊或焊接、超聲波粘結(jié)、熔/球/帶熔接、反應(yīng)熔接、多層堆疊的放熱反應(yīng)。用于建立電接觸的機(jī)械連結(jié)技術(shù)可包括刮擦、壓力接觸和插針和插座。二級(jí)技術(shù)包括在烤爐中熱處理主接點(diǎn)、使電流通過(guò)主接點(diǎn)以促進(jìn)材料熔融或這些技術(shù)的組合。
[0079]在一些特定實(shí)施方案中,通過(guò)使用小于0.5kA (例如,約0.13kA)的電流,小于五磅/電極的力(例如,約21b力/電極),使用基于銅的金屬基質(zhì)復(fù)合材料合金(例如,Glidcop)電極(例如,大小為0.015X0.025英寸)和在惰性覆蓋氣體(例如,氬氣、氦氣、氮?dú)獾?中,可以進(jìn)行由包括鎳、鈷和鉻的合金形成的導(dǎo)線的平行間隙熔接而不破壞襯墊到絕緣體介面的氣密性。這種平行間隙熔接還可從具有足夠厚度和表面積的襯墊受益。
[0080]在實(shí)驗(yàn)測(cè)試期間,發(fā)現(xiàn)連結(jié)過(guò)程可導(dǎo)致通孔從周?chē)^緣體材料層離的發(fā)生。這種層離可給體液提供泄漏路徑。在認(rèn)識(shí)這個(gè)問(wèn)題后,發(fā)現(xiàn)襯墊的厚度和插入機(jī)構(gòu)的使用可以是提供將帶或線連結(jié)到襯墊而不導(dǎo)致層離發(fā)生的能力的重要參數(shù)。認(rèn)為極小的襯墊或插入機(jī)構(gòu)厚度允許對(duì)平行間隙熔接或其它連結(jié)過(guò)程中產(chǎn)生的熱進(jìn)行熱管理,這減輕了對(duì)下伏陶瓷材料的破壞且可防止通孔從陶瓷材料層離。因此,已發(fā)現(xiàn)在一些構(gòu)造中,如在共燒饋通中包括鉬襯墊的那些構(gòu)造,50 μ m的極小襯墊厚度可提供充分熱管理以防止通孔的層離,且約75 μπι可提供甚至更佳結(jié)果。在其它構(gòu)造中,如使用其它材料的那些構(gòu)造,所述極小襯墊厚度可以大于或小于50 μ m。此外,還可以利用導(dǎo)線的設(shè)計(jì)以控制連結(jié)過(guò)程。
[0081]還認(rèn)為襯墊的頂表面積對(duì)于將帶或線連結(jié)到襯墊而不導(dǎo)致層離(如襯墊從絕緣體層離)的能力很重要,所述層離可給體液提供泄漏路徑。襯墊的較大頂表面積可給連結(jié)期間產(chǎn)生的熱提供增大的分布,且可減小沿襯墊到絕緣體介面的溫度差和相關(guān)熱膨脹誘發(fā)應(yīng)力。在一些構(gòu)造中,如在共燒饋通中包括鉬襯墊的那些構(gòu)造,已發(fā)現(xiàn)面積上具有至少20 X 20密耳的頂表面積的襯墊可足以分布熱,而使用面積上具有至少約30 X 30密耳,如30 X 40或40X40密耳的頂表面積的襯墊將獲得甚至更佳的結(jié)果。具有相當(dāng)面積的各種幾何形狀(例如,圓形、橢圓形等)的襯墊也可充分地分布連結(jié)期間產(chǎn)生的熱。
[0082]認(rèn)為饋通的互連過(guò)程的熱管理對(duì)于形成強(qiáng)接點(diǎn)(例如,導(dǎo)線與襯墊之間)而不給基片(例如,共燒襯墊、絕緣體、通孔和彼此之間的氣密密封)造成破壞很重要。在導(dǎo)線與襯墊的互連連結(jié)過(guò)程期間過(guò)量的熱和/或負(fù)荷可破壞襯墊、絕緣體和通孔之間的介面,甚至可能損害氣密密封。導(dǎo)線框架,如圖17至圖34中所示的那些導(dǎo)線框架,可被設(shè)計(jì)以改善接點(diǎn)的熱容、盡可能減小熔化物體積和/或提供熱消散,從而允許互連,同時(shí)維持氣密密封。
[0083]根據(jù)例示性實(shí)施方案,可利用犧牲放熱反應(yīng)以促進(jìn)在互連連結(jié)過(guò)程期間的熱管理。在一些實(shí)施方案中,可將在熔接區(qū)中的碳涂層施用到襯墊或?qū)Ь€。在其它預(yù)期實(shí)施方案中,使用其它涂層以在互連連結(jié)過(guò)程期間產(chǎn)生犧牲放熱反應(yīng)。
[0084]在一些實(shí)施方案中,襯墊被設(shè)計(jì)成具有增大的厚度、增大的熱質(zhì)量和/或增大的熱容,如本文所論述。材料可經(jīng)過(guò)專門(mén)選擇以提供這種襯墊,如鈮、鉭、鉬、鈦、金和它們的合金。在預(yù)期實(shí)施方案中,可利用各種栓扣技術(shù)以構(gòu)建這種襯墊或?yàn)槠湓黾淤|(zhì)量或厚度,所述技術(shù)包括激光連結(jié)、額外金屬化材料的燒結(jié)、電鍍、濺射膜和力量金屬沉積(例如,熱濺射、共燒)。
[0085]現(xiàn)參考圖17至圖34,導(dǎo)線框架1710 (圖17至圖19)、導(dǎo)線框架1810 (圖20至圖
22)、導(dǎo)線框架1910 (圖23至圖25)、導(dǎo)線框架2010 (圖26至圖28)、導(dǎo)線框架2110 (圖29至圖31)、導(dǎo)線框架2210 (圖32至圖34)分別包括耦接且被構(gòu)造以從各個(gè)叉形部件1714、叉形部件1814、叉形部件1914、叉形部件2014、叉形部件2114、叉形部件2214解耦的導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912、導(dǎo)線2012、導(dǎo)線2112、導(dǎo)線2212。在其它實(shí)施方案中,個(gè)別導(dǎo)線不耦接到叉形部件。叉形部件1714、叉形部件1814、叉形部件1914、叉形部件2014、叉形部件2114、叉形部件2214分別包括安裝孔1716、安裝孔1816、安裝孔1916、安裝孔2016、安裝孔2116、安裝孔2216以促進(jìn)導(dǎo)線框架1710、導(dǎo)線框架1810、導(dǎo)線框架1910、導(dǎo)線框架2010、導(dǎo)線框架2110、導(dǎo)線框架2210在互聯(lián)期間對(duì)齊(見(jiàn),例如,圖13)。應(yīng)注意雖然導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912、導(dǎo)線2012、導(dǎo)線2112、導(dǎo)線2212大體以矩形為橫截面,但其它導(dǎo)線或?qū)щ姴考梢詧A形為橫截面(例如,線)或呈其它形狀,且還可包括圖17至圖34中所示的特征件(例如,凹口、孔、打斷特征件等)。
[0086]接點(diǎn)設(shè)計(jì),具體來(lái)說(shuō)導(dǎo)線框架的設(shè)計(jì)可單獨(dú)或與厚共燒襯墊或插入機(jī)構(gòu)組合使用以允許連結(jié)過(guò)程提供充足熔接或粘結(jié)強(qiáng)度和減小連結(jié)過(guò)程期間的熱沖擊。已為導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912、導(dǎo)線2012、導(dǎo)線2112、導(dǎo)線2212的幾何形狀設(shè)想了各種創(chuàng)新性特征件以促進(jìn)粘結(jié)或熔接強(qiáng)度和控制熱沖擊。在一些實(shí)施方案中,導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912、導(dǎo)線2012、導(dǎo)線2112、導(dǎo)線2212的幾何形狀包括被構(gòu)造以給高效引導(dǎo)連結(jié)能量到熔接接點(diǎn)提供熱導(dǎo)管的棱柱矩形橫截面。在其它實(shí)施方案中,導(dǎo)線幾何形狀包括圓形橫截面(例如,線導(dǎo)線)。
[0087]參考圖17至圖25,導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912分別包括在導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912中的被構(gòu)造以與對(duì)應(yīng)饋通的通孔對(duì)齊的孔1718、孔1818、孔1918???718、孔1818、孔1918靠近與各個(gè)叉形部件1714、叉形部件1814、叉形部件1914相反的導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912的末端,如在導(dǎo)向1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912向末端的四分之一長(zhǎng)度內(nèi)。在一些實(shí)施方案中,孔1718、孔1818、孔1918被設(shè)計(jì)以促進(jìn)導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912到饋通的介面或插入機(jī)構(gòu)的激光熔接。使用孔1718、孔1818、孔1918可增大導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912接收用于將導(dǎo)線粘結(jié)到相應(yīng)饋通的襯墊的熱的表面積。
[0088]孔1718、孔1818、孔1918可被裁切成小于相應(yīng)激光斑點(diǎn)的大小,如具有5密耳直徑的孔對(duì)應(yīng)8密耳直徑的斑點(diǎn)。對(duì)于圓形通孔來(lái)說(shuō),在導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912中的孔1718、孔1818、孔1918的直徑可為通孔的約四分之一至兩倍。在一些實(shí)施方案中,孔的直徑比導(dǎo)線寬度的一半小。在一些實(shí)施方案中,孔的直徑小于10密耳,如小于8密耳。在其它實(shí)施方案中,孔呈正方形、橢圓形或其它形狀。
[0089]在激光熔接或其它連結(jié)過(guò)程中,鄰接孔1718、孔1818、孔1918的導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912的材料可被熔化并引導(dǎo)通過(guò)孔1718、孔1818、孔1918到達(dá)下伏介面用于連結(jié)導(dǎo)線與介面。孔1718、孔1818、孔1918允許用更少能量來(lái)連結(jié)導(dǎo)線,因?yàn)檫B結(jié)過(guò)程只需要熔化足夠流經(jīng)孔1718、孔1818、孔1918到達(dá)下伏介面的導(dǎo)線材料,代替了熔化整個(gè)導(dǎo)線的材料以使熔化的材料與下伏介面接觸。
[0090]參考圖20至圖22,導(dǎo)線框架1810的導(dǎo)線1812包括凸起的伸出,其允許導(dǎo)線1812栓扣到已被凹埋到套圈中的饋通。
[0091]參考圖23至圖25,導(dǎo)線1912具有與圖17中的導(dǎo)線1712不同的打斷特征件——使用劃痕取代狹窄化。在其它預(yù)期實(shí)施方案中,可使用打斷特征件的組合。
[0092]參考圖26至圖28,導(dǎo)線2012包括凹口 2018 (例如,V形凹口或“鼠嚙”),其可被設(shè)計(jì)以促進(jìn)導(dǎo)線2012的激光熔接,十分類(lèi)似于孔1718、孔1818、孔1918,其中凹口 2018可以用于對(duì)齊和給熔化材料提供到達(dá)下伏介面的捷徑。在其它預(yù)期實(shí)施方案中,可使用除凹口或孔以外的形狀,如導(dǎo)線的W形或U形末端。[0093]參考圖29至圖31,導(dǎo)線框架2110是被設(shè)計(jì)成供平行間隙熔接、貫穿激光熔接、超聲波粘結(jié)或其它連結(jié)技術(shù)用的簡(jiǎn)單導(dǎo)線框架。簡(jiǎn)單的幾何形狀允許自動(dòng)連結(jié)過(guò)程具有改善的再現(xiàn)性。
[0094]參考圖32至圖34,導(dǎo)線2212包括在導(dǎo)線的末端附近的突出部分2218 (即,淺窩或碗的反面;例如,隆起物、伸出)。突出部分2218可通過(guò)增大導(dǎo)線2212的熱質(zhì)量或厚度和/或?qū)Ь€2212的電阻來(lái)控制熱傳遞。在一些實(shí)施方案中,突出部分2218被放置成與饋通的下伏介面接觸,并將熱施加到可呈碗或凹陷形式的突出部分2218的背側(cè)。熱會(huì)使突出部分2218熔化到下伏介面,從而形成隨后可被視檢到的熔接頭,因?yàn)橥怀霾糠?218會(huì)使導(dǎo)線2212的其余部分從饋通的介面分離。
[0095]在激光熔接期間,當(dāng)激光已熔穿突出部分到達(dá)下伏表面時(shí),被熔接點(diǎn)反射的激光能的量發(fā)生變化,這可用作供被構(gòu)造以隨后關(guān)停激光器的感光器接收的反饋信號(hào)。除了供激光熔接使用外,具有突出部分2218的導(dǎo)線2212還可通過(guò)減小導(dǎo)線與下伏介面之間的接觸面積用于集中用于平行或反間隙熔接的電阻,這增大了預(yù)期熔接部位處的電阻。
[0096]導(dǎo)線尺寸可以促進(jìn)熔接或粘結(jié)強(qiáng)度和連結(jié)過(guò)程期間的熱管理。在包括具有棱柱形橫截面的導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912、導(dǎo)線2012、導(dǎo)線2112、導(dǎo)線2212的一些實(shí)施方案中,導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912、導(dǎo)線2012、導(dǎo)線2112、導(dǎo)線2212的寬度W1'W2、W3、W4、W5^W6介于對(duì)應(yīng)襯墊的全寬度(例如,小于20密耳,至少20、30或40密耳)至可基于最小電流處理、導(dǎo)線材料、導(dǎo)電性等的最小寬度的范圍內(nèi)。在預(yù)期實(shí)施方案中,導(dǎo)線1712、導(dǎo)線1812、導(dǎo)線1912、導(dǎo)線2012、導(dǎo)線2112、導(dǎo)線2212的厚度T1J^T3JpT5J6可介于對(duì)應(yīng)襯墊厚度(如本文所論述的那些襯墊厚度)的約十分之一至約十倍的范圍內(nèi)。對(duì)于具有圓形橫截面的導(dǎo)線來(lái)說(shuō),導(dǎo)線的直徑可介于對(duì)應(yīng)襯墊的全寬度至基于最小電流處理、導(dǎo)線材料等的最小直徑的范圍內(nèi)。
[0097]在一些實(shí)施方案中,在連結(jié)技術(shù)后實(shí)施熱處理以促進(jìn)熔接或粘結(jié)強(qiáng)度和/或減小殘余熱應(yīng)力。在一個(gè)這種實(shí)施方案中,電阻斑點(diǎn)熔接可伴隨后續(xù)接點(diǎn)熱處理以促進(jìn)在熔接區(qū)中的互擴(kuò)散。在另一這種實(shí)施方案中,激光熔接可伴隨后續(xù)熱處理以促進(jìn)在熔接區(qū)中的互擴(kuò)散。在還有另一這種實(shí)施方案中,超聲波粘結(jié)可伴隨后續(xù)熱處理以促進(jìn)在熔接區(qū)中的互擴(kuò)散。
[0098]在其它實(shí)施方案中,使用電阻釬焊以促進(jìn)熔接或粘結(jié)強(qiáng)度。根據(jù)這種實(shí)施方案,電阻加熱過(guò)程(反間隙、平行間隙、步間隙)可通過(guò)在導(dǎo)線與襯墊之間添加具有比襯墊材料低的熔點(diǎn)的生物穩(wěn)定、生物相容材料(如金或用于鉬襯墊的鉬合金)的中間層在導(dǎo)線與襯墊之間形成釬焊接點(diǎn)。在一些實(shí)施方案中,中間層可以是金屬箔片或由金屬化技術(shù),如額外金屬化材料的燒結(jié)、電鍍、濺射膜和力量金屬沉積(例如,熱濺射、激光燒結(jié)、共燒)形成。
[0099]在還有其它實(shí)施方案中,可將激光熔接與原位添加的力量金屬填充材料組合使用。
[0100]現(xiàn)參考圖35至圖39,可植入醫(yī)療設(shè)備2310的一部分包括被構(gòu)造以被接收在套圈2314中的氣密饋通2312,和被構(gòu)造以促進(jìn)導(dǎo)體(例如,線、帶導(dǎo)線)到饋通2312的互連的插入機(jī)構(gòu)2316。在一些實(shí)施方案中,在饋通2312附接到套圈2314和插入機(jī)構(gòu)2316附接到饋通2312期間,將預(yù)成型品2318、預(yù)成型品2320用作釬焊材料。通孔(見(jiàn),例如,如圖6中所示的導(dǎo)電導(dǎo)管1120)延伸穿過(guò)饋通2312并被襯墊2322蓋封。[0101]在一些實(shí)施方案中,饋通2312的襯墊2322對(duì)于熔接或按照其它方式連結(jié)導(dǎo)線而不導(dǎo)致饋通2312與周?chē)^緣體2324 (圖35)層離或氣密性損失來(lái)說(shuō)可能不夠厚,并將插入機(jī)構(gòu)2316用作中介物。將導(dǎo)線附接到附接饋通2312的插入機(jī)構(gòu)2316,代替了將導(dǎo)線直接附接到饋通2312。插入機(jī)構(gòu)2316還包括在絕緣體2328中被襯墊2326蓋封的通孔(大體見(jiàn)如圖6中所示的導(dǎo)電導(dǎo)管1120)。插入機(jī)構(gòu)2316可與預(yù)成型品2318釬焊、共燒或按照其它方式燒結(jié)或按其它方式附接到饋通2312并用作導(dǎo)線互連期間的熱屏障。
[0102]在插入機(jī)構(gòu)2316與饋通2312之間的預(yù)成型品2318可由與饋通的襯墊2322但不與絕緣體2324粘結(jié)相容的材料形成。因此,所述材料不會(huì)在不同襯墊之間傳播且不會(huì)短路通孔。在一些實(shí)施方案中,預(yù)成型品2318、預(yù)成型品2320可由金形成且襯墊2322、襯墊2326可由鉬形成。絕緣體2324、絕緣體2328可大部分包括氧化鋁。在預(yù)期實(shí)施方案中,套圈2314可延伸以同時(shí)支撐饋通2312和插入機(jī)構(gòu)2316。
[0103]結(jié)構(gòu)上插入機(jī)構(gòu)2316可類(lèi)似于饋通2312,即由絕緣體2328和延伸穿過(guò)絕緣體的導(dǎo)電導(dǎo)管2326形成。在一些實(shí)施方案中,插入機(jī)構(gòu)2316可以為饋通2312的厚度的一半或更薄。然而,對(duì)比于饋通2312的襯墊2322和通孔,插入機(jī)構(gòu)2316的襯墊2326和通孔在一些實(shí)施方案中不需要?dú)饷苊芊?。因此,插入機(jī)構(gòu)2316可以用與饋通2312不同的材料形成和/或用較不劇烈的制造方法形成。在一些實(shí)施方案中,插入機(jī)構(gòu)2316可針對(duì)低電阻加以優(yōu)化,而饋通2312可針對(duì)氣密性和生物穩(wěn)定性加以優(yōu)化。
[0104]參考圖40至圖41,可植入醫(yī)療設(shè)備2510,類(lèi)似于可植入醫(yī)療設(shè)備2310,包括饋通2512、套圈2514和通過(guò)耦接插入機(jī)構(gòu)2516與饋通2512的導(dǎo)電預(yù)成型品2518或其它導(dǎo)電元件(如從插入機(jī)構(gòu)2516的底側(cè)突出的伸出或襯墊)耦接到饋通2512的插入機(jī)構(gòu)2516。根據(jù)例示性實(shí)施方案,可植入醫(yī)療設(shè)備2510的預(yù)成型品2518被經(jīng)過(guò)構(gòu)造以在預(yù)成型品2518之間提供高介電擊穿(和連結(jié)襯墊和與饋通2512或插入機(jī)構(gòu)2516關(guān)聯(lián)的通孔)的介電屏障2520 (例如,底部填充材料)包圍。
[0105]根據(jù)例示性實(shí)施方案,介電屏障2520包括具有高介電擊穿強(qiáng)度的材料(例如,“灌封材料”)。在一些實(shí)施方案中,介電屏障2520的材料包括熱固性環(huán)氧樹(shù)脂、紫外光固化環(huán)氧樹(shù)脂、基于硅的醫(yī)療粘性材料、液體硅膠、熱固化樹(shù)脂、其它材料或它們的組合。在一些實(shí)施方案中,將介電屏障2520以被模具包含的液體形式施用到可植入醫(yī)療設(shè)備2510。介電屏障2520隨后填充預(yù)成型品2518或其它組件之間的空間并固化。
[0106]在用于插入機(jī)構(gòu)2516的預(yù)成型品2518之間使用介電屏障2520意在允許預(yù)成型品具有較高密度和允許耦接到預(yù)成型品2518的饋通的導(dǎo)電襯墊具有相應(yīng)較高密度。所述高介電擊穿強(qiáng)度可比空氣的三倍大,且在一些實(shí)施方案中,比空氣的介電擊穿強(qiáng)度的五倍大。在預(yù)期實(shí)施方案中,可將類(lèi)似介電屏障定位在饋通的頂部或底部上的襯墊(例如,如圖8中所示的襯墊1216)之間、各件插入機(jī)構(gòu)(例如,如圖42至圖46中所示的插入機(jī)構(gòu)2416)之間或可植入醫(yī)療設(shè)備的其它導(dǎo)電特征件之間。
[0107]參考圖42至圖46,可植入醫(yī)療設(shè)備2410的一部分包括被構(gòu)造以被接收在套圈2414中的氣密饋通2412,和被構(gòu)造以促進(jìn)導(dǎo)體(例如,線、帶導(dǎo)線)到饋通2412的互連的插入機(jī)構(gòu)2416 (例如,塊體、工件、帽)。根據(jù)例示性實(shí)施方案,插入部件2416是不被固定在絕緣體中的個(gè)別導(dǎo)電帽。在一些實(shí)施方案中,在饋通2412附接到套圈2414和插入機(jī)構(gòu)2416附接到饋通2412期間,將預(yù)成型品2418、預(yù)成型品2420用作釬焊材料。[0108]雖然本文公開(kāi)的教義一般地關(guān)于可植入醫(yī)療設(shè)備(例如見(jiàn)如圖1至圖2中所示的設(shè)備110、設(shè)備210),但公開(kāi)內(nèi)容并非意在限制于這些設(shè)備。例如,在本文公開(kāi)的一些教義關(guān)于為由共燒過(guò)程形成的氣密饋通提供的方法和結(jié)構(gòu)。在微米級(jí)上,允許氣密密封在長(zhǎng)時(shí)間(例如,幾年)保持生物穩(wěn)定的特征還提供了在饋通的絕緣體與導(dǎo)電組件之間強(qiáng)而可靠的粘結(jié)。這種改善的粘結(jié)對(duì)于經(jīng)受要求饋通的組件具有高可靠性和/或長(zhǎng)期氣密性的條件的非醫(yī)療、不可植入設(shè)備可為有益的,如經(jīng)歷較大溫度變化、在化學(xué)侵略性環(huán)境中操作的計(jì)算機(jī)、經(jīng)歷相對(duì)高振動(dòng)負(fù)荷的電氣設(shè)備(例如,飛行器電子設(shè)備)、牢固構(gòu)建的高價(jià)值設(shè)備和其它設(shè)備。
[0109]如本文所使用,術(shù)語(yǔ)“大概”、“約”、“大體上”和類(lèi)似術(shù)語(yǔ)意在提供與本公開(kāi)的主要內(nèi)容的所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員的常見(jiàn)和接受用法相協(xié)調(diào)的廣泛含義。查看本公開(kāi)的本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解這些術(shù)語(yǔ)意在給所描述和要求的某些特征提供描述而非將這些特征限制于所提供的準(zhǔn)確數(shù)字范圍。因此,這些術(shù)語(yǔ)應(yīng)被解讀為指示所描述和要求的主要內(nèi)容的非真實(shí)或不合理修改或替換被視為屬于隨附權(quán)利要求所引述的發(fā)明范圍。
[0110]應(yīng)注意如本文所使用以描述各個(gè)實(shí)施方案的術(shù)語(yǔ)“例示性”意在指示這些實(shí)施方案是可行實(shí)施方案的可行實(shí)例、代表和/或說(shuō)明(且這個(gè)術(shù)語(yǔ)非意在暗示這些實(shí)施方案必然是特別或最佳實(shí)例)。
[0111]如本文所使用的術(shù)語(yǔ)“耦接”、“連接”和類(lèi)似術(shù)語(yǔ)意指兩個(gè)部件相互的直接或非直接連結(jié)。這種連結(jié)可以是固定(例如,永久)或可移動(dòng)(例如,可移除或可釋放)的。這種連結(jié)可以用兩個(gè)部件或兩個(gè)部件和任何其它中間部件通過(guò)相互整合形成單個(gè)一體式主體或用兩個(gè)部件或兩個(gè)部件和任何其它中間部件通過(guò)相互附接實(shí)現(xiàn)。
[0112]本文對(duì)元件位置的陳述(例如,“頂”、“底”、“上方”、“下方”等)只用于描述各個(gè)元件在圖中的取向。應(yīng)注意各個(gè)元件的取向可根據(jù)其它例示性實(shí)施方案而有所不同,且這些變化將被本公開(kāi)涵蓋。
[0113]值得注意的是如各個(gè)例示性實(shí)施方案中所示的饋通的構(gòu)建和布置只是說(shuō)明性的。雖然已經(jīng)在本公開(kāi)內(nèi)容中只詳細(xì)描述了幾個(gè)實(shí)施方案,但查看本公開(kāi)的本領(lǐng)域技術(shù)人員將輕易明白在不實(shí)質(zhì)脫離本文描述的標(biāo)的的新穎教義和優(yōu)點(diǎn)下,許多修改(例如,各種元件的大小、尺寸、結(jié)構(gòu)、形狀和比例、參數(shù)值、安裝布置、材料用途、顏色、取向等的變化)是可行的。例如,按照整合形成示出的元件可以由多個(gè)部分或元件構(gòu)建,元件的位置可顛倒或另外變化,且離散元件或位置的性質(zhì)或數(shù)目可以更改或變化。根據(jù)代替實(shí)施方案,任何過(guò)程或方法步驟的順序或次序可以變化或重新排序。在不脫離本發(fā)明的范疇下,還可以在各個(gè)例示性實(shí)施方案的設(shè)計(jì)、操作條件和布置中進(jìn)行其它取代、修改、改變和刪減。
【權(quán)利要求】
1.一種用于將導(dǎo)線附接到氣密饋通的導(dǎo)線框架,包括 叉形部件;和 多個(gè)導(dǎo)線,每個(gè)導(dǎo)線具有從所述叉形部件沿大體相互平行的方向延伸的長(zhǎng)形主體;其中每個(gè)導(dǎo)線包括在與所述叉形部件相反的其末端上的凹口或靠近所述末端的孔中的至少一個(gè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線框架,其中每個(gè)導(dǎo)線包括靠近所述末端的孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)線框架,其中所述孔為圓形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)線框架,其中所述孔的直徑比所述導(dǎo)線的寬度的一半小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線框架,其中每個(gè)導(dǎo)線包括在與所述叉形部件相反的所述末端上的凹口。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的導(dǎo)線框架,其中所述凹口呈V形。
7.一種互連導(dǎo)線和饋通的方法,包括: 利用激光器將所述導(dǎo)線連結(jié)到所述饋通上的襯墊; 其中所述饋通包括陶瓷絕緣體和通孔,且所述襯墊電連接到所述通孔;和其中所述導(dǎo)線包括在其末端上的凹口、靠近所述末端的孔和靠近所述末端的突出中的至少一個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中所述通孔和所述襯墊各自氣密粘結(jié)到所述絕緣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中所述襯墊和所述通孔包括鉬且其中所述導(dǎo)線包括選自由鈮、鉬、鈦、鉭、鈀、金、鎳及其氧化物合金組成的組的至少一種材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中所述導(dǎo)線包括鈮和包括鈷、鉻和鎳的合金中的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中所述導(dǎo)線包括靠近所述末端的突出。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中所述導(dǎo)線包括在所述突出的背側(cè)上的淺窩。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中所述連結(jié)還包括使所述突出與所述通孔對(duì)齊地接觸所述襯墊和將所述激光器引導(dǎo)到所述淺窩。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,還包括響應(yīng)所述激光器的射束的反射變化關(guān)停所述激光器。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中所述導(dǎo)線包括在所述末端上的所述凹口和靠近所述末端的從中貫穿的所述孔中的至少一個(gè)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其中所述連結(jié)還包括將所述激光器引導(dǎo)到鄰接所述凹口或所述孔的所述導(dǎo)線的材料。
17.一種可植入醫(yī)療設(shè)備,包括 氣密、生物穩(wěn)定的饋通,其包括: 絕緣體; 延伸穿過(guò)所述絕緣體的通孔;和 在所述絕緣體的外部且電耦接到所述通孔的襯墊;和 電耦接到所述襯墊的插入機(jī)構(gòu),其中所述插入機(jī)構(gòu)被構(gòu)造以接收與其連結(jié)的導(dǎo)線。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的可植入醫(yī)療設(shè)備,還包括將所述插入機(jī)構(gòu)耦接到所述襯墊的釬焊材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的可植入醫(yī)療設(shè)備,其中所述插入機(jī)構(gòu)基本上由導(dǎo)電材料的帽組成。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的可植入醫(yī)療設(shè)備,其中所述插入機(jī)構(gòu)包括絕緣體和延伸穿過(guò)所述絕緣體的通孔。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的可植入醫(yī)療設(shè)備,其中所述饋通比所述插入機(jī)構(gòu)厚。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的可植入醫(yī)療設(shè)備,還包括在所述釬焊材料的外表面上包圍所述釬焊材 料的介 電屏障,其不與所述插入機(jī)構(gòu)或所述襯墊直接接觸。
【文檔編號(hào)】H01R13/52GK103842026SQ201280048457
【公開(kāi)日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月2日
【發(fā)明者】T·米爾蒂奇, J·山本, A·湯姆, M·賴特雷爾, G·穆恩斯, M·布賴彥 申請(qǐng)人:美敦力公司
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