光電半導(dǎo)體組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種光電半導(dǎo)體組件。在光電半導(dǎo)體組件（1）的至少一種實施方式中，其包含至少一個光電半導(dǎo)體芯片（2）以及帶有一個或者多個引線框部件（31，32）的引線框（3）。此外，所述半導(dǎo)體組件（1）具有至少兩個電的連接件（4），如焊線，半導(dǎo)體芯片（2）通過這些連接裝置與引線框（3）電接觸。澆鑄體（5）安裝在引線框（3）上并且機械地支承引線框。其中，其中一個或者多個引線框部件（31，32）在上面安裝有半導(dǎo)體芯片（2）的上側(cè)（36）上設(shè)有反射涂層（6）。此外，引線框（3）還包含至少兩個接觸位置（34），連接裝置（4）安裝在接觸位置上。接觸位置（34）由不同于反射涂層（6）的材料形成。
【專利說明】芯片，那么也包括多個半導(dǎo)體芯片的情況。1:也適用于大部分的半導(dǎo)體芯片或者適用于置用于在半導(dǎo)體組件按規(guī)定運行時發(fā)出射
括引線框。引線框具有一個引線框部件或備屬材料構(gòu)成，最好是以銅或鋁這樣的金屬2半導(dǎo)體組件內(nèi)非直接地相互電連接。半導(dǎo)
括至少兩個電的連接件。通過連接裝置使乏與一個或者多個引線框部件電接觸。連接體芯片的電接觸面延伸到至少其中一個引
有至少一個澆鑄體。澆鑄體安裝在引線框表框部件，那么澆鑄體就將引線框部件機械本芯片發(fā)出的射線的反射器或反射部件，并余層上。此外，引線框還包含至少兩個接觸同于反射涂層的材料構(gòu)成。
等的光去耦效率，特別是當(dāng)半導(dǎo)體芯片具有導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體層組中產(chǎn)生的射線穿過I，所以特別是借助焊線能夠有效地實現(xiàn)半
I有帶有至少兩個、優(yōu)選地帶有至少三個引中壓載體制成。其中，沖壓載體例如是金屬沖壓載體例如是指一側(cè)上設(shè)有反射涂層的
地涂覆在引線框部件的所有上側(cè)上。引線-是在上側(cè)上就沒有形成去掉反射涂層的區(qū)妾觸基座，在反射涂層上沒有涂上其他的涂
,至少其中一個引線框部件，優(yōu)選地至少兩'角優(yōu)選地為90。或180°，優(yōu)選地有最高一個弓I線框部件設(shè)有反射涂層。
[0019]根據(jù)至少一種實施方式，只有在上面安裝有半導(dǎo)體芯片的引線框部件的上側(cè)設(shè)有反射涂層。其他引線框部件的其他的上側(cè)以及所有的下側(cè)就優(yōu)選地沒有反射涂層。
[0020]根據(jù)半導(dǎo)體組件的至少一種實施方式，在至少其中一個接觸位置上從至少其中一個、特別是正好其中一個引線框部件的上側(cè)去除了反射涂層。由此能夠?qū)⑦B接裝置直接與相應(yīng)的引線框部件的基礎(chǔ)材料連接，而不會受到反射涂層的阻礙。
[0021]根據(jù)半導(dǎo)體組件的至少一種實施方式，從俯視的角度看，反射涂層構(gòu)成上側(cè)的至少90%，在該上側(cè)上構(gòu)造接觸位置。優(yōu)選地，反射涂層覆蓋該上側(cè)的至少95%或者至少98%。在此尚可以不考慮澆鑄體。
[0022]根據(jù)半導(dǎo)體組件的至少一種實施方式，至少其中一個優(yōu)選地位于其中一個上側(cè)上的接觸位置設(shè)有接觸涂層。通過這種接觸涂層能夠更簡單地將連接裝置安裝到相應(yīng)的引線框部件上。
[0023]根據(jù)至少一種實施方式，接觸涂層設(shè)置在反射涂層上。換句話說，反射涂層就位于引線框部件和構(gòu)成接觸位置的接觸涂層之間。接觸涂層也可以是含有不同材料的、由多個
層組成的層疊。
[0024]根據(jù)半導(dǎo)體組件的至少一種實施方式，在上面安裝有半導(dǎo)體芯片的引線框部件的上側(cè)是平坦的，至少在沒有被澆鑄體覆蓋的區(qū)域內(nèi)是平坦的。由此能夠更簡單地將更大數(shù)量的半導(dǎo)體芯片安裝到上側(cè)上。
[0025]根據(jù)半導(dǎo)體組件的至少一種實施方式，在遠離在上面安裝有半導(dǎo)體芯片的上側(cè)的方向上并且沿著半導(dǎo)體芯片的主輻射方向看，接觸位置高于半導(dǎo)體芯片所在的上側(cè)。
[0026]根據(jù)半導(dǎo)體組件的至少一種實施方式，在半導(dǎo)體芯片所在的引線框部件的上側(cè)上安裝著至少一個、優(yōu)選地至少兩個或者正好兩個接觸基座。接觸基座的基座上側(cè)優(yōu)選地位于帶有半導(dǎo)體芯片的主輻射側(cè)的平面內(nèi)，具有的容差特別是半導(dǎo)體芯片厚度的最高15%或者最高5%。接觸基座例如在朝向引線框部件的上側(cè)的平臺下側(cè)上是電絕緣的并且在基座上側(cè)上是導(dǎo)電的。在接觸基座中可以選擇集成其他的像ESD防護這樣的功能。
[0027]根據(jù)至少一種實施方式，在背向引線框部件的基座上側(cè)上安裝著至少其中兩個或者正好兩個連接裝置。其中一個連接裝置優(yōu)選地伸到另一個引線框部件上的其中一個接觸位置，連接裝置的第二個優(yōu)選地伸到其中一個半導(dǎo)體芯片。從基座上側(cè)出發(fā)可以有多個半導(dǎo)體芯片是電接觸的。
[0028]根據(jù)半導(dǎo)體組件的至少一種實施方式，該半導(dǎo)體組件具有形狀互不相同的連接裝置和/或帶有不同的材料的連接裝置。例如相鄰的半導(dǎo)體芯片之間的電接觸通過細的焊線實現(xiàn)，并且與引線框部件上的接觸位置的接觸利用相比較粗的焊線實現(xiàn)。
[0029]根據(jù)半導(dǎo)體組件的至少一種實施方式，接觸位置屏蔽直接由半導(dǎo)體芯片發(fā)出的射線。換句話說，沒有從半導(dǎo)體芯片的背離上側(cè)的主輻射側(cè)面到接觸位置的直的、不中斷的連接線。例如通過在上面構(gòu)造有接觸位置的引線框部件的部分進行屏蔽，和/或通過澆鑄體實現(xiàn)屏蔽。例如這些接觸位置被澆鑄體的材料從周圍圍繞住。
[0030]根據(jù)半導(dǎo)體組件的至少一種實施方式，澆鑄體由不可透光的材料構(gòu)成，或者包括至少這樣一種材料。澆鑄體例如由反射的或者能吸光的塑料形成。
[0031]根據(jù)至少一種實施方式，引線框部件或者其中一個或多個引線框部件具有作為基礎(chǔ)材料的鋁，特別是鋁合金。在基礎(chǔ)材料上涂著反射涂層。反射涂層特別是具有銀層，在銀層上優(yōu)選地又形成一個或多個含有氧化硅和/或氧化鈦的層次。反射涂層優(yōu)選地包括由具有不同折射指數(shù)的材料構(gòu)成的層疊，從而形成布拉格反射鏡。特別是將優(yōu)選地含有銀或者由銀制成的金屬鏡和尤其是含有氧化鈦并且含有氧化硅的層疊組合起來。
[0032]根據(jù)半導(dǎo)體組件的至少一種實施方式，接觸位置構(gòu)造有依次具有由鎳、鈀和金制成的層組，其中，鎳層優(yōu)選地比金層和鈀層更厚。鎳層的厚度優(yōu)選地在3μπι和5μπι之間(包括3μπι和5μπι)。金層和鎳層之間的鈀層優(yōu)選地具有至少IOOnm的厚度。金層的厚度優(yōu)選地達到至少50nm。
[0033]根據(jù)半導(dǎo)體組件的至少一種實施方式，引線框部件的厚度或在上面安裝有半導(dǎo)體芯片的引線框部件的厚度和/或優(yōu)選地基于鋁的，特別是包括反射涂層的引線框部件的厚度達到最高2mm,或者最高I. 5_。這個厚度例如超過300 μ m或500 μ m。
[0034]根據(jù)半導(dǎo)體組件的至少一種實施方式，引線框部件的厚度或設(shè)置用于半導(dǎo)體組件的外部電接觸的并且優(yōu)選地基于銅的引線框部件的厚度達到最高300 μ m或者最高200 μ m。這個厚度例如超過80 μ m或者125 μ m。
[0035]根據(jù)至少一種實施方式，在上面安裝有半導(dǎo)體芯片的引線框部件的平均直徑在8mm和30_之間（含8_和30mm),優(yōu)選地在15_和28_之間（含15_和28mm)。通過燒鑄體的機械穩(wěn)定效果能夠在特別是很薄的引線框部件中實現(xiàn)這樣比較大的直徑。
[0036]根據(jù)半導(dǎo)體組件的至少一種實施方式，澆鑄體從俯視的角度看從周圍完全地圍繞著半導(dǎo)體。此處由澆鑄體圍繞著的區(qū)域同樣是從俯視的角度看，完全被在上面安裝有半導(dǎo)體芯片的引線框部件所填充。因為在澆鑄體中只有其中一個引線框部件形成一個表面，所以這片區(qū)域內(nèi)的反射性能特別均勻。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]下面參照附圖借助實施例更詳盡地闡述在此描述的光電半導(dǎo)體組件以及用于制造這種組件的方法。其中，相同的附圖標(biāo)記表示各個附圖中的相同的元件。然而在此沒有示出符合比例的關(guān)系，進一步說為了更好地理解可能夸大地示出了個別的元件。
[0038]圖中示出：
[0039]圖I至8是在此描述的光電半導(dǎo)體組件的實施例的示意圖，以及
[0040]圖9至11是用于制造在此描述的半導(dǎo)體組件的方法的示意流程圖。
【具體實施方式】
[0041]在圖I中用透視圖示出了光電半導(dǎo)體組件I的一個實施例。半導(dǎo)體組件I具有帶有三個引線框部件31，32的引線框3。多個光電半導(dǎo)體芯片2以矩陣的形式安裝在布置在中央的引線框部件32上。半導(dǎo)體芯片2優(yōu)選地是發(fā)光二極管，簡稱LED。半導(dǎo)體組件I能夠裝配到表面上，是所謂的SMT組件。
[0042]引線框部件31，32分別在上側(cè)36上具有反射涂層6。半導(dǎo)體芯片2直接安裝在反射涂層6上，并且因此安裝在中央的引線框部件32的上側(cè)36上，例如粘在上面。兩個置于外部的引線框部件31分別具有180°的折彎部37，所以在有些部位，引線框部件31的與上側(cè)36相對置的下側(cè)35向上指向與中央的引線框部件32的上側(cè)36 —樣的方向。[0043]為了電接觸，半導(dǎo)體組件I在中央的引線框部件32的上側(cè)36上優(yōu)選地具有兩個帶有基座上側(cè)90的接觸基座9。由于是透視圖，所以在圖1中只能看出其中一個接觸基座9，用英語也稱為島狀物(island)。接觸基座9具有幾乎與半導(dǎo)體芯片2—樣的大小，例如沿著所有的空間方向具有最高20%的容差。半導(dǎo)體芯片2與接觸基座9連接，并且相互之間利用在圖1中未繪出的、比較細的焊線連接，這些焊線例如由金制成，并且可以具有15 μ m和30 μ m之間的直徑(含15μπι和30 μ m在內(nèi))，尤其是大約22 μ m。
[0044]此外，接觸基座9通過連接裝置4與接觸位置34電連接。連接裝置4構(gòu)造為焊線。連接裝置4的材料例如是鋁和/或金，并且連接裝置4的厚度例如在大約50 μ m或者75 μ m。接觸位置34通過外部的引線框部件31的下側(cè)35的部分構(gòu)成，它們指向半導(dǎo)體芯片2的主輻射方向z。其中，接觸位置34由澆鑄體5的材料在側(cè)向上從周圍完全環(huán)繞包圍住，并且因此避免受到半導(dǎo)體芯片2的輻射。通過澆鑄體5使引線框3的單個的引線框部件31，32機械地相互連接。
[0045]在圖2中透視地示出半導(dǎo)體組件I的另一個實施例。為了簡化沒有繪出半導(dǎo)體芯片2以及連接裝置4和可選的接觸基座9。根據(jù)圖2的半導(dǎo)體組件I也在圖3中用下側(cè)的視角示出，并且在圖4中用側(cè)視圖示出。
[0046]半導(dǎo)體組件I具有中央的引線框部件32，其在兩側(cè)分別鄰接著三個引線框部件31。外部的引線框部件31以及中央的引線框部件32由相互不同的沖壓載體制成。只有中央的引線框部件32的上側(cè)36設(shè)有反射涂層6。作為選擇，中央的引線框部件32裝備有固定裝置38。
[0047]固定裝置38的寬度Al為12mm。引線框部件31的寬度A2為12mm。澆鑄體5的內(nèi)直徑A3為23mm，外直徑A4為30mm。安置了接觸位置34的凸緣(Simse)的寬度A5 (請參見圖2)在1.5mm左右。整個半導(dǎo)體組件I的厚度A6為2.7mm。上述尺寸或者一部分上述尺寸也可以適用于所有的其他的實施例。上述尺寸尤其是分別可以有最高75%或者最高50%或者最高25%的容差。
[0048]在圖5中用示意剖面圖示出了半導(dǎo)體組件I的另一個實施例。引線框部件31，32不在一個平面內(nèi)。在上面安裝有具有主輻射側(cè)20的半導(dǎo)體芯片2的引線框部件32上，在上側(cè)36的涂層6內(nèi)形成凹部。由此實現(xiàn)接觸位置34。引線框部件31優(yōu)選地不設(shè)有反射涂層。作為選擇在接觸位置34上分別設(shè)置一個接觸涂層8，從而能夠更簡單地將連接裝置4與引線框部件31，32連接。
[0049]與根據(jù)圖5所示的實施例中的情況不一樣，半導(dǎo)體組件I的組件下側(cè)不僅由澆鑄體5也由引線框部件32的下側(cè)35構(gòu)成。兩個接觸位置34由上側(cè)36的那些去除了反射涂層6的區(qū)域構(gòu)成。根據(jù)圖6，半導(dǎo)體芯片2通過連接裝置4直接與引線框部件31連接。
[0050]正如也在所有的其他實施例中那樣，由澆鑄體4構(gòu)成的凹部7可以有填充物，其中嵌入連接裝置4以及半導(dǎo)體芯片2。在圖中未繪出的填充物中可以添加光學(xué)散射裝置或者波長轉(zhuǎn)換裝置。例如，填充物具有硅或者環(huán)氧化物或者環(huán)氧硅氫氧化物材料。
[0051]根據(jù)圖7，半導(dǎo)體組件I只具有一個唯一的引線框部件32，上面按部位地涂有包括絕緣層8a和導(dǎo)電層Sb的接觸涂層。接觸涂層8a，8b構(gòu)成接觸位置34。這些接觸位置34的外形可以類似于導(dǎo)電線路。
[0052]在根據(jù)圖8的實施例中，兩個引線框部件31，32都設(shè)有接觸涂層8，作為選擇可以設(shè)有接觸基座9。接觸涂層8分別涂在反射涂層6上，使得反射涂層6完全地延伸經(jīng)過這兩個上側(cè)36。接觸涂層8的厚度優(yōu)選地分別最高為半導(dǎo)體芯片2的厚度的25%和/或最高為10 μ m0
[0053]在圖9中用透視圖示出了用于光電半導(dǎo)體組件I的制造方法流程，特別是像在圖
I中描繪的這種半導(dǎo)體組件I。在第一步驟中，請見圖9A，先為引線框3提供沖壓載體33。沖壓載體33是金屬板形式的并且具有設(shè)有反射涂層6的上側(cè)36和未被涂層的下側(cè)35。
[0054]在進一步的方法步驟中，請見圖9B，引線框部件31，32的輪廓例如通過沖壓成形。在緊接著的方法步驟中，請見圖9C，在外部的引線框部件31上形成折彎部37。此外在進一步的方法步驟中，請見圖9D，制造壓印39。例如環(huán)形地形成壓印39，并且可以局限于中央的引線框部件32。
[0055]在進一步的方法步驟中，請見圖9E，澆鑄體5例如通過噴注或壓注產(chǎn)生。由此實現(xiàn)引線框部件31，32相互之間的機械連接。根據(jù)圖9F，外部的引線框31與沖壓載體33的連接被中斷，所以只有引線框部件32還與沖壓載體33處于機械連接狀態(tài)。
[0056]在進一步的方法步驟中，請見圖9G，安裝半導(dǎo)體芯片2并且通過連接裝置4和接觸基座9完成電接觸。然后去除留下的沖壓載體33，并且將半導(dǎo)體組件I分離開，從而獲得根據(jù)圖I所示的半導(dǎo)體組件1，這在圖9中未示出。
[0057]在圖10中示意性地用透視圖示出了一種用于制造特別是根據(jù)圖2所示的半導(dǎo)體組件I的方法。根據(jù)圖10A，先提供第一沖壓載體33a。沖壓載體33a在上側(cè)36上具有反射涂層6，基礎(chǔ)材料例如是鋁。此外再提供第二沖壓載體33b，其中形成外部的引線框部件31的輪廓，請見圖10B。第二沖壓載體33b沒有反射涂層，基礎(chǔ)材料可以是銅。
[0058]在一個后面的方法步驟中，請見圖10c，沖壓載體33a，33b被合并成為引線框3，例如通過相互疊放或者相互壓緊。通過制造澆鑄體5使沖壓載體33a，33b以及引線框部件31，32相互連接，請見圖10D。
[0059]在圖11中描繪了用于制造半導(dǎo)體組件I的方法的另一種給實施方式。根據(jù)圖11A，在上面固定著半導(dǎo)體芯片2的引線框部件32由第一沖壓載體33制成，特別是由鋁合金制成，并且具有反射涂層6。用于半導(dǎo)體組件I的外部電接觸的引線框部件31與引線框部件32分開地由另一個、在圖IlB中未繪出的沖壓載體形成，例如由銅合金形成。正如在所有的其他實施例中那樣，引線框部件31也可以比引線框部件32更薄。
[0060]然后，相互分開預(yù)制的引線框部件31，32在模制澆鑄體5時被放入未示出的噴鑄模型或者壓鑄模型中，并且通過澆鑄體5機械地相互連接，請見圖IlC中的透視圖。在澆鑄上側(cè)50作為選擇可以形成凹部7a，使得引線框部件31露在外面。
[0061]在圖IlD中還示出了半導(dǎo)體組件I的從下側(cè)觀察的透視圖。作為選擇，引線框部件32具有凹部7b，它從下側(cè)35延伸到引線框部件31并且優(yōu)選地位于凹部7a的對面。由此能夠在模制澆鑄體5時更好地固定住引線框部件31，連同凹部7a —起固定在澆鑄上側(cè)50上。
[0062]在圖10和11中未特意地示出壓印引線框部件31，32，作為選擇的折彎以及半導(dǎo)體芯片2的安裝和連線的方法步驟，但是也可以進行這些步驟。在根據(jù)圖10或11所示的方法中，可以類似于根據(jù)圖9所示的方法完成對兩個沖壓載體33a，33b的加工。這些方法步驟優(yōu)選地以規(guī)定的順序進行，然而也可以以不同與此的順序進行。[0063]正如在圖9至11中所示的那樣，這些方法可以類似地用于制造按照圖5至8所示的半導(dǎo)體組件。特別是這些方法可以分別選擇包括涂上接觸涂層8和/或在有些部位去除反射涂層6以構(gòu)造接觸位置34的步驟。這些方法也還可以包括其他的用于注入未繪出的填充物以及測試半導(dǎo)體芯片2的步驟。
[0064]通過所示的方法能夠用少數(shù)幾個步驟制造出所描述的半導(dǎo)體組件。這些半導(dǎo)體組件的公開的特征也適用于所述方法，反之亦然。
[0065]在此描述的發(fā)明不受到對實施例的說明內(nèi)容的局限。而是本發(fā)明包括特別是權(quán)利要求中的特征的每種組合方式所包含的每個新的特征以及特征的每種組合方式，即使這些特征或者這些組合方式本身沒有明確地在權(quán)利要求或?qū)嵤├薪o出。
【權(quán)利要求】
1.一種光電半導(dǎo)體組件(1)，具有 -至少一個光電半導(dǎo)體芯片(2)， -帶有一個或者帶有多個引線框部件(31，32)的引線框(3)， -至少兩個電的連接件(4 )，所述半導(dǎo)體芯片(2 )通過所述連接件與所述弓丨線框(3 )電接觸，以及 -澆鑄體(5 )，所述澆鑄體安裝在所述引線框(3 )上并且機械地支承所述引線框， 其中 -所述引線框部件(32 )中的一個或者至少一個在上側(cè)(36 )上設(shè)有反射涂層(6 )， -所述半導(dǎo)體芯片(2)安裝在所述上側(cè)(36)上的所述反射涂層(6)上， -所述引線框(3)具有至少兩個接觸位置(34)，所述連接件(4)直接安裝在所述接觸位置上，并且 -所述接觸位置(34)由不同于所述反射涂層(6)的材料構(gòu)成。
2.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的光電半導(dǎo)體組件(1)，所述光電半導(dǎo)體組件的至少三個引線框部件(31，32)由同一個沖壓載體(33)制成，并且其中所述反射涂層(6)連續(xù)地涂覆在所述上側(cè)(36)上，其中所述引線框部件(31，32)的與所述上側(cè)(36)相對置的下側(cè)(35)沒有所述反射涂層(6)。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的光電半導(dǎo)體組件(1)，其中，所述引線框部件(31)的其中兩個具有180°的彎折部，從而使得這些引線框部件(31)的所述下側(cè)(35)的一部分指向與第三引線框部件(32)的所述上側(cè)(35)`—樣的方向，所述半導(dǎo)體芯片(2)安裝在所述第三引線框部件的所述上側(cè)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電半導(dǎo)體組件(1)，所述光電半導(dǎo)體組件的至少兩個引線框部件(31，32)由相互不同的沖壓載體(33，33a，33b)制成，其中，只有所述引線框部件(32)的在上面安裝有所述半導(dǎo)體芯片(2)的所述上側(cè)(36)設(shè)有所述反射涂層(6)。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光電半導(dǎo)體組件(1)，其中，在至少其中一個所述接觸位置(34)上，至少其中一個所述引線框部件(31，32)的所述上側(cè)(36)去除了所述反射涂層(6 )，其中，所述反射涂層(6 )覆蓋這個上側(cè)(36 )的至少90%。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光電半導(dǎo)體組件(1)，其中，在至少其中一個所述接觸位置(34)在至少其中一個所述引線框部件(31，32)的所述上側(cè)(36)上的情況下，在所述反射涂層(6)上涂覆有接觸涂層(8)，其中，至少其中一個所述連接件(4)安裝在所述接觸涂層(8)上。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光電半導(dǎo)體組件(1)，其中，帶有所述半導(dǎo)體芯片(2)的、所述引線框部件(32)的所述上側(cè)(36)在未被所述澆鑄體(5)遮蓋的區(qū)域內(nèi)構(gòu)造成平坦的，沿著所述半導(dǎo)體芯片(2)的主輻射方向(z)來看，其他的所述引線框部件(31)的所述接觸位置(34)處于更高的位置。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光電半導(dǎo)體組件(1)，其中，在帶有所述半導(dǎo)體芯片(2 )的、所述引線框部件(32 )的所述上側(cè)(36 )上安裝有至少一個接觸基座(9 )，其中，在背向所述引線框部件(32 )的基座上側(cè)(90 )上安裝有至少其中兩個所述連接件(4 )。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光電半導(dǎo)體組件(1)，其中，所述連接件(4)中的第一個從所述接觸位置(34 )引導(dǎo)至所述基座上側(cè)(90 )，并且所述連接件(4 )中的第二個從所述基座上側(cè)(90)引導(dǎo)至所述半導(dǎo)體芯片(2)，其中，所述第一個和所述第二個連接件(4)形成彼此不同的形狀和/或具有不同的材料。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光電半導(dǎo)體組件(1)，其中，不存在從所述半導(dǎo)體芯片(2)的背向所述上側(cè)(36)的主輻射側(cè)(20)到所述接觸位置(34)的直的、不中斷的連接線，從而使得所述接觸位置(34)屏蔽所述半導(dǎo)體芯片(2)的直接的輻射。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光電半導(dǎo)體組件(1)，其中，通過所述澆鑄體(5)實現(xiàn)所述接觸位置(34)的所述屏蔽，其中，所述澆鑄體(5)由不透光的材料構(gòu)成。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光電半導(dǎo)體組件(1)，其中，至少其中一個所述引線框部件(31，32 )具有作為基礎(chǔ)材料的鋁合金，并且所述反射涂層(6 )包括銀和/或氧化硅和/或氧化鈦，或者由它們構(gòu)成，其中，所述接觸位置(34)包括鋁、銀、鎳、NiP、鈀和/或金，或者以它們?yōu)榛A(chǔ)或者由它們構(gòu)成。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光電半導(dǎo)體組件(I)，其中，安裝有所述半導(dǎo)體芯片(2 )的所述引線框部件(32 )的厚度連同所述反射涂層(6 ) —起處在0.3_和2.0之間且包括0.3mm和2.0mm，其中，這個引線框部件(32)的平均直徑處在8mm和30mm之間且包括 8_ 和 30mm。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光電半導(dǎo)體組件(1)，其中，所述引線框部件(31)或者設(shè)置用于所述半導(dǎo)體組件(I)的外部的電接觸的所述引線框部件(31)的厚度處在80 μ m和200μπι之間且包括80μπι和200 μ m，其中該至少一個引線框部件(31)由銅合金制成。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的光電半導(dǎo)體組件(1)，其中，從俯視的角度看，所述澆鑄體(5)從周圍完全地包圍住所述半導(dǎo)體芯片(2)，并且由所述澆鑄體(5)包圍的區(qū)域完全地被所述引線框部件(32 )填充，在所述引線框部件上安裝有所述半導(dǎo)體芯片(2 )。
【文檔編號】H01L33/60GK103843164SQ201280047960
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2012年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月29日
【發(fā)明者】安德烈亞斯·多布納, 約爾格·索爾格, 拉爾夫·維爾特 申請人:歐司朗有限公司