用于鋁電解電容器的電極材料及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種不需要蝕刻處理，并且靜電電容的體積效率和彎曲強度改善的用于鋁電解電容器的電極材料及其制備方法。本發(fā)明提供一種用于鋁電解電容器的電極材料，具體來說，其特征在于，作為結(jié)構(gòu)成分包括鋁和鋁合金中至少一種粉末的燒結(jié)體以及支承所述燒結(jié)體的鋁箔基材，（1）所述粉末的平均粒徑D50為0.5～100μm，（2）所述燒結(jié)體形成在所述鋁箔基材的一面或兩面上，所述燒結(jié)體的總厚度為10～1000μm，（3）所述燒結(jié)體的孔隙率為35～49體積%，（4）所述燒結(jié)體通過在將含有所述鋁和鋁合金中至少一種粉末的組合物構(gòu)成的被膜進行軋制處理后燒結(jié)得到。
【專利說明】用于鋁電解電容器的電極材料及其制備方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及鋁電解電容器所使用的電極材料，尤其涉及鋁電解電容器所使用的陽極用電極材料及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，將鋁箔用于鋁電解電容器的電極材料。鋁箔通過實施蝕刻處理形成蝕坑，可增大表面積。并且，通過在表面上實施陽極氧化處理來形成氧化膜，其起電介質(zhì)作用。因此，通過對鋁箔進行蝕刻處理，并通過根據(jù)使用電壓的各種電壓在其表面上形成氧化膜，以此可以制備滿足用途的各種用于電解電容器的鋁陽極用電極材料(箔)。
[0003]但是，在蝕刻處理中，必須使用在鹽酸中含有硫酸、磷酸、硝酸等的鹽酸水溶液。即，鹽酸對環(huán)境方面負荷大，該處理也會在工序上或經(jīng)濟上的造成負擔。此外，在蝕刻處理中，蝕坑的產(chǎn)生有時不均勻，會產(chǎn)生容易發(fā)生坑合并的區(qū)域或難以發(fā)生坑生成的區(qū)域，關(guān)于所謂的坑限制，存在技術(shù)問題。此外，如果產(chǎn)生大量的細微坑，則也存在電極材料的強度變?nèi)醯膯栴}。
[0004]因此，近年來，不依靠蝕刻處理而增大鋁箔表面積的方法的開發(fā)受到期待。例如，在專利文獻I中已提出一種方法，該方法通過蒸鍍法使鋁的細粉附著在鋁箔表面上并燒結(jié)，以此使表面積擴大。此外，在專利文獻2中已提出一種方法，該方法在維持空隙的同時層疊鋁顆粒并燒結(jié)，以此使表面積擴大，根據(jù)該方法，也可以確認能得到大于等于通過蝕刻處理所得到的坑面積的表面積。
[0005]但是，由于通過專利文獻I所記載的蒸鍍法，難以附著厚的鋁細粉，因此在提高靜電電容方面存在極限。此外，由于使鋁細粉保持合適的空間并蒸鍍也困難，因此不適于用于對中、高電壓的電容器的電極材料的制備。
[0006]并且，在專利文獻2所記載的使用燒結(jié)體的方式中，為提高靜電電容必須加厚燒結(jié)體，但如果加厚燒結(jié)體，會存在彎曲強度降低的問題。如果彎曲強度降低，則在卷繞電極材料形成電容器元件時，存在電極材料破損的危險性，尤其在彎曲次數(shù)(=耐斷裂的彎曲次數(shù))是O次的情況下，通過實機陽極氧化生產(chǎn)線也困難，批量生產(chǎn)率降低。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0008]專利文獻
[0009]專利文獻1:日本特開平2-267916號公報
[0010]專利文獻2:日本特開2008-98279號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011](一)要解決的技術(shù)問題
[0012]本發(fā)明是鑒于上述技術(shù)問題而完成的，其目的在于提供一種不需要蝕刻處理，并且靜電電容的體積效率和彎曲強度改善的用于鋁電解電容器的電極材料及其制備方法。
[0013](二)技術(shù)方案[0014]本發(fā)明人為實現(xiàn)上述目的進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在將鋁和鋁合金中至少一種粉末的燒結(jié)體經(jīng)過特定的制備工序形成在鋁箔基材上的情況下，能實現(xiàn)上述目的，從而完成了本發(fā)明。
[0015]本發(fā)明涉及下面的用于鋁電解電容器的電極材料及其制備方法。
[0016]1.一種用于鋁電解電容器的電極材料，其特征在于，作為結(jié)構(gòu)成分包括鋁和鋁合金中至少一種粉末的燒結(jié)體以及支承所述燒結(jié)體的鋁箔基材，
[0017](I)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5?100 μ m,
[0018](2)所述燒結(jié)體形成在所述鋁箔基材的一面或兩面上，所述燒結(jié)體的總厚度為10 ?1000 μ m，
[0019](3)所述燒結(jié)體的孔隙率為35?49體積％，
[0020](4)所述燒結(jié)體通過在將含有所述鋁和鋁合金中至少一種粉末的組合物構(gòu)成的被膜進行軋制處理后燒結(jié)得到。
[0021]2.一種用于鋁電解電容器的電極材料的制備方法，其特征在于，包括第一工序、第二工序和第三工序，并且，不包括蝕刻工序，
[0022]所述第一工序?qū)⒑袖X和鋁合金中至少一種粉末的組合物構(gòu)成的被膜層疊至鋁箔基材的一面或兩面上，
[0023](I)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5?100 μ m,
[0024](2)所述被膜形成在所述鋁箔基材的一面或兩面上，所述被膜的總厚度為大于
10μ m小于等于1150 μ m ；
[0025]所述第二工序在所述第一工序之后軋制所述被膜，在將軋制后的被膜燒結(jié)的情況下，軋制使得燒結(jié)體的孔隙率達到35?49體積％ ；
[0026]所述第三工序在所述第二工序之后，在560?660°C的溫度下將所述軋制后的被
膜燒結(jié)。
[0027]3.根據(jù)技術(shù)方案2所述的制備方法，所述第二工序在壓下率大于0%小于等于15%的范圍內(nèi)軋制所述被膜。
[0028](三)有益效果
[0029]根據(jù)本發(fā)明，提供一種用于鋁電解電容器的電極材料，作為結(jié)構(gòu)成分包括鋁和鋁合金中至少一種粉末的燒結(jié)體以及支承所述燒結(jié)體的鋁箔基材。該電極材料尤其是由于燒結(jié)體經(jīng)過特定的制備工序形成在鋁箔基材上，因此靜電電容的體積效率和彎曲強度與現(xiàn)有產(chǎn)品相比得到了改善。一直以來，為了提高靜電電容，認為必須加厚燒結(jié)體或加大燒結(jié)體的孔隙率，但根據(jù)本發(fā)明，盡管與現(xiàn)有產(chǎn)品相比，燒結(jié)體薄且燒結(jié)體的孔隙率小，但能確保與現(xiàn)有產(chǎn)品相同程度的靜電電容，同時彎曲強度改善。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1為表示實施例的彎曲試驗中彎曲次數(shù)的計數(shù)方法的圖。
【具體實施方式】
[0031]1.用于鋁電解電容器的電極材料
[0032]本發(fā)明的用于鋁電解電容器的電極材料，其特征在于，[0033]作為結(jié)構(gòu)成分包括鋁和鋁合金中至少一種粉末的燒結(jié)體以及支承所述燒結(jié)體的招猜基材，
[0034](I)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5?100 μ m，
[0035](2)所述燒結(jié)體形成在所述鋁箔基材的一面或兩面上，所述燒結(jié)體的總厚度為10 ?1000 μ m,
[0036](3)所述燒結(jié)體的孔隙率為35?49體積％，
[0037](4)所述燒結(jié)體通過在將含有所述鋁和鋁合金中至少一種粉末的組合物構(gòu)成的被膜進行軋制處理后燒結(jié)得到。
[0038]具有上述特征的本發(fā)明的電極材料，尤其是由于燒結(jié)體經(jīng)過特定的工序(尤其是軋制處理)形成在鋁箔基材上，因此靜電電容的體積效率和彎曲強度與現(xiàn)有產(chǎn)品相比得到了改善。
[0039]下面，對電極材料的各結(jié)構(gòu)進行說明。
[0040]作為原料的鋁粉，例如，優(yōu)選為鋁純度為99.8重量％以上的鋁粉。此外，作為原料的鋁合金粉，例如，優(yōu)選為含有硅(Si)、鐵(Fe)、銅(Cu)、錳(Mn)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鋅(Zn)、鈦(Ti)、釩(V)、鎵(Ga)、鎳(Ni)、硼(B)和鋯(Zr)等元素中的一種或兩種以上的合金。鋁合金中這些元素的含量優(yōu)選為，分別是100重量ppm以下，尤其是50重量ppm以下。
[0041]作為所述粉末，使用燒結(jié)前的平均粒徑D5tl為0.5?100 μ m的粉末。尤其是在所述粉末的平均粒徑D5tl為I?15 μ m的情況下，可以適合用作中高容量的鋁電解電容器的電極材料。
[0042]另外，本說明書中的平均粒徑D5tl是在通過激光衍射法求出粒徑和符合該粒徑的顆粒的數(shù)量所得到的粒度分布曲線中，相當于總顆粒數(shù)50%的顆粒的粒徑。此外，燒結(jié)后的所述粉末的平均粒徑D5tl通過掃描式電子顯微鏡觀察所述燒結(jié)體的截面而測定。例如，燒結(jié)后的所述粉末成為部分熔融或粉末之間連接的狀態(tài)，但可以將具有略圓形的部分近似地看做顆粒。即，在求出這些粒徑和符合該粒徑的顆粒的數(shù)量所得到的粒度分布曲線中，將相當于總顆粒數(shù)50%的顆粒的粒徑作為燒結(jié)后粉末的平均粒徑D5(i。另外，通過上述求出的燒結(jié)前的平均粒徑D5tl與燒結(jié)后的平均粒徑D5tl幾乎相同。此外，在燒結(jié)前進行的被膜的軋制處理的前后的平均粒徑D5tl實際上也相同。
[0043]所述粉末的形狀沒有特別的限定，可以適當?shù)厥褂们驙?、不定形狀、鱗片狀、纖維狀等任意。尤其優(yōu)選為球狀顆粒構(gòu)成的粉末。
[0044]所述粉末可以使用通過公知的方法制備的粉末。例如，可以列舉霧化法、熔體快淬法、旋轉(zhuǎn)圓盤法、旋轉(zhuǎn)電極法、急冷凝固法等，但在工業(yè)生產(chǎn)上優(yōu)選霧化法，尤其是氣體霧化法。即，希望使用通過霧化熔融金屬而得到的粉末。
[0045]鋁電解電容器的彎曲強度優(yōu)選為至少10次以上。彎曲強度低于10次的情況下，在制備鋁電解電容器時，燒結(jié)體上存在發(fā)生破損的危險。更適合地，彎曲次數(shù)優(yōu)選為20次以上。
[0046]燒結(jié)體優(yōu)選在維持所述粉末相互之間空隙的同時燒結(jié)。具體來說，優(yōu)選為通過在維持各粉末之間空隙的同時燒結(jié)連接，具有三維網(wǎng)眼結(jié)構(gòu)。通過這樣做成多孔燒結(jié)體，即使不實施蝕刻處理，也能得到所希望的靜電電容。
[0047]本發(fā)明中的燒結(jié)體通過在將含有鋁和鋁合金中至少一種粉末的組合物構(gòu)成的被膜進行軋制處理后燒結(jié)得到，燒結(jié)體的孔隙率為35?49體積％。通過在將被膜進行軋制處理后燒結(jié)，燒結(jié)體的孔隙率即使為35?49體積％也可以確保良好的靜電電容。換言之，如果在將被膜不進行軋制處理進行燒結(jié)，使孔隙率達到35?49體積％的情況下，不能確保與本發(fā)明相同程度的良好的靜電電容。因此，本發(fā)明的電極材料的靜電電容的體積效率高于現(xiàn)有產(chǎn)品。此外，與不進行軋制處理進行燒結(jié)，而使孔隙率達到35?49體積％的情況相t匕，通過在將被膜進行軋制處理后燒結(jié)，也能改善彎曲強度。
[0048]燒結(jié)體的孔隙率為35?49體積％即可，尤其優(yōu)選為40?48體積％。本說明書中的孔隙率是由厚度和重量算出的值?？紫堵首罱K由燒結(jié)前的被膜的軋制處理的條件來決定，但作為其前階段，例如，可以通過起始材料的鋁或鋁合金粉末的粒徑、含有該粉末的糊劑組合物的組成(樹脂粘結(jié)劑)等進行控制。在本發(fā)明中，通過組合該前階段中的控制與軋制處理，將最終得到的燒結(jié)體的孔隙率設定為35?49體積％。
[0049]燒結(jié)體形成在鋁箔基材的一面或兩面上。在形成在兩面上的情況下，優(yōu)選為夾著基材將燒結(jié)體對稱地配置。燒結(jié)體的總厚度為10?1000 μ m,優(yōu)選為30?600 μ m。這些數(shù)值在形成在基材的一面或兩面上的任意一種情況下均適用，但在形成在兩面上的情況下，單面的燒結(jié)體的厚度優(yōu)選為整體厚度(也包括鋁箔基材厚度)的1/3以上。
[0050]另外，上述燒結(jié)體的平均厚度是由千分尺測定7個點，并將最大值和最小值去掉后的5個點的平均值。
[0051]在本發(fā)明中，作為支承所述燒結(jié)體的基材，使用鋁箔基材。而且，在形成所述燒結(jié)體之前，也可以預先將鋁箔基材的表面進行表面粗化。作為表面粗化方法，沒有特別限定，可以使用洗凈、蝕刻、噴砂等公知的技術(shù)。
[0052]作為基材的鋁箔沒有特別限定，可以使用純鋁或鋁合金。本發(fā)明所使用的鋁箔，作為其組成，包括在必要范圍內(nèi)添加了硅(Si)、鐵(Fe)、銅(Cu)、錳(Mn)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鋅(Zn)、鈦(Ti)、釩(V)、鎵(Ga)、鎳(Ni)和硼(B)中至少一種合金元素的鋁合金，或限定了上述不可避免的雜質(zhì)元素含量的鋁。
[0053]鋁箔的厚度沒有特別限定，但優(yōu)選在5 μ m以上100 μ m以下，尤其是在10 μ m以上50 μ m以下的范圍內(nèi)。
[0054]上述的鋁箔可以使用通過公知的方法制備的鋁箔。例如，配制具有上述規(guī)定組成的鋁或鋁合金的熔融金屬，將鑄造其得到的鑄錠進行適當?shù)鼐|(zhì)化處理。然后，通過對該鑄錠實施熱軋和冷軋，可以得到鋁箔。
[0055]另外，在上述的冷軋工序的途中，也可以在50?500°C、尤其是150?400°C的范圍內(nèi)實施中間退火處理。此外，也可以在上述的冷軋工序之后，在150?650°C、尤其是350?550°C的范圍內(nèi)實施退火處理而作為軟箔。
[0056]本發(fā)明的電極材料可以用于低壓用、中壓用或高壓用的任意的鋁電解電容器。尤其適合作為中壓或高壓用(中高壓用)鋁電解電容器。
[0057]本發(fā)明的電極材料在用作用于鋁電解電容器的電極時，能不進行蝕刻處理而使用該電極材料。即，本發(fā)明的電極材料能不進行蝕刻處理，直接或通過陽極氧化處理用作電極(電極箔)。
[0058]使隔離件介于使用了本發(fā)明的電極材料的陽極箔和陰極箔之間地層疊、卷繞，形成電容器元件，使該電容器元件在電解液中浸潰，將含有電解液的電容器元件配置在外殼內(nèi)，用封口體對盒進行封口，以此得到電解電容器。
[0059]2.用于鋁電解電容器的電極材料的制備方法
[0060]本發(fā)明的用于鋁電解電容器的電極材料的制備方法不是限定性地，可以采用包括第一工序、第二工序和第三工序，并且，不包括蝕刻工序的制備方法，
[0061]所述第一工序?qū)⒑袖X和鋁合金中至少一種粉末的組合物構(gòu)成的被膜層疊至鋁箔基材的一面或兩面上，
[0062](I)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5?100 μ m,
[0063](2)所述被膜形成在所述鋁箔基材的一面或兩面上，所述被膜的總厚度為大于10 μ m小于等于1150 μ m ；
[0064]所述第二工序在所述第一工序之后軋制所述被膜，在將軋制后的被膜燒結(jié)的情況下，軋制使得燒結(jié)體的孔隙率達到35?49體積％ ；
[0065]所述第三工序在所述第二工序之后，在560?660°C的溫度下將所述軋制后的被
膜燒結(jié)。
[0066]下面，舉例說明上述制備方法。
[0067](第一工序)
[0068]在第一工序中，將含有鋁和鋁合金中至少一種粉末的組合物構(gòu)成的被膜層疊至鋁箔基材的一面或兩面上。這里，
[0069](I)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5?100 μ m,
[0070](2)所述被膜形成在所述鋁箔基材的一面或兩面上，所述被膜的總厚度為大于10 μ m小于等于1150 μ m。
[0071]作為鋁和鋁合金的組成(成分)，可以使用上述列舉的組成。作為所述粉末，例如，優(yōu)選使用鋁純度為99.8重量％以上的純鋁粉。此外，作為鋁箔基材，也可以使用上述列舉的招猜基材。
[0072]所述組合物，根據(jù)需要也可以含有樹脂粘結(jié)劑、溶劑、燒結(jié)助劑、表面活性劑等。這些均可以使用公知或市售的產(chǎn)品。在本發(fā)明中，尤其優(yōu)選含有樹脂粘結(jié)劑和溶劑中的至少一種作為糊劑組合物使用。由此，能高效地形成被膜。
[0073]樹脂粘結(jié)劑不是限定性地，例如，可以適宜地使用羧基改性聚烯烴樹脂、醋酸乙烯酯樹脂、氯乙烯樹脂、氯乙烯醋酸乙烯酯共聚物樹脂、乙烯醇樹脂、丁縮醛樹脂、氟乙烯樹月旨、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂、尿素樹脂、酚醛樹脂、丙烯腈樹脂、纖維素樹脂、石蠟、聚乙烯蠟等合成樹脂或蠟、焦油、動物膠、天然漆、松脂、蜂蠟等天然樹脂或蠟。這些粘結(jié)劑根據(jù)分子量、樹脂的種類等，存在加熱時揮發(fā)的粘結(jié)劑和通過熱解其殘渣與鋁粉一起殘留的粘結(jié)劑，可以根據(jù)所希望的靜電特性等分開使用。
[0074]此外，溶劑也可以使用公知的溶劑。例如，除了水以外，可以使用乙醇、甲苯、酮類、酯類等有機溶劑。
[0075]被膜的形成除了可以使用例如滾子、刷子、噴霧器、浸潰等涂敷方法將糊劑組合物形成被膜以外，還可以通過絲網(wǎng)印刷等公知的印刷方法形成。
[0076]被膜形成在鋁箔基材的一面或兩面上。在形成在兩面上的情況下，優(yōu)選為夾著基材將被膜對稱地配置。被膜的總厚度為大于10 μ m小于等于1150 μ m,優(yōu)選為20?570 μ m。將該被膜的總厚度設定為使經(jīng)過軋制、燒結(jié)而最終得到的燒結(jié)體的總厚度達到10?ΙΟΟΟμπι即可。這些數(shù)值在形成在基材的一面或兩面上的任意情況下均適用，但在形成在兩面上的情況下，單面的被膜的厚度優(yōu)選為整體厚度(也包括鋁箔基材厚度)的1/3以上。
[0077]這里，上述被膜的平均厚度是由千分尺測定7個點，并將最大值和最小值去掉后的5個點的平均值。
[0078]根據(jù)需要，也可以在20?300°C的范圍內(nèi)的溫度下使被膜干燥。
[0079](第二工序)
[0080]在第二工序中軋制上述被膜。具體來說，在將軋制后的被膜燒結(jié)的情況下，軋制使得燒結(jié)體的孔隙率達到35?49體積％ (優(yōu)選為35?44體積％)。壓下率不是限定性地，但優(yōu)選在大于0%小于等于15% (優(yōu)選為4?15%)的范圍內(nèi)軋制。
[0081]軋制處理的方法不是限定性地，例如，可以通過使用軋輥的壓力機或公知的壓力機械等進行軋制。
[0082](第三工序)
[0083]在第三工序中，在560?660°C的溫度下將所述軋制后的被膜燒結(jié)。燒結(jié)溫度設為560?660°C，優(yōu)選為570?650°C，更優(yōu)選為580?620。燒結(jié)時間根據(jù)燒結(jié)溫度等而不同，但通常可以在5?24小時左右的范圍內(nèi)適當決定。燒結(jié)氛圍沒有特別限制，例如真空氛圍、不活潑氣體氛圍、氧化性氣體氛圍(大氣)、還原性氛圍等任意均可，但尤其優(yōu)選為真空氛圍或還原性氛圍。此外，關(guān)于壓力條件，為常壓、減壓或加壓的任意均可。
[0084]另外，優(yōu)選在第二工序之后、第三工序之前，預先在200?450°C的溫度范圍下進行保持時間為5小時以上的加熱處理(脫脂處理)。通過這樣的脫脂處理能充分地去除在軋制時附著的油分。加熱處理氛圍沒有特別限定，例如真空氛圍、不活潑氣體氛圍或氧化性氣體氛圍中的任意均可。此外，壓力條件為常壓、減壓或加壓的任意均可。
[0085](第四工序)
[0086]在所述第三工序中得到本發(fā)明的電極材料。其能不實施蝕刻處理，直接用作用于鋁電解電容器的電極(電極箔)。另一方面，根據(jù)需要，所述電極材料可以通過作為第四工序的實施陽極氧化處理，形成電介質(zhì)，其能作為電極。陽極氧化處理條件沒有特別限定，但通常在濃度0.01摩爾以上5摩爾以下、溫度30°C以上100°C以下的硼酸溶液中，外加5分鐘以上的10mA/cm2以上400mA/cm2左右的電流即可。
[0087]實施例
[0088]下面，例舉實施例和比較例具體地說明本發(fā)明。
[0089]電極材料的彎曲強度依據(jù)日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的MIT型自動彎曲試驗法(EIAJ RC-2364A)進行。MIT型自動彎曲試驗裝置使用JIS P8115規(guī)定的裝置，彎曲次數(shù)為各電極材料發(fā)生斷裂的彎曲次數(shù)，如圖1所示，計數(shù)為彎曲90°為I次，返回原狀為2次，向相反方向彎曲90°為3次，返回原狀為4次...。彎曲強度的測定結(jié)果示于下述表I。
[0090]此外，電極材料的靜電電容在硼酸水溶液(50g/L)中對電極材料實施250V的陽極氧化處理后，在硼酸銨水溶液(3g/L)中測定。使測定投影面積為10cm2。
[0091]現(xiàn)有例1、實施例1?4和比較例I?2
[0092]將60重量份的平均粒徑D5tl為3μπι的鋁粉(JIS Α1080，東洋鋁(株)制，產(chǎn)品編號AHUZ58FN)與40重量份的纖維素類粘結(jié)劑(7重量％為樹脂成分)混合，得到固體成分為60重量％的涂敷液。
[0093]使用逗號涂敷機將上述涂敷液涂敷至厚度為40 μ m的鋁箔(500mmX 500mm)的兩面上，使總厚度達到94 μ m，并干燥。
[0094]然后，將被膜進行軋制處理，使其達到表1所示的各厚度(層疊厚度=被膜厚度=燒結(jié)體厚度)之后，在400°C下脫脂，在氬氣氛圍中在溫度620°C下進行8小時的燒結(jié)，以此制備電極材料。
[0095]針對各層疊厚度的彎曲次數(shù)示于表1。
[0096]表1
[0097]
【權(quán)利要求】
1.一種用于鋁電解電容器的電極材料，其特征在于，作為結(jié)構(gòu)成分包括鋁和鋁合金中至少一種粉末的燒結(jié)體以及支承所述燒結(jié)體的鋁箔基材， (1)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5?100 μ m， (2)所述燒結(jié)體形成在所述鋁箔基材的一面或兩面上，所述燒結(jié)體的總厚度為10?1000 μ m, (3)所述燒結(jié)體的孔隙率為35?49體積％， (4)所述燒結(jié)體通過在將含有所述鋁和鋁合金中至少一種粉末的組合物構(gòu)成的被膜進行軋制處理后燒結(jié)得到。
2.—種用于招電解電容器的電極材料的制備方法，其特征在于，包括第一工序、第二工序和第三工序，并且，不包括蝕刻工序， 所述第一工序?qū)⒑袖X和鋁合金中至少一種粉末的組合物構(gòu)成的被膜層疊至鋁箔基材的一面或兩面上， (1)所述粉末的平均粒徑D5tl為0.5?100 μ m， (2)所述被膜形成在所述鋁箔基材的一面或兩面上，所述被膜的總厚度為大于10μ m小于等于1150ym ； 所述第二工序在所述第一工序之后軋制所述被膜，在將軋制后的被膜燒結(jié)的情況下，軋制使得燒結(jié)體的孔隙率達到35?49體積％ ； 所述第三工序在所述第二工序之后，在560?660°C的溫度下將所述軋制后的被膜燒結(jié)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第二工序在壓下率大于0%小于等于15%的范圍內(nèi)軋制所述被膜。
【文檔編號】H01G9/00GK103688327SQ201280034873
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月15日
【發(fā)明者】平敏文, 村松賢治, 目秦將志 申請人:東洋鋁株式會社