技術(shù)特征：
1.一種形成具有自行對準(zhǔn)柵極的晶體管的方法，所述方法包括：在基板上形成過渡層；在所述過渡層上形成氮化鎵緩沖層；在所述氮化鎵緩沖層上形成阻擋層；在所述阻擋層上形成柵極層，其中所述柵極層未摻雜；在所述柵極層上形成電介質(zhì)層；形成穿過所述電介質(zhì)層至所述柵極層的開口，以暴露所述柵極層的一部分；穿過所述電介質(zhì)層中的所述開口執(zhí)行包含p型雜質(zhì)的離子植入制程，以形成所述柵極層的離子植入?yún)^(qū)域，其中所述離子植入?yún)^(qū)域界定了柵極區(qū)域以及用于減少電流泄漏的所述柵極區(qū)域外部的非離子植入?yún)^(qū)域；利用穿過所述電介質(zhì)層的所述開口在所述柵極區(qū)域上進(jìn)行柵極金屬材料的無掩模自行對準(zhǔn)沉積，以界定與所述柵極區(qū)域自行對準(zhǔn)的柵極金屬；以及形成歐姆漏極及源極電接觸區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在所述離子植入制程之后，進(jìn)一步包括活化制程。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述活化制程包括快速熱退火制程。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述離子植入制程選自于鎂(Mg)、鐵(Fe)、釩(V)、鉻(Cr)及碳(C)植入。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述柵極金屬包括氮化鈦(TiN)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、鈀(Pd)、鎢(W)、硅化鎢(WSi2)、鎳(Ni)、及金(Au)其中之一。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述阻擋材料包括氮化鎵鋁(AlGaN)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述柵極區(qū)域的側(cè)面具有相對于所述柵極層約為90度的角度。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述柵極區(qū)域的所述側(cè)面不與所述柵極材料垂直。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中絕緣材料形成在所述柵極金屬的側(cè) 面上，以形成間隔件進(jìn)一步減小泄漏電流。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述柵極金屬為氮化鈦(TiN)。