技術(shù)特征：
1.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其為依序至少具有陽極、空穴注入傳輸層A、發(fā)光層和陰極的有機(jī)電致發(fā)光元件，該有機(jī)電致發(fā)光元件的特征在于，該空穴注入傳輸層A由2層以上的層構(gòu)成，該2層以上的層是通過使用了含有空穴注入傳輸性化合物的組合物的濕式成膜法形成的；并且該空穴注入傳輸層A滿足下述(a)～(c)的全部條件：(a)該空穴注入傳輸層A的形成中所用的組合物中所含有的空穴注入傳輸性化合物總共為3種以上，其中，在該空穴注入傳輸性化合物為高分子化合物的情況下，下述的2種以上的化合物被視作同種化合物，該2種以上的化合物僅共聚比不同；(b)在該空穴注入傳輸層A所包含的至少2層的形成中所用的組合物中，作為各自空穴注入傳輸性化合物，含有一種以上在重復(fù)單元中具有叔芳氨基結(jié)構(gòu)、種類相互不同的芳胺高分子化合物；(c)在將該一種以上的芳胺高分子化合物中存在的叔芳氨基結(jié)構(gòu)中的不具有芳香性的任意2個(gè)叔氮原子連結(jié)而成的路徑之中，將位于路徑上的原子的數(shù)目最少的路徑中的該原子的數(shù)目設(shè)為該化合物的“N：氮間最小原子數(shù)”；在使用含有該芳胺高分子化合物的組合物所形成的2層以上的層之中，設(shè)最靠近陰極側(cè)的層為Lc、設(shè)最靠近陽極側(cè)的層為La，將Lc層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最大值設(shè)為Ncmax、將La層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最小值設(shè)為Namin時(shí)，Ncmax≧Namin；其中：在使用含有所述芳胺高分子化合物的組合物并通過濕式成膜法而形成的2層以上的層之中，對于任意相鄰的2層，在陽極側(cè)的層的形成中所用的組合物中含有一種以上的所述芳胺高分子化合物，在與其陰極側(cè)相鄰的層的形成中所用的組合物中含有兩種以上的所述芳胺高分子化合物；或者，在使用含有所述芳胺高分子化合物的組合物并通過濕式成膜法而形成的2層以上的層之中，對于任意相鄰的2層，在陰極側(cè)的層的形成中所用的組合物中含有一種以上的所述芳胺高分子化合物，在與其陽極側(cè)相鄰的層的形成中所用的組合物中含有兩種以上的所述芳胺高分子化合物。2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述Ncmax與所述Namin為Ncmax>Namin。3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，在通過使用了含有所述芳胺高分子化合物的組合物的濕式成膜法來形成的任意2層以上的層之中，設(shè)更靠近陰極側(cè)的層為Lc’、設(shè)更靠近陽極側(cè)的層為La’，將Lc’層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最小值設(shè)為Nc’min、將La’層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最大值設(shè)為Na’max時(shí)，Nc’min≧Na’max。4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述Nc’min與所述Na’max為Nc’min>Na’max。5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述Namin為2以上10以下。6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述Ncmax為9以上。7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述空穴注入傳輸層A由3層以上的層構(gòu)成。8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述空穴注入傳輸層A所具有的全部層的形成中所用的組合物含有所述芳胺高分子化合物。9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述空穴注入傳輸層A所具有的各層的形成中所用的組合物所含有的芳胺高分子化合物全部為不同種類的芳胺高分子化合物。10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述芳胺高分子化合物所具有的不具有芳香性的叔氮原子均包含在該芳胺高分子化合物的主鏈中。11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述芳胺高分子化合物的至少一種具有交聯(lián)性基團(tuán)。12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，在所述空穴注入傳輸層A所具有的層之中，La層的形成中所用的組合物含有0.1重量％以上且小于50重量％的電子接受性化合物。13.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述電子接受性化合物在La層中與所述空穴注入傳輸性化合物形成了離子對。14.一種有機(jī)電致發(fā)光元件用組合物，其為用于通過濕式成膜法來形成有機(jī)電致發(fā)光元件的陽極與發(fā)光層之間的層的有機(jī)電致發(fā)光元件用組合物，其特征在于，該組合物滿足下述(d)和(e)的條件，(d)含有3種以上在重復(fù)單元中具有叔芳氨基結(jié)構(gòu)的芳胺高分子化合物，其中，在該芳胺高分子化合物中，下述的2種以上的化合物被視作同種化合物，該2種以上的化合物僅共聚比不同；(e)在將該各芳胺高分子化合物中存在的叔芳氨基結(jié)構(gòu)中的不具有芳香性的任意2個(gè)叔氮原子連結(jié)而成的路徑之中，將位于路徑上的原子的數(shù)目最少的路徑中的該原子的數(shù)目設(shè)為該化合物的“N：氮間最小原子數(shù)”時(shí)，該3種以上的芳胺高分子化合物之中，兩種以上的芳胺高分子化合物的N相互不同。15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件用組合物，其特征在于，該組合物含有3種以上N相互不同的所述芳胺高分子化合物。16.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件用組合物，其特征在于，將該組合物所含有的芳胺高分子化合物中的N的最小值設(shè)為Nmin、最大值設(shè)為Nmax時(shí)，Nmax大于2.0倍的Nmin，即Nmax>2.0Nmin。17.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件用組合物，其特征在于，將該組合物所含有的芳胺高分子化合物中的N的最小值設(shè)為Nmin、最大值設(shè)為Nmax時(shí)，該組合物含有N為(Nmax-4)以下且為(Nmin+4)以上、即Nmax-4≧N≧Nmin+4的芳胺高分子化合物。18.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，該發(fā)光元件具有使用權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光元件用組合物并通過濕式成膜法而形成的層。19.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，該發(fā)光裝置具有權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件。20.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置具有發(fā)出相互不同顏色的光的兩種以上的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，該有機(jī)電致發(fā)光元件中的至少一種有機(jī)電致發(fā)光元件為權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件。21.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，全部種類的有機(jī)電致發(fā)光元件為權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件。22.如權(quán)利要求20所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述兩種以上的有機(jī)電致發(fā)光元件所具有的任意一個(gè)空穴注入傳輸層為同一組成。23.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其為依序至少具有陽極、空穴注入傳輸層A、發(fā)光層和陰極的有機(jī)電致發(fā)光元件，該有機(jī)電致發(fā)光元件的特征在于，該空穴注入傳輸層A由2層以上的層構(gòu)成，該2層以上的層是通過使用了含有空穴注入傳輸性化合物的組合物的濕式成膜法形成的；并且該空穴注入傳輸層A滿足下述(a)～(c)的全部條件：(a)該空穴注入傳輸層A的形成中所用的組合物中所含有的空穴注入傳輸性化合物總共為3種以上，其中，在該空穴注入傳輸性化合物為高分子化合物的情況下，下述的2種以上的化合物被視作同種化合物，該2種以上的化合物僅共聚比不同；(b)在該空穴注入傳輸層A所包含的至少2層的形成中所用的組合物中，作為各自空穴注入傳輸性化合物，含有一種以上在重復(fù)單元中具有叔芳氨基結(jié)構(gòu)、種類相互不同的芳胺高分子化合物；(c)在將該一種以上的芳胺高分子化合物中存在的叔芳氨基結(jié)構(gòu)中的不具有芳香性的任意2個(gè)叔氮原子連結(jié)而成的路徑之中，將位于路徑上的原子的數(shù)目最少的路徑中的該原子的數(shù)目設(shè)為該化合物的“N：氮間最小原子數(shù)”；在使用含有該芳胺高分子化合物的組合物所形成的2層以上的層之中，設(shè)最靠近陰極側(cè)的層為Lc、設(shè)最靠近陽極側(cè)的層為La，將Lc層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最大值設(shè)為Ncmax、將La層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最小值設(shè)為Namin時(shí)，Ncmax≧Namin，其中，所述Ncmax為9以上。24.如權(quán)利要求23所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述Ncmax與所述Namin為Ncmax>Namin。25.如權(quán)利要求23所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，在通過使用了含有所述芳胺高分子化合物的組合物的濕式成膜法來形成的任意2層以上的層之中，設(shè)更靠近陰極側(cè)的層為Lc’、設(shè)更靠近陽極側(cè)的層為La’，將Lc’層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最小值設(shè)為Nc’min、將La’層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最大值設(shè)為Na’max時(shí)，Nc’min≧Na’max。26.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述Nc’min與所述Na’max為Nc’min>Na’max。27.如權(quán)利要求23所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述Namin為2以上10以下。28.如權(quán)利要求23所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述空穴注入傳輸層A由3層以上的層構(gòu)成。29.如權(quán)利要求23所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述空穴注入傳輸層A所具有的全部層的形成中所用的組合物含有所述芳胺高分子化合物。30.如權(quán)利要求23所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述空穴注入傳輸層A所具有的各層的形成中所用的組合物所含有的芳胺高分子化合物全部為不同種類的芳胺高分子化合物。31.如權(quán)利要求23所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述芳胺高分子化合物所具有的不具有芳香性的叔氮原子均包含在該芳胺高分子化合物的主鏈中。32.如權(quán)利要求23所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述芳胺高分子化合物的至少一種具有交聯(lián)性基團(tuán)。33.如權(quán)利要求23所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，在所述空穴注入傳輸層A所具有的層之中，La層的形成中所用的組合物含有0.1重量％以上且小于50重量％的電子接受性化合物。34.如權(quán)利要求33所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述電子接受性化合物在La層中與所述空穴注入傳輸性化合物形成了離子對。35.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，該發(fā)光裝置具有權(quán)利要求23所述的有機(jī)電致發(fā)光元件。36.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置具有發(fā)出相互不同顏色的光的兩種以上的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，該有機(jī)電致發(fā)光元件中的至少一種有機(jī)電致發(fā)光元件為權(quán)利要求23所述的有機(jī)電致發(fā)光元件。37.如權(quán)利要求36所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述兩種以上的有機(jī)電致發(fā)光元件所具有的任意一個(gè)空穴注入傳輸層為同一組成。38.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，全部種類的有機(jī)電致發(fā)光元件為權(quán)利要求23所述的有機(jī)電致發(fā)光元件。39.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其為依序至少具有陽極、空穴注入傳輸層A、發(fā)光層和陰極的有機(jī)電致發(fā)光元件，該有機(jī)電致發(fā)光元件的特征在于，該空穴注入傳輸層A由3層以上的層構(gòu)成，該3層以上的層是通過使用了含有空穴注入傳輸性化合物的組合物的濕式成膜法形成的；并且該空穴注入傳輸層A滿足下述(a)～(c)的全部條件：(a)該空穴注入傳輸層A的形成中所用的組合物中所含有的空穴注入傳輸性化合物總共為3種以上，其中，在該空穴注入傳輸性化合物為高分子化合物的情況下，下述的2種以上的化合物被視作同種化合物，該2種以上的化合物僅共聚比不同；(b)在該空穴注入傳輸層A所包含的至少2層的形成中所用的組合物中，作為各自空穴注入傳輸性化合物，含有一種以上在重復(fù)單元中具有叔芳氨基結(jié)構(gòu)、種類相互不同的芳胺高分子化合物；(c)在將該一種以上的芳胺高分子化合物中存在的叔芳氨基結(jié)構(gòu)中的不具有芳香性的任意2個(gè)叔氮原子連結(jié)而成的路徑之中，將位于路徑上的原子的數(shù)目最少的路徑中的該原子的數(shù)目設(shè)為該化合物的“N：氮間最小原子數(shù)”；在使用含有該芳胺高分子化合物的組合物所形成的2層以上的層之中，設(shè)最靠近陰極側(cè)的層為Lc、設(shè)最靠近陽極側(cè)的層為La，將Lc層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最大值設(shè)為Ncmax、將La層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最小值設(shè)為Namin時(shí)，Ncmax≧Namin。40.如權(quán)利要求39所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述Ncmax與所述Namin為Ncmax>Namin。41.如權(quán)利要求39所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，在通過使用了含有所述芳胺高分子化合物的組合物的濕式成膜法來形成的任意2層以上的層之中，設(shè)更靠近陰極側(cè)的層為Lc’、設(shè)更靠近陽極側(cè)的層為La’，將Lc’層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最小值設(shè)為Nc’min、將La’層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最大值設(shè)為Na’max時(shí)，Nc’min≧Na’max。42.如權(quán)利要求41所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述Nc’min與所述Na’max為Nc’min>Na’max。43.如權(quán)利要求39所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述Namin為2以上10以下。44.如權(quán)利要求39所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述空穴注入傳輸層A所具有的全部層的形成中所用的組合物含有所述芳胺高分子化合物。45.如權(quán)利要求39所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述空穴注入傳輸層A所具有的各層的形成中所用的組合物所含有的芳胺高分子化合物全部為不同種類的芳胺高分子化合物。46.如權(quán)利要求39所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述芳胺高分子化合物所具有的不具有芳香性的叔氮原子均包含在該芳胺高分子化合物的主鏈中。47.如權(quán)利要求39所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述芳胺高分子化合物的至少一種具有交聯(lián)性基團(tuán)。48.如權(quán)利要求39所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，在所述空穴注入傳輸層A所具有的層之中，La層的形成中所用的組合物含有0.1重量％以上且小于50重量％的電子接受性化合物。49.如權(quán)利要求48所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，所述電子接受性化合物在La層中與所述空穴注入傳輸性化合物形成了離子對。50.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，該發(fā)光裝置具有權(quán)利要求39所述的有機(jī)電致發(fā)光元件。51.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置具有發(fā)出相互不同顏色的光的兩種以上的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，該有機(jī)電致發(fā)光元件中的至少一種有機(jī)電致發(fā)光元件為權(quán)利要求39所述的有機(jī)電致發(fā)光元件。52.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，全部種類的有機(jī)電致發(fā)光元件為權(quán)利要求39所述的有機(jī)電致發(fā)光元件。53.如權(quán)利要求51所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述兩種以上的有機(jī)電致發(fā)光元件所具有的任意一個(gè)空穴注入傳輸層為同一組成。