本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光元件、有機電致發(fā)光元件用組合物以及有機電致發(fā)光裝置。

背景技術：
有機電致發(fā)光元件可以通過簡單的元件構成而發(fā)出各種顏色的光，因而近年來其作為用于制造顯示器或照明等發(fā)光裝置的技術得到了積極開發(fā)。有機電致發(fā)光元件為通過將正負電荷(載流子)注入到電極間的有機層中、并使該載流子再結合而得到發(fā)光的元件。作為有機電致發(fā)光元件，具體地說，例如，有文獻公開了具有通過對含有芳胺高分子化合物的組合物進行濕式成膜而得到的空穴注入傳輸層的有機電致發(fā)光元件等(參照專利文獻1和2)。此外還有文獻公開了在空穴注入傳輸層中含有兩種芳胺高分子的有機電致發(fā)光元件等(參照專利文獻3和4)?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開平10-308280號公報專利文獻2：日本特開2008-69367號公報專利文獻3：日本特開2008-223012號公報專利文獻4：日本特開2009-79092號公報

技術實現(xiàn)要素：
發(fā)明所要解決的課題但是，為了將有機電致發(fā)光元件以發(fā)光裝置的形式進行實用化，現(xiàn)有的有機電致發(fā)光元件尚不充分，進一步要求驅動電壓的降低與低電力消耗化。本發(fā)明是鑒于上述課題而提出的，其目的在于提供驅動電壓低的有機電致發(fā)光元上。解決課題的手段本發(fā)明人針對該課題進行了深入研究。其結果發(fā)現(xiàn)，在陽極與發(fā)光層之間具有2層以上空穴注入傳輸層、該空穴注入傳輸層是使用含有在重復單元中具有叔芳氨基結構的芳胺高分子化合物作為空穴注入傳輸性化合物的組合物并通過濕式成膜法形成，在該情況下，在將該芳胺高分子化合物中存在的叔芳氨基結構中的不具有芳香性的任意2個叔氮原子連結而成的路徑之中，將位于路徑上的原子的數(shù)目最少的路徑中的該原子的數(shù)目設為該化合物的“N：氮間最小原子數(shù)”時，通過使各空穴注入傳輸層中的N為特定狀態(tài)，可得到能夠解決上述課題的有機電致發(fā)光元件，從而完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明的第1要點在于一種有機電致發(fā)光元件，其為依序至少具有陽極、空穴注入傳輸層A、發(fā)光層和陰極的有機電致發(fā)光元件，該有機電致發(fā)光元件的特征在于，該空穴注入傳輸層A由2層以上的層構成，該2層以上的層是通過使用了含有空穴注入傳輸性化合物的組合物的濕式成膜法形成的；并且該空穴注入傳輸層A滿足下述(a)～(c)的全部條件。(a)該空穴注入傳輸層A的形成中所用的組合物中所含有的空穴注入傳輸性化合物總共為3種以上。其中，在該空穴注入傳輸性化合物為高分子化合物的情況下，下述的2種以上的化合物被視作同種化合物，該2種以上的化合物僅共聚比不同。(b)在該空穴注入傳輸層A所包含的至少2層的形成中所用的組合物中，作為各自空穴注入傳輸性化合物，含有一種以上在重復單元中具有叔芳氨基結構、種類相互不同的芳胺高分子化合物。(c)在將該各芳胺高分子化合物中存在的叔芳氨基結構中的不具有芳香性的任意2個叔氮原子連結而成的路徑之中，將位于路徑上的原子的數(shù)目最少的路徑中的該原子的數(shù)目設為該化合物的“N：氮間最小原子數(shù)”。在使用含有該芳胺高分子化合物的組合物形成的2層以上的層之中，設最靠近陰極側的層為Lc、設最靠近陽極側的層為La，將Lc層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最大值設為Ncmax、將La層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最小值設為Namin時，Ncmax≧Namin。本發(fā)明的第2要點在于第1要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，上述Ncmax與上述Namin為Ncmax>Namin。本發(fā)明的第3要點在于第1或2要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，在通過使用了含有上述芳胺高分子化合物的組合物的濕式成膜法來形成的任意2層以上的層之中，設更靠近陰極側的層為Lc’、設更靠近陽極側的層為La’，將Lc’層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最小值設為Nc’min、將La’層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物的N的最大值設為Na’max時，Nc’min≧Na’max。本發(fā)明的第4要點在于第3要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，上述Nc’min與上述Na’max呈Nc’min>Na’max。本發(fā)明的第5要點在于第1～4的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，上述Namin為2以上10以下。本發(fā)明的第6要點在于第1～5的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，上述Ncmax為9以上。本發(fā)明的第7要點在于第1～6的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，在使用含有上述芳胺高分子化合物的組合物并通過濕式成膜法而形成的2層以上的層之中，對于任意相鄰的2層，在陽極側的層的形成中所用的組合物中含有一種以上的上述芳胺高分子化合物，在與其陰極側相鄰的層的形成中所用的組合物中含有兩種以上的上述芳胺高分子化合物。本發(fā)明的第8要點在于第1～6的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，在使用含有上述芳胺高分子化合物的組合物并通過濕式成膜法而形成的2層以上的層之中，對于任意相鄰的2層，在陰極側的層的形成中所用的組合物中含有一種以上的上述芳胺高分子化合物，在與其陽極側相鄰的層的形成中所用的組合物中含有兩種以上的上述芳胺高分子化合物。本發(fā)明的第9要點在于第1～8的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，上述空穴注入傳輸層A由3層以上的層構成。本發(fā)明的第10要點在于第1～9的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，上述空穴注入傳輸層A所具有的全部層的形成中所用的組合物含有上述芳胺高分子化合物。本發(fā)明的第11要點在于第1～10的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，上述空穴注入傳輸層A所具有的各層的形成中所用的組合物所含有的芳胺高分子化合物全部為不同種類的芳胺高分子化合物。本發(fā)明的第12要點在于第1～11的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，上述芳胺高分子化合物所具有的不具有芳香性的叔氮原子均包含在該芳胺高分子化合物的主鏈中。本發(fā)明的第13要點在于第1～12的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，上述芳胺高分子化合物中的至少一種具有交聯(lián)性基團。本發(fā)明的第14要點在于第1～13的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，上述空穴注入傳輸層A所具有的層之中，La層的形成中所用的組合物含有0.1重量%以上且小于50重量%的電子接受性化合物。本發(fā)明的第15要點在于第14要點中所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，上述電子接受性化合物在La層中與上述空穴注入傳輸性化合物形成了離子對。本發(fā)明的第16要點在于一種有機電致發(fā)光元件用組合物，其為用于通過濕式成膜法來形成有機電致發(fā)光元件的陽極與發(fā)光層之間的層的有機電致發(fā)光元件用組合物，其特征在于，該組合物滿足下述(d)和(e)的條件。(d)含有3種以上在重復單元中具有叔芳氨基結構的芳胺高分子化合物。其中，在該空穴注入傳輸性化合物為高分子化合物的情況下，下述的2種以上的化合物被視作同種化合物，該2種以上的化合物僅共聚比不同。(e)在將該各芳胺高分子化合物中存在的叔芳氨基結構中的不具有芳香性的任意2個叔氮原子連結而成的路徑之中，將位于路徑上的原子的數(shù)目最少的路徑中的該原子的數(shù)目設為該化合物的“N：氮間最小原子數(shù)”時，該3種以上的芳胺高分子化合物之中，兩種以上的芳胺高分子化合物的N相互不同。本發(fā)明的第17要點在于第16要點中所述的有機電致發(fā)光元件用組合物，其特征在于，該組合物含有3種以上N相互不同的上述芳胺高分子化合物。本發(fā)明的第18要點在于第16或17要點中所述的有機電致發(fā)光元件用組合物，其特征在于，將該組合物所含有的芳胺高分子化合物中的N的最小值設為Nmin、最大值設為Nmax時，Nmax大于2.0倍的Nmin(Nmax>2.0Nmin)。本發(fā)明的第19要點在于第16～18的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件用組合物，其特征在于，將該組合物所含有的芳胺高分子化合物中的N的最小值設為Nmin、最大值設為Nmax時，該組合物含有N為(Nmax-4)以下且為(Nmin+4)以上(Nmax-4≧N≧Nmin+4)的芳胺高分子化合物。本發(fā)明的第20要點在于一種有機電致發(fā)光元件，其特征在于，該發(fā)光元件具有使用第16～19的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件用組合物并通過濕式成膜法而形成的層。本發(fā)明的第21要點在于一種有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該發(fā)光裝置具有第1～15和第20的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件。本發(fā)明的第22要點在于第21要點中所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，該發(fā)光裝置具有發(fā)出相互不同顏色的光的兩種以上的有機電致發(fā)光元件，該有機電致發(fā)光元件中的至少一種有機電致發(fā)光元件為第1～15和第20的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件。本發(fā)明的第23要點在于第22要點中所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，全部種類的有機電致發(fā)光元件為第1～15和第20的任意1項要點中所述的有機電致發(fā)光元件。本發(fā)明的第24要點在于第22或23要點中所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，上述兩種以上的有機電致發(fā)光元件所具有的任意一個空穴注入傳輸層均為同一組成。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠以低電壓進行驅動的有機電致發(fā)光元件。另外，通過使用該元件，可以得到充分發(fā)揮了作為低電力消耗的辦公自動化(OA)計算機或壁掛電視機等用的平板顯示器、顯示板、標識燈和復印機的光源、液晶顯示器、計量表類的背光光源等面發(fā)光體的特征的光源等。附圖說明圖1為本發(fā)明的實施方式的有機電致發(fā)光元件的截面圖的一例。具體實施方式下面對本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件、有機電致發(fā)光元件用組合物以及有機電致發(fā)光裝置的實施方式進行詳細說明，但該說明為本發(fā)明實施方式的一例(代表例)，只要不超出本發(fā)明的要點，本發(fā)明并不限定于這些內容。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件依序至少具有陽極、空穴注入傳輸層A、發(fā)光層和陰極。另外，本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物為適宜于通過濕式成膜法形成下述層的組合物，所述層為這樣的有機電致發(fā)光元件的陽極與發(fā)光層之間的層、優(yōu)選為空穴注入傳輸層。本發(fā)明的空穴注入傳輸層A為具有空穴注入傳輸性的層，所謂空穴注入傳輸層、空穴注入層和空穴傳輸層均包括在空穴注入傳輸層A之內。另外，通常將處于陽極與發(fā)光層之間的層作為空穴注入傳輸層A。本發(fā)明的空穴注入傳輸層A由2層以上的層構成。從易于低電壓驅動的方面考慮，空穴注入傳輸層A所含有的層數(shù)越多越優(yōu)選，優(yōu)選為3層以上。另一方面，從工藝簡便的方面考慮，越少越優(yōu)選，優(yōu)選為5層以下。本發(fā)明的空穴注入傳輸層A中的各層是使用含有空穴注入傳輸性化合物的組合物通過濕式成膜法來形成而得到的。關于該濕式成膜法如下文所述。對于空穴注入傳輸層A的形成中所用的空穴注入傳輸性化合物，由于每一化合物可擔負空穴接受性、空穴傳輸性和空穴注入性等不同的特性，因而優(yōu)選空穴注入傳輸性化合物為不同種類。此處，(a)本發(fā)明的空穴注入傳輸層A所含有的層的形成中所用的組合物中包含總共為3種以上的空穴注入傳輸性化合物。關于其理由，據(jù)推測如下。通常，化合物所具有的電子云的擴展(広がり方)根據(jù)化合物種類的不同而不同。此處，在存在3種以上的空穴注入傳輸性化合物的情況下，可使空穴從電子云擴展狹窄的化合物依次向擴展寬廣的化合物遷移(可使電子從電子云擴展寬廣的化合物依次向擴展狹窄的化合物遷移)，因而空穴不會停留在電子云擴展狹窄的化合物處，被電子云擴展寬廣的化合物有效地傳輸，從而可得到充分的低電壓效果。另一方面，在空穴注入傳輸性化合物僅為兩種的情況下，由于兩種化合物的電子云的擴展顯著不同，因而空穴從電子云擴展狹窄的化合物向電子云擴展寬廣的化合物的遷移得不到充分進行，空穴容易停留在電子云擴展狹窄的化合物處，無法降低驅動電壓。本發(fā)明的空穴注入傳輸層A所含有的層的形成中所用的組合物所含有的空穴注入傳輸性化合物優(yōu)選為高分子化合物。其理由推測如下。即，若本發(fā)明的空穴注入傳輸性化合物為高分子化合物，則高分子化合物中電子云沿著高分子鏈相連，因此空穴向電子云擴展寬廣的化合物遷移后，容易沿著高分子鏈遷移，從而不會停留在電子云擴展狹窄的化合物處，可效率良好地由電子云擴展寬廣的化合物進行傳輸。另外，出于易于發(fā)揮出上述效果的原因，該高分子化合物更優(yōu)選為芳胺高分子化合物，特別優(yōu)選為在重復單元中具有叔芳氨基結構的化合物(下文中將該芳胺高分子化合物稱為“本發(fā)明的芳胺高分子化合物”。)。另外，由于該叔芳氨基結構中不具有芳香性的叔氮原子的孤對電子會對芳胺高分子化合物的電荷的授受性及傳輸性帶來影響，因而優(yōu)選其在芳胺高分子化合物的重復單元的主鏈具有。需要說明的是，在下文中，“本發(fā)明的芳胺高分子化合物”指的是“本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件的空穴注入傳輸層A的形成中所用的組合物所含有的在重復單元中具有叔芳氨基結構的芳胺高分子化合物”與“本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物所含有的在重復單元中具有叔芳氨基結構的芳胺高分子化合物”這兩者。據(jù)推測，本發(fā)明的芳胺高分子化合物存在3種以上的情況下，可使空穴從電子云擴展狹窄的化合物依次向擴展寬廣的化合物遷移(可使電子從電子云擴展寬廣的高分子化合物依次向擴展狹窄的高分子化合物遷移)，因而空穴不會停留在電子云擴展狹窄的(N少)的化合物處，可效率良好地由電子云擴展寬廣的(N多)的化合物進行傳輸，從而可得到充分的低電壓效果，從這方面考慮，優(yōu)選本發(fā)明的芳胺高分子化合物存在3種以上。需要說明的是，關于N如后所述。另外，在本發(fā)明中，(b)在空穴注入傳輸層A所含有的至少2層的形成中所用的組合物中，作為各自空穴注入傳輸性化合物，含有一種以上的種類相互不同的本發(fā)明的芳胺高分子化合物。需要說明的是，在本發(fā)明中，芳胺高分子化合物的種類“各自不同”或“相互不同”指的是重復單元和/或末端基團的結構不同。即，對于僅共聚比不同的2以上的芳胺高分子化合物，由于后述電子云的擴展相同，因而不能說是“各自不同”或“相互不同”的種類。本發(fā)明的芳胺高分子化合物可以由于其重復單元的結構不同而為不同種類、可以由于其分子末端基團的結構不同而為不同種類、也可以由于重復單元和分子末端基團均不同而為不同種類，由于電子云擴展可帶來影響，因而更優(yōu)選含有由于重復單元的結構不同而為“不同種類”的芳胺高分子化合物。需要說明的是，重復單元、分子末端基團的“結構不同”并不限定為骨架結構不同，即使骨架結構相同，若取代基的有無或取代基的數(shù)目、取代基的種類、取代基的取代位置不同，也看作不同種類。接下來，對本發(fā)明的芳胺高分子化合物的“N：氮間最小原子數(shù)”的計算方法進行說明。對于N，在將芳胺高分子化合物中存在的叔芳氨基結構中的不具有芳香性的任意2個叔氮原子連結而成的路徑之中，該N為位于路徑上的原子的數(shù)目最少的路徑中的該原子的數(shù)目。若簡單進行說明，例如，芳胺高分子化合物具有3個(N1～3)不具有芳香性的叔氮原子，在將N1與N2連結而成的最短路徑上有3個原子、將N2與N3連結而成的最短路徑上有10個原子的情況下，N為3個。下面使用結構例更詳細地進行說明。例1)在芳胺高分子化合物在重復單元中具有下式左側的對苯二胺結構的情況下，其為苯環(huán)的1位與4位被叔氮原子取代而成的結構。這種情況下，1～4位所具有的碳原子為位于最短路徑上的原子，氮間最小原子數(shù)為4。例2)在芳胺高分子化合物在重復單元中具有下式中央的間苯二胺結構的情況下，1～3位的碳原子為位于最短路徑上的原子，氮間最小原子數(shù)為3。例3)在芳胺高分子化合物在重復單元中具有下式右側的對苯二胺結構與聯(lián)苯胺結構(兩種芳胺結構)的情況下，對苯二胺結構中位于最短路徑上的原子的數(shù)目為4、聯(lián)苯胺結構中位于最短路徑上的原子的數(shù)目為8，因而氮間最小原子數(shù)為4。[化1]此處，在使用含有該芳胺高分子化合物的組合物并通過濕式成膜法而形成的2層以上的層之中，設最靠近陰極側的層為Lc、設最靠近陽極側的層為La，將Lc層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物中的N的最大值設為Ncmax、將La層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物中的N的最小值設為Namin時，(c)Ncmax≧Namin。另外，Ncmax與Namin優(yōu)選為Ncmax>Namin。另外，在使用含有該芳胺高分子化合物的組合物并通過濕式成膜法而形成的2層以上的層之中，設更靠近陰極側的層為Lc’、設更靠近陽極側的層為La’，將Lc’層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物中的N的最小值設為Nc’min、將La’層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物中的N的最大值設為Na’max時，優(yōu)選為Nc’min≧Na’max。另外，更優(yōu)選為Nc’min>Na’max。La層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物中的N的最小值Namin優(yōu)選為2以上、更優(yōu)選為4以上；并且另一方面優(yōu)選為10以下、更優(yōu)選為8以下。并且，Namin特別優(yōu)選為該優(yōu)選的上下限范圍。如此，利用陽極或與陽極側相接的材料可容易地從La層引出(引き抜かれ)電子。另外，Lc層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物中的N的最大值Ncmax優(yōu)選為9以上、更優(yōu)選為13以上；并且另一方面優(yōu)選為33以下。并且，Ncmax特別優(yōu)選為該優(yōu)選的上下限范圍。如此，不易由于Lc層的成分而阻礙發(fā)光層中的發(fā)光。從電荷授受的方面考慮，優(yōu)選Lc’層的形成中所用的組合物所含有的芳胺高分子化合物中的N與La’層的形成中所用的組合物所含有的芳胺高分子化合物中的N的差值小。具體地說，Nc’max與Na’min之差優(yōu)選為30以下、更優(yōu)選為26以下；并且還優(yōu)選為1以上、更優(yōu)選為4以上。并且，在為彼此相鄰的2層間的情況下，特別優(yōu)選為上述范圍。對于在N為上述狀態(tài)的情況下可得到驅動電壓低的有機電致發(fā)光元件的理由進行詳細說明。芳胺高分子化合物中，可由N的多寡來對該叔芳氨基結構中的不具有芳香性的叔氮原子所具有的孤對電子間的電子云擴展進行控制。在N較少的情況下，各氮原子所具有的孤對電子間的距離變近、同時各孤對電子與各孤對電子之間存在的電子云在狹窄的范圍內形成，因而存在有大量要被引出的電子，容易效率良好地從陽極進行空穴注入。因此，La層的形成中所用的組合物中優(yōu)選含有N較小的芳胺高分子化合物。與之相反，在N較多的情況下，各氮原子所具有的孤對電子間的距離變遠、同時各孤對電子與各孤對電子之間存在的電子云在寬廣的范圍形成，空穴分布在寬廣的范圍、易于遷移，因而容易使空穴有效地向陰極側遷移。另外，若N較多，則各氮原子所具有的各孤對電子的相互作用減小、空穴注入傳輸性化合物的能帶間隙變寬，難以阻礙發(fā)光層的發(fā)光。因此，Lc層的形成中所用的組合物中優(yōu)選含有N較大的芳胺高分子化合物。因此認為，Ncmax為Namin以上時較佳，若Ncmax大于Namin則更佳。另外，通過優(yōu)選Nc’min為Na’max以上、進一步優(yōu)選Nc’min大于Na’max，可使從陽極側進行的空穴注入傳輸性特別優(yōu)異、可以制成不易阻礙發(fā)光層發(fā)光的空穴注入傳輸層，從電學特性與發(fā)光特性這兩方面考慮，認為可降低有機電致發(fā)光元件的驅動電壓。本發(fā)明的空穴注入傳輸層A的形成中所用的組合物(下文中有時也稱為“本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物”。)中優(yōu)選含有總共為3種以上的本發(fā)明的芳胺高分子化合物。另外，本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物中含有總共為3種以上的本發(fā)明的芳胺高分子化合物的情況下，從空穴注入性的方面出發(fā)，本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物中所含有的全部芳胺高分子化合物中的N的最小值優(yōu)選為Namin；從空穴傳輸性優(yōu)異、不易阻礙發(fā)光層的發(fā)光的方面考慮，本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物中所含有的全部芳胺高分子化合物中的N的最大值優(yōu)選為Ncmax。需要說明的是，此處，為Ncmax的芳胺高分子化合物可以為1種、也可以為2種以上；為Namin的芳胺高分子化合物可以為1種、也可以為2種以上。另外，對于3種以上的本發(fā)明的芳胺高分子化合物中的N來說，在將為Ncmax的芳胺高分子化合物(Lc層的形成中所用的組合物所含有的芳胺高分子化合物中的N為最大的芳胺高分子化合物)和為Namin的芳胺高分子化合物(La層的形成中所用的組合物所含有的芳胺高分子化合物中的N為最小的芳胺高分子化合物)除外的芳胺高分子化合物的N設為Nother時，優(yōu)選Nother>Namin或Ncmax>Nother、更優(yōu)選Ncmax>Nother>Namin。即，推測在本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物中，若含有Ncmax、Nother和Namin滿足上述關系的芳胺高分子化合物，則可使空穴從電子云擴展狹窄的化合物依次向擴展寬廣的化合物遷移(可使空穴依次向著N為Namin的化合物→N為Nother的化合物→N為Ncmax的化合物遷移)，因而空穴不會停留在電子云擴展狹窄(N為Namin)的化合物中，可效率良好地向電子云擴展寬廣(N為Nother)的化合物、電子云擴展更寬廣(N為Ncmax)的化合物傳輸，從而可得到充分的低電壓效果。另外，Lc層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物中的N的最大值優(yōu)選為Lc層的陽極側相鄰層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物中的N的最大值以上。這是由于，這樣就可在空穴注入傳輸層A的最靠近發(fā)光層側存在空穴傳輸性高、不易阻礙發(fā)光層的發(fā)光的層，從電學特性與發(fā)光特性兩方面考慮可以降低有機電致發(fā)光元件的驅動電壓。并且優(yōu)選La層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物中的N的最小值為La層的陰極側相鄰層的形成中所用的組合物所含有的全部芳胺高分子化合物中的N的最小值以下。這是由于，這樣就可在空穴注入傳輸層A的最靠近陽極側存在空穴注入性高的層，可效率良好地從陽極進行空穴的注入、可降低有機電致發(fā)光元件的驅動電壓。本發(fā)明的空穴注入傳輸層A可以為層積體，該層積體含有通過使用含有兩種以上的空穴注入傳輸性化合物的組合物而形成的層與通過使用含有一種以上的空穴注入傳輸性化合物的組合物而形成的層，也可以制成含有通過使用含有一種以上空穴注入傳輸性化合物的組合物而形成的3層的層積體。這些之中，空穴注入傳輸層A優(yōu)選含有通過使用含有兩種以上空穴注入傳輸性化合物的組合物形成的層。據(jù)認為，其原因在于，若在1層中含有多種化合物，則除了在層與層的界面處之外，在層內整個區(qū)域也可進行化合物間的電荷的遷移。另外，關于本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物所含有的芳胺高分子化合物的種類數(shù)，對于在空穴注入傳輸層A中任意相鄰的2層，從由陽極向空穴注入傳輸層A進行的空穴注入性的方面考慮，優(yōu)選陽極側的層的形成中所用的組合物含有一種以上的上述芳胺高分子化合物、與其陰極側相鄰的層的形成中所用的組合物含有兩種以上的芳胺高分子化合物。但是，在另一方面，從由陽極側的層向陰極側的層進行的空穴注入性的方面考慮，優(yōu)選陽極側的層的形成中所用的組合物含有兩種以上的芳胺高分子化合物、與其陰極側相鄰的層的形成中所用的組合物含有一種以上的芳胺高分子化合物。另外，從由陽極向空穴注入傳輸層A進行的空穴注入性以及由空穴注入傳輸層A中的陽極側的層向陰極側的層進行的空穴注入性這兩方面考慮，特別優(yōu)選在空穴注入傳輸層A所具有的全部層的形成中所用的組合物中含有芳胺高分子化合物，更優(yōu)選在空穴注入傳輸層A所具有的全部層的形成中所用的組合物中均含有種類各自不同的芳胺高分子化合物。接下來，對本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物所含有的本發(fā)明的芳胺高分子化合物的量進行說明。在Lc層形成用組合物中作為空穴注入傳輸性化合物，僅含有一種“本發(fā)明的芳胺高分子化合物”的情況下，Lc層形成用組合物中的空穴注入傳輸性化合物的通常50重量%以上、優(yōu)選70重量%以上為“N為Ncmax的芳胺高分子化合物”為宜。另外，在Lc層形成用組合物中作為空穴注入傳輸性化合物，含有兩種以上“本發(fā)明的芳胺高分子化合物”的情況下，Lc層形成用組合物中的空穴注入傳輸性化合物的通常20重量%以上、優(yōu)選30重量%以上、進一步優(yōu)選45重量%以上為“N為Ncmax的芳胺高分子化合物”為宜。并且，在Lc層形成用組合物中作為空穴注入傳輸性化合物，含有3種以上“本發(fā)明的芳胺高分子化合物”的情況下，通常10重量%以上、優(yōu)選20重量%以上、進一步優(yōu)選25重量%以上為“N為Ncmax的芳胺高分子化合物”為宜。若“N為Ncmax的芳胺高分子化合物”的量為上述下限以上，則本發(fā)明的Lc層的空穴傳輸性優(yōu)異、不易阻礙發(fā)光層的發(fā)光。需要說明的是，上述“N為Ncmax的芳胺高分子化合物”的量的上限通常為100重量%。另外，“N為Ncmax的芳胺高分子化合物”中，N為Ncmax的單元含有通常為5單元%以上、優(yōu)選為10單元%以上、進一步優(yōu)選為20單元%以上、特別優(yōu)選為33單元%以上為宜。若N為Ncmax的單元的含量為上述下限以上，則Lc層的空穴傳輸性優(yōu)異、不易阻礙發(fā)光層的發(fā)光。另外，對于N為Ncmax的單元，上述量的上限通常為100單元%。La層形成用組合物所含有的空穴注入傳輸性化合物中，通常1重量%以上、優(yōu)選5重量%以上、進一步優(yōu)選10重量%以上為“N為Namin的芳胺高分子化合物”為宜?！癗為Namin的芳胺高分子化合物”的量為上述下限以上時，La層的空穴注入性優(yōu)異。另外，對于“N為Namin的芳胺高分子化合物”，上述量的上限通常為100重量%。另外，在“N為Namin的芳胺高分子化合物”中，N為Namin的單元含有通常為5單元%以上、優(yōu)選為10單元%以上、進一步優(yōu)選為20單元%以上、特別優(yōu)選為33單元%以上為宜。若N為Namin的單元的含量為上述下限以上，則La層的空穴注入性優(yōu)異。另外，對于N為Namin的單元，上述量的上限通常為100單元%。另外，在本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物中含有3種以上的N相互不同的“本發(fā)明的芳胺高分子化合物”的情況下，優(yōu)選除“N為Ncmax的芳胺高分子化合物”和“N為Namin的芳胺高分子化合物”以外的芳胺高分子化合物(N為Nother的芳胺高分子化合物)為上述狀態(tài)。具體地說，優(yōu)選本發(fā)明的芳胺高分子化合物的50重量%以上為“N為Ncmax以下”、更優(yōu)選80重量%以上為“N為Ncmax以下”、特別優(yōu)選90重量%以上為“N為Ncmax以下”。另外，優(yōu)選本發(fā)明的芳胺高分子化合物的50重量%以上為“N為Namin以上”、更優(yōu)選80重量%以上為“N為Namin以上”、特別優(yōu)選90重量%以上為“N為Namin以上”。需要說明的是，上述上限通常均為100重量%。即，本發(fā)明的芳胺高分子化合物中的“N為Ncmax的芳胺高分子化合物”和“N為Namin的芳胺高分子化合物”以外的芳胺高分子化合物(Nother)全部優(yōu)選為Nother>Namin或Ncmax>Nother、更優(yōu)選為Ncmax>Nother>Namin。本發(fā)明的芳胺高分子化合物優(yōu)選在重復單元中具有鍵合了至少1個芳香環(huán)基的芳氨基結構，更優(yōu)選在重復單元中的主鏈中具有鍵合了至少1個芳香環(huán)基的芳氨基結構。另外，從電荷傳輸性的方面考慮，本發(fā)明的芳胺高分子化合物優(yōu)選在重復單元中具有鍵合了3個芳香環(huán)基的芳氨基結構、更優(yōu)選在重復單元中的主鏈中具有鍵合了3個芳香環(huán)基的芳氨基結構。該芳香環(huán)基(下文中，有時將該芳香環(huán)基稱為“本發(fā)明的芳香環(huán)基”。)優(yōu)選為具有或不具有取代基的碳原子數(shù)為4～60的芳香族烴環(huán)基或芳香族雜環(huán)基。作為芳香族烴環(huán)基，可以舉出例如具有1個或2個自由價的苯環(huán)、萘環(huán)、菲環(huán)、蒽環(huán)、苯并[9,10]菲環(huán)、1,2-苯并菲環(huán)、并四苯環(huán)、二萘嵌苯環(huán)、六苯并苯環(huán)、苊環(huán)、熒蒽環(huán)、芴環(huán)等5元或6元環(huán)的單環(huán)或2～5稠環(huán)以及這些環(huán)直接鍵接多個而成的環(huán)等。此處，在本發(fā)明中，所謂自由價如有機化學·生物化學命名法(有機化學·生化學命名法)(上)(修訂第2版、南江堂、1992年發(fā)行)中所記載，指的是可與其它自由價成鍵。即，例如，“具有1個自由價的苯環(huán)”指的是苯基，“具有2個自由價的苯環(huán)”指的是亞苯基。作為芳香族雜環(huán)基，可以舉出例如具有1個或2個自由價的呋喃環(huán)、苯并呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、苯并噻吩環(huán)、吡咯環(huán)、吡唑環(huán)、咪唑環(huán)、噁二唑環(huán)、吲哚環(huán)、咔唑環(huán)、吡咯并咪唑環(huán)、吡咯并吡唑環(huán)、吡咯并吡咯環(huán)、噻吩并吡咯環(huán)、噻吩并噻吩環(huán)、呋喃并吡咯環(huán)、呋喃并呋喃環(huán)、噻吩并呋喃環(huán)、苯并異噁唑環(huán)、苯并異噻唑環(huán)、苯并咪唑環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、噠嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、三嗪環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、噌啉環(huán)、喹喔啉環(huán)、菲啶環(huán)、苯并咪唑環(huán)、萘嵌間二氮雜苯環(huán)、喹唑啉環(huán)、喹唑啉酮環(huán)、甘菊環(huán)、三嗪環(huán)等5元或6元雜環(huán)的單環(huán)或2～4稠環(huán)以及這些環(huán)直接鍵接多個而成的環(huán)等。此處，芳香環(huán)基為具有1個或2個自由價的稠環(huán)的情況下，從環(huán)的穩(wěn)定性高的方面考慮，優(yōu)選該進行了縮合的單環(huán)數(shù)少，優(yōu)選為8個以下、更優(yōu)選為5個以下。另一方面，下限為2個。對于芳香環(huán)基，具體地說，從溶解性和耐熱性的方面考慮，優(yōu)選為具有1個或2個自由價的下述基團：苯環(huán)、噻吩環(huán)、吡啶環(huán)等單環(huán)；萘環(huán)、蒽環(huán)、菲環(huán)、苯并[9,10]菲環(huán)、芘環(huán)等稠環(huán)；以及芴環(huán)、聯(lián)苯、三聯(lián)苯等2～8個芳香環(huán)連結而成的芳香環(huán)。這些之中，更優(yōu)選具有1個或2個自由價的苯環(huán)、芴環(huán)、聯(lián)苯、三聯(lián)苯。作為芳香環(huán)基可以具有的取代基，可以舉出：碳原子數(shù)為1～20的飽和烴基、碳原子數(shù)為6～25的芳香族烴環(huán)基、碳原子數(shù)為3～20的芳香族雜環(huán)基、碳原子數(shù)為12～60的二芳氨基、碳原子數(shù)為1～20的烷氧基、碳原子數(shù)為3～20的(雜)芳氧基、碳原子數(shù)為1～20的烷硫基、碳原子數(shù)為3～20的(雜)芳硫基、氰基等。這些之中，從溶解性和耐熱性的方面考慮，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～20的飽和烴基和碳原子數(shù)為6～25的芳香族烴環(huán)基。具體地說，作為碳原子數(shù)為1～20的飽和烴基，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、己基、辛基、環(huán)己基、癸基和十八烷基等。這些之中，從原料的獲得容易性和低成本性等方面考慮，優(yōu)選甲基、乙基和異丙基，更優(yōu)選甲基和乙基。作為碳原子數(shù)為6～25的1價芳香族烴環(huán)基，可以舉出：苯基；1-萘基、2-萘基等萘基；9-菲基、3-菲基等菲基；1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基等蒽基；1-并四苯基、2-并四苯基等并四苯基；1-屈基(クリセニル基)、2-屈基、3-屈基、4-屈基、5-屈基、6-屈基等屈基；1-芘基等芘基；1-苯并[9,10]菲基等苯并[9,10]菲基；1-六苯并苯基(コロネニル基)等六苯并苯基；4-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基聯(lián)苯基；具有熒蒽環(huán)的基團；具有芴環(huán)的基團；具有苊環(huán)的基團；以及具有苯并芘環(huán)等的取代基等。這些之中，從化合物穩(wěn)定性的方面考慮，優(yōu)選苯基、2-萘基和3-聯(lián)苯基，出于精制容易性的原因，特別優(yōu)選苯基。作為碳原子數(shù)為3～20的芳香族雜環(huán)基，可以舉出：2-噻吩基等噻吩基；2-呋喃基等呋喃基；2-咪唑基等咪唑基；9-咔唑基等咔唑基；2-吡啶基等吡啶基；以及1,3,5-三嗪-2-基等三嗪基等。其中，從穩(wěn)定性的方面考慮，優(yōu)選咔唑基、特別是9-咔唑基。作為碳原子數(shù)為12～60的二芳氨基，可以舉出二苯基氨基、N-1-萘基-N-苯基氨基、N-2-萘基-N-苯基氨基、N-9-菲基-N-苯基氨基、N-(聯(lián)苯-4-基)-N-苯基氨基、雙(聯(lián)苯-4-基)氨基等。其中優(yōu)選二苯基氨基、N-1-萘基-N-苯基氨基、N-2-萘基-N-苯基氨基，從穩(wěn)定性的方面考慮，特別優(yōu)選二苯基氨基。作為碳原子數(shù)為1～20的烷氧基，可以舉出甲氧基、乙氧基、異丙氧基、環(huán)己氧基和十八烷氧基等。作為碳原子數(shù)為3～20的(雜)芳氧基，可以舉出：苯氧基、1-萘氧基、9-蒽氧基等芳氧基；以及2-噻吩基氧基等具有雜芳氧基的取代基等。作為碳原子數(shù)為1～20的烷硫基，可以舉出甲硫基、乙硫基、異丙硫基和環(huán)己硫基等。作為碳原子數(shù)為3～20的(雜)芳硫基，可以舉出：苯硫基、1-萘硫基、9-蒽硫基等芳硫基；以及2-噻吩基硫基等雜芳硫基等。本發(fā)明的芳胺高分子化合物在重復單元中具有鍵合了除芳香環(huán)基以外的基團的芳氨基結構的情況下，作為除芳香環(huán)基以外的基團，優(yōu)選碳原子數(shù)為1～70的脂肪族烴基和碳原子數(shù)為1～70的雜脂肪族烴基等。需要說明的是，本發(fā)明中的雜脂肪族烴基指的是具有雜原子的脂肪族烴基。作為雜原子，可以舉出氮原子和氧原子等。脂肪族烴基可以為鏈式也可以為環(huán)式，可以為飽和也可以為不飽和。作為脂肪族烴基，可以舉出例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、己基、辛基、環(huán)己基、癸基、十八烷基等。這些之中，出于原料的獲得容易性及低成本性等的原因，優(yōu)選甲基、1,2-乙基、1,3-丙基、1,4-丁基、1,5-戊基和1,8-辛基等碳原子數(shù)為1～10的基團，更優(yōu)選碳原子數(shù)為1～8的基團。另外，出于容易合成等原因，特別優(yōu)選甲基、乙基和異丙基等碳原子數(shù)為1～3的基團，最優(yōu)選甲基和乙基等碳原子數(shù)為1～2的基團。從氧化還原耐久性的方面考慮，脂肪族烴基優(yōu)選為飽和烴基。作為脂肪族不飽和烴基，優(yōu)選亞鏈烯基，作為其具體例，可以舉出1,2-亞乙烯基、1,3-亞丙烯基、1,2-亞丙烯基和1,4-亞丁烯基等。這些之中，出于可通過分子的平面性提高而使共軛面擴展、使電荷非局域化而易于提高化合物穩(wěn)定性的原因，特別優(yōu)選1,2-亞乙烯基。從平面性及電荷擴展的方面出發(fā)，不飽和脂肪族烴基所具有的碳原子數(shù)優(yōu)選為2以上，并且另外優(yōu)選為10以下、更優(yōu)選為6以下。從提高溶解性的方面考慮，優(yōu)選脂肪族烴基和雜脂肪族烴基所具有的碳原子數(shù)多；但另一方面，從化合物的穩(wěn)定性和膜密度的觀點出發(fā)，優(yōu)選該碳原子數(shù)少。具體地說，該碳原子數(shù)通常為1以上、優(yōu)選為4以上、進一步優(yōu)選為6以上，并且還通常為70以下、優(yōu)選為60以下、進一步優(yōu)選為36以下。作為本發(fā)明的芳胺高分子化合物，優(yōu)選為通過Buchwald-Hartwig反應或Ulmann反應等形成N-Ar鍵的反應所合成的具有下式(1)所示重復單元的聚合物等結構。[化2]式(1)中，Ar1～Ar3各自獨立地表示本發(fā)明的芳香環(huán)基，Z表示2價基團，優(yōu)選表示將1～24個選自由-CR1R2-、-CO-、-O-、-S-、-SO2-、-SiR3R4-組成的組中的基團連結而成的基團。R1～R4各自獨立地表示氫原子、具有或不具有取代基的烷基、本發(fā)明的芳香環(huán)基，R1與R2、R3與R4可以相互鍵合形成環(huán)。a表示0～8的整數(shù)。需要說明的是，在a為2～8的整數(shù)的情況下，Ar3、Z可以各自不同。n表示重復單元的重復數(shù)目。式(M1-1)～式(M1-3)中，Ar1～Ar3、Z、a與式(1)中的定義為相同含義。b表示0～8的整數(shù)。X1表示鹵原子、三氟甲烷磺酰氧基(CF3SO2O-)等磺酸酯基。式(M1-1)～式(M1-3)所表示的單體可以各自獨立地使用一種、或者兩種以上，優(yōu)選為10種以下。需要說明的是，式(1)、式(M1-1)～式(M1-3)中，Ar1～Ar3、Z、a、X1存在有2個以上的情況下，該2個以上可以各自不同。作為本發(fā)明的芳胺高分子化合物，還優(yōu)選為通過Yamamoto反應、Negishi反應、Migita-Kosugi-Stile反應、Suzuki-Miyaura反應等形成Ar-Ar鍵的反應所合成的具有下式(2)所示重復單元的聚合物等結構。[化3]式(2)、式(M2-1)、式(M2-2)中，Ar1～Ar3、Z、a、b、X1、n與式(1)、式(M1-1)～式(M1-3)中的定義為相同含義。式(M2-2)中，對于G，若為Negishi反應，則其表示BrZn-等具有取代基的鋅原子；若為Migita-Kosugi-Stile反應，則其表示(CH3)3Sn-等具有取代基的錫原子；若為Suzuki-Miyaura反應，則其表示(RO)2B-(R為氫原子或可以相互鍵合形成環(huán)的烷基)等具有取代基的硼原子。需要說明的是，式(2)、式(M2-1)、式(M2-2)中，Ar1～Ar3、Z、a、b、X1存在2個以上的情況下，該2個以上可以各自不同。作為本發(fā)明的芳胺高分子化合物，還優(yōu)選為通過形成O-Ar鍵或S-Ar鍵的反應所合成的具有式(3)所示重復單元的聚合物等結構。[化4]式(3)、式(M3-1)、式(M3-2)中，Ar1～Ar3、Z、a、b、X1、n與式(1)、式(M1-1)～式(M1-3)中的定義為相同含義。式(3)、式(M3-2)中，Q1表示氧原子或者硫原子。需要說明的是，式(3)、式(M3-1)、式(M3-2)中，Ar1～Ar3、Z、a、b、Q1、X1存在2個以上的情況下，該2個以上可以各自不同。作為本發(fā)明的芳胺高分子化合物，還優(yōu)選為通過形成酯鍵或酰胺鍵的反應所合成的具有下式(4)所示重復單元的聚合物等結構。[化5]式(4)、式(M4-1)、式(M4-2)中，Ar1～Ar3、Z、a、b、n與式(1)、式(M1-1)～式(M1-3)中的定義為相同含義。式(4)、式(M4-1)、式(M4-2)中，Q2表示羰基或者磺?；?，Q3表示氧原子、硫原子或者-NR5-基(R5表示氫原子、具有或不具有取代基的烷基、本發(fā)明的芳香環(huán)基。)，X2表示鹵原子。需要說明的是，式(4)、式(M4-1)、式(M4-2)中，Ar1～Ar3、Z、a、b、Q2、Q3存在2個以上的情況下，該2個以上可以各自不同。上述之中，作為本發(fā)明的芳胺高分子化合物，優(yōu)選具有式(1)和式(2)所示重復單元的聚合物，從空穴傳輸性和耐久性的方面考慮，更優(yōu)選具有式(1)所示重復單元的聚合物。另外，在式(1)～(4)中，從空穴注入傳輸性優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選a為0。另外，從能帶間隙寬、空穴傳輸性優(yōu)異的方面考慮，a優(yōu)選為1或2、更優(yōu)選為1。并且，出于耐久性優(yōu)異的原因，Z優(yōu)選為-CR1R2-。出于空穴注入傳輸層的電荷傳輸能力優(yōu)異的原因，本發(fā)明的芳胺高分子化合物優(yōu)選具有交聯(lián)性基團，更優(yōu)選在重復單元中具有鍵合了至少1個交聯(lián)性基團的芳氨基結構，特別優(yōu)選在重復單元中的主鏈中具有鍵合了至少1個交聯(lián)性基團的芳氨基結構。此處，所謂交聯(lián)性基團指的是通過熱和/或活性能量射線等的照射與其它分子相同或不同的基團發(fā)生反應并形成新的化學鍵的基團。并且，在空穴注入傳輸層A所具有的層中，通常，該交聯(lián)性基團通過熱和/或活性能量射線等的照射而與其它分子相同或不同的基團發(fā)生反應、形成了新的化學鍵。下面舉出交聯(lián)性基團的具體例，但本發(fā)明并不限于這些。作為交聯(lián)性基團，從易于不溶化的方面考慮，可以舉出例如在[交聯(lián)性基團組G2]中示出的基團等。[交聯(lián)性基團組G2][化6](式中，R51～R53各自獨立地表示氫原子或烷基。Ar21表示具有或不具有取代基的芳香環(huán)基。)這些之中，從反應性高、容易通過交聯(lián)而不溶化的方面考慮，優(yōu)選環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基等環(huán)狀醚基和乙烯基醚基等通過陽離子聚合發(fā)生交聯(lián)反應的基團。其中，從易于控制陽離子聚合的速度的方面考慮，特別優(yōu)選氧雜環(huán)丁烷基。另外，從在陽離子聚合時不易生成具有引起元件劣化的危險性的羥基的方面考慮，特別優(yōu)選乙烯基醚基。并且，從空穴注入傳輸層的電化學穩(wěn)定性高的方面考慮，特別優(yōu)選肉桂?；确蓟蚁┗驶途哂?個自由價的苯并環(huán)丁烯環(huán)等具有環(huán)化加成反應性的基團；從交聯(lián)后的結構穩(wěn)定性高的方面考慮，最優(yōu)選具有1個自由價的苯并環(huán)丁烯環(huán)。作為交聯(lián)性基團，具體地說，優(yōu)選具有1個自由價的下式(II)所表示的苯并環(huán)丁烯環(huán)。需要說明的是，式(II)的苯并環(huán)丁烯環(huán)為無取代的，但其為具有取代基的苯并環(huán)丁烯環(huán)也同樣是優(yōu)選的。另外，該取代基彼此可以相互鍵合而形成環(huán)。[化7]本發(fā)明的芳胺高分子化合物在重復單元中具有鍵合了芳香環(huán)基的芳氨基結構的情況下，交聯(lián)性基團可以與該芳香環(huán)基直接鍵合，也可以與芳香環(huán)基以外的基團直接鍵合，還可以藉由任意的2價基團而與這些基團鍵合。作為任意的2價基團，優(yōu)選為將1～30個選自-O-基、-C(=O)-基和(具有或不具有取代基的)-CH2-基中的基團以任意順序連結而成的基團。作為藉由這些2價基團進行鍵合的交聯(lián)性基團，優(yōu)選的基團例如可以舉出下述<含有交聯(lián)性基團的基團組G3>中示出的基團，但本發(fā)明中并不限于這些。[含有交聯(lián)性基團的基團組G3][化8][化9]從可通過交聯(lián)充分進行不溶化、并且容易通過濕式成膜法形成其它層的方面考慮，優(yōu)選本發(fā)明的芳胺高分子化合物所具有的交聯(lián)性基團多；而另一方面，從不易在空穴注入傳輸層產生裂紋、不易殘留未反應交聯(lián)基團、有機電致發(fā)光元件容易為長壽命的方面考慮，優(yōu)選該交聯(lián)性基團少。如此，具體地說，本發(fā)明的芳胺高分子化合物所具有的交聯(lián)性基團的數(shù)目優(yōu)選為1個以上、更優(yōu)選為2個以上，并且優(yōu)選為200個以下、更優(yōu)選為100個以下。另外，若以每1000分子量中的數(shù)目來表示本發(fā)明的芳胺高分子化合物所具有的交聯(lián)性基團的數(shù)目，則該情況下的適宜范圍為，每1000分子量中通常為3.0個以下、優(yōu)選為2.0個以下、進一步優(yōu)選為1.0個以下，并且通常為0.01個以上、優(yōu)選為0.05個以上。此處，以本發(fā)明的芳胺高分子化合物為例，對每1000分子量中的交聯(lián)性基團的數(shù)目進行說明。對于每1000分子量中的交聯(lián)性基團的數(shù)目，從共軛聚合物中除去其末端基團，由合成時投料單體的摩爾比與結構式來計算出。具體地說，例如，在為下述聚合物1的情況下，如下進行計算。[化10]在該聚合物1中，除去末端基團的重復單元的分子量平均為1219.2，另外，其交聯(lián)性基團的數(shù)目在每1重復單元中平均為0.1072個。于是，若對其單純按比例進行計算，則在每1000分子量中，來自交聯(lián)性基團的基團數(shù)目經計算為0.088個。從玻璃化轉變溫度、熔點和氣化溫度高、含有其的空穴注入傳輸層容易成為耐熱性優(yōu)異的層的方面考慮，優(yōu)選本發(fā)明的芳胺高分子化合物的重均分子量(Mw)大；另外，從溶解性高、成膜性優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選該重均分子量小。如此，具體地說，本發(fā)明的芳胺高分子化合物的重均分子量通常為3,000,000以下、優(yōu)選為1,000,000以下、進一步優(yōu)選為500,000以下、特別優(yōu)選為200,000以下，并且通常為5,000以上、優(yōu)選為10,000以上、進一步優(yōu)選為20,000以上。另外，本發(fā)明的芳胺高分子化合物的數(shù)均分子量(Mn)通常為2,500,000以下、優(yōu)選為750,000以下、進一步優(yōu)選為400,000以下，并且通常為500以上、優(yōu)選為1,500以上、進一步優(yōu)選為3,000以上。重均分子量和數(shù)均分子量通過SEC(尺寸排除色譜法)測定來確定。在SEC測定中，越為高分子量成分則溶出時間越短，越為低分子量成分則溶出時間越長，可使用由分子量已知的聚苯乙烯(標準試樣)的溶出時間計算出的校正曲線，將樣品的溶出時間換算為分子量，從而計算出重均分子量和數(shù)均分子量。從容易精制、溶解性高、電荷傳輸性優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選本發(fā)明的芳胺高分子化合物的分散度(Mw/Mn)小，具體地說，優(yōu)選為3.5以下、更優(yōu)選為2.5以下、特別優(yōu)選為2.0以下。另外，由于該分散度小為佳，因而其下限理想為1。下面示出本發(fā)明的芳胺高分子化合物的優(yōu)選具體例，但本發(fā)明并不限于這些。氮間最小原子數(shù)為4的示例[化11]氮間最小原子數(shù)為7的示例[化12]氮間最小原子數(shù)為8的示例[化13]氮間最小原子數(shù)為9的示例[化14]氮間最小原子數(shù)為10的示例[化15]氮間最小原子數(shù)為11的示例[化16]氮間最小原子數(shù)為12的示例[化17]氮間最小原子數(shù)為14的示例[化18]氮間最小原子數(shù)為15的示例[化19]氮間最小原子數(shù)為16的示例[化20]氮間最小原子數(shù)為17的示例[化21]氮間最小原子數(shù)為18的示例[化22]氮間最小原子數(shù)為25的示例[化23]本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物中，只要為不會大幅妨礙本發(fā)明優(yōu)異效果的量，也可以含有上述本發(fā)明的芳胺高分子化合物以外的成分。作為其它成分，可以舉出用于降低空穴注入傳輸層的電阻值的電子接受性化合物等。電子接受性化合物優(yōu)選為具有氧化力的化合物，特別優(yōu)選通過從上述空穴傳輸性化合物中接受1個電子而與上述空穴注入傳輸性化合物形成離子對的化合物。從正電荷和負電荷充分非局域化、電子接受能力優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選電子接受性化合物的分子量大；另外，從電子接受性化合物本身不易妨礙電荷傳輸?shù)姆矫婵紤]，優(yōu)選其分子量小。因此，具體地說，電子接受性化合物的分子量通常為100以上、優(yōu)選為300以上、進一步優(yōu)選為400以上，并且通常為5000以下、優(yōu)選為3000以下、進一步優(yōu)選為2000以下的范圍為宜。電子接受性化合物具體優(yōu)選電子親和力為4eV以上的化合物，更優(yōu)選電子親和力為5eV以上的化合物。作為電子接受性化合物的示例，可以舉出例如：4-異丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸鹽等有機基團取代的鎓鹽(國際公開第2005/089024號)；氯化鐵(III)(日本特開平11-251067號公報)、過硫酸銨等高原子價的無機化合物；四氰基乙烯等氰化合物；三(五氟苯基)硼(日本特開2003-31365號公報)等芳香族硼化合物；富勒烯衍生物和碘等。上述化合物之中，從具有強氧化力的方面考慮，優(yōu)選有機基團取代的鎓鹽和高原子價的無機化合物等。另外，從在有機溶劑中的溶解性高、容易通過濕式成膜法形成膜的方面考慮，優(yōu)選有機基團取代的鎓鹽、氰化合物和芳香族硼化合物等。作為適于作為電子接受性化合物的有機基團取代的鎓鹽、氰化合物或芳香族硼化合物的具體例，可以舉出國際公開第2005/089024號中記載的物質，其優(yōu)選例也是同樣的。例如，對于適于作為電子接受性化合物的化合物，例如可以舉出下述結構式所表示的化合物等，但并不限于這些。[化24]另外，下面舉出本發(fā)明中的電子接受性化合物的具體例，但本發(fā)明并不限于這些。[表1][表2]表2[表3]表3[表4]表4[表5]表5[表6]表6[表7]表7[表8][表9][表10]表10[表11]表11[表12]表12[表13][表14][表15]表15[表16]表16[表17]表17[表18]表18[表19]上述具體例之中，從電子接受性、耐熱性和在溶劑中的溶解性的方面考慮，優(yōu)選A-1～48、54、55、60～62、64～75、79～83、B-1～20、24、25、27、30～37、39～43、C-1～10、19～21、25～27、30、31的化合物，更優(yōu)選A-1～9、12～15、17、19、24、29、31～33、36、37、65、66、69、80～82、B-1～3、5、7～10、16、30、33、39、C-1～3、5、10、21、25、31的化合物，特別優(yōu)選A-1～7、80的化合物。需要說明的是，電子接受性化合物可以單獨使用一種，也可以以任意的組合和比例使用兩種以上。本發(fā)明的空穴注入傳輸層A利用濕式成膜法形成。利用濕式成膜法形成本發(fā)明的空穴注入傳輸層A的各層的情況下，通常制備用于各層形成的空穴注入傳輸層形成用組合物，將它們各自涂布成膜，進行干燥，由此來進行各層的形成。對于后述用于通過濕式成膜法形成陽極與發(fā)光層之間的層的本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物來說，也同樣地進行層的形成。在濕式成膜法中所用的本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物中所含有的溶劑之中，至少一種優(yōu)選為可溶解上述本發(fā)明空穴注入傳輸層A形成用組合物所含有的除溶劑以外的成分的液體。從容易制成均質的膜質的方面考慮，優(yōu)選溶劑的沸點高；另一方面，從可在低溫下干燥、不易對其它層或基板帶來影響的方面考慮，優(yōu)選該沸點低。具體地說，溶劑的沸點在1個大氣壓下優(yōu)選為110℃以上、更優(yōu)選為140℃以上、特別優(yōu)選為200℃以上，并且優(yōu)選為400℃以下、更優(yōu)選為300℃以下。作為本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物中所含有的溶劑，只要可滿足上述要求的特性即可，沒有特別限制，可以使用酯系溶劑、芳香族烴系溶劑、含鹵素有機溶劑、酰胺系溶劑等。作為酯系溶劑，可以舉出例如乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯等脂肪族酯和乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯和苯甲酸正丁酯等芳香族酯等。作為芳香族烴系溶劑，可以舉出例如甲苯、二甲苯、均三甲苯、環(huán)己苯、3-異丙基聯(lián)苯、1,2,3,4-四甲基苯、1,4-二異丙基苯和甲基萘等。作為含鹵素有機溶劑，可以舉出1,2-二氯乙烷、氯苯和鄰二氯苯等。作為酰胺系溶劑，可以舉出例如N,N-二甲基甲酰胺和N,N-二甲基乙酰胺等。另外，除這些外，還可使用二甲亞砜等。這些溶劑可以單獨使用一種，也可以以任意組合和比例合用兩種以上。本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物所含有的溶劑的量通常為10重量%以上、優(yōu)選為50重量%以上、更優(yōu)選為60重量%以上、特別優(yōu)選為80重量%以上，通常為99.99重量%以下。對于本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物所含有的空穴注入傳輸性化合物的量，從該組合物的粘度變高的方面考慮，優(yōu)選該量多；而另一方面，從溶解性的方面考慮，優(yōu)選該量少。因此，具體地說，空穴注入傳輸層A形成用組合物所含有的空穴注入傳輸性化合物的量通常為0.01重量%以上、優(yōu)選為0.5重量%以上、更優(yōu)選為1重量%以上；并且優(yōu)選為50重量%以下、更優(yōu)選為40重量%以下、特別優(yōu)選為20重量%以下。另外，在本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物所含有的空穴注入傳輸性化合物中，本發(fā)明的芳胺高分子化合物優(yōu)選含有25重量%以上，更優(yōu)選含有50重量%以上，特別優(yōu)選含有75重量%以上。另外，該上限為100重量%。另外，本發(fā)明的La層形成用組合物中含有電子接受性化合物的情況下，從易于成為低驅動電壓的方面考慮，優(yōu)選其含量多；而另一方面，從成膜性的方面考慮，優(yōu)選其含量少。另外，從電子接受性化合物向發(fā)光層等相鄰的其它層擴散并對發(fā)光效率及壽命帶來影響的危險性低的方面考慮，也優(yōu)選其含量少。因此，具體地說，本發(fā)明的La層形成用組合物所含有的電子接受性化合物的量以相對于空穴注入傳輸性化合物或本發(fā)明的芳胺高分子化合物的比例計優(yōu)選為0.1重量%以上、更優(yōu)選為1重量%以上，并且優(yōu)選小于50重量%、更優(yōu)選為40重量%以下、特別優(yōu)選為20重量%以下。接著對本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物進行說明。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物為用于通過濕式成膜法形成有機電致發(fā)光元件的陽極與發(fā)光層之間的層的有機電致發(fā)光元件用組合物，其含有3種以上的上述本發(fā)明的芳胺高分子化合物。另外，該3種以上的芳胺高分子化合物之中，兩種以上的芳胺高分子化合物的N相互不同。對于本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物所含有的3種以上的芳胺高分子化合物，出于使得具有使用該組合物并通過濕式成膜法所形成的層的有機電致發(fā)光元件的驅動電壓變低的原因，優(yōu)選與上述本發(fā)明的芳胺高分子化合物處于相同關系。即，在該層中存在電子云擴展各自不同的3種以上的芳胺高分子化合物時，即使在層內，也可使空穴從電子云擴展狹窄的高分子化合物依次向擴展寬廣的高分子化合物遷移(可使電子從電子云擴展寬廣的高分子化合物依次向擴展狹窄的高分子化合物遷移)，因而空穴不會停留在N少(電子云擴展狹窄)的高分子化合物處，可效率良好地由N多(電子云擴展寬廣)的高分子化合物進行傳輸，從而可得到充分的低電壓效果。因此可認為，本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物所含有的3種以上的芳胺高分子化合物優(yōu)選為上述關系。出于優(yōu)選電子云擴展各自不同的原因，本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物中優(yōu)選含有N各自不同的3種以上的芳胺高分子化合物。進一步地，將該組合物所含有的芳胺高分子化合物中的N的最小值設為Nmin、將最大值設為Nmax時，優(yōu)選Nmax大于2.0倍的Nmin(Nmax>2.0Nmin)、更優(yōu)選大于其2.1倍；另外還優(yōu)選小于4.3倍。據(jù)認為，這是由于，該組合物中含有容易效率良好地注入空穴的高分子化合物、以及容易效率良好地傳輸空穴的高分子化合物，使用該組合物形成的層內的各高分子化合物之間可效率良好地進行空穴的受授。另外，為了使空穴有效地依次遷移，優(yōu)選在該組合物中含有N小于Nmax、N大于Nmin的芳胺高分子化合物，具體地說，優(yōu)選含有N為(Nmax-4)以下、且為(Nmin+4)以上的芳胺高分子化合物，即含有滿足(Nmax-4)≧N≧(Nmin+4)的芳胺高分子化合物。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物的組成(各成分的具體例、含量、任選成分等)和使用其的層形成方法等優(yōu)選與上述本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物的情況相同。本發(fā)明中，作為適用于本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物和本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物的濕式成膜的涂布方法，例如可采用旋涂法、浸漬涂布法、模涂法、棒涂法、刮板涂布法、輥涂法、噴涂法、毛細管式涂布法、噴墨法、噴嘴印刷法、絲網印刷法、凹版印刷法和苯胺印刷法等方法。這些涂布方法中，出于容易與本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物和本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物中所特有的液性相吻合的原因，優(yōu)選旋涂法、噴涂法、噴墨法和噴嘴印刷法。出于不易由于組合物中生成的結晶而引起膜缺損等的原因，成膜時的溫度優(yōu)選為10℃以上、50℃以下。只要不顯著損害本發(fā)明的效果，成膜時的相對濕度并無限定，通常為0.01ppm以上、通常為80%以下。涂布膜通常通過加熱或減壓干燥等進行干燥。作為加熱手段，可以舉出潔凈烘箱、加熱板、紅外線、鹵素加熱器、微波照射等。其中，出于對膜整體均勻地施加熱的原因，優(yōu)選潔凈烘箱和加熱板。具體地說，例如可通過將具有涂布膜的層積體置于加熱板上并在烘箱內進行加熱等手段進行加熱。只要不顯著損害本發(fā)明的效果，干燥時的加熱溫度優(yōu)選為空穴注入傳輸層的形成中所用溶劑的沸點以上的溫度。另外，在使用兩種以上的混合溶劑的情況下，優(yōu)選在至少一種溶劑的沸點以上的溫度進行加熱。另外，若考慮到溶劑的沸點上升，則加熱溫度優(yōu)選為120℃以上410℃以下。只要在空穴注入傳輸層的形成中所用溶劑的沸點以上進行加熱、且進行加熱干燥，則干燥時的加熱時間并無限定，從不易引起空穴注入傳輸層以外的層成分的擴散的方面考慮，優(yōu)選該加熱時間短；另外，從空穴注入傳輸層容易成為均質膜的方面考慮，優(yōu)選該加熱時間長。具體地說，通常優(yōu)選為10秒以上、180分鐘以下。加熱干燥可以分2次以上進行。對于可如此得到的本發(fā)明的空穴注入傳輸層A所具有的各層和使用本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物形成的層的膜厚，從不易引起短路和泄漏的方面考慮，優(yōu)選該膜厚較厚；而另一方面，從易于呈低驅動電壓的方面考慮，優(yōu)選膜厚較薄。因此，具體地說，該各層的膜厚優(yōu)選為1nm以上、更優(yōu)選為3nm以上，并且優(yōu)選為300nm以下、更優(yōu)選為200nm以下。另外，從不易引起短路和泄漏的方面考慮，優(yōu)選本發(fā)明的空穴注入傳輸層A的膜厚(上述各層的合計厚度)較厚；另外，從不易引起空穴注入傳輸層的光吸收所致的發(fā)光效率的降低的方面考慮，優(yōu)選該膜厚較薄。因此，具體地說，本發(fā)明的空穴注入傳輸層A的膜厚優(yōu)選為5nm以上、更優(yōu)選為10nm以上，并且優(yōu)選為500nm以下、更優(yōu)選為400nm以下。以上關于成膜方法的說明也同樣適用于本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物。下面參照圖1對本發(fā)明有機電致發(fā)光元件的層構成及其制作方法等進行說明。但是，圖1為示出本發(fā)明有機電致發(fā)光元件的結構例的一例的截面示意圖。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件的層構成及其制作方法等并不限定于此。在圖1中，1表示基板、2表示陽極、10表示空穴注入傳輸層、5表示發(fā)光層、6表示空穴阻止層、7表示電子傳輸層、8表示電子注入層、9表示陰極，空穴注入傳輸層10為空穴注入傳輸層3和空穴注入傳輸層4的層積結構。需要說明的是，空穴注入傳輸層10相當于上述的空穴注入傳輸層A，由上述本發(fā)明的空穴注入傳輸層A形成用組合物或本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物形成。另外，空穴注入傳輸層3相當于上述La層和La’層，空穴注入傳輸層4相當于上述Lc層和Lc’層。需要說明的是，基板1、空穴阻止層6、電子傳輸層7和電子注入層8并非為本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件中的必需層?；?為有機電致發(fā)光元件的支持體，通常使用石英或玻璃板、金屬板或金屬箔、塑料膜或塑料片等。這些之中，優(yōu)選玻璃板；聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚砜等透明合成樹脂板。出于不易由于外氣而引起有機電致發(fā)光元件的劣化的原因，基板優(yōu)選為氣體阻隔性高的材質。因此，特別是使用如合成樹脂制的基板等那樣氣體阻隔性低的材質的情況下，優(yōu)選在基板的至少單面設置致密的硅氧化膜等來降低氣體阻隔性。陽極2為承擔向發(fā)光層側的層中注入空穴的功能的電極。陽極2通常由下述材料構成：鋁、金、銀、鎳、鈀、鉑等金屬；銦和/或錫的氧化物等金屬氧化物；碘化銅等鹵化金屬；炭黑和聚(3-甲基噻吩)、聚吡咯、聚苯胺等導電性高分子；等等。通常，陽極2的形成大多通過濺射法、真空蒸鍍法等干式法來進行。另外，在使用銀等金屬微粒、碘化銅等微粒、炭黑、導電性金屬氧化物微粒、導電性高分子微粉末等來形成陽極2的情況下，也可以通過將其分散在適當?shù)恼辰Y劑樹脂溶液中并涂布在基板1上來形成。另外，在為導電性高分子的情況下，還可以通過電解聚合在基板1上直接形成薄膜、或在基板1上涂布導電性高分子來形成陽極2(Appl.Phys.Lett.,60卷,2711頁,1992年)。陽極2通常為單層結構，但也可適當為層積結構。陽極為層積結構的情況下，可以在第1層的陽極上層積不同的導電材料。陽極2的厚度根據(jù)所需要的透明性和材質等來確定即可。特別是在需要高透明性的情況下，優(yōu)選為使可見光的透過率為60%以上的厚度、更優(yōu)選為使該透過率為80%以上的厚度。陽極2的厚度優(yōu)選通常為5nm以上、優(yōu)選為10nm以上，并且通常為1000nm以下、優(yōu)選為500nm以下。另一方面，在不需要透明性的情況下，陽極2的厚度只要為與所需要的強度等相應的任意厚度即可，這種情況下，陽極2可以與基板1為相同厚度。優(yōu)選在空穴注入傳輸層10的形成前對陽極2的表面施以紫外線+臭氧、氧等離子體、氬等離子體等處理，從而除去陽極2上的雜質、同時調整其電離勢來提高空穴注入性?？昭ㄗ⑷雮鬏攲?0為空穴注入傳輸層3和4的層積結構?？昭ㄗ⑷雮鬏攲?0為從陽極2向發(fā)光層5傳輸空穴的層，通常在陽極上形成?？昭ㄗ⑷雮鬏攲?0相當于上述本發(fā)明的空穴注入傳輸層A。此處，空穴注入傳輸層3和4為從陽極2向發(fā)光層5注入傳輸空穴的層，空穴注入傳輸層3相當于上述La層和La’層、空穴注入傳輸層4相當于上述Lc層和Lc’層。另外，空穴注入傳輸層3相當于所謂的空穴注入層、空穴注入傳輸層4相當于所謂的空穴傳輸層。發(fā)光層5為承擔如下功能的層：在一對電極間施加電場時，該發(fā)光層5由于從陽極注入的空穴與從陰極注入的電子發(fā)生再結合而被激發(fā)并發(fā)光。發(fā)光層5為在陽極2與陰極9之間形成的層，發(fā)光層5通常形成在空穴注入傳輸層10的上面。發(fā)光層中通常含有發(fā)光材料。對于發(fā)光材料，只要可在所期望的發(fā)光波長下發(fā)光、無損于本發(fā)明的效果，就沒有特別限制，可以應用公知的發(fā)光材料。發(fā)光材料可以為熒光發(fā)光材料、也可以為磷光發(fā)光材料。對于熒光發(fā)光材料來說，在原理上其激發(fā)單重態(tài)的能隙小于相同發(fā)光波長的磷光發(fā)光材料，且其激子壽命非常短，為納秒數(shù)量級，因而對發(fā)光材料的負荷小，元件的驅動壽命容易增長。因此，在特別重視元件壽命的情況下，優(yōu)選使用熒光發(fā)光材料。與此相對，對于磷光發(fā)光材料來說，在原理上其有機電致發(fā)光元件的發(fā)光效率容易高于熒光發(fā)光材料。因此，在特別重視發(fā)光效率的用途中，優(yōu)選使用磷光發(fā)光材料。發(fā)光材料可以僅使用一種，也可以以任意的組合和比例合用兩種以上。具體地說，例如，對于藍色，可以使用熒光發(fā)光材料，對于綠色和紅色，可以使用磷光發(fā)光材料等。另外，在由濕式成膜法形成發(fā)光層5的情況下，優(yōu)選降低發(fā)光材料分子的對稱性及剛性、通過導入烷基等親油性取代基來提高在溶劑中的溶解性、等。作為熒光發(fā)光材料，例如可以舉出下述材料。作為提供藍色發(fā)光的熒光發(fā)光材料(藍色熒光發(fā)光材料)，可以舉出例如萘、二萘嵌苯、芘、蒽、香豆素、1,2-苯并菲、對雙(2-苯基乙烯基)苯、芳胺和它們的衍生物等。其中優(yōu)選蒽、1,2-苯并菲、芘、芳胺和它們的衍生物等。作為提供綠色發(fā)光的熒光發(fā)光材料(綠色熒光發(fā)光材料)，可以舉出例如喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、Al(C9H6NO)3等鋁絡合物和它們的衍生物等。作為提供黃色發(fā)光的熒光發(fā)光材料(黃色熒光發(fā)光材料)，可以舉出例如，紅熒烯、萘嘧啶酮衍生物等和它們的衍生物等。作為提供紅色發(fā)光的熒光發(fā)光材料(紅色熒光發(fā)光材料)，可以舉出例如，DCM(4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(對二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃)系化合物、苯并吡喃衍生物、若丹明衍生物、苯并噻噸衍生物、氮雜苯并噻噸和它們的衍生物等。作為上述提供藍色熒光的芳胺衍生物，從元件的發(fā)光效率、驅動壽命等方面出發(fā)，優(yōu)選下式(VII)所表示的化合物。[化25](式中，Ar41表示核碳原子數(shù)為10～40的具有或不具有取代基的縮合芳香環(huán)基，Ar42和Ar43各自獨立地表示碳原子數(shù)為6～40的具有或不具有取代基的1價芳香環(huán)基。P表示1～4的整數(shù)。)作為Ar41，具體地說，可以舉出具有p個自由價的萘、菲、熒蒽、蒽、芘、二萘嵌苯、六苯并苯、1,2-苯并菲、苉、二苯基蒽、芴、苯并[9,10]菲、玉紅省(ルビセン)、苯并蒽、苯基蒽、雙蒽、二蒽基苯或二苯并蒽等。另外，作為Ar42和Ar43，具體地說，可以舉出苯基等。p表示1～4的整數(shù)。下面示出了作為熒光發(fā)光材料優(yōu)選的芳胺衍生物的具體例，但本發(fā)明的熒光發(fā)光材料并不限于這些。需要說明的是，在下述式中，“Me”表示甲基、“Et”表示乙基。[化26][化27][化28][化29]另一方面，作為磷光發(fā)光材料，可以舉出例如含有選自長周期型周期表(以下，只要沒有特別注明，在稱為“周期表”的情況下，指的是長周期型周期表。)第7～11族中的金屬的有機金屬絡合物等。作為選自周期表第7～11族中的金屬，優(yōu)選可以舉出釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑、金等。其中，出于容易調整發(fā)光色的原因，優(yōu)選銥和鉑。作為有機金屬絡合物的配位體，優(yōu)選(雜)芳基吡啶配位體、(雜)芳基吡唑配位體等(雜)芳基與吡啶、吡唑、菲咯啉等連結而成的配位體，特別優(yōu)選苯基吡啶配位體、苯基吡唑配位體。此處，(雜)芳基表示芳基基或雜芳基。作為優(yōu)選的磷光發(fā)光材料，具體地說，可以舉出例如：三(2-苯基吡啶)銥、三(2-苯基吡啶)釕、三(2-苯基吡啶)鈀、雙(2-苯基吡啶)鉑、三(2-苯基吡啶)鋨、三(2-苯基吡啶)錸等苯基吡啶絡合物；以及八乙基鉑卟啉、八苯基鉑卟啉、八乙基鈀卟啉、八苯基鈀卟啉等卟啉絡合物等。對于作為磷光發(fā)光材料的磷光性有機金屬絡合物，特別優(yōu)選可以舉出下式(VIII)或(IX)所表示的化合物。ML(q-j)L’j(VIII)(式(VIII)中，M表示金屬，q表示M的價數(shù)。另外，L和L’表示二齒配位體。J表示0～2的整數(shù)。)[化30](式(IX)中，M7表示金屬，T表示碳原子或氮原子。R92～R95各自獨立地表示任意的取代基。但是，在T為氮原子的情況下，無R94和R95。)首先對式(VIII)所表示的化合物進行說明。式(VIII)中，M表示任意的金屬，q表示M的價數(shù)。作為M的優(yōu)選具體例，可以舉出屬于選自周期表第7～11族中的金屬的上述金屬。另外，L和L’表示二齒配位體。j表示0～2的整數(shù)。式(VIII)中，二齒配位體L表示具有下式(X)的部分結構的配位體。[化31](式(X)中，環(huán)A1表示具有或不具有取代基的芳香環(huán)基，環(huán)A2表示具有或不具有取代基的含氮芳香族雜環(huán)基。)作為環(huán)A1的芳香族烴環(huán)基，可以舉出具有2個自由價的5或6元環(huán)的單環(huán)或2～5稠環(huán)等。作為具體例，可以舉出具有2個自由價的苯環(huán)、萘環(huán)、蒽環(huán)、菲環(huán)、二萘嵌苯環(huán)、并四苯環(huán)、芘環(huán)、苯并芘環(huán)、1,2-苯并菲環(huán)、苯并[9,10]菲環(huán)、苊環(huán)、熒蒽環(huán)、芴環(huán)等。作為環(huán)A1的芳香族雜環(huán)基，可以舉出具有1個或2個自由價的5或6元環(huán)的單環(huán)或2～4稠環(huán)等。作為具體例，可以舉出具有1個自由價的呋喃環(huán)、苯并呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、苯并噻吩環(huán)、吡咯環(huán)、吡唑環(huán)、咪唑環(huán)、噁二唑環(huán)、吲哚環(huán)、咔唑環(huán)、吡咯并咪唑環(huán)、吡咯并吡唑環(huán)、吡咯并吡咯環(huán)、噻吩并吡咯環(huán)、噻吩并噻吩環(huán)、呋喃并吡咯環(huán)、呋喃并呋喃環(huán)、噻吩并呋喃環(huán)、苯并異噁唑環(huán)、苯并異噻唑環(huán)、苯并咪唑環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、噠嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、三嗪環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、噌啉環(huán)、喹喔啉環(huán)、菲啶環(huán)、苯并咪唑環(huán)、萘嵌間二氮雜苯環(huán)、喹唑啉環(huán)、喹唑啉酮環(huán)、甘菊環(huán)等。作為環(huán)A2的含氮芳香族雜環(huán)基，可以舉出具有1個或2個自由價的5或6元環(huán)的單環(huán)或2～4稠環(huán)等。作為具體例，可以舉出具有1個或2個自由價的吡咯環(huán)、吡唑環(huán)、咪唑環(huán)、噁二唑環(huán)、吲哚環(huán)、咔唑環(huán)、吡咯并咪唑環(huán)、吡咯并吡唑環(huán)、吡咯并吡咯環(huán)、噻吩并吡咯環(huán)、呋喃并吡咯環(huán)、噻吩并呋喃環(huán)、苯并異噁唑環(huán)、苯并異噻唑環(huán)、苯并咪唑環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、噠嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、三嗪環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、喹喔啉環(huán)、菲啶環(huán)、苯并咪唑環(huán)、萘嵌間二氮雜苯環(huán)、喹唑啉環(huán)、喹唑啉酮環(huán)等。作為環(huán)A1和環(huán)A2各自可以具有的取代基的示例，可以舉出：鹵原子；烷基；鏈烯基；烷氧羰基；烷氧基；芳氧基；二烷基氨基；二芳氨基；咔唑基；酰基；鹵烷基；氰基；芳香族烴環(huán)基等。式(VIII)中，二齒配位體L’表示具有下式的部分結構的配位體。其中，在下式中，“Ph”表示苯基。[化32]其中，從絡合物穩(wěn)定性的方面考慮，作為L’更優(yōu)選下面舉出的配位體。[化33]作為式(VIII)所表示的化合物，特別優(yōu)選可以舉出下式(VIIIa)～(VIIIc)所表示的化合物等。[化34](式(VIIIa)中，M4表示與M同樣的金屬，w表示M4的價數(shù)，環(huán)A1表示具有或不具有取代基的芳香環(huán)基，環(huán)A2表示具有或不具有取代基的含氮芳香族雜環(huán)基。)[化35](式(VIIIb)中，M5表示與M同樣的金屬，w表示M5的價數(shù)，環(huán)A1表示具有或不具有取代基的芳香環(huán)基，環(huán)A2表示具有或不具有取代基的含氮芳香族雜環(huán)基。)[化36](式(VIIIc)中，M6表示與M同樣的金屬，w表示M6的價數(shù)，j表示0～2的整數(shù)，環(huán)A1和環(huán)A1’各自獨立地表示具有或不具有取代基的芳香環(huán)基，環(huán)A2和環(huán)A2’各自獨立地表示具有或不具有取代基的含氮芳香族雜環(huán)基。)上述式(VIIIa)～(VIIIc)中，作為環(huán)A1和環(huán)A1’的芳香環(huán)基的優(yōu)選例，可以舉出苯基、聯(lián)苯基、萘基、蒽基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吡啶基、喹啉基、異喹啉基和咔唑基等。上述式(VIIIa)～(VIIIc)中，作為環(huán)A2和環(huán)A2’的含氮芳香族雜環(huán)基的優(yōu)選例，可以舉出吡啶基、嘧啶基、吡唑基、三嗪基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基和菲啶基等。上述式(VIIIa)～(VIIIc)中，作為環(huán)A1與環(huán)A1’的芳香環(huán)基、環(huán)A2與環(huán)A2’的含氮芳香族雜環(huán)基各自可以具有的取代基，可以舉出鹵原子、烷基、鏈烯基、烷氧羰基、烷氧基、芳氧基、二烷基氨基、二芳氨基、咔唑基、?；Ⅺu烷基、氰基和(雜)芳基等。這些之中，優(yōu)選鹵原子、烷基、烷氧基、二芳氨基、咔唑基、鹵烷基、氰基和(雜)芳基等。并且，這些取代基也可以相互連結形成環(huán)。作為具體例，可以通過環(huán)A1所具有的取代基與環(huán)A2所具有的取代基結合、或者環(huán)A1’所具有的取代基與環(huán)A2’所具有的取代基結合等而形成一個稠環(huán)。作為這樣的稠環(huán)，可以舉出7,8-苯并喹啉基等。上述式(VIIIa)～(VIIIc)中，作為M4～M6的優(yōu)選例，可以舉出釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑和金等。下面示出上述式(VIII)和(VIIIa)～(VIIIc)所表示的有機金屬絡合物的具體例，但并不限定于下述的化合物。[化37][化38]上述式(VIII)所表示的有機金屬絡合物中，特別優(yōu)選具有2-芳基吡啶系配位體(即2-芳基吡啶、其上結合任意取代基而成的配位體、以及其上縮合任意基團而成的配位體)作為配位體L和/或L’的化合物。另外，也可將國際公開第2005/019373號中記載的化合物作為發(fā)光材料使用。接著對式(IX)所表示的化合物進行說明。式(IX)中，M7表示金屬。作為M7的具體例，可以舉出屬于選自周期表第7～11族中的金屬的上述金屬等。其中優(yōu)選可以舉出釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑和金，特別優(yōu)選可以舉出鉑和鈀等2價金屬。式(IX)中，R92～R95各自獨立地表示任意的取代基。R92和R93各自獨立地表示氫原子、鹵原子、烷基、芳烷基、鏈烯基、氰基、氨基、酰基、烷氧羰基、羧基、烷氧基、烷基氨基、芳烷基氨基、鹵烷基、羥基、芳氧基或芳香環(huán)基。R92和R93可以進一步帶有取代基。在進一步帶有取代基的情況下，其種類沒有特別限制，可將任意基團作為取代基。另外，對于R92和R93，2個以上的基團可以相互連結形成環(huán)。式(IX)中，T表示碳原子或氮原子。T為碳原子的情況下，R94和R95各自獨立地表示與R92和R93同樣的取代基。另外，T為氮原子的情況下，無R94和R95。下面示出了式(IX)所表示的有機金屬絡合物的具體例(T-1、T-10～T-15)，但其并不限于下述的示例物。另外，在以下的化學式中，“Me”表示甲基，Et表示乙基。[化39]只要不顯著損害本發(fā)明的效果，發(fā)光材料的分子量為任意的，但是，從耐熱性高、不易產生氣體、膜質優(yōu)良、不易由于遷移等而產生有機電致發(fā)光元件的形態(tài)學變化的方面考慮，優(yōu)選該分子量高；另外，從發(fā)光材料易于精制、易于溶解在溶劑中的方面考慮，優(yōu)選該分子量低。因此，發(fā)光材料的分子量優(yōu)選為10000以下、更優(yōu)選為5000以下、特別優(yōu)選為4000以下、最優(yōu)選為3000以下，并且優(yōu)選為100以上、更優(yōu)選為200以上、特別優(yōu)選為300以上、最優(yōu)選為400以上。在發(fā)光層中，發(fā)光材料優(yōu)選從具有電荷傳輸性的宿主材料接受電荷或能量而發(fā)光。具有電荷傳輸性的宿主材料(電荷傳輸性化合物)具有電荷(空穴或電子)傳輸性，只要無損于本發(fā)明的效果就沒有特別限制，可以應用公知的發(fā)光材料。電荷傳輸性化合物可以僅使用一種，也可以以任意的組合和比例合用兩種以上。電荷傳輸性化合物可以使用以往在有機電致發(fā)光元件的發(fā)光層中使用的化合物等，特別優(yōu)選用作發(fā)光層的宿主材料的化合物。作為電荷傳輸性化合物，具體地說，可以舉出芳香族胺系化合物、酞菁系化合物、卟啉系化合物、噻吩系化合物(低聚噻吩系化合物、聚噻吩系化合物、芐基苯基系化合物)、將叔胺利用芴基連結而成的化合物、腙系化合物、硅氮烷系化合物、硅胺烷系化合物、磷胺系化合物、喹吖啶酮系化合物、苯并[9,10]菲系化合物等的化合物等，以及蒽系化合物、芘系化合物、咔唑系化合物、吡啶系化合物、菲咯啉系化合物、噁二唑系化合物、噻咯系化合物、喹啉系化合物、三嗪系化合物、咪唑系化合物、苯并[9,10]菲系化合物等的電子傳輸性化合物等。此外，還可優(yōu)選使用例如下述化合物等：以4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯為代表的、含有2個以上叔胺且在氮原子上取代有2個以上縮合芳香環(huán)的芳香族二胺(日本特開平5-234681號公報)；4,4’,4’’-三(1-萘基苯基氨基)三苯胺等具有星爆結構的芳香族胺系化合物(J.Lumin.,72-74卷、985頁、1997年)；由三苯胺的四聚體形成的芳香族胺系化合物(Chem.Commun.,2175頁、1996年)；2,2’,7,7’-四-(二苯基氨基)-9,9’-螺雙芴等芴系化合物(Synth.Metals,91卷、209頁、1997年)；4,4’-N,N’-二咔唑聯(lián)苯(CBP)等咔唑系化合物；等等。此外還可以舉出2-(4-聯(lián)苯基)-5-(對叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、2,5-雙(1-萘基)-1,3,4-噁二唑(BND)等噁二唑系化合物；2,5-雙(6’-(2’,2’’-聯(lián)吡啶))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯(PyPySPyPy)等噻咯系化合物；紅菲繞啉(BPhen)；2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP、浴銅靈)等菲咯啉系化合物等。下面示出作為電荷傳輸性化合物的優(yōu)選具體例，但本發(fā)明并不限于這些。[化40]只要不顯著損害本發(fā)明的效果，電荷傳輸性化合物的分子量為任意的，但是，從玻璃化轉變溫度、熔點和分解溫度等高、耐熱性優(yōu)異、膜質優(yōu)良、不易由于遷移等而發(fā)生有機電致發(fā)光元件的形態(tài)學變化或不易由于熱分解而產生雜質的方面考慮，優(yōu)選該分子量高；另外，從電荷傳輸性化合物易于精制、容易溶解在溶劑中、成膜性優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選該分子量低。因此，電荷傳輸性化合物的分子量優(yōu)選為10000以下、更優(yōu)選為5000以下、特別優(yōu)選為4000以下、最優(yōu)選為3000以下，并且優(yōu)選為100以上、進一步優(yōu)選為200以上、特別優(yōu)選為300以上、最優(yōu)選為400以上。對于發(fā)光層5的形成方法，只要無損于本發(fā)明的效果就沒有特別限制，可以為濕式成膜法，也可以為真空蒸鍍法；出于成膜性優(yōu)異的原因，優(yōu)選濕式成膜法、更優(yōu)選旋涂法和噴墨法。在通過濕式成膜法形成發(fā)光層5的情況下，通常與通過濕式成膜法形成上述空穴注入傳輸層A的情況相同，其中不使用用于形成空穴注入傳輸層A的各層的組合物，而使用將用于成為發(fā)光層5的材料與可溶性溶劑(發(fā)光層用溶劑)混合而制備的發(fā)光層形成用組合物，形成該發(fā)光層5。成膜時的溫度及相對濕度等成膜條件以及干燥方法和條件等與通過濕式成膜法形成上述空穴注入傳輸層A時相同。需要說明的是，在通過濕式成膜法形成發(fā)光層的情況下，發(fā)光層形成用組合物優(yōu)選使用低分子量的材料。對于發(fā)光層的濕式成膜中所使用的溶劑，只要為可良好地溶解發(fā)光材料或電荷傳輸性化合物等的液體，就沒有特別限定。對于溶劑的溶解度，在25℃、1個大氣壓下可分別溶解0.01重量%以上的發(fā)光材料和電荷傳輸性化合物的溶劑為優(yōu)選的，更優(yōu)選可溶解0.05重量%以上的溶劑，特別優(yōu)選可溶解0.1重量%以上的溶劑。另外，出于溶劑以適當?shù)乃俣葟某赡ず蟮囊耗ぶ姓舭l(fā)、容易得到均勻的膜的原因，溶劑在1個大氣壓下的沸點優(yōu)選為80℃以上、更優(yōu)選為100℃以上、特別優(yōu)選為120℃以上，并且優(yōu)選為270℃以下、更優(yōu)選為250℃以下、特別優(yōu)選為230℃以下。作為溶劑，例如可以舉出在空穴注入傳輸層A的形成中舉出的醚系溶劑、酯系溶劑、芳香族烴系溶劑、鹵素系溶劑和酰胺系溶劑，以及鏈烷烴系溶劑、脂肪族醇系溶劑、脂環(huán)族醇系溶劑、脂肪族酮系溶劑和脂環(huán)族酮系溶劑等。這些之中，特別優(yōu)選鏈烷烴系溶劑和芳香族烴系溶劑。這些溶劑可以單獨使用一種，還可以以任意的組合及比例使用兩種以上。只要不顯著損害本發(fā)明的效果，溶劑的用量為任意的，從由于低粘性而易于進行成膜作業(yè)的方面考慮，優(yōu)選發(fā)光層形成用組合物中的溶劑總含量較多；另外，從易于以厚膜進行成膜的方面考慮，優(yōu)選該溶劑總含量較少。具體地說，優(yōu)選為10重量%以上、更優(yōu)選為50重量%以上、特別優(yōu)選為80重量%以上，并且優(yōu)選為99.95重量%以下、更優(yōu)選為99.90重量%以下、特別優(yōu)選為99.80重量%以下。只要不顯著損害本發(fā)明的效果，發(fā)光層形成用組合物中也可以含有上述發(fā)光材料、電荷傳輸性化合物和溶劑以外的成分。作為其它成分，可以舉出例如：粘結劑樹脂；流平劑和消泡劑等涂布性改良劑等。從容易制成均勻膜厚的方面考慮，優(yōu)選發(fā)光層形成用組合物中的發(fā)光材料、空穴傳輸性化合物、電子傳輸性化合物等的固體成分濃度?。涣硗?，從膜不易產生缺陷的方面考慮，優(yōu)選該固體成分濃度大。因此，該固體成分濃度優(yōu)選為0.01重量%以上70重量%以下。在通過真空蒸鍍法形成發(fā)光層5的情況下，通常，將一種或兩種以上的發(fā)光層5的構成材料(上述的發(fā)光材料、電荷傳輸性化合物等)投入到設于真空容器內的坩鍋中(在使用兩種以上材料的情況下，通常將各材料投入到不同的坩鍋中)，利用真空泵將真空容器內排氣到10-4Pa左右，之后對坩鍋進行加熱(在使用兩種以上材料的情況下，通常對各自的坩鍋進行加熱)，在控制坩鍋內材料的蒸發(fā)量的情況下進行蒸發(fā)(在使用兩種以上材料的情況下，通常各自獨立地控制蒸發(fā)量進行蒸發(fā))，在面向坩鍋放置的空穴注入傳輸層4的上面形成發(fā)光層5。需要說明的是，在使用兩種以上的材料的情況下，也可以將它們的混合物投入到坩鍋中，進行加熱、蒸發(fā)，形成發(fā)光層5。只要不顯著損害本發(fā)明的效果，蒸鍍時的真空度就沒有限定，通常為0.1×10-6Torr(0.13×10-4Pa)以上、9.0×10-6Torr(12.0×10-4Pa)以下。只要不顯著損害本發(fā)明的效果，蒸鍍速度就沒有限定，通常為/秒以上、/秒以下。只要不顯著損害本發(fā)明的效果，蒸鍍時的成膜溫度就沒有限定，優(yōu)選在10℃以上、50℃以下進行。只要不顯著損害本發(fā)明的效果，發(fā)光層5的膜厚為任意的，從膜不易產生缺陷的方面考慮，優(yōu)選膜厚較厚；另外，從容易為低驅動電壓的方面考慮，優(yōu)選膜厚較薄。因此，膜厚優(yōu)選為3nm以上、更優(yōu)選為5nm以上，并且通常優(yōu)選為200nm以下、更優(yōu)選為100nm以下?？昭ㄗ柚箤?為下述的層：其承擔在提供電場的電極間阻止從陽極移動來的空穴到達陰極的作用、和將從陰極注入的電子有效地向發(fā)光層傳輸?shù)墓δ??？昭ㄗ柚箤?在本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件中并非為必需的層，但從將空穴留在發(fā)光層內、易于提高發(fā)光效率的方面考慮，優(yōu)選使用該層。在使用空穴阻止層6的情況下，通常在發(fā)光層5與陰極9之間形成空穴阻止層6。另外，在空穴阻止層6具有后述的電子傳輸層7的情況下，在發(fā)光層5與電子傳輸層7之間形成空穴阻止層6；在具有后述的電子注入層8的情況下，在發(fā)光層5與電子注入層8之間形成空穴阻止層6。作為構成空穴阻止層6的材料所要求的物性，可以舉出電荷遷移率高且空穴遷移率低、能隙(HOMO、LUMO之差)大、激發(fā)三重態(tài)能級(T1)高等。作為滿足這樣的條件的空穴阻止層的材料，可以舉出例如：雙(2-甲基-8-羥基喹啉絡)(苯酚絡)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉絡)(三苯基硅氧絡)鋁等混合配位體絡合物；雙(2-甲基-8-喹啉絡)鋁-μ-氧-雙-(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁雙核金屬絡合物等金屬絡合物；二苯乙烯基聯(lián)苯衍生物等苯乙烯基化合物(日本特開平11-242996號公報)；3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑等三唑衍生物(日本特開平7-41759號公報)；浴銅靈等菲咯啉衍生物(日本特開平10-79297號公報)等。進一步地，國際公開第2005/022962號中記載的具有至少1個2,4,6位被取代的吡啶環(huán)的化合物也優(yōu)選作為空穴阻止層6的材料。需要說明的是，空穴阻止層6的材料可以僅使用一種、也可以以任意組合和比例合用兩種以上?？昭ㄗ柚箤?的形成方法可以為真空蒸鍍法、也可以為濕式成膜法，沒有特別限制?？昭ㄗ柚箤?的膜厚通常為0.3nm以上、優(yōu)選為0.5nm以上，并且通常為100nm以下、優(yōu)選為50nm以下。電子傳輸層7為承擔下述功能的層：其在提供電場的電極間將從陰極9注入的電子有效地向發(fā)光層5傳輸。電子傳輸層7在本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件中并非為必需的層，從提高元件的發(fā)光效率的方面考慮，優(yōu)選使用該層。在使用電子傳輸層7的情況下，通常在發(fā)光層5與陰極9之間形成電子傳輸層7。另外，在具有上述空穴阻止層6的情況下，在空穴阻止層6與陰極9之間形成電子傳輸層7；在具有后述電子注入層8的情況下，在發(fā)光層5與空穴注入層8之間形成電子傳輸層7。電子傳輸層7中所用的電子傳輸性化合物通常優(yōu)選從陰極9或電子注入層8進行的電子注入效率高、可有效地對注入的電子進行傳輸?shù)幕衔?。作為電子傳輸性化合物，具體地說，可以舉出例如：8-羥基喹啉的鋁絡合物等金屬絡合物(日本特開昭59-194393號公報)；10-羥基苯并[h]喹啉的金屬絡合物；噁二唑衍生物、二苯乙烯基聯(lián)苯衍生物、噻咯衍生物、3-羥基黃酮金屬絡合物、5-羥基黃酮金屬絡合物、苯并噁唑金屬絡合物、苯并噻唑金屬絡合物、三苯并咪唑基苯(美國專利第5645948號說明書)、喹喔啉化合物(日本特開平6-207169號公報)、菲咯啉衍生物(日本特開平5-331459號公報)、2-叔丁基-9,10-N,N’-二氰基蒽醌二亞胺、n型氫化非晶態(tài)碳化硅、n型硫化鋅、n型硒化鋅等。電子傳輸性化合物可以僅為一種，也可以以任意的組合和比例合用兩種以上。電子傳輸層7的形成方法可以為真空蒸鍍法、也可以為濕式成膜法，沒有特別限制。電子傳輸層7的膜厚通常為1nm以上、優(yōu)選為5nm以上，并且通常為300nm以下、優(yōu)選為100nm以下。電子注入層8為承擔著將從陰極9注入的電子有效地注入到發(fā)光層5中的功能的層。電子注入層8在本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件中并非為必需的層，但從可有效地向發(fā)光層中進行電子注入的方面考慮，優(yōu)選使用該層。在使用電子注入層8的情況下，通常在發(fā)光層5與陰極9之間形成電子注入層8。另外，在具有上述電子傳輸層7的情況下，在電子傳輸層7與陰極9之間形成電子注入層8。形成電子注入層8的材料優(yōu)選為功函低的金屬。具體地說，例如使用鈉、銫等堿金屬；鋇、鈣等堿土金屬等。這種情況下的電子注入層8的膜厚通常優(yōu)選為0.1nm以上、5nm以下。另外，通過在以紅菲繞啉等含氮雜環(huán)化合物或8-羥基喹啉的鋁絡合物等金屬絡合物為代表的有機電子傳輸化合物中摻雜鈉、鉀、銫、鋰、銣等堿金屬(在日本特開平10-270171號公報、日本特開2002-100478號公報、日本特開2002-100482號公報等中有記載)，可提高電子注入傳輸性、易于使膜質優(yōu)異，因而是優(yōu)選的。這種情況下，電子注入層8的膜厚優(yōu)選為5nm以上、更優(yōu)選為10nm以上，并且優(yōu)選為200nm以下、更優(yōu)選為100nm以下。電子注入層8的材料可以僅使用一種，也可以以任意的組合和比例合用兩種以上。電子注入層8的形成方法可以為真空蒸鍍法、也可以為濕式成膜法，沒有特別限制。陰極9為承擔著將電子注入到與陰極9相鄰的發(fā)光層5側的層的功能的層。陰極9為相對于空穴注入傳輸層10和發(fā)光層5等在陽極2的相反側形成的電極。另外，在具有上述電子傳輸層7的情況下，陰極9在與電子傳輸層7的陽極2相反側形成；在具有上述電子注入層8的情況下，陰極9在與電子注入層8的陽極2相反側形成。作為陰極9的材料，可以使用上述陽極2中使用的材料，考慮到效率良好地進行電子注入，優(yōu)選使用功函低的金屬，例如使用錫、鎂、銦、鈣、鋁、銀等金屬或它們的合金等。作為具體例，可以舉出例如鎂-銀合金、鎂-銦合金、鋁-鋰合金等低功函的合金電極等。陰極9的材料可以僅使用一種，也可以以任意的組合和比例合用兩種以上。陰極9的膜厚通常優(yōu)選與陽極2同樣的范圍。從元件穩(wěn)定性的方面考慮，優(yōu)選在陰極9的上面層積功函高、對大氣穩(wěn)定的金屬層，對由低功函的金屬形成的陰極9進行保護。作為進行層積的金屬，可以舉出例如鋁、銀、銅、鎳、鉻、金、鉑等金屬。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件中，只要不顯著損害本發(fā)明的效果，也可以進一步具有其它層。即，在陽極2與陰極9之間可以具有上述的其它任意層。上述的任意層也可以省略。另外，在以上說明的層構成中，也可以以相反順序層積基板以外的構成要件。具體地說，例如，若為圖1的層構成，則可以在基板上按照陰極9、電子注入層8、電子傳輸層7、空穴阻止層6、發(fā)光層5、空穴注入傳輸層10(空穴注入傳輸層3和4)、陽極2的順序進行設置。另外，也可以通過在至少一方具有透明性的2片基板之間層積基板以外的構成要件來構成本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件還可以制成將除基板以外的有機電致發(fā)光元件的構成要件(發(fā)光單元)進行多段重疊而成的結構(層積多個發(fā)光單元而成的結構)。這種情況下，若設置例如由五氧化釩(V2O5)等形成的電荷發(fā)生層(CarrierGenerationLayer：CGL)來代替各段間(發(fā)光單元間)的界面層(陽極為ITO、陰極為Al的情況下為這2層)，則段間的勢壘(障壁)減少，從發(fā)光效率和驅動電壓的方面出發(fā)為優(yōu)選的。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件可以作為單一的有機電致發(fā)光元件使用，也可以制成將2個以上的有機電致發(fā)光元件配置成陣列狀的構成來使用，還可以制成將陽極與陰極配置成X-Y矩陣狀的構成來使用。并且，在構成有機電致發(fā)光元件的各層中，只要不顯著損害本發(fā)明的效果，也可以含有上述材料及成分以外的材料和成分。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件可用于有機電致發(fā)光裝置等。所謂有機電致發(fā)光裝置例如為有機電致顯示裝置和有機EL照明等。即，本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置為使用了上述本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件的顯示裝置和照明。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件例如可以利用“有機EL顯示器”(Ohmsha，平成16年8月20日發(fā)行，時任靜士、安達千波矢、村田英幸著)中記載的方法用于有機電致發(fā)光裝置中。在本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置中，出于易于使驅動電壓低電壓化的原因，優(yōu)選具有發(fā)出相互不同顏色的光的兩種以上的有機電致發(fā)光元件，該有機電致發(fā)光元件之中，優(yōu)選至少一種有機電致發(fā)光元件為本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件或具有使用本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物通過濕式成膜法形成的層的有機電致發(fā)光元件，更優(yōu)選全部種類的有機電致發(fā)光元件為本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件或具有使用本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件用組合物通過濕式成膜法形成的層的有機電致發(fā)光元件。另外，在本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置中，從制造成本等方面考慮，優(yōu)選的是，兩種以上的有機電致發(fā)光元件所具有的任意一個空穴注入傳輸層為同一組成，換言之，兩種以上的有機電致發(fā)光元件所具有的各空穴注入傳輸層中2層以上為同一組成。實施例下面通過實施例進一步具體說明本發(fā)明，但只要不超出其要點，本發(fā)明并不限于以下實施例的記載。[實施例1]按以下順序制作有機電致發(fā)光元件。通過濺射成膜在玻璃基板1上堆積銦·錫氧化物(ITO)透明導電膜，對其采用通常的照相平版印刷技術與鹽酸蝕刻以2mm寬的條紋進行圖案化，形成陽極2。對于形成了圖案的ITO基板，依次利用表面活性劑水溶液進行超聲波清洗、利用超純水進行水洗、利用超純水進行超聲波清洗、利用超純水進行水洗，清洗后與壓縮空氣接觸使其干燥，然后進行紫外線臭氧清洗。接下來，制備含有下述結構式(HIT-1)所示的芳胺聚合物、結構式(A1)所示的4-異丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸鹽和苯甲酸乙酯的空穴注入傳輸層3形成用涂布液。在下述條件下，通過旋涂法將該涂布液在陽極2上成膜，形成膜厚為30nm的空穴注入傳輸層3。[化41]<空穴注入傳輸層3形成用涂布液>溶劑苯甲酸乙酯涂布液濃度HIT-1：2.0重量%A1：0.4重量%<空穴注入傳輸層3的成膜條件>旋涂器旋轉時間30秒旋涂氣氛大氣中加熱條件大氣中，230℃、1小時接下來，制備含有下述(HIT-2)和(HIT-3)所示的結構式的化合物的空穴注入傳輸層4形成用涂布液，在下述條件下通過旋涂法將其在空穴注入傳輸層3上成膜，通過加熱使其聚合，形成膜厚為15nm的空穴注入傳輸層4。[化42]<空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-2：0.1重量%HIT-3：0.9重量%<空穴注入傳輸層4的成膜條件>旋涂器旋轉時間120秒旋涂氣氛氮中加熱條件230℃、1小時、氮中接著制備含有下述(BH-1)和(BD-1)結構式的化合物的發(fā)光層5形成用涂布液，在下述條件下通過旋涂法將其成膜，進行加熱，由此在空穴注入傳輸層4上形成膜厚為45nm的發(fā)光層5。[化43]<發(fā)光層5形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度BH-1：3.5重量%BD-1：0.35重量%<發(fā)光層5的成膜條件>旋涂器旋轉時間120秒加熱條件130℃、10分鐘將成膜至該發(fā)光層5為止的基板轉移到真空蒸鍍裝置內，進行排氣直至裝置內的真空度為2.0×10-4Pa以下，之后利用真空蒸鍍法以蒸鍍速度/秒將下述(HB-1)所示的結構式的化合物層積在發(fā)光層5上，得到膜厚為10nm的空穴阻止層6。[化44]進一步利用真空蒸鍍法以蒸鍍速度/秒將如下所示的結構的有機化合物(E1)層積在空穴阻止層6上，得到膜厚為20nm的電子傳輸層7。[化45]此處，在真空下將該進行蒸鍍至電子傳輸層7為止的基板傳送至與進行了空穴阻止層6和電子傳輸層7的蒸鍍的腔室相連接的其它腔室中，將作為陰極蒸鍍用掩模的2mm寬的條紋狀蔭罩按照與陽極2的ITO條紋正交的方式密合在電子傳輸層7上。作為電子注入層8，首先使用鉬舟以蒸鍍速度/秒將氟化鋰(LiF)以0.5nm的膜厚形成在電子傳輸層7上。接下來，作為陰極9，同樣地利用鉬舟對鋁進行加熱，以蒸鍍速度/秒形成膜厚為80nm的鋁層。接著，為了防止元件在保存中由于大氣中的水分等而劣化，按以下方法進行密封處理。在氮手套箱中，在23mm×23mm尺寸的玻璃板的外周部以1mm的寬度涂布光固化性樹脂(株式會社ThreeBond制30Y-437)，在中央部設置吸氣片材(dynic株式會社制造)。在其上按照蒸鍍面與干燥劑片材相向的方式將形成至陰極為止的基板進行貼合。其后，僅對涂布有光固化性樹脂的區(qū)域進行紫外光照射，使樹脂固化。按上述方式來得到具有2mm×2mm的尺寸的發(fā)光面積部分的有機電致發(fā)光元件。該元件的驅動電壓(正面亮度1,000cd/m2時的驅動電壓)列于表21。[實施例2]在空穴注入傳輸層4的成膜中，不使用化合物(HIT-2)而使用如下所示結構的化合物(HIT-4)，除此以外，與實施例1同樣地制作有機電致發(fā)光元件。所得到的元件的驅動電壓(正面亮度1,000cd/m2時的驅動電壓)列于表21。[化46][實施例3]在空穴注入傳輸層4的成膜中，不使用化合物(HIT-2)而使用如下所示結構的化合物(HIT-5)，除此以外，與實施例1同樣地制作有機電致發(fā)光元件。所得到的元件的驅動電壓(正面亮度1,000cd/m2時的驅動電壓)列于表21。[化47][比較例1]除了如下變更空穴注入傳輸層3以及空穴注入傳輸層4形成用涂布液以外，與實施例1同樣地制作有機電致發(fā)光元件。所得到的元件的驅動電壓(正面亮度1,000cd/m2時的驅動電壓)列于表21。<空穴注入傳輸層3形成用涂布液>溶劑苯甲酸乙酯涂布液濃度HIT-3：2.0重量%A1：0.4重量%<空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-1：0.75重量%HIT-5：0.25重量%[比較例2]除了如下變更空穴注入傳輸層4形成用涂布液以外，與實施例1同樣地制作有機電致發(fā)光元件。所得到的元件的驅動電壓(正面亮度1,000cd/m2時的驅動電壓)列于表21。<空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-3：1.0重量%[比較例3]不使用HIT-2而使用如下所示結構的化合物(HIT-12)；如下變更空穴注入傳輸層4形成用涂布液；除此以外，與實施例1同樣地制作有機電致發(fā)光元件。所得到的元件的驅動電壓(正面亮度1,000cd/m2時的驅動電壓)列于表21。[化48]<空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-3：0.5重量%HIT-12：0.5重量%將實施例1～3和比較例1～3中形成的空穴注入傳輸層的材料與其氮間最小原子數(shù)列于表20。[表20][表21]由表20以及表21可知，本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件的驅動電壓低。[實施例4]按以下順序制作有機電致發(fā)光元件。與實施例1同樣地在玻璃基板1上形成陽極2，對其表面進行清洗。接下來，除了使膜厚為25nm以外，與實施例1同樣地形成空穴注入傳輸層3。接著制備含有如下所示結構的化合物(HIT-6)的下述空穴注入傳輸層4第一層形成用涂布液，在下述條件下通過旋涂法將其在空穴注入傳輸層3上成膜，通過加熱使其聚合，形成膜厚為10nm的空穴注入傳輸層4第一層。[化49]<空穴注入傳輸層4第一層形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-6：1重量％<空穴注入傳輸層4第一層的成膜條件>旋涂器旋轉時間120秒旋涂氣氛氮中加熱條件230℃、1小時、氮中接著制備含有(HIT-3)的下述空穴注入傳輸層4第二層形成用涂布液，在下述條件下通過旋涂法將其在空穴注入傳輸層4第一層上成膜，通過加熱使其聚合，形成膜厚為10nm的空穴注入傳輸層4第二層。<空穴注入傳輸層4第二層形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-3：1.0重量％<空穴注入傳輸層4第二層的成膜條件>旋涂器旋轉時間120秒旋涂氣氛氮中加熱條件230℃、1小時、氮中接下來，與實施例1同樣地在空穴注入傳輸層4第二層上形成發(fā)光層5、空穴阻止層6、電子傳輸層7、電子注入層8和陰極9，進行密封處理，得到具有2mm×2mm尺寸的發(fā)光面積部分的有機電致發(fā)光元件。該元件的驅動電壓(正面亮度1,000cd/m2時的驅動電壓)列于表23。[實施例5]在成膜發(fā)光層5時，不使用化合物(BH-1和BD-1)而使用如下所示結構的化合物(RH-1、RH-2、GD-1和RD-1)，制備如下的發(fā)光層5形成用涂布液，在下述條件下進行發(fā)光層5的成膜，除此以外，與實施例4同樣地制作有機電致發(fā)光元件。所得到的元件的驅動電壓(正面亮度1,000cd/m2時的驅動電壓)列于表23。[化50]<發(fā)光層5形成用涂布液><發(fā)光層5的成膜條件>旋涂器旋轉時間120秒加熱條件130℃、20分鐘[實施例6]在成膜發(fā)光層5時，不使用化合物(BH-1和BD-1)而使用如下所示結構的化合物(GH-1、GH-2和GD-1)，制備如下的發(fā)光層5形成用涂布液，形成發(fā)光層5，除此以外，與實施例4同樣地制作有機電致發(fā)光元件。所得到的元件的驅動電壓(正面亮度1,000cd/m2時的驅動電壓)列于表23。[化51]<發(fā)光層5形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度GH-1：1.2重量%GH-2：3.6重量%GD-1：0.48重量%將實施例4～6中形成的空穴注入傳輸層的材料與其氮間最小原子數(shù)列于表22。[表22][表23][實施例7]不使用HIT-1而使用如下所示結構的化合物(HIT-7～HIT-9)；不使用HIT-2與HIT-3而使用HIT-3和如下所示結構的化合物(HIT-11、HIT-13)；如下變更空穴注入傳輸層3以及空穴注入傳輸層4形成用涂布液；除此以外，與實施例1同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在施加10mA時的驅動電壓以設上述比較例3的元件在施加10mA時的驅動電壓為±0V時的相對電壓(相對于比較例3，V增減了多少)的形式列于表25中。[化52]<空穴注入傳輸層3形成用涂布液><空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-3：0.33重量%HIT-11：0.33重量%HIT-13：0.33重量%[實施例8]不單單使用HIT-1而使用HIT-1和HIT-5；不使用HIT-2與HIT-3而使用如下所示結構的化合物(HIT-14)、(HIT-15)；如下變更空穴注入傳輸層3以及空穴注入傳輸層4形成用涂布液；除此以外，與實施例1同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在施加10mA時的驅動電壓以設上述比較例3的元件在施加10mA時的驅動電壓為±0V時的相對電壓(相對于比較例3，V增減了多少)的形式列于表25中。[化53]<空穴注入傳輸層3形成用涂布液>溶劑苯甲酸乙酯涂布液濃度HIT-1：1.5重量%HIT-5：0.5重量%A1：0.4重量%<空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-14：0.1重量%HIT-15：0.9重量%[實施例9]不使用HIT-1而使用HIT-11和如下所示結構的化合物(HIT-18、HIT-19)；不使用HIT-2與HIT-3而使用HIT-4和如下所示結構的化合物(HIT-15、HIT-17)；如下變更空穴注入傳輸層3以及空穴注入傳輸層4形成用涂布液；除此以外，與實施例1同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在施加10mA時的驅動電壓以設上述比較例3的元件在施加10mA時的驅動電壓為±0V時的相對電壓(相對于比較例3，V增減了多少)的形式列于表25中。[化54]<空穴注入傳輸層3形成用涂布液><空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-4：0.33重量%HIT-15：0.33重量%HIT-17：0.33重量%將實施例7～9中形成的空穴注入傳輸層的材料與其氮間最小原子數(shù)列于表24。需要說明的是，還在表25中一并記載了將上述比較例3的元件在施加10mA時的驅動電壓設為±0V時的比較例2和3中得到的元件在施加10mA時的驅動電壓的相對電壓(相對于比較例3，V增減了多少)值。[表24][表25][實施例10]如下變更空穴注入傳輸層3以及空穴注入傳輸層4形成用涂布液；不使用發(fā)光層5的化合物(BH-1和BD-1)而使用化合物(RH-1、RH-2)與如下所示結構的化合物(RD-2)來制備下述發(fā)光層5形成用涂布液，在下述條件下進行膜厚為50nm的發(fā)光層的成膜；除此以外，與實施例1同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在施加10mA時的驅動電壓以設后述比較例4的元件在施加10mA時的驅動電壓為±0V時的相對電壓(相對于比較例4，V增減了多少)的形式列于表27中。<空穴注入傳輸層3形成用涂布液>溶劑苯甲酸乙酯涂布液濃度HIT-1：1.5重量%HIT-5：0.5重量%A1：0.4重量%<空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-3：1.0重量%[化55]<發(fā)光層5形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度RH-1：1.2重量%RH-2：3.6重量%RD-2：0.48重量%<發(fā)光層5的成膜條件>旋涂器旋轉時間120秒加熱條件130℃、20分鐘[實施例11]除了如下變更空穴注入傳輸層4形成用涂布液以外，與實施例10同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在施加10mA時的驅動電壓以設后述比較例4的元件在施加10mA時的驅動電壓為±0V時的相對電壓(相對于比較例4，V增減了多少)的形式列于表27中。<空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-3：0.5重量%HIT-4：0.5重量%[實施例12]除了如下變更空穴注入傳輸層3以及空穴注入傳輸層4形成用涂布液以外，與實施例10同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在施加10mA時的驅動電壓以設后述比較例4的元件在施加10mA時的驅動電壓為±0V時的相對電壓(相對于比較例4，V增減了多少)的形式列于表27中。<空穴注入傳輸層3形成用涂布液>溶劑苯甲酸乙酯涂布液濃度HIT-1：1.6重量%HIT-4：0.4重量%A1：0.4重量%<空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-3：0.5重量%HIT-11：0.5重量%[比較例4]除了如下變更空穴注入傳輸層3以及空穴注入傳輸層4形成用涂布液以外，與實施例10同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在施加10mA時的驅動電壓作為上述實施例10～12的元件在施加10mA時的驅動電壓的基準值列于表27中。<空穴注入傳輸層3形成用涂布液>溶劑苯甲酸乙酯涂布液濃度HIT-1：2.0重量%A1：0.4重量%<空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-3：1.0重量%將實施例10～12和比較例4中形成的空穴注入傳輸層的材料與其氮間最小原子數(shù)列于表26。[表26][表27][實施例13]使用如下所示結構的化合物(HIT-10)；如下變更空穴注入傳輸層4形成用涂布液；并且不使用發(fā)光層5的化合物(BH-1和BD-1)而使用化合物(GH-2、GD-1)與如下所示結構的化合物(GH-3)來制備下述的發(fā)光層5形成用涂布液，在下述條件下進行膜厚為50nm的發(fā)光層5的成膜；除此以外，與實施例1同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在施加10mA時的驅動電壓以設后述比較例5的元件在施加10mA時的驅動電壓為±0V時的相對電壓(相對于比較例5，V增減了多少)的形式列于表29中。[化56]<空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-3：0.33重量%HIT-10：0.33重量%HIT-11：0.33重量%[化57]<發(fā)光層5形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度GH-3：1.2重量%GH-2：3.6重量%GD-1：0.48重量%<發(fā)光層5的成膜條件>旋涂器旋轉時間120秒加熱條件130℃、20分鐘[實施例14]除了如下變更空穴注入傳輸層3以及空穴注入傳輸層4形成用涂布液以外，與實施例13同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在施加10mA時的驅動電壓以設后述比較例5的元件在施加10mA時的驅動電壓為±0V時的相對電壓(相對于比較例5，V增減了多少)的形式列于表29中。<空穴注入傳輸層3形成用涂布液><空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-10：1.0重量%[實施例15]除了如下變更空穴注入傳輸層3以及空穴注入傳輸層4形成用涂布液以外，與實施例13同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在施加10mA時的驅動電壓以設后述比較例5的元件在施加10mA時的驅動電壓為±0V時的相對電壓(相對于比較例5，V增減了多少)的形式列于表29中。<空穴注入傳輸層3形成用涂布液>溶劑苯甲酸乙酯涂布液濃度HIT-1：1.5重量%HIT-5：0.5重量%A1：0.4重量%<空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-3：0.33重量%HIT-10：0.33重量%HIT-11：0.33重量%[比較例5]除了如下變更空穴注入傳輸層4形成用涂布液以外，與實施例13同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在施加10mA時的驅動電壓作為上述實施例13～15的元件在施加10mA時的驅動電壓的基準值列于表29中。<空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-10：1.0重量%將實施例13～15和比較例5中形成的空穴注入傳輸層的材料與其氮間最小原子數(shù)列于表28。[表28][表29][實施例16]如下變更空穴注入傳輸層3形成用涂布液，在層積空穴注入傳輸層3后不進行空穴注入傳輸層4的層積，而通過真空蒸鍍法將有機化合物(E1)層積在空穴注入傳輸層3上來得到膜厚為60nm的發(fā)光層5；除此以外，與實施例1同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在正面亮度為1000cd/m2時的驅動電壓作為后述實施例17和18的元件在正面亮度為1000cd/m2時的驅動電壓的基準值列于表31中。<空穴注入傳輸層3形成用涂布液>[實施例17]如下變更空穴注入傳輸層3以及空穴注入傳輸層4形成用涂布液；進一步通過真空蒸鍍法將有機化合物(E1)層積在空穴注入傳輸層4上來得到膜厚為60nm的發(fā)光層5；除此以外，與實施例1同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在正面亮度為1000cd/m2時的驅動電壓以設上述實施例16的元件在正面亮度為1000cd/m2時的驅動電壓為±0V時的相對電壓(相對于實施例16，V增減了多少)的形式列于表31中。<空穴注入傳輸層3形成用涂布液><空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-3：0.33重量%HIT-10：0.33重量%HIT-11：0.33重量%[實施例18]如下變更空穴注入傳輸層3以及空穴注入傳輸層4形成用涂布液；進一步通過真空蒸鍍法將有機化合物(E1)層積在空穴注入傳輸層4上，得到膜厚為60nm的發(fā)光層5；除此以外，與實施例1同樣地制作有機電致發(fā)光元件。將所得到的元件在正面亮度為1000cd/m2時的驅動電壓以設上述實施例16的元件在正面亮度為1000cd/m2時的驅動電壓為±0V時的相對電壓(相對于實施例16，V增減了多少)的形式列于表31中。<空穴注入傳輸層3形成用涂布液><空穴注入傳輸層4形成用涂布液>溶劑環(huán)己基苯涂布液濃度HIT-3：1.0重量%[比較例6]除了如下變更空穴注入傳輸層3的形成用涂布液以外，與實施例16同樣地制作有機電致發(fā)光元件。對于所得到的元件施加實施例16的驅動電壓測定時的電壓+2V，但在正面亮度為1000cd/m2下未發(fā)光。<空穴注入傳輸層3形成用涂布液>溶劑苯甲酸乙酯涂布液濃度HIT-1：2.0重量%A1：0.4重量%將實施例16～18和比較例6中形成的空穴注入傳輸層的材料與其氮間最小原子數(shù)列于表30。[表30][表31]由上述實施例和比較例的結果可知，利用本發(fā)明，在任意元件中均可謀求低電壓化。盡管參照特定的實施方式詳細地對本發(fā)明進行了說明，但對于本領域技術人員來說，顯而易見的是可不脫離本發(fā)明的精神和范圍施以各種變更和修正。本申請基于2011年1月14日提交的日本專利申請(日本特愿2011-6014)以及2011年11月15日提交的日本專利申請(日本特愿2011-249769)，以參考的形式將其內容引入本說明書。工業(yè)實用性根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠以低電壓進行驅動的有機電致發(fā)光元件。另外，在使用該元件的情況下，可以得到發(fā)揮出作為電力消耗優(yōu)異的OA計算機或壁掛電視機等用的平板顯示器、顯示板、標識燈和復印機的光源、液晶顯示器、計量表類的背光光源等面發(fā)光體的特征的光源等。符號說明1基板2陽極3、4空穴注入傳輸層5發(fā)光層6空穴阻止層7電子傳輸層8電子注入層9陰極10空穴注入傳輸層