專利名稱：貼面封裝二極管的高強(qiáng)度料片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種貼面封裝ニ極管，尤其涉及一種貼面封裝ニ極管的高強(qiáng)度料片。
背景技術(shù)：
目前，大功率貼面封裝ニ極管的需求量和發(fā)展是當(dāng)今熱點(diǎn)并會非常迅速，隨著產(chǎn)品線路板小型化而使產(chǎn)品小型化的發(fā)展趨勢，特別是對大功率小型化貼面封裝ニ極管發(fā)展更為迅速。為了保證貼片封裝ニ極管大功率、小體積的需求，同時為了提高加工效率，本發(fā)明人發(fā)明了雙料片結(jié)構(gòu)的貼面封裝ニ極管，即在硅芯片的兩面分別焊接上料片和下料片，這種ニ極管在加工時不用連接片，所以操作簡單、效率高，該技術(shù)在本申請人提出的其它專利中體現(xiàn)。這種結(jié)構(gòu)中，若采用現(xiàn)有的規(guī)則形狀的料片，則可能因料片受到外界拉カ或壓カ而致與之連接硅芯片受到損壞，從而使整個貼面封裝ニ極管性能下降或喪失ニ極管性能。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供一種貼面封裝ニ極管的高強(qiáng)度料片。本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)上述目的:本實(shí)用新型所述貼面封裝ニ極管包括上料片和下料片，所述上料片的下段側(cè)表面與所述下料片的下段側(cè)表面之間通過焊料焊接有硅芯片；本實(shí)用新型所述高強(qiáng)度料片的結(jié)構(gòu)為:所述上料片的中部兩側(cè)分別設(shè)有向兩側(cè)外延的凸塊，所述上料片的中部兩側(cè)與所述凸塊相接的位置分別設(shè)有向中間內(nèi)縮的凹槽。作為優(yōu)選，所述凸塊為方形，其寬度為0.5至0.8mm,其外延長度為0.2至0.5mm ；所述凹槽為方形，其寬度為0.3至0.6mm,其內(nèi)縮長度為0.2至0.5mm。進(jìn)ー步，所述下料片的下端片的引出位置設(shè)有向上內(nèi)縮的凹ロ。作為優(yōu)選,所述凹ロ為半圓形，其直徑為0.3mm。所述娃芯片為肖特基娃芯片。所述上料片和所述下料片均為銅片。本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型通過在上料片上設(shè)置凸塊和凹槽，并在下料片上設(shè)置凹ロ，增強(qiáng)了上料片和下料片的抗壓、抗拉能力，從而增強(qiáng)了整個貼面封裝ニ極管的抗機(jī)械應(yīng)カ能力。

圖1是本實(shí)用新型所述貼面封裝ニ極管的主視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型所述貼面封裝ニ極管的右視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明所述上料片的主視圖；圖4是本發(fā)明所述下料片的主視圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)ー步說明:如圖1和圖2所示，圖中雖標(biāo)記了封裝環(huán)氧樹脂1，但為了示出其它部件，所以圖中對封裝環(huán)氧樹脂I作了透明處理，所以圖中示出的I僅表示封裝環(huán)氧樹脂的ー個區(qū)域。本實(shí)用新型所述貼面封裝ニ極管料片包括上銅片3和下銅片2，上銅片3的下段側(cè)表面與下銅片2的下段側(cè)表面之間通過焊料9焊接有肖特基娃芯片8,封裝環(huán)氧樹脂I封裝于肖特基娃芯片8、上銅片3和下銅片2的外面，上銅片3的上端片10、下銅片2的下端片11和下銅片2的外表面均置于封裝環(huán)氧樹脂外。如圖3所示，為了增強(qiáng)上銅片3的抗拉能力，上料片3的中部兩側(cè)分別設(shè)有向兩側(cè)外延的凸塊7,上料片的中部兩側(cè)與凸塊7相接的位置分別設(shè)有向中間內(nèi)縮的凹槽6 ;凸塊7為方形，其寬度為0.8mm,其外延長度為0.3mm ;凹槽6為方形，其寬度為0.4mm,其內(nèi)縮長度為0.3_。如圖4所示，為了增強(qiáng)下銅片2的抗拉能力，下銅片2的下端片11的引出位置設(shè)有向上內(nèi)縮的半圓形凹ロ 4，其直徑為0.3mm。圖4中還示出了下銅片2上設(shè)置的用于阻擋焊料9流出至邊緣的環(huán)形防流沉槽5。通過在上銅片3上設(shè)置凸塊7和凹槽6，在下銅片2上設(shè)置半圓形凹ロ 4，增強(qiáng)了上銅片3和下銅片2的抗壓、抗拉能力，從而增強(qiáng)了整個貼面封裝ニ極管的抗機(jī)械應(yīng)カ能力。
權(quán)利要求1.一種貼面封裝ニ極管的高強(qiáng)度料片，所述貼面封裝ニ極管包括上料片和下料片，所述上料片的下段側(cè)表面與所述下料片的下段側(cè)表面之間通過焊料焊接有硅芯片；其特征在于:所述上料片的中部兩側(cè)分別設(shè)有向兩側(cè)外延的凸塊，所述上料片的中部兩側(cè)與所述凸塊相接的位置分別設(shè)有向中間內(nèi)縮的凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼面封裝ニ極管的高強(qiáng)度料片，其特征在于:所述凸塊為方形，其寬度為0.5至0.8mm,其外延長度為0.2至0.5mm ;所述凹槽為方形,其寬度為0.3至0.6mm,其內(nèi)縮長度為0.2至0.5_。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的貼面封裝ニ極管的高強(qiáng)度料片，其特征在于:所述下料片的下端片的引出位置設(shè)有向上內(nèi)縮的凹ロ。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的貼面封裝ニ極管的高強(qiáng)度料片，其特征在于:所述凹ロ為半圓形，其直徑為0.3mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼面封裝ニ極管的高強(qiáng)度料片，其特征在于:所述硅芯片為肖特基娃芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼面封裝ニ極管的高強(qiáng)度料片，其特征在于:所述上料片和所述下料片均為銅片。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種貼面封裝二極管的高強(qiáng)度料片，所述貼面封裝二極管包括上料片和下料片，所述上料片的下段側(cè)表面與所述下料片的下段側(cè)表面之間通過焊料焊接有硅芯片；所述上料片的中部兩側(cè)分別設(shè)有向兩側(cè)外延的凸塊，所述上料片的中部兩側(cè)與所述凸塊相接的位置分別設(shè)有向中間內(nèi)縮的凹槽。本實(shí)用新型通過在上料片上設(shè)置凸塊和凹槽，增強(qiáng)了上料片的抗壓、抗拉能力，從而增強(qiáng)了整個貼面封裝二極管的抗機(jī)械應(yīng)力能力。
文檔編號H01L23/488GK202957234SQ20122069118
公開日2013年5月29日 申請日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月14日
發(fā)明者安國星, 李述洲 申請人:重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司