專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，特別是一種III-V族化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
自GaN基第三代半導(dǎo)體材料的興起，藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)研制成功，LED芯片的發(fā)光強度和白光發(fā)光效率不斷提高。半導(dǎo)體發(fā)光元件被認(rèn)為是下一代進(jìn)入通用照明領(lǐng)域的新型光源，因此得到廣泛關(guān)注。請參閱圖1，圖I為現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示意圖。所述半導(dǎo)體發(fā)光元件I為一發(fā)光二極管(LED);所述半導(dǎo)體發(fā)光元件I包括襯底11，依次層疊于所述襯底11上的η型半導(dǎo)體層12、發(fā)光層13、ρ型半導(dǎo)體層14、透明導(dǎo)電層15，以及第一電極焊盤16和第二電極焊盤17。所述第一電極焊盤16設(shè)置于所述P型半導(dǎo)體層14上，所述第二電極焊盤17設(shè)置于所述N型半導(dǎo)體層12未被所述發(fā)光層13和所述P型半導(dǎo)體層14覆蓋的區(qū)域。在所述第一電極焊盤16和所述第二電極焊盤17之間加電壓；電流從所述第一電極焊盤16流入所述第二半導(dǎo)體層14，并經(jīng)所述第二半導(dǎo)體層14擴展后流入整個發(fā)光層13，流經(jīng)所發(fā)光層13后的電流到達(dá)所述第一半導(dǎo)體層12，并經(jīng)過所述第一半導(dǎo)體層12匯聚到所述第二電極焊盤17。當(dāng)電流流過所述發(fā)光層13時，電流留過的發(fā)光層13區(qū)域?qū)l(fā)光；發(fā)出的光線穿過所述第二半導(dǎo)體層14和所述透明導(dǎo)電層15出射。然而，所述第一電極焊盤16的材料通常為銅或銀等不透明金屬。所述第一電極焊盤16下方的發(fā)光層13區(qū)域發(fā)出光線將受到所述第一電極焊盤16的阻擋，不能出射，從而降低了所述半導(dǎo)體發(fā)光元件I的發(fā)光效率。

實用新型內(nèi)容現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體發(fā)光元件存在發(fā)光效率低的問題，本實用新型提供一種能解決上述問題的半導(dǎo)體發(fā)光元件。一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和第一電極焊盤，所述第一半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層和所述第二半導(dǎo)體層從下往上依次層疊設(shè)置，所述第一電極焊盤設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上，并與所述第二半導(dǎo)體層電連接，所述出光層發(fā)光層發(fā)出的光線穿過所述第二半導(dǎo)體層出射，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件進(jìn)一步包括電流阻擋層，所述電流阻擋層嵌于所述第二半導(dǎo)體層中，并位于所述第一電極焊盤的下方；所述電流阻擋層使得電流至少更多流向未被所述電流阻擋層遮蔽的發(fā)光層區(qū)域。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實用新型的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，在所述第一電極焊盤下對應(yīng)的第二半導(dǎo)體層中嵌入有電流阻擋層，所述電流阻擋層減少電流流經(jīng)所述第一電極焊盤下方發(fā)光層區(qū)域電流量，使得更多的電流流經(jīng)所述第一電極焊盤未遮蔽的發(fā)光層區(qū)域，從而減少了所述第一電極焊盤遮擋造成效率損失，提高所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)光效率；同時，所述電流阻擋層嵌入到所述第二半導(dǎo)體層中，可以使得所述電流阻擋層更靠近所述發(fā)光層；從而可以減少電流在所述電流阻擋層下方的第二半導(dǎo)體層中擴散到被所述第一電極焊盤遮蔽的發(fā)光層區(qū)域，可以進(jìn)一步提高所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光效率。

圖I是現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實用新型半導(dǎo)體發(fā)光元件第一實施方式的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3是本實用新型半導(dǎo)體發(fā)光元件第二實施方式的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本實用新型半導(dǎo)體發(fā)光元件第三實施方式的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本實用新型中第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法流程圖。圖6是本實用新型中第三實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法流程圖。
具體實施方式
在現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，由于第一電極焊盤下方的發(fā)光層區(qū)域發(fā)出的光線將受到所述第一電極焊盤的阻擋，不能出射，從而降低了所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光效率。為解決現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光效率低的問題，本實用新型提供一種半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法。本實用新型的半導(dǎo)體發(fā)光元件包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和第一電極焊盤，所述第一半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層和所述第二半導(dǎo)體層從下往上依次層疊設(shè)置，所述第一電極焊盤設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上，并與所述第二半導(dǎo)體層電連接，所述出光層發(fā)光層發(fā)出的光線穿過所述第二半導(dǎo)體層出射，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件進(jìn)一步包括電流阻擋層，所述電流阻擋層嵌于所述第二半導(dǎo)體層中，并位于所述第一電極焊盤的下方；所述電流阻擋層使得電流至少更多流向未被所述電流阻擋層遮蔽的發(fā)光層區(qū)域。本實用新型的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法包括提供一襯底；在所述襯底上自下而上依次設(shè)置第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；通過離子注入的方式向所述第二半導(dǎo)體層注入離子，在所述第二半導(dǎo)體層中形成電流阻擋層；在所述第二半導(dǎo)體層上形成第一電極焊盤，所述第一電極焊盤位于電流阻擋層上方。本實用新型的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，在所述第一電極焊盤下對應(yīng)的第二半導(dǎo)體層中嵌入有電流阻擋層，所述電流阻擋層減少電流流經(jīng)所述第一電極焊盤下方發(fā)光層區(qū)域電流量，使得更多的電流流經(jīng)所述第一電極焊盤未遮蔽的發(fā)光層區(qū)域，從而減少了所述第一電極焊盤遮擋造成效率損失，提高所述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)光效率；同時，所述電流阻擋層嵌入到所述第二半導(dǎo)體層中，可以使得所述電流阻擋層更靠近所述發(fā)光層；從而可以減少電流在所述電流阻擋層下方的第二半導(dǎo)體層中擴散到被所述第一電極焊盤遮蔽的發(fā)光層區(qū)域，可以進(jìn)一步提高所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光效率。本實用新型的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法具有基本相同的技術(shù)效果。請參閱圖2，圖2是本實用新型半導(dǎo)體發(fā)光元件第一實施方式的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。所述半導(dǎo)體發(fā)光元件2優(yōu)選的為發(fā)光二極管，如所述半導(dǎo)體發(fā)光元件2為III-V族化合半導(dǎo)體發(fā)光二極管，優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件2為氮化鎵(GaN)基半導(dǎo)體發(fā)光二極管。所述半導(dǎo)體發(fā)光元件2包括襯底21、第一半導(dǎo)體層22、發(fā)光層23、第二半導(dǎo)體層24、電流阻擋層241、第一電極焊盤26和第二電極焊盤27。所述第一半導(dǎo)體層22、發(fā)光層23和第二半導(dǎo)體層24自下而上依次層疊設(shè)置于所述襯底21上；所述第一電極焊盤26設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層24上；所述第一電極焊盤26與所述第二半導(dǎo)體層24電連接。所述第二電極焊盤27設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層22未被所述發(fā)光層23和所述第二半導(dǎo)體層24覆蓋的區(qū)域上；所述第二電極焊盤27與所述第一半導(dǎo)體層22電連接。所述電流阻擋層241嵌于所述第二半導(dǎo)體層24中，并位于所述第一電極焊盤26的下方；所述電流阻擋層241使得電流至少更多流向未被所述電流阻擋層241遮蔽的發(fā)光層23區(qū)域。所述發(fā)光層23發(fā)出的光線穿過所述第二半導(dǎo)體層24出射。 在本實施方式中，所述襯底21優(yōu)選的由絕緣材料構(gòu)成。優(yōu)選的，所述襯底21為藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底或氮化鎵襯底。所述第一半導(dǎo)體層22設(shè)置于所述襯底21上，所述第一半導(dǎo)體層22可選的為η型半導(dǎo)體層，并沉積于所述襯底21的上表面。所述第一半導(dǎo)體層22進(jìn)一步優(yōu)選的為III-V族化合物半導(dǎo)體層，其通過金屬有機化學(xué)氣相沉積方法沉積于所述襯底21的上表面。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一半導(dǎo)體層22為η型氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層。可選的，所述第一半導(dǎo)體層22還可以為P型半導(dǎo)體層，如Ρ型氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層。所述發(fā)光層23設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層22上；所述發(fā)光層23優(yōu)選的包括量子阱層，如所述發(fā)光層23包括III-V族化合物半導(dǎo)體量子阱層，所述III-V族化合物半導(dǎo)體量子阱層通過金屬有機化學(xué)氣相沉積方法沉積于所述第一半導(dǎo)體層22的上；進(jìn)一步優(yōu)選的，所述發(fā)光層23包括氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)量子阱層；所述發(fā)光層23至少包括一個量子阱。優(yōu)選的，所述發(fā)光層23包括多個層疊串聯(lián)設(shè)置的量子阱。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述發(fā)光層23還可以包括位于所述氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)量子阱層與所述第一半導(dǎo)體層22之間的AlGaN層，和位于所述氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)量子阱層與所述第一半導(dǎo)體層22之間的AlGaN層。所述第二半導(dǎo)體層24設(shè)置于所述發(fā)光層23上，所述第二半導(dǎo)體層24的導(dǎo)電類型優(yōu)選的與所述第一半導(dǎo)體層22的導(dǎo)電類型相反；S卩，當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層22為η型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層24為P型半導(dǎo)體層；反之亦然。所述第二半導(dǎo)體層24沉積于所述發(fā)光層23的上表面。所述第二半導(dǎo)體層22進(jìn)一步優(yōu)選的為III-V族化合物半導(dǎo)體層，其通過金屬有機化學(xué)氣相沉積方法沉積于所述發(fā)光層23的上表面。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第二半導(dǎo)體層24為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層。所述第一電極焊盤26設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層24上，并與所述第二半導(dǎo)體層24電連接。優(yōu)選所述半導(dǎo)體發(fā)光元件2進(jìn)一步包括一透明導(dǎo)電層25 ;所述透明導(dǎo)電層25設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層24上；優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電層25沉積于所述第二半導(dǎo)體層24的上表面。所述透明導(dǎo)電層25與所述第一電極焊盤26電連接?？蛇x的，所述第一電極焊盤26設(shè)置于所述透明導(dǎo)電層25未覆蓋的所述第二半導(dǎo)體層24的上表面；所述第一電極焊盤26與所述第二半導(dǎo)體層24直接接觸；所述透明導(dǎo)電層25作為所述第一電極焊盤26的電流擴散層；使得從所述第一電極焊盤26流入的電流更均勻地分散到整個所述第二半導(dǎo)體層24。所述第一電極焊盤26還可以設(shè)置于所述透明導(dǎo)電層25上；所述第一電極焊盤26通過所述透明導(dǎo)電層25與所述第二半導(dǎo)體層24電連接；從所述第一電極焊盤26流入的電流經(jīng)過所述透明導(dǎo)電層25后流入所述第二半導(dǎo)體層24。所述電流阻擋層241，其嵌于所述第二半導(dǎo)體層24中；所述電流阻擋層241設(shè)置于所述第一電極焊盤26的下方；所述電流阻擋層241至少部分覆蓋所述第一電極焊盤26正對的區(qū)域A ;所述電流阻擋層241減少電流流經(jīng)所述第一電極焊盤26下方的發(fā)光層23區(qū)域電流量，使得更多的電流流經(jīng)所述第一電極焊盤26未遮蔽的發(fā)光層23區(qū)域，從而減少了所述第一電極焊盤26遮擋造成效率損失，提高所述半導(dǎo)體發(fā)光元件2發(fā)光效率；同時，所述電流阻擋層241嵌入到所述第二半導(dǎo)體層24中，可以使得所述電流阻擋層241盡量靠近所述發(fā)光層23 ;從而可以使得通過所述電流阻擋層241下方的第二半導(dǎo)體層24擴散到被所述第一電極焊盤26遮蔽的發(fā)光層23區(qū)域的電流減少，進(jìn)一步提高發(fā)光效率。所述電流阻擋層241可以完全設(shè)置在所述第一電極焊盤26正對的區(qū)域A內(nèi)。優(yōu)選的，所述電流阻擋層241至少覆蓋所述第一電極焊盤26正對的區(qū)域A ;如此，電流阻擋層241可以完全遮擋所述第一電極焊盤26 ;進(jìn)一步優(yōu)選的，所述電流阻擋層241覆蓋的區(qū)域大于所述第一電極焊盤26正對的區(qū)域A。如此，可以進(jìn)一步減少通過所述電流阻擋層241下方的第二半導(dǎo)體層24擴散到被所述第一電極焊盤26遮蔽的發(fā)光層23區(qū)域的電流。所述電流阻擋層241可選的，可以由為電阻率大于所述第二半導(dǎo)體層24的材料構(gòu)成，如所述電流阻擋層241為摻雜濃度低于所述第二半導(dǎo)體層24的半導(dǎo)體材料層；優(yōu)選的，所述電流阻擋層241為絕緣層，如所述電流阻擋層的材料為二氧化硅(Si02)。所述電流阻擋層241還可以是與所述第二半導(dǎo)體層24導(dǎo)電類型不同的半導(dǎo)體材料層，如所述電流阻擋層241為本征半導(dǎo)體材料層；由于本征半導(dǎo)體材料的電阻率要遠(yuǎn)大與所述第二半導(dǎo)體層24電阻率，因此可以起到很好的電流阻擋作用。優(yōu)選的，所述電流阻擋層241為與所述第二半導(dǎo)體層24導(dǎo)電類型相反的半導(dǎo)體材料層，如當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層24為P型半導(dǎo)體材料層時，所述電流阻擋層241為η型半導(dǎo)體材料層，反之亦然；所述電流阻擋層241為與所述第二半導(dǎo)體層24導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料層，使得所述電流阻擋層241與所述第二半導(dǎo)體層24的界面處形成勢壘，所述勢壘可以阻止電流流過。上述電流阻擋層241可以通過各種方法嵌于所述第二半導(dǎo)體層24中，如通過沉積刻蝕的方法形成所述電流阻擋層241 ;即，在形成所述第二半導(dǎo)體層24的過程中，通過化學(xué)氣相沉積工藝在所述發(fā)光層上形成覆蓋所述發(fā)光層23的第二半導(dǎo)體層24的第一部分；在所述第二半導(dǎo)體層24的第一部分上的預(yù)定區(qū)域形成所述電流阻擋層241，如在通過化學(xué)氣相沉積工藝在所述第二半導(dǎo)體層24的第一部分上沉積一層電流阻擋材料層；再通過刻蝕等方法去除預(yù)定區(qū)域外的電流阻擋材料層部分，從而形成所述電流阻擋層241 ;再在所述電流阻擋層241和所述第二半導(dǎo)體層24的第一部分上沉積所述第二半導(dǎo)體層24的第二部分從而形成所述第二半導(dǎo)體層24。通過上述沉積刻蝕的方法形成的所述電流阻擋層241，其下表面與所述發(fā)光層23上表面之間的距離應(yīng)盡量的小，以減少通過所述電流阻擋層241下方的第二半導(dǎo)體層24擴散到被所述第一電極焊盤24遮蔽的發(fā)光層23區(qū)域的電流。優(yōu)選的，所述電流阻擋層241下表面到所述發(fā)光層23上表面的距離小于或等于所述第二半導(dǎo)體層24的厚度的1/2，以減少電流的擴散；如所述電流阻擋層241下表面到所述發(fā)光層23上表面的距離小于lOOnm。由于所述第二半導(dǎo)體層24的電阻率較大，當(dāng)所述電流阻擋層241下表面到所述發(fā)光層23上表面的距離小于lOOnm，擴散的電流幾乎可以忽略。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述電流阻擋層241的下表面緊貼所述發(fā)光層23的上表面，所述電流阻擋層241下方?jīng)]有了第二半導(dǎo)體層24，從而不會有電流擴散到所述第一電極焊盤24遮蔽的發(fā)光層23區(qū)域。[0027]優(yōu)選的，所述電流阻擋層241可以通過離子注入的方式形成在所述第二半導(dǎo)體層24中。所述通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層24中形成電流阻擋層241的過程是；形成所述第二半導(dǎo)體層24，通過離子注入方式所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域注入離子，使得所述預(yù)定區(qū)域的第二半導(dǎo)體層24的導(dǎo)電性能或類型發(fā)生變化，從而形成所述電流阻擋層241。所述通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層24中形成所述電流阻擋層241的過程中，可以通過控制向所述第 二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域注入離子種類，使得所述注入的離子破壞所述第二半導(dǎo)體層24材料預(yù)定區(qū)域的晶格而形成的電阻率大于所述第二半導(dǎo)體層24材料的電阻層，所述電阻層在經(jīng)過退火后，所述第二半導(dǎo)體層24材料預(yù)定區(qū)域的晶格仍然處于破壞狀態(tài)，從而成所述電流阻擋層241 ;其中，當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層24為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述注入的離子優(yōu)選的包括H+、O+、He+、Fe+和Cr+中的一種或多種。所述通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層24中形成所述電流阻擋層241的過程中，還可以通過控制向所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域注入離子種類，使得在所述第二半導(dǎo)體層24中形成的禁帶寬度大于所述第二半導(dǎo)體層24材料的半導(dǎo)體材料層，從而成所述電流阻擋層241 ;其中，當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層24為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述注入的離子優(yōu)選的包括Al+和B+中的一種或兩種。所述通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層24中形成所述電流阻擋層241的過程中，當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層22為P型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層24為η型半導(dǎo)體層時，還可以向所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域注入空穴供體離子；其中，當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層24為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述空穴供體離子優(yōu)選的包括Mg+和Zn+中的一種或兩種；通過控制注入到所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域的空穴供體離子濃度，可以在所述第二半導(dǎo)體層24中形成的P型半導(dǎo)體材料層；所述P型半導(dǎo)體材料層為電流阻擋層241 ;通過控制注入到所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域的空穴供體離子濃度，還可以在所述第二半導(dǎo)體層24中形成的電子濃度低于所述第二半導(dǎo)體層24的η型半導(dǎo)體材料層；所述η型半導(dǎo)體材料層為電流阻擋層241。當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層22為η型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層24為P型半導(dǎo)體層時，還可以向所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域注入電子供體離子；其中，當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層24為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述電子供體離子優(yōu)選的包括Si+;通過控制注入到所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域的電子供體離子濃度，可以在所述第二半導(dǎo)體層24中形成的η型半導(dǎo)體材料層；所述η型半導(dǎo)體材料層為電流阻擋層241 ;通過控制注入到所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域的電子供體離子濃度，還可以在所述第二半導(dǎo)體層24中形成的空穴濃度低于所述第二半導(dǎo)體層24的P型半導(dǎo)體材料層；所述P型半導(dǎo)體材料層為電流阻擋層241。所述通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層24中形成所述電流阻擋層241的過程中，可以通過對離子注入深度的控制，使得所述注入的離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離大于或等于10nm，并且小于等于500nm。由于離子注入到所述第二半導(dǎo)體層24后，離子濃度在所述第二半導(dǎo)體層24層的厚度方向分布呈高斯分布，如注入的離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離太小，注入的離子可能分布進(jìn)入到所述發(fā)光層23中，從而破壞所述發(fā)光層23，因此，控制所述注入的離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離大于或等于10nm，可以保證注入的離子不會破壞所述發(fā)光層23 ;同時，使得所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離小于或等于500nm，能夠保證減少通過所述電流阻擋層241下方的第二半導(dǎo)體層24擴散到被所述第一電極焊盤26遮蔽的發(fā)光層23區(qū)域的電流。優(yōu)選的，所述離子濃度最高的區(qū) 域與所述發(fā)光層23之間的距離小于或等于lOOnm，由于所述第二半導(dǎo)體層24的電阻率較大，所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離小于或等于lOOnm，擴散的電流幾乎可以忽略。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離為10nm。請參閱圖3，圖3為本實用新型半導(dǎo)體發(fā)光元件第二實施方式的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。所述第二實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件3與所述第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件2基本相同，其區(qū)別在于所述第二實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件3為垂直型半導(dǎo)體發(fā)光元件，如所述半導(dǎo)體發(fā)光元件3垂直型發(fā)光二極管。襯底31是由半導(dǎo)體或?qū)w材料構(gòu)成的襯底，如所述襯底襯底31為硅襯底襯底，或所述襯底31為金屬襯底，如銅襯底等。由于所述襯底31是由半導(dǎo)體或?qū)w材料構(gòu)成的，因此，所述襯底31可以作為所述半導(dǎo)體發(fā)光元件3中電連接所述第一半導(dǎo)體層32的電極，因此無需設(shè)置如第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件2中的所述第二電極焊盤27。簡化了所述半導(dǎo)體發(fā)光元件3的結(jié)構(gòu)和制造工藝。請參閱圖4，圖4是本實用新型半導(dǎo)體發(fā)光元件第三實施方式的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。所述第三實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件4與所述第二實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件3基本相同，其區(qū)別在于所述第三實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件4進(jìn)一步包括一輔助電流阻擋層421 ;所述輔助電流阻擋層421嵌于第一半導(dǎo)體層42中，并位于所述第一電極焊盤46的下方；所述輔助電流阻擋層421至少部分覆蓋所述第一電極焊盤46正對的區(qū)域A’;所述輔助電流阻擋層421與所述電流阻擋層441配合減少經(jīng)所述第一電極焊盤46下方發(fā)光層43區(qū)域的電流量，使得更多的電流流經(jīng)所述第一電極焊盤46未遮蔽的發(fā)光層43區(qū)域，從而減少了所述第一電極焊盤66遮擋造成效率損失，進(jìn)一步提高所述半導(dǎo)體發(fā)光元件4發(fā)光效率；所述輔助電流阻擋層421可以完全設(shè)置在所述第一電極焊盤46正對的區(qū)域A內(nèi)。優(yōu)選的，所述輔助電流阻擋層421至少覆蓋所述第一電極焊盤46正對的區(qū)域A’ ；如此，輔助電流阻擋層421可以完全遮擋所述第一電極焊盤；進(jìn)一步優(yōu)選的，所述輔助電流阻擋層421覆蓋的區(qū)域大于所述第一電極焊盤46正對的區(qū)域A’ ；如此，可以進(jìn)一步減少通過所述輔助電流阻擋層421上方的第一半導(dǎo)體層42擴散到被所述第一電極焊盤46遮蔽的發(fā)光層43區(qū)域的電流；所述輔助電流阻擋層421上表面與所述發(fā)光層43下表面之間的距離應(yīng)盡量的小，以減少通過所述輔助電流阻擋層421上方的第一半導(dǎo)體層42擴散到所述被第一電極焊盤46遮蔽的發(fā)光層43區(qū)域的電流。優(yōu)選的，所述輔助電流阻擋層421上表面到所述發(fā)光層43下表面的距離應(yīng)小于或等于所述第一半導(dǎo)體層42的厚度的1/2，以減少電流的擴散；如所述輔助電流阻擋層421上表面到所述發(fā)光層43下表面的距離小于lOOnm。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述輔助電流阻擋層421的上表面緊貼所述發(fā)光層33的下表面。以下將以上述本實用新型半導(dǎo)體發(fā)光元件各實施方式2/3/4的制造方法為例對本實用新型的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法進(jìn)行舉例說明。以下對制造方法的描述過程中，對制造方法步驟的描述順序，并不是對本實用新型制造方法的限定；如沒有特別說明或步驟之間相互聯(lián)系限定，所述各個步驟中的兩個或多個可以同時執(zhí)行，或根據(jù)需要先執(zhí)行其中任意一個步驟。請參閱圖5，圖5是本實用新型中第一實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件2的制造方法流程圖。所述第一實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件2的制造方法包括一下步驟Sll:提供一襯底 21;S12 :在所述襯底21上沉積所述第一半導(dǎo)體層22 ；S13 :在所述第一半導(dǎo)體層22上沉積所述發(fā)光層23 ；S14 :在所述發(fā)光層23上沉積所述第二半導(dǎo)體層24 ；S15 :通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層24中形成所述電流阻擋層241 ；S16 :在所述第二半導(dǎo)體層24上形成所述第一電極焊盤26 ；S17 :在特定區(qū)域刻蝕所述第二半導(dǎo)體層24和所述發(fā)光層23，從而露出所述第一半導(dǎo)體層22，在所述露出的第一半導(dǎo)體層22上形成所述第二電極焊盤27。在上述步驟Sll中，所述襯底21可選的為絕緣襯底，如所述襯底21為藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底或氮化鎵襯底。在上述步驟S12中，將所述襯底21放置到沉積設(shè)備中，優(yōu)選的為金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備中；在所述沉積設(shè)備中對所述襯底21進(jìn)行沉積處理；在所述襯底21的上表面沉積一層所述第一半導(dǎo)體層22 ;如當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層22為η型氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層，可以將所述襯底21放置于金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備中進(jìn)行金屬有機化學(xué)氣相沉積工藝，在所述襯底21上沉積一層η型氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層從形成所述第一半導(dǎo)體層22。在上述步驟S13中，在所述襯底21上形成所述第一半導(dǎo)體層22后，將所述沉積有第一半導(dǎo)體層22的襯底21放置在沉積設(shè)備中，在所述第一半導(dǎo)體層22的上表面通過沉積工藝形成所述發(fā)光層23。所述發(fā)光層23優(yōu)選的包括量子阱層；所述量子阱層可以包括一個或多個量子阱。當(dāng)所述發(fā)光層為包括氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)量子阱層，可以將所述沉積有第一半導(dǎo)體層22的襯底21放置于金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備中進(jìn)行金屬有機化學(xué)氣相沉積工藝，在所述第一半導(dǎo)體層22上沉積形成所述氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)量子阱層。當(dāng)所述發(fā)光層23進(jìn)一步包括所述AlGaN層時，所述AlGaN可以同時在所述金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備沉積形成。在上述步驟S14中，在形成所述發(fā)光層23后，將所述沉積有發(fā)光層23的襯底21放置在沉積設(shè)備中，在所述發(fā)光層23的上表面通過沉積工藝形成所述第二半導(dǎo)體層24。如當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層24為P型氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層，可以將所述襯底21放置于金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備中進(jìn)行金屬有機化學(xué)氣相沉積工藝，在所述發(fā)光層23上沉積一層P型氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層從形成所述第二半導(dǎo)體層24。在上述步驟S15中，在形成所述第二半導(dǎo)體層24后，將所述沉積有所述第二半導(dǎo)體層24的襯底21放置到離子注入設(shè)備中，對所述第二半導(dǎo)體層24進(jìn)行離子注入處理，從而形成所述電流阻擋層241。所述通過離子注入的處理，從而在所述第二半導(dǎo)體層24中形成電流阻擋層241的過程是；通過離子注入方式向所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域注入離子，使得所述預(yù)定區(qū)域的第二半導(dǎo)體層24的導(dǎo)電性能或類型發(fā)生變化，從而形成電流阻擋層241。在步驟S15中，在完成對所述第二半導(dǎo)體層24進(jìn)行離子注入處理后，通常還包括對器件進(jìn)行退火處理的步驟。所述通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層24中形成所述電流阻擋層241的過程中，可以通過控制向所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域注入離子種類，使得所述注入的離子破壞所述第二半導(dǎo)體層24材料預(yù)定區(qū)域的晶格而形成的電阻率大于所述第二半導(dǎo)體層24材料的電阻層，所述電阻層在經(jīng)過退火后，所述第二半導(dǎo)體層24材料預(yù)定區(qū)域的晶格仍然處于破壞狀態(tài)，從而成所述電流阻擋層241 ;其中，當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層24為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述注入的離子優(yōu)選的包括H+、O+、He+、Fe+和Cr+中的一種或多種。所述通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層24中形成所述電流阻擋層241的過程中，還可以通過控制向所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域注入離子種類，使得在所述第二半導(dǎo)體層24中形成的禁帶寬度大于所述第二半導(dǎo)體層24材料的半導(dǎo)體材料層，從而成所述電流阻擋層241 ;其中，當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層24為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述注入的離子優(yōu)選的包括Al+和B+中的一種或兩種。所述通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層24中形成所述電流阻擋層241的 過程中，當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層22為P型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層24為η型半導(dǎo)體層時，還可以向所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域注入空穴供體離子；其中，當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層24為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述穴供體離子優(yōu)選的包括Mg+和Zn+中的一種或兩種；通過控制注入到所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域的空穴供體離子濃度，可以在所述第二半導(dǎo)體層24中形成的P型半導(dǎo)體材料層；所述P型半導(dǎo)體材料層為電流阻擋層241 ;通過控制注入到所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域的空穴供體離子濃度，還可以在所述第二半導(dǎo)體層24中形成的電子濃度低于所述第二半導(dǎo)體層24的η型半導(dǎo)體材料層；所述η型半導(dǎo)體材料層為電流阻擋層241。當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層22為η型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層24為P型半導(dǎo)體層時，還可以向所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域注入電子供體離子；其中，當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層24為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述電子供體離子優(yōu)選的包括Si+;通過控制注入到所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域的電子供體離子濃度，可以在所述第二半導(dǎo)體層24中形成的η型半導(dǎo)體材料層；所述η型半導(dǎo)體材料層為電流阻擋層241 ;通過控制注入到所述第二半導(dǎo)體層24中的預(yù)定區(qū)域的電子供體離子濃度，還可以在所述第二半導(dǎo)體層24中形成的空穴濃度低于所述第二半導(dǎo)體層24的P型半導(dǎo)體材料層；所述P型半導(dǎo)體材料層為電流阻擋層241。所述通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層24中形成所述電流阻擋層241的過程中，可以通過對離子注入深度的控制，使得所述注入的離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離大于或等于10nm，并且小于等于500nm。由于離子注入到所述第二半導(dǎo)體層24后，離子濃度在所述第二半導(dǎo)體層24層的厚度方向分布呈高斯分布，如注入的離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離太小，注入的離子可能分布進(jìn)入到所述發(fā)光層23中，從而破壞所述發(fā)光層23，因此，控制所述注入的離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離大于或等于10nm，可以使得離子注入工藝不足以破壞所述發(fā)光層23 ;同時，使得所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離小于或等于500nm，能夠保證減少通過所述電流阻擋層241下方的第二半導(dǎo)體層24擴散到被所述第一電極焊盤26遮蔽的發(fā)光層23區(qū)域的電流。優(yōu)選的，使得所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離大于等于130nm，且小于等于200nm，由于所述第二半導(dǎo)體層24的電阻率較大，所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離小于或等于200nm，擴散的電流較少，可以使得所述第一電極焊盤26的遮蔽作用明顯減少；又，當(dāng)所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離大于等于130nm時，可以保證注入的離子幾乎不會擴散到所述發(fā)光層23，從而保證發(fā)光層23的不受損害。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離為130nm。 在上述步驟S16 中，在對應(yīng)所述電流阻擋層241的上方形成所述第一電極焊盤26，并使得所述第一電極焊盤26與所述第二半導(dǎo)體層24電連接；優(yōu)選的，在步驟S16中，還包括在所述第二半導(dǎo)體層24的上表面形成所述透明導(dǎo)電層25的步驟。所述透明導(dǎo)電層25設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層24上；優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電層25沉積于所述第二半導(dǎo)體層24的上表面，其中所述沉積方法包括物理氣相沉積(PVD)方法、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)方法或金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法。所述透明導(dǎo)電層25與所述第一電極焊盤26電連接。可選的，所述第一電極焊盤26設(shè)置于所述透明導(dǎo)電層25未覆蓋的所述第二半導(dǎo)體層24的上表面；所述第一電極焊盤26與所述第二半導(dǎo)體層24直接接觸；所述透明導(dǎo)電層25作為所述第一電極焊盤2電流擴散層；使得從所述第一電極焊盤26流入的電流更均勻地分散到整個所述第二半導(dǎo)體層24。所述第一電極焊盤26還可以設(shè)置于所述透明導(dǎo)電層25上，即所述電極焊盤26在所述述透明導(dǎo)電層25沉積于所述第二半導(dǎo)體層24之后形成于所述透明導(dǎo)電層25上；所述第一電極焊盤26通過所述透明導(dǎo)電層25與所述第二半導(dǎo)體層24電連接；從所述第一電極焊盤26流入的電流經(jīng)過所述透明導(dǎo)電層25后流入所述第二半導(dǎo)體層24。在上述步驟S17中，在形成有所述第一半導(dǎo)體層22、發(fā)光層23和第二半導(dǎo)體層24的襯底21上，通過濕蝕刻或干蝕刻的方法在特定的區(qū)域去除所述發(fā)光層23和所述第二半導(dǎo)體層24，從而暴露出所述第一半導(dǎo)體層23 ;在上述蝕刻過程中，可以將形成有所述第一半導(dǎo)體層22、發(fā)光層23和第二半導(dǎo)體層24的襯底21放置于蝕刻設(shè)備中，對所述第二半導(dǎo)體層24和所述發(fā)光層23依次進(jìn)行刻蝕，直至露出所述第一半導(dǎo)體層22 ;為了保證蝕刻的效果，在蝕刻過程中，可以使蝕刻工藝蝕刻到所述第一半導(dǎo)體層22中。然后在所述露出的所述第一半導(dǎo)體層22上形成所述第二電極焊盤27，并使得所述第二電極焊盤27與所述第一半導(dǎo)體層22電連接。在上述第一實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件2的制造方法中，在所述步驟S12、步驟S13和步驟S14分別形成的所述第一半導(dǎo)體層22、所述發(fā)光層23和所述第二半導(dǎo)體層24可以在同一沉積設(shè)備中形成，從而減少制造所述半導(dǎo)體發(fā)光元件2過程中對所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的污染；如所述第一半導(dǎo)體層22、所述發(fā)光層23和所述第二半導(dǎo)體層24可以在同一金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備中沉積完成。當(dāng)然所述第一半導(dǎo)體層22、所述發(fā)光層23和所述第二半導(dǎo)體層24可以在不同的沉積設(shè)備中沉積形成。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實用新型第一實施方式的發(fā)光元件2的制造方法中，通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層24中嵌入所述電流阻擋層241。所述電流阻擋層241減少電流流經(jīng)所述第一電極焊盤26下方發(fā)光層23區(qū)域電流量，使得更多的電流流經(jīng)所述第一電極焊盤26未遮蔽的發(fā)光層23區(qū)域，從而減少了所述第一電極焊盤26遮擋造成效率損失，提高所述半導(dǎo)體發(fā)光元件2發(fā)光效率；同時，所述電流阻擋層241嵌入到所述第二半導(dǎo)體層26中，可以使得所述電流阻擋層241盡量靠近所述發(fā)光層23 ;從而可以減少電流在所述電流阻擋層241下方的第二半導(dǎo)體層24中擴散到被所述第一電極焊盤26遮蔽的發(fā)光層23區(qū)域，可以進(jìn)一步提聞發(fā)光效率。本實用新型第二實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件3的制造方法可以與所述第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件2的制造方法基本相同；其區(qū)別在于在步驟11中，提供的襯底31為由半導(dǎo)體或?qū)w材料構(gòu)成的襯底，如所述襯底31為硅襯底，或所述襯底為金屬襯底如銅襯底等；所述襯底31與所述第一半導(dǎo)體層32電連接；所述襯底31作為所述半導(dǎo)體發(fā)光元件3的一個電極；由于使用所述襯底31作為所述半導(dǎo)體發(fā)光元件3的一個電極，因此所述第二實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件3的制造方法不具有所述第一實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件2的制造方法中形成所述第二電極焊盤27的步驟S17 ;簡化了所述半導(dǎo)體發(fā)光元件3的制造方法。請參閱圖6，圖6是本實用新型中第三實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件4的制造方法流程圖。所述第三實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件4的制造方法包括以下步驟S21 :提供一第一襯底；S22 :在襯底上沉積所述第二半導(dǎo)體層44 ；S23 :在第二半導(dǎo)體層44上沉積發(fā)光層43 ；S24 :在發(fā)光層43上沉積第一半導(dǎo)體層42 ；S25 :通過離子注入的方式在所述第一半導(dǎo)體層42中形成輔助電流阻擋層421 ；S26 :在所述第一半導(dǎo)體層42上貼付一第二襯底41 ；S27 :去除所述第一襯底,從而露出所述第二半導(dǎo)體層44 ；S28 :通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層44中形成電流阻擋層441 ；S29 :在所述第二半導(dǎo)體層上形成第一電極焊盤46。在上述步驟S21中，所述第一襯底可以絕緣襯底，半導(dǎo)體襯底或金屬襯底，優(yōu)選的，特別是當(dāng)所要制造的半導(dǎo)體發(fā)光元件4是氮化鎵(GaN)基發(fā)光二極管時，所述第一襯底為絕緣襯底，如所述第一襯底為藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底或氮化鎵襯底。在上述步驟S22中，將所述第一襯底放置到沉積設(shè)備中，優(yōu)選的為金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備中；在所述沉積設(shè)備中對所述第一襯底進(jìn)行沉積處理，從而在所述第一襯底的上表面沉積一層所述第二半導(dǎo)體層44 ;如當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層44為η型氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層，可以將所述第一襯底放置于金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備中進(jìn)行金屬有機化學(xué)氣相沉積工藝，在所述第一襯底上沉積一層η型氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層從形成所述第二半導(dǎo)體層44。在上述步驟S23中，在所述第一襯底上形成所述第二半導(dǎo)體層44后，將所述沉積有第二半導(dǎo)體層44的第一襯底放置在沉積設(shè)備中，在所述第二半導(dǎo)體層44的上表面通過沉積工藝形成所述發(fā)光層43。所述發(fā)光層43優(yōu)選的包括量子阱層；所述量子阱層可以包括一個或多個量子阱。當(dāng)所述發(fā)光層43包括氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)量子阱層，可以將所述沉積有第二半導(dǎo)體層44的第一襯底放置于金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備進(jìn)行金屬有機化學(xué)氣相沉積工藝，在所述第二半導(dǎo)體層44上沉積形成所述氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)量子阱層。當(dāng)所述發(fā)光層43進(jìn)一步包括所述AlGaN層時，所述AlGaN可以同時在所述金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備沉積形成。在上述步驟S24中，在形成所述發(fā)光層43后，將所述沉積有發(fā)光層43的第一襯底放置在沉積設(shè)備中，在所述第發(fā)光層43的上表面通過沉積工藝形成所述第一半導(dǎo)體層42。如當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層42為P型氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層，可以將所述第一襯底放置于金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備中進(jìn)行金屬有機化學(xué)氣相沉積工藝，在所述發(fā)光層43上沉積一層P型氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層從形成所述第一半導(dǎo)體層42。在上述步驟S25中，在形成所述第一半導(dǎo)體層42后，將所述沉積有所述第一半導(dǎo)體層42的第一襯底放置到離子注入設(shè)備中，對所述第一半導(dǎo)體層42進(jìn)行離子注入處理，從而形成所述輔助電流阻擋層421。所述通過離子注入的 處理，從而在所述第一半導(dǎo)體層42中形成輔助電流阻擋層421的過程是；通過離子注入方式向所述第一半導(dǎo)體層42中的預(yù)定區(qū)域注入離子，使得所述預(yù)定區(qū)域的第一半導(dǎo)體層42的導(dǎo)電性能或類型發(fā)生變化，從而形成輔助電流阻擋層421。在步驟S25中，在完成對所述第一半導(dǎo)體層42進(jìn)行離子注入處理后，通常還包括對器件進(jìn)行退火處理的步驟。所述通過離子注入的方式在所述第一半導(dǎo)體層42中形成所述輔助電流阻擋層421的過程中，可以通過控制向所述第一半導(dǎo)體層42中的預(yù)定區(qū)域注入離子種類，使得所述注入的離子破壞所述第一半導(dǎo)體層42預(yù)定區(qū)域的晶格而形成的電阻率大于所述第一半導(dǎo)體層42材料的電阻層，從而成所述輔助電流阻擋層421 ;其中，當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層42為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述注入的離子優(yōu)選的包括H+、O+、He+、Fe+和Cr+中的一種或多種。所述通過離子注入的方式在所述第一半導(dǎo)體層42中形成所述輔助電流阻擋層421的過程中，還可以通過控制向所述第一半導(dǎo)體層42中的預(yù)定區(qū)域注入離子種類，使得在所述第一半導(dǎo)體層42中形成的禁帶寬度大于所述第一半導(dǎo)體層42材料的半導(dǎo)體材料層，從而成所述輔助電流阻擋層421 ;其中，當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層42為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述注入的離子優(yōu)選的包括Al+和B+中的一種或兩種。所述通過離子注入的方式在所述第一半導(dǎo)體層42中形成所述輔助電流阻擋層421的過程中，當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層42為η型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層44為ρ型半導(dǎo)體層時，還可以向所述第一半導(dǎo)體層42中的預(yù)定區(qū)域注入空穴供體離子；其中，當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層42為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述穴供體離子優(yōu)選的包括Mg+和Zn+中的一種或兩種；通過控制注入到所述第一半導(dǎo)體層42中的預(yù)定區(qū)域的空穴供體離子濃度，可以在所述第一半導(dǎo)體層42中形成的ρ型半導(dǎo)體材料層；所述P型半導(dǎo)體材料層為輔助電流阻擋層421 ;通過控制注入到所述第一半導(dǎo)體層42中的預(yù)定區(qū)域的空穴供體離子濃度，還可以在所述第一半導(dǎo)體層42中形成的電子濃度低于所述第一半導(dǎo)體層42的η型半導(dǎo)體材料層；所述η型半導(dǎo)體材料層為輔助電流阻擋層421。當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層42為ρ型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層44為ρ型半導(dǎo)體層時，還可以向所述第一半導(dǎo)體層42中的預(yù)定區(qū)域注入電子供體離子；其中，當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層42為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述電子供體離子優(yōu)選的包括Si+ ;通過控制注入到所述第一半導(dǎo)體層42中的預(yù)定區(qū)域的電子供體離子濃度，可以在所述第一半導(dǎo)體層42中形成的η型半導(dǎo)體材料層；所述η型半導(dǎo)體材料層為輔助電流阻擋層421 ;通過控制注入到所述第一半導(dǎo)體層42中的預(yù)定區(qū)域的電子供體離子濃度，還可以在所述第一半導(dǎo)體層42中形成的空穴濃度低于所述第一半導(dǎo)體層42的ρ型半導(dǎo)體材料層；所述P型半導(dǎo)體材料層為輔助電流阻擋層241。[0074]所述通過離子注入的方式在所述第一半導(dǎo)體層42中形成所述輔助電流阻擋層421的過程中，可以通過對離子注入深度的控制，使得所述注入的離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離大于或等于10nm，并且小于等于500nm。由于離子注入到所述第一半導(dǎo)體層42后，離子濃度在所述第一半導(dǎo)體層42的厚度方向分布呈高斯分布，如果注入的離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離太小，注入的離子可能分布進(jìn)入到所述發(fā)光層43中，從而破壞所述發(fā)光層43;因此，控制所述注入的離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離大于或等于10nm，可以使得離子注入工藝不足以破壞所述發(fā)光層43;同時，使得所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層23之間的距離小于或等于500nm，能夠保證減少通過所述輔助電流阻擋層421與所述發(fā)光層43之間的第一半導(dǎo)體層42擴散到被所述第一電極焊盤46遮蔽的發(fā)光層43區(qū)域的電流。優(yōu)選的，使得所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離大于等于130nm，且小于等于200nm，由于所述第一半導(dǎo)體層42的電阻率較大，所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離小于或等于200nm，擴散的電流較少，可以使得所述第一電極焊盤46的遮蔽作用明顯減少，又，當(dāng)所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離大于等于130nm時，可以保證注入的離子幾乎不會擴散到所述發(fā)光層43，從而保證發(fā)光層43的不受損害。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述離子濃度最 高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離為130nm。在上述步驟S26中，所述第二襯底41為由半導(dǎo)體或?qū)w材料構(gòu)成的襯底，如所述第二襯底41為硅襯底，或所述襯底為金屬襯底如銅襯底等；所述第二襯底41貼付于所述第一半導(dǎo)體層42上后，所述第二襯底41與所述第一半導(dǎo)體層42電連接。優(yōu)選的，在所述第一半導(dǎo)體層42上貼付所述第二襯底41包括在所述第一半導(dǎo)體層42上涂布一層導(dǎo)電粘合材料，如所述導(dǎo)電粘合材料為銀；然后將所述第二襯底41通過所述導(dǎo)電粘合材料貼付到所述第一半導(dǎo)體層42上。在上述步驟S27中，可以通過磨削的方式去除所述第一襯底；還可以通過激光剝離的方式去除所述第一襯底，從而露出所述第二半導(dǎo)體層44。在上述步驟S28中，將所述承載著所述露出的第二半導(dǎo)體層44的第二襯底41放置到離子注入設(shè)備中，對所述第二半導(dǎo)體層44進(jìn)行離子注入處理，從而形成所述電流阻擋層441。所述通過離子注入的處理，從而在所述第二半導(dǎo)體層44中形成電流阻擋層441的過程是；通過離子注入方式向所述第二半導(dǎo)體層44中的預(yù)定區(qū)域注入離子，使得所述預(yù)定區(qū)域的第二半導(dǎo)體層44的導(dǎo)電性能或類型發(fā)生變化，從而形成電流阻擋層441。在步驟S28中，在完成對所述第二半導(dǎo)體層44進(jìn)行離子注入處理后，通常還包括對器件進(jìn)行退火處理的步驟。所述通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層44中形成所述電流阻擋層441的過程中，可以通過控制向所述第二半導(dǎo)體層44中的預(yù)定區(qū)域注入離子種類，使得所述注入的離子破壞所述第二半導(dǎo)體層44材料預(yù)定區(qū)域的晶格而形成的電阻率大于所述第二半導(dǎo)體層44材料的電阻層，所述電阻層在經(jīng)過退火后，所述第二半導(dǎo)體層44材料預(yù)定區(qū)域的晶格仍然處于破壞狀態(tài)，從而成所述電流阻擋層441 ;其中，當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層44為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述注入的離子優(yōu)選的包括H+、O+、He+、Fe+和Cr+中的一種或多種。所述通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層44中形成所述電流阻擋層441的過程中，還可以通過控制向所述第二半導(dǎo)體層44中的預(yù)定區(qū)域注入離子種類，使得在所述第二半導(dǎo)體層44中形成的禁帶寬度大于所述第二半導(dǎo)體層44材料的半導(dǎo)體材料層，從而成所述電流阻擋層441 ;其中，當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層44為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述注入的離子優(yōu)選的包括Al+和B+中的一種或兩種。所述通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層44中形成所述電流阻擋層441的過程中，當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層42為ρ型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層44為η型半導(dǎo)體層時，還可以向所述第二半導(dǎo)體層44中的預(yù)定區(qū)域 注入空穴供體離子；其中，當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層44為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述穴供體離子優(yōu)選的包括Mg+和Zn+中的一種或兩種；通過控制注入到所述第二半導(dǎo)體層44中的預(yù)定區(qū)域的空穴供體離子濃度，可以在所述第二半導(dǎo)體層44中形成的ρ型半導(dǎo)體材料層；所述ρ型半導(dǎo)體材料層為電流阻擋層441 ;通過控制注入到所述第二半導(dǎo)體層44中的預(yù)定區(qū)域的空穴供體離子濃度，還可以在所述第二半導(dǎo)體層44中形成的電子濃度低于所述第二半導(dǎo)體層44的η型半導(dǎo)體材料層；所述η型半導(dǎo)體材料層為電流阻擋層441。當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層42為η型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層44為ρ型半導(dǎo)體層時，還可以向所述第二半導(dǎo)體層44中的預(yù)定區(qū)域注入電子供體離子；其中，當(dāng)所述第二半導(dǎo)體層44為III-V族化合物半導(dǎo)體層，特別是為氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層時，所述電子供體離子優(yōu)選的包括Si+;通過控制注入到所述第二半導(dǎo)體層44中的預(yù)定區(qū)域的電子供體離子濃度，可以在所述第二半導(dǎo)體層44中形成的η型半導(dǎo)體材料層；所述η型半導(dǎo)體材料層為電流阻擋層441 ;通過控制注入到所述第二半導(dǎo)體層44中的預(yù)定區(qū)域的電子供體離子濃度，還可以在所述第二半導(dǎo)體層44中形成的空穴濃度低于所述第二半導(dǎo)體層44的ρ型半導(dǎo)體材料層；所述ρ型半導(dǎo)體材料層為電流阻擋層441。所述通過離子注入的方式在所述第二半導(dǎo)體層44中形成所述電流阻擋層441的過程中，可以通過對離子注入深度的控制，使得所述注入的離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離大于或等于10nm，并且小于等于500nm。由于離子注入到所述第二半導(dǎo)體層44后，離子濃度在所述第二半導(dǎo)體層44層的厚度方向分布呈高斯分布，如注入的離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離太小，注入的離子可能分布進(jìn)入到所述發(fā)光層43中，從而破壞所述發(fā)光層43，因此，控制所述注入的離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離大于或等于10nm，可以使得離子注入工藝不足以破壞所述發(fā)光層43 ;同時，使得所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離小于或等于500nm，能夠保證減少通過所述電流阻擋層441與所述發(fā)光層43的第二半導(dǎo)體層44擴散到被所述第一電極焊盤46遮蔽的發(fā)光層43區(qū)域的電流。優(yōu)選的，使得所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離大于等于130nm，且小于等于200nm，由于所述第二半導(dǎo)體層44的電阻率較大，所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離小于或等于200nm，擴散的電流較少，可以使得所述第一電極焊盤46的遮蔽作用明顯減少；又，當(dāng)所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離大于等于130nm時，可以保證注入的離子幾乎不會擴散到所述發(fā)光層43，從而保證發(fā)光層43的不受損害。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層43之間的距離為130nm。在上述步驟S29中，在對應(yīng)所述電流阻擋層441的上方形成所述第一電極焊盤46，并使得所述第一電極焊盤46與所述第二半導(dǎo)體層44電連接；優(yōu)選的，在步驟S29中，還包括在所述第二半導(dǎo)體層44的上表面形成所述透明導(dǎo)電層45的步驟。所述透明導(dǎo)電層45設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層44上；優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電層45沉積于所述第二半導(dǎo)體層44的上表面，其中所述沉積方法包括物理氣相沉積(PVD)方法、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)方法或金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法。所述透明導(dǎo)電層45與所述第一電極焊盤46電連接?？蛇x的，所述第一電極焊盤46設(shè)置于所述透明導(dǎo)電層45未覆蓋的所述第二半導(dǎo)體層44的上表面；所述第一電極焊盤46與所述第二半導(dǎo)體層44直接接觸；所述透明導(dǎo)電層45作為所述第一電極焊盤46電流擴散層；使得從所述第一電極焊盤46流入的電流更均勻地分散到整個所述第二半導(dǎo)體層44。所述第一電極焊盤46還可以設(shè)置于所述透明導(dǎo)電層45上，即所述電極焊盤46在所述透明導(dǎo)電層45沉積于所述第二半導(dǎo)體層44上之后形成于所述透明導(dǎo)電層45上；所述第一電極焊盤46通過所述透明導(dǎo)電層45與所述第二半導(dǎo)體層44電連接；從所述第一電極焊盤46流入的電流經(jīng)過所述透明導(dǎo)電層45后流入所述第二半導(dǎo)體層44。上述第三實施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件4的制造方法中，當(dāng)所述步驟S22、步驟S23 和步驟S24分別形成的所述第二半導(dǎo)體層44、所述發(fā)光層43和所述第一半導(dǎo)體層42為可以在同一沉積設(shè)備中形成，從而減少制造所述半導(dǎo)體發(fā)光元件4過程中對所述半導(dǎo)體發(fā)光元件4的污染；例如，當(dāng)所述第一半導(dǎo)體層44、所述發(fā)光層43和所述第二半導(dǎo)體層42均由氮化鎵GaN半導(dǎo)體材料摻雜形成,貝U可以在同一金屬有機化學(xué)氣相沉積設(shè)備中沉積完成。當(dāng)然所述第二半導(dǎo)體層44、所述發(fā)光層43和所述第一半導(dǎo)體層42可以在不同的沉積設(shè)備中沉積形成。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實用新型第三實施方式的發(fā)光元件4的制造方法中，通過離子注入的方式在所述第一半導(dǎo)體層42中嵌入所述輔助電流阻擋層421。在所述第二半導(dǎo)體層44中嵌入所述電流阻擋層441，所述電流阻擋層441與所述輔助電流阻擋層421配合減少電流流經(jīng)所述第一電極焊盤46下方發(fā)光層43區(qū)域電流量，使得更多的電流流經(jīng)所述第一電極焊盤46未遮蔽的發(fā)光層43區(qū)域，從而減少了所述第一電極焊盤46遮擋造成效率損失，提高所述半導(dǎo)體發(fā)光元件4發(fā)光效率。與所述第三實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件4相比較，所述第二實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件3的區(qū)別只在于，所述第二實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件3不具有所述輔助電流阻擋層；因此，本實用新型第二實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件3也可以使用與所述第三實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件4的制造方法基本相同的制造方法來制造；所述第二實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件3的制造方法的區(qū)別在于制造第三實施方式半導(dǎo)體發(fā)光元件4的制造方法不具有所述步驟S25，則通過離子注入的方式在所述第一半導(dǎo)體層42中形成輔助電流阻擋層421的步驟。雖然本實用新型已以較佳實施例披露如上，但本實用新型并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本實用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其包括第一襯底、第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和第一電極焊盤，所述第一半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層和所述第二半導(dǎo)體層從下往上依次設(shè)置于所述第一襯底上，所述第一電極焊盤設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上，并與所述第二半導(dǎo)體層電連接，所述發(fā)光層發(fā)出的光線穿過所述第二半導(dǎo)體層出射，其特征在于所述半導(dǎo)體發(fā)光元件進(jìn)一步包括電流阻擋層，所述電流阻擋層嵌于所述第二半導(dǎo)體層中，并位于所述第一電極焊盤的下方；所述電流阻擋層用于使電流至少更多流向未被所述電流阻擋層遮蔽的發(fā)光層區(qū)域。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于所述電流阻擋層覆蓋所述第一電極焊盤正對的區(qū)域，且所述電流阻擋層覆蓋的區(qū)域大于所述第一電極焊盤正對的區(qū)域。
3.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于所述電流阻擋層下表面緊貼所述發(fā)光層的上表面。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于所述電流阻擋層為絕緣材料構(gòu)成的電流阻擋層，或所述電流阻擋層為本證半導(dǎo)體材料構(gòu)成的電流阻擋層，或所述電流阻擋層為與所述第二半導(dǎo)體層導(dǎo)電類型相反的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的電流阻擋層，或所述電流阻擋層為本征半導(dǎo)體材料構(gòu)成的電流阻擋層。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于所述半導(dǎo)體發(fā)光元件進(jìn)一步包括輔助電流阻擋層，所述輔助電流阻擋層嵌于所述第一半導(dǎo)體層中，并位于所述第一電極焊盤的下方。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于所述電流阻擋層為通過離子注入的方式向所述第二半導(dǎo)體層注入離子而形成在嵌于所述第二半導(dǎo)體層中的電流阻擋層。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于所述形成的電流阻擋層為電阻率大于所述第二半導(dǎo)體層材料的電阻層，或所述形成的電流阻擋層為禁帶寬度大于所述第二半導(dǎo)體層材料的半導(dǎo)體材料層，或所述形成的電流阻擋層為與所述第二半導(dǎo)體層導(dǎo)電類型相反的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的電流阻擋層，或所述形成的電流阻擋層為本征半導(dǎo)體材料構(gòu)成的電流阻擋層。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于所述注入離子濃度最高的區(qū)域與所述發(fā)光層之間的距離大于等于130nm，且小于等于200nm。
9.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于所述半導(dǎo)體發(fā)光元件為氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光元件。
10.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于所述半導(dǎo)體發(fā)光元件進(jìn)一步包括一透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層上，所述透明電極層與所述第一電極焊盤電連接。
專利摘要本實用新型涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件。所述半導(dǎo)體發(fā)光元件包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和第一電極焊盤，所述第一半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層和所述第二半導(dǎo)體層從下往上依次層疊設(shè)置，所述第一電極焊盤設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上，并與所述第二半導(dǎo)體層電連接，所述發(fā)光層發(fā)出的光線穿過所述第二半導(dǎo)體層出射，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件進(jìn)一步包括電流阻擋層，所述電流阻擋層嵌于所述第二半導(dǎo)體層中，并位于所述第一電極焊盤的下方；所述電流阻擋層使得電流至少更多流向未被所述電流阻擋層遮蔽的發(fā)光層區(qū)域。本實用新型的半導(dǎo)體發(fā)光元件能夠提高所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光效率。
文檔編號H01L33/14GK202797052SQ201220521920
公開日2013年3月13日 申請日期2012年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月11日
發(fā)明者梁秉文 申請人:光達(dá)光電設(shè)備科技(嘉興)有限公司