專利名稱：一種改進的可控硅結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種改進的可控硅結(jié)構(gòu)，屬于可控硅生產(chǎn)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
可控規(guī)生產(chǎn)過程中，陰極和門極均靠氧化層保護，采用氧化層保護，存在如下缺點1、氧化層易受到雜質(zhì)離子影響造成陰極、門極間漏電大，器件失效；2、表面濃度越淡，表面易形成反型，容易使器件失效；3、陰極和門極之間因工作時存在工作電流和電壓，使用過程中易造成此處PN結(jié)燒毀，器件失效。因此，應(yīng)該提供一種新的技術(shù)方案解決上述問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種表面無燒毀、可靠性高的改進的可控硅結(jié)構(gòu)。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是一種改進的可控硅結(jié)構(gòu)，包括臺面槽、穿通環(huán)、長基區(qū)、正面短基區(qū)、背面短基區(qū)、陰極區(qū)和門極區(qū)，所述穿通環(huán)設(shè)于長基區(qū)的四周，所述陰極區(qū)和門極區(qū)之間開有陰極門極間槽，所述陰極門極間槽內(nèi)填充有玻璃粉。本實用新型的優(yōu)點是在陰極區(qū)和門極區(qū)之間開有間槽，并在槽內(nèi)填充高純度玻璃粉，玻璃粉耐壓高，漏電低，也不存在反型條件和表面燒毀現(xiàn)象，大大提高了可控硅的可靠性。
以下結(jié)合附圖
和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細敘述。圖I為本實用新型結(jié)構(gòu)俯視圖。圖2為本實用新型結(jié)構(gòu)剖視圖。其中1、臺面槽,2、穿通環(huán)，3、長基區(qū)，4、正面短基區(qū)，5、背面短基區(qū)，6、陰極區(qū)，7、門極區(qū)，8、陰極門極間槽，9、玻璃粉。
具體實施方式
如圖I和2所示，本實用新型一種改進的可控硅結(jié)構(gòu)，包括臺面槽I、穿通環(huán)2、長基區(qū)3、正面短基區(qū)4、背面短基區(qū)5陰極區(qū)6和門極區(qū)7，穿通環(huán)2設(shè)于長基區(qū)3的四周，陰極區(qū)6和門極區(qū)7之間開有陰極門極間槽8，陰極門極間槽8內(nèi)填充有玻璃粉9。
權(quán)利要求1 . 一種改進的可控硅結(jié)構(gòu)，包括臺面槽、穿通環(huán)、長基區(qū)、正面短基區(qū)、背面短基區(qū)、陰極區(qū)和門極區(qū)，所述穿通環(huán)設(shè)于長基區(qū)的四周，其特征在于所述陰極區(qū)和門極區(qū)之間開有陰極門極間槽，所述陰極門極間槽內(nèi)填充有玻璃粉。
專利摘要本實用新型公開了一種改進的可控硅結(jié)構(gòu)，包括臺面槽、穿通環(huán)、長基區(qū)、正面短基區(qū)、背面短基區(qū)、陰極區(qū)和門極區(qū)，其特征在于陰極區(qū)和門極區(qū)之間開有陰極門極間槽，陰極門極間槽內(nèi)填充有玻璃粉。本實用新型的優(yōu)點是耐壓高，漏電低，也不存在反型條件和表面燒毀現(xiàn)象，大大提高了可控硅的可靠性。
文檔編號H01L29/06GK202772138SQ20122034843
公開日2013年3月6日 申請日期2012年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月18日
發(fā)明者耿開遠, 周建, 朱法揚 申請人:啟東吉萊電子有限公司